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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求

SIC MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新興的功率半導(dǎo)體器件，具有良好的電氣特性和高...

2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1.9k 0

日本電裝和三菱將投資10億美元，獲取對(duì)Coherent碳化硅部門(mén)25%股權(quán)

根據(jù)交易條款，電裝和三菱電機(jī)將各投資5億美元，以獲得Coherent 碳化硅業(yè)務(wù)12.5%的非控股所有權(quán)，Coherent 擁有剩余75%的所有權(quán)。在交...

2023-10-13 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 碳化硅 1.9k 0

合盛新材料8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項(xiàng)目全線貫通

合盛硅業(yè)旗下寧波合盛新材料有限公司近日傳來(lái)振奮人心的消息，其8英寸導(dǎo)電型4H-SiC（碳化硅）襯底項(xiàng)目已圓滿實(shí)現(xiàn)全線貫通，標(biāo)志著公司在第三代半導(dǎo)體材料領(lǐng)...

2024-09-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1.9k 0

16家SiC企業(yè)公布成績(jī)單，上半年誰(shuí)更賺錢？

報(bào)告期內(nèi)，天岳先進(jìn)高品質(zhì)SiC襯底獲得國(guó)際客戶的認(rèn)可。今年5月，天岳先進(jìn)與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月24日，天岳先進(jìn)與客戶F簽訂了一份碳化硅采購(gòu)協(xié)議，約...

2023-09-08 標(biāo)簽：SiC 碳化硅三安光電 1.9k 0

意法半導(dǎo)體雙通道柵極驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化并簡(jiǎn)化SiC和IGBT開(kāi)關(guān)電路

意法半導(dǎo)體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。

2022-02-15 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 IGBT SiC 1.9k 0

傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì)

傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級(jí)儲(chǔ)能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設(shè)計(jì) 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功...

2025-09-24 標(biāo)簽：SiC 儲(chǔ)能充電樁 1.9k 0

光伏繼續(xù)高歌猛進(jìn) 碳化硅開(kāi)啟廣泛合作光伏為何擁抱SiC？

今年上半年，光伏需求繼續(xù)飆升，中國(guó)新增光伏裝機(jī)增長(zhǎng)153%，逆變器廠商也賺得“盆滿缽滿”，陽(yáng)光電源、德業(yè)股份等7家企業(yè)營(yíng)收同比增長(zhǎng)超140%。

2023-08-08 標(biāo)簽：SiC 光伏逆變器功率半導(dǎo)體 1.9k 0

第三代化合物半導(dǎo)體材料有利于5G基站的應(yīng)用

與第一代硅（Si）半導(dǎo)體材料和第二代砷化鎵（GaAs）半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的第三代半導(dǎo)體材料（也稱為寬帶隙半導(dǎo)體材料）具有...

2022-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 5G 1.9k 0

北京順義泰科天潤(rùn)項(xiàng)目一期投資4億元，預(yù)計(jì)2028年達(dá)產(chǎn)

3月4日，北京順義消息顯示，順義區(qū)21個(gè)在建市區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目全部復(fù)工復(fù)產(chǎn)，其中包括泰科天潤(rùn)建設(shè)公司總部、研發(fā)中心及8英寸SiC功率器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目。

2024-03-11 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 晶圓 1.9k 0

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述

碳化硅（SiC）MOSFET并聯(lián)應(yīng)用均流控制技術(shù)的綜述，傾佳電子楊茜綜合了當(dāng)前研究進(jìn)展與關(guān)鍵技術(shù)方向。

2025-02-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.9k 0

增強(qiáng)型M1H CoolSiC MOSFET的技術(shù)解析及可靠性考量

碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統(tǒng)硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對(duì)的首要問(wèn)題，英飛凌作為業(yè)界為數(shù)不多的采用溝槽柵做SiCMO...

2023-11-28 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.9k 0

功率半導(dǎo)體，成長(zhǎng)驚人！

在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年第二季度以來(lái)，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到223.7億美元，同比增長(zhǎng)20.1%。預(yù)計(jì) ...

2023-06-02 標(biāo)簽：晶體管 SiC 功率半導(dǎo)體 1.9k 0

SiC和GaN功率電子器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

　　隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對(duì)...

2023-02-05 標(biāo)簽：RF SiC GaN 1.9k 0

2.5nH超低電感的1200V SiC MOSFET三相全橋模塊

1200V三相全橋碳化硅功率模塊，雜散電感低至2.5nH，工作安全穩(wěn)定。工作電源電壓可達(dá)900V-1000V，工作頻率可達(dá)30kHz，輸出功率可達(dá)300...

2024-09-18 標(biāo)簽：模塊 MOSFET SiC 1.9k 0

從IGBT模塊大規(guī)模失效爆雷看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性

深度分析：從IGBT模塊可靠性問(wèn)題看國(guó)產(chǎn)SiC模塊可靠性實(shí)驗(yàn)的重要性某廠商IGBT模塊曾因可靠性問(wèn)題導(dǎo)致國(guó)內(nèi)光伏逆變器廠商損失數(shù)億元，這一案例凸顯了功...

2025-03-31 標(biāo)簽：IGBT SiC 1.9k 0

羅姆EcoSiC?技術(shù)應(yīng)用于科索3.5kW AC-DC電源單元HFA/HCA系列

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商羅姆公司推出的EcoSiC?系列產(chǎn)品，包括SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），已被日本先進(jìn)的電源制造商科索公司...

2024-10-30 標(biāo)簽：MOSFET SiC 羅姆 1.9k 0

譜析光晶年產(chǎn)10萬(wàn)臺(tái)SiC芯片項(xiàng)目簽約浙江瓜瀝

據(jù)浙江瓜瀝官微消息，2月24日，浙江省杭州市蕭山區(qū)瓜瀝鎮(zhèn)召開(kāi)推進(jìn)新型工業(yè)化暨項(xiàng)目開(kāi)工簽約大會(huì)。

2024-02-28 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 功率芯片 1.9k 0

8吋SiC外延設(shè)備首次亮相已經(jīng)完成首輪工藝驗(yàn)證

在SEMICON China 2023上海展上，中國(guó)電科集團(tuán)攜集成電路、第三代半導(dǎo)體、半導(dǎo)體顯示、光伏及熱工等領(lǐng)域設(shè)備和工藝整體解決方案重裝亮相，全面展...

2023-07-24 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體顯示 1.9k 0

探索碳化硅如何改變能源系統(tǒng)

作者：Michael Williams, Shawn Luke 碳化硅 (SiC) 已成為各行各業(yè)提高效率和推動(dòng)脫碳的基石。碳化硅是高級(jí)電力系統(tǒng)的推動(dòng)劑...

2025-10-02 標(biāo)簽：能源系統(tǒng)SiC 碳化硅 1.8k 0

理解寬禁帶半導(dǎo)體的重要性和挑戰(zhàn)

功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶...

2024-06-07 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 1.8k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷人物”
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