本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比，氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和更高的結(jié)溫操作
2011-12-12 15:19:28
1774 2018年，我國(guó)智能家居市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1300億元，未來(lái)年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)48%左右。智能家居市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，整個(gè)行業(yè)將步入快速拓展期。
2016-06-20 13:47:531459 市場(chǎng)調(diào)查公司Yole Developpement（以下簡(jiǎn)稱Yole）認(rèn)為，市場(chǎng)規(guī)模方面，2020年GaN器件市場(chǎng)整體規(guī)模有可能達(dá)到約6億美元。從（2020年將支配市場(chǎng)的）電源和PFC（功率因數(shù)校正）領(lǐng)域，到UPS（不間斷電源）和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)，很多應(yīng)用領(lǐng)域都將從GaN-on-Si功率器件的特性中受益。
2016-12-19 10:34:181552 
與SEMI的報(bào)告指出，化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將在2020年成長(zhǎng)至440億美元，年復(fù)合成長(zhǎng)率（CAGR）為12.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于硅晶半導(dǎo)體的成長(zhǎng)速度。
2017-01-20 10:32:171405 隨著技術(shù)進(jìn)步和生活品質(zhì)的提高，智能控制器行業(yè)面臨著重大變革，產(chǎn)品的技術(shù)含量和附加值不斷提升，智能控制器的市場(chǎng)規(guī)模快速增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2020年智能控制器行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到1.69萬(wàn)億元。
2019-04-18 08:56:009229 ，光電領(lǐng)域占氮化鎵市場(chǎng)的68%，市場(chǎng)規(guī)模約224.7億元。射頻和電力電子領(lǐng)域分別占據(jù)氮化鎵市場(chǎng)的20%和10%。氮化鎵的能量轉(zhuǎn)換效率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅基器件的性能，依目前的市場(chǎng)占比來(lái)看，氮化鎵在電力電子領(lǐng)域市場(chǎng)滲透率較低，發(fā)展空間巨大，尤其是
2021-11-17 10:10:083917 近幾年碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等第三代半導(dǎo)體異?；馃?，國(guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。據(jù)Yole Développement統(tǒng)計(jì)，2021全球GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為1.26億美元，預(yù)計(jì)
2023-06-08 09:40:304315 
的增長(zhǎng)速度調(diào)整，但仍然保持著相對(duì)快速的發(fā)展態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將在2015年達(dá)到373億元。關(guān)鍵詞：[url=http://news.rfidworld.com.cn/search.aspx?keyws
2014-04-16 09:27:36
2018年全球光通信器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)108.4億美元，同比2017年增長(zhǎng)9.0%，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到141.47億美元，全球光通信市場(chǎng)正處于高速發(fā)展期。移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算和三網(wǎng)融合等新型
2020-03-24 15:44:18
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
的）作用，必須采用新型拓?fù)??！盤(pán)ersson說(shuō)道。但射頻氮化鎵技術(shù)正在成為主流。根據(jù)Strategy Analytics的統(tǒng)計(jì)，2015年射頻氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3億美元，該機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)2020年射頻氮化鎵
2016-08-30 16:39:28
了許多技術(shù)上的挑戰(zhàn)，同時(shí)也為這些廠商帶來(lái)了相應(yīng)的紅利。隨著頻段的增加和多天線MIMO技術(shù)的引入帶動(dòng)射頻前端器件市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。Yole預(yù)計(jì)，射頻前端市場(chǎng)規(guī)模將從2016年的101億美元增長(zhǎng)到2022年
2019-12-20 16:51:12
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場(chǎng)效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
；這也說(shuō)明市場(chǎng)對(duì)于充電器功率的市場(chǎng)需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進(jìn)氮化鎵快充充電器時(shí)代。目前市面上已經(jīng)量產(chǎn)商用的氮化鎵方案主要來(lái)自PI和納微半導(dǎo)體兩家供應(yīng)商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬(wàn)個(gè)家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網(wǎng)獲得電力的設(shè)備（從智能手機(jī)充電器到數(shù)據(jù)中心），或任何可以處理高達(dá)數(shù)百伏高電壓的設(shè)備，均可受益于氮化鎵等技術(shù)，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書(shū)下載：GaN將能效提高到一個(gè)新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒(méi)有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定性強(qiáng)。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
對(duì)充電器通用性、便攜性的需求提高，未來(lái)GaN快充市場(chǎng)規(guī)模將快速上升，根據(jù)中信證券數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合年均增長(zhǎng)率高達(dá)94
2025-01-15 16:41:14
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
的系統(tǒng)級(jí)解決方案，其市場(chǎng)潛力剛剛開(kāi)始被關(guān)注。氮化鎵如今被定位成涵蓋了從無(wú)線基站到射頻能量等商業(yè)射頻領(lǐng)域的主流應(yīng)用，它從一項(xiàng)高深的技術(shù)發(fā)展為市場(chǎng)的中流砥柱，這一發(fā)展歷程融合了多種因素，是其一致發(fā)揮作用的結(jié)果
2017-08-15 17:47:34
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)？氮化鎵能否實(shí)現(xiàn)高能效、高頻電源的設(shè)計(jì)？
2021-06-17 10:56:45
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內(nèi)部匹配（IM）FET與其他技術(shù)相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
：“ST的晶圓制造規(guī)模和卓越的運(yùn)營(yíng)能力將讓MACOM和ST能夠推動(dòng)新的射頻功率應(yīng)用，在制造成本上取得的突破有助于擴(kuò)大硅上氮化鎵市場(chǎng)份額。雖然擴(kuò)大現(xiàn)有射頻應(yīng)用的機(jī)會(huì)很有吸引力，但是我們更想將硅上氮化鎵用于
2018-02-12 15:11:38
，尤其是2010年以后，MACOM開(kāi)始通過(guò)頻繁收購(gòu)來(lái)擴(kuò)充產(chǎn)品線與進(jìn)入新市場(chǎng)，如今的MACOM擁有包括氮化鎵（GaN）、硅鍺（SiGe）、磷化銦（InP）、CMOS、砷化鎵等技術(shù)，共有40多條生產(chǎn)線
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來(lái)越多，即便集成化仍然很難控制智能手機(jī)的成本。這跟功能機(jī)時(shí)代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場(chǎng)都能夠保證低價(jià)。但如果到了5G時(shí)代，需要的器件越來(lái)越多，價(jià)格越來(lái)越高。半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
/ xzl1019 未來(lái) 5 年 GaN 預(yù)測(cè)的最大市場(chǎng)是移動(dòng)快速充電，預(yù)計(jì)到 2025 年市場(chǎng)將達(dá)到 7 億美元 xi.ii 硅設(shè)計(jì)繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數(shù)新的更高功率、旗艦智能手機(jī)充電器設(shè)計(jì)（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
國(guó)際市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)ReportsnReports日前發(fā)布智能電網(wǎng)研究報(bào)告稱，2017年，全球智能電網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到208.3億美元。隨著***政策扶持，立法授權(quán)，以及對(duì)智能電表部署的激勵(lì)將進(jìn)一步
2018-01-24 14:32:00
碳化硅（SiC）和硅上氮化鎵（GaN-on-Si）。這兩種突破性技術(shù)都在電動(dòng)汽車市場(chǎng)中占有一席之地。與Si IGBT相比，SiC提供更高的阻斷電壓、更高的工作溫度（SiC-on-SiC）和更高的開(kāi)關(guān)
2018-07-19 16:30:38
電動(dòng)牙刷、沖牙器等產(chǎn)品市場(chǎng)的爆發(fā)性增長(zhǎng)，顯示全球人口正在越來(lái)越關(guān)注牙齒/口腔的健康問(wèn)題。根據(jù)資料顯示，中國(guó)電動(dòng)牙刷市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)逐年上漲的態(tài)勢(shì)，2017年中國(guó)電動(dòng)牙刷市場(chǎng)規(guī)模為43億元，2021年中
2022-12-08 14:12:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來(lái)的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術(shù)是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應(yīng)用中常用的半導(dǎo)體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
受到市場(chǎng)相當(dāng)不錯(cuò)的回響，應(yīng)用需求也越來(lái)越多。近年來(lái)在消費(fèi)性電源領(lǐng)域引發(fā)話題的手機(jī)快速充電、USB-PD等技術(shù)，就是氮化鎵組件可以大展身手的舞臺(tái)。和電動(dòng)車的情況類似，快速充電也是智能型手機(jī)或便攜設(shè)備
2021-09-23 15:02:11
（GaN）原廠來(lái)說(shuō)尤為常見(jiàn)，其根本原因是氮化鎵芯片的優(yōu)異開(kāi)關(guān)性能所引起的測(cè)試難題，下游的氮化鎵應(yīng)用工程師往往束手無(wú)策。某知名氮化鎵品牌的下游客戶，用氮化鎵半橋方案作為3C消費(fèi)類產(chǎn)品的電源，因電源穩(wěn)定性
2023-02-01 14:52:03
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
氮化鎵技術(shù)非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因?yàn)轭l率越高，氮化鎵的優(yōu)勢(shì)越明顯。那對(duì)于手機(jī)來(lái)說(shuō)射頻GaN技術(shù)還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
氮化鎵(GaN)和射頻(RF)能量應(yīng)用為工業(yè)市場(chǎng)帶來(lái)重大變革。以前分享過(guò)氮化鎵如何改變烹飪、等離子體照明和醫(yī)療過(guò)程，接下來(lái)在日常生活中的射頻能量系列中分享下氮化鎵如何用于工業(yè)加熱和干燥。從工業(yè)角度
2018-01-18 10:56:28
%，激光產(chǎn)業(yè)整體市場(chǎng)規(guī)模突破137億元;2011年和2012年我國(guó)激光產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模保持了持續(xù)增長(zhǎng)，分別達(dá)到151.16億元和164.47億元;2014年我國(guó)激光器銷售總規(guī)模超過(guò)200億元，2015年
2018-02-09 14:31:13
功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強(qiáng)型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動(dòng)電路和電路保護(hù)集成為單個(gè)器件
2023-06-25 14:17:47
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 編輯
未來(lái)5年無(wú)線充電設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)135億，你看好嗎？ 無(wú)線充電是近幾年的熱點(diǎn)技術(shù)，但卻一直因?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)的“三足鼎立”而放緩
2016-12-08 15:42:33
`根據(jù)Yole Developpement指出，氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導(dǎo)體企業(yè)受惠；另一方面，他們也將會(huì)發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來(lái)自英飛凌(Infineon)/國(guó)際
2015-09-15 17:11:46
隨著萬(wàn)物互聯(lián)的物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代到來(lái)，數(shù)以千億的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備接入網(wǎng)絡(luò)，物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。根據(jù)全球移動(dòng)通信系統(tǒng)協(xié)會(huì)（GSMA）所發(fā)布的《2020年移動(dòng)經(jīng)濟(jì)》報(bào)告顯示，全球物聯(lián)網(wǎng)收入在未來(lái)幾年將增加三倍
2021-02-02 17:08:03
射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來(lái)，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2019-09-02 07:16:34
的商機(jī)。另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著代工業(yè)務(wù)的帶動(dòng)，第三代半導(dǎo)體材料的市場(chǎng)規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
2019-05-09 06:21:14
鎵基MIMO天線，盡管價(jià)格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。資料來(lái)源：國(guó)金證券根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，2018年GaN射頻器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4.57億美元，未來(lái)5年復(fù)合增長(zhǎng)率超過(guò)23%。在整個(gè)射頻
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
我們?nèi)碌陌灼?shū)：“用一個(gè)集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能?！? 通過(guò)閱讀博文“我們一起來(lái)實(shí)現(xiàn)氮化鎵的可靠運(yùn)行”，進(jìn)一步了解TI如何使GaN更加可靠。? 加入TI E2E? 社區(qū)氮化鎵 (GaN) 解決方案論壇，尋找解決方案、獲得幫助、與同行工程師和TI專家們一起分享知識(shí)，解決難題。
2018-08-30 15:05:50
氮化鎵電源管理芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市
2010-03-25 09:14:411172 日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過(guò)并生產(chǎn)RF3932，這種無(wú)與倫比的75瓦特高效率氮化鎵(GaN)射頻
2010-12-01 09:24:301625 智能制造發(fā)展迅速市場(chǎng)規(guī)模效益喜人，那么智能制造市場(chǎng)規(guī)模破萬(wàn)億是怎么來(lái)的？智能制造產(chǎn)業(yè)有哪些呢？跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2017-12-25 16:17:546276 據(jù)行業(yè)預(yù)測(cè)，中國(guó) 智能語(yǔ)音 產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達(dá)到101.4億元。而智能語(yǔ)音產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，將帶動(dòng)智能家居、智能汽車以及智能穿戴設(shè)備等相關(guān)領(lǐng)域市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)上千億元。 智能語(yǔ)音市場(chǎng)規(guī)模得以如此神速擴(kuò)張，并且應(yīng)用到多個(gè)領(lǐng)域，這必然離不開(kāi)智能語(yǔ)音技術(shù)的不斷突破。
2018-01-30 11:16:014252 2018年全年全球機(jī)器人產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模超過(guò)298.2億美元，其中，工業(yè)機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模為168.2億美元，服務(wù)機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模為92.5億美元，特種機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模為37.5億美元；我國(guó)機(jī)器人市場(chǎng)規(guī)模為
2019-01-08 10:29:523652 
未來(lái)十年，氮化鎵市場(chǎng)規(guī)模有望突破10億美元。
2019-04-28 17:20:5114239 出現(xiàn)，但GaN-on-SiC在技術(shù)上已經(jīng)變得更加成熟。GaN-on-SiC目前主導(dǎo)了RF GaN市場(chǎng)，已滲透到4G LTE無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，預(yù)計(jì)將部署在5G sub-6Ghz的RRH架構(gòu)中。
2019-05-09 10:25:185447 
技術(shù)、應(yīng)用及市場(chǎng)-2019版》報(bào)告，在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩大主要應(yīng)用的推動(dòng)下，RF GaN整體市場(chǎng)規(guī)模到2024年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至20億美元。
2019-05-10 17:15:545592 設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司宣布，已與歐洲領(lǐng)先的氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱GaN）外延硅片材料供應(yīng)商EpiGaN達(dá)成最終協(xié)議，以3，000萬(wàn)歐元現(xiàn)金收購(gòu)EpiGaN公司。同時(shí)，這一協(xié)議還將根據(jù)盈利能力支付計(jì)劃支付額外的獎(jiǎng)金。 EpiGaN的GaN產(chǎn)品主要用于RF（射頻）、
2019-05-16 09:17:001720 國(guó)際市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Technavio日前發(fā)布報(bào)告稱，2020－2024年，全球射頻電纜市場(chǎng)規(guī)模有望增長(zhǎng)27億美元，期間復(fù)合年增率接近7％。
2020-07-30 10:30:291088 根據(jù)中信證券的市場(chǎng)分析，預(yù)計(jì)2020年全球GaN充電器市場(chǎng)規(guī)模為23億元，2025年將快速上升至638億元，5年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)94%。
2020-08-24 14:21:087859 
隨著 5G 的到來(lái)，市場(chǎng)對(duì)氮化鎵器件的需求猛增。據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司 Yole Development 預(yù)測(cè)，全球 GaN RF 器件的市場(chǎng)規(guī)模到 2024 年將超過(guò) 20 億美元，其中無(wú)線通信將占據(jù)
2020-09-10 10:18:402156 器件的需求量與日俱增。分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2023年射頻前端市場(chǎng)規(guī)模有望突破352億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到14%。 快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)讓行業(yè)看到了機(jī)會(huì)，新的射頻前端公司在不斷地涌現(xiàn)出來(lái)，尤其是在中國(guó)大陸，入局射頻前端器件的芯片設(shè)計(jì)廠商越來(lái)越多，但與之配套
2020-09-23 10:38:063196 器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到7.45 億美元；GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4.50億美元。 基于此，新材料在線特推出【2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告】，供業(yè)內(nèi)人士參考： 原文標(biāo)題：【重磅報(bào)告】2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告 文章出處：【微信公眾號(hào)：新材料在線】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)
2020-10-09 10:16:034447 新能源汽車的快速發(fā)展帶來(lái)新能源汽車電控系統(tǒng)行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模的增長(zhǎng)，2019年新能源汽車電控系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)154.3億元，未來(lái)，隨著新能源汽車的持續(xù)發(fā)展，行業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模有望進(jìn)一步擴(kuò)大。
2020-11-09 14:45:023970 
雖然我國(guó)私有云計(jì)算使用率較公有云計(jì)算較低，僅占比14.7%，2019年私有云市場(chǎng)規(guī)模被公有云市場(chǎng)規(guī)模首次超過(guò)，但是我國(guó)私有云依靠其較公有云更為安全的等特性，市場(chǎng)仍然保持穩(wěn)定增長(zhǎng)，2019年私有云市場(chǎng)規(guī)模達(dá)645億元，較2018年增長(zhǎng)22.8%。預(yù)計(jì)到2020年市場(chǎng)規(guī)模將接近791.2億元。
2020-12-11 14:33:463861 射頻半導(dǎo)體技術(shù)的市場(chǎng)格局近年發(fā)生了顯著變化,硅基氮化鎵（GaN－on－Si）技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。
2020-12-25 16:42:13826 氮化鎵（GaN）是一種無(wú)機(jī)物，是氮和鎵的化合物，主要應(yīng)用于射頻器件和電力電子器件的制造。受電信業(yè)和國(guó)防應(yīng)用的推動(dòng)，全球氮化鎵的市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)，2020年預(yù)計(jì)突破10億美元，其中，射頻器件是最大的應(yīng)用領(lǐng)域。在競(jìng)爭(zhēng)格局方面，行業(yè)龍頭企業(yè)多以IDM模式為主，且國(guó)外公司在技術(shù)實(shí)力和產(chǎn)能方面具有明顯優(yōu)勢(shì)。
2020-12-31 15:14:205865 
相比美國(guó)，中國(guó)云計(jì)算起步較晚，目前處于快速增長(zhǎng)階段。全球云計(jì)算市場(chǎng)穩(wěn)步上升，2019年公有云市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1883億美元。2019年，我國(guó)云計(jì)算市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1334億元，其中公有云市場(chǎng)規(guī)模為689.3
2021-03-06 10:44:213681 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2021-07-05 14:46:504235 
%，市場(chǎng)規(guī)模約224.7億元。射頻和電力電子領(lǐng)域分別占據(jù)氮化鎵市場(chǎng)的20%和10%。氮化鎵的能量轉(zhuǎn)換效率，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了硅基器件的性能，依目前的市場(chǎng)占比來(lái)看，氮化鎵在電力電子領(lǐng)域市場(chǎng)滲透率較低，發(fā)展空間巨大，尤其是在大功率電源適配器、無(wú)線充電
2021-11-18 14:21:233783 本章將深入探討氮化鎵 (GaN) 技術(shù) ：其屬性、優(yōu)點(diǎn)、不同制造工藝以及最新進(jìn)展。這種更深入的探討有助于我們了解 ：為什么 GaN 能夠在當(dāng)今這個(gè)技術(shù)驅(qū)動(dòng)的環(huán)境下發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。
2022-03-17 08:29:0418088 在器件種類方面，預(yù)計(jì)2021年，光電產(chǎn)品市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)8.8%；分立器件市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)10.0%，達(dá)262億美元；傳感器市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)16.8%，達(dá)175億美元；集成電路市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)10.9%，達(dá)4
2022-11-10 10:44:213373 隨著智能手機(jī)等無(wú)線連接終端需求的持續(xù)增長(zhǎng)，無(wú)限通信的使用頻率越來(lái)越高，推動(dòng)射頻前端市場(chǎng)規(guī)模顯著增長(zhǎng)。數(shù)據(jù)顯示，2020年全球射頻前端市場(chǎng)規(guī)模達(dá)157.08億美元。未來(lái)，5G通信等前沿通信技術(shù)的不蹲應(yīng)用將進(jìn)一步帶動(dòng)射頻前端市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2023年將達(dá)204.5億美元。
2022-12-09 14:37:382617 氮化鎵是半導(dǎo)體與微電子產(chǎn)業(yè)的新星，其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性。業(yè)界已經(jīng)公認(rèn)氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件產(chǎn)品將統(tǒng)治微波放大和電能轉(zhuǎn)換領(lǐng)域，市場(chǎng)規(guī)模大于150億美元。那么
2023-02-05 11:43:472725 中國(guó)氮化鎵芯片市場(chǎng)占據(jù)全球約 %的市場(chǎng)份額，為全球最主要的消費(fèi)市場(chǎng)之一，且增速高于全球。2021年市場(chǎng)規(guī)模約 億元，2017-2021年年復(fù)合增長(zhǎng)率約為 %。
2023-02-05 13:30:115291 氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。
2023-02-05 15:38:1810907 
氮化鎵(GaN)是什么 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高
2023-02-17 14:18:2412178 近年來(lái)，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動(dòng)充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場(chǎng)拓展打開(kāi)全新空間，氮化鎵智能插座市場(chǎng)規(guī)模迅速壯大。 UE
2023-03-08 17:28:511079 近年來(lái)，身量纖纖卻含金量十足的氮化鎵，成為推動(dòng)充電器產(chǎn)業(yè)變革的重要力量，促進(jìn)智能插座創(chuàng)新發(fā)展。氮化鎵的高性能為智能插座市場(chǎng)拓展打開(kāi)全新空間，氮化鎵智能插座市場(chǎng)規(guī)模迅速壯大。UEElectronic
2023-03-09 10:13:261231 
GaN 技術(shù)持續(xù)為國(guó)防和電信市場(chǎng)提供性能和效率。目前射頻市場(chǎng)應(yīng)用以碳化硅基氮化鎵器件為主。雖然硅基氮化鎵（GaN-on-Si）目前不會(huì)威脅到碳化硅基氮化鎵的主導(dǎo)地位，但它的出現(xiàn)將影響供應(yīng)鏈，并可能塑造未來(lái)的電信技術(shù)。
2023-09-14 10:22:362161 
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:532425 氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，如通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:3011011 本文要點(diǎn)氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開(kāi)關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強(qiáng)度更高。氮化鎵技術(shù)可實(shí)現(xiàn)高功率密度和更小的磁性。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是兩種
2024-07-06 08:13:181988 
，市場(chǎng)潛力巨大。根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)的預(yù)測(cè)，氮化鎵功率元件市場(chǎng)的營(yíng)收將在2024年顯著增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)到2026年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到13.3億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)65%。這一增長(zhǎng)趨
2024-07-24 10:55:201573 
的快速增長(zhǎng)。根據(jù)TrendForce集邦咨詢發(fā)布的《2024全球GaNPowerDevice市場(chǎng)分析報(bào)告》，2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約為2.71億美元，
2024-08-15 10:39:241372 
TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的報(bào)告揭示了全球GaN（氮化鎵）功率元件市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)潛力。據(jù)預(yù)測(cè)，到2030年，該市場(chǎng)規(guī)模將從2023年的約2.71億美元激增至43.76億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率
2024-08-15 17:28:421900 SoC芯片，市場(chǎng)規(guī)模大漲根據(jù)MarketsandMarkets的一份新報(bào)告，片上系統(tǒng)(SoC)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將從2024年的1384.6億美元增長(zhǎng)到2029年的2059.7億美元；預(yù)計(jì)從2024年到
2024-10-09 08:06:201452 
作為第三代半導(dǎo)體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優(yōu)異的電氣性能、高熱導(dǎo)率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領(lǐng)了全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)革新，隨著氮化鎵技術(shù)的不斷成熟和應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，其市場(chǎng)規(guī)模正
2024-12-06 01:02:431400 
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