電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)剛剛過去的2024年里,第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用,在清潔能源、新能源汽車市場(chǎng)進(jìn)一步滲透的同時(shí),數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人、低空經(jīng)濟(jì)等應(yīng)用的火爆,也給第三代半導(dǎo)體行業(yè)
2025-01-05 05:53:00
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性能提出極限要求,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體異質(zhì)集成技術(shù),已成為延續(xù)摩爾定律、突破性能瓶頸的關(guān)鍵。然而,傳統(tǒng)高溫鍵合工藝導(dǎo)致的熱應(yīng)力損傷、材料失配與界面氧化問題,長(zhǎng)期制約著該技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。 面對(duì)這一嚴(yán)峻
2025-12-29 11:24:17
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從L2+級(jí)的ADAS到L4級(jí)的自動(dòng)駕駛系統(tǒng),4D成像雷達(dá)正不斷拓展汽車安全與自動(dòng)駕駛的邊界。新一代的成像雷達(dá)解決方案,通過在性能、成本、能效和安全等方面的迭代優(yōu)化,正在引領(lǐng)智能出行邁入新紀(jì)元。
2025-12-28 09:42:34
371 深耕,一舉斬獲兩項(xiàng)大獎(jiǎng)——“2025年度第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)開拓領(lǐng)航獎(jiǎng)”,以及ST首款專為電機(jī)控制設(shè)計(jì)的600V半橋功率GaN及驅(qū)動(dòng)器GANSPIN611榮獲的“2025年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)”!
2025-12-28 09:14:18
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為推動(dòng)小芯片創(chuàng)新的下一波浪潮,Cadence 成功流片其第三代通用小芯片互連技術(shù)(UCIe)IP 解決方案,在臺(tái)積電先進(jìn)的 N3P 工藝上實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的每通道 64Gbps 速率。隨著行業(yè)向日
2025-12-26 09:59:44
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Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本Neway第三代GaN系列模塊的生產(chǎn)成本受材料、工藝、規(guī)模、封裝設(shè)計(jì)及市場(chǎng)定位等多重因素影響,整體呈現(xiàn)“高技術(shù)投入與規(guī)?;当静⒋妗钡奶卣?。一、成本構(gòu)成:核心
2025-12-25 09:12:32
由行家說主辦的“2025 行家極光獎(jiǎng)” 于 12 月 4 日在深圳隆重召開,表彰在 2025 年度具有行業(yè)表率的優(yōu)秀企業(yè)、引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)變革的創(chuàng)新技術(shù)和優(yōu)秀產(chǎn)品,向大眾和下游終端企業(yè)展示第三代半導(dǎo)體廠商的風(fēng)采,同時(shí)也為下游廠商選購產(chǎn)品提供重要參考依據(jù)。
2025-12-13 11:02:15
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2025年12月4日,深圳高光時(shí)刻!由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿機(jī)構(gòu)「行家說三代半」主辦的「2025行家極光獎(jiǎng)」頒獎(jiǎng)晚宴盛大啟幕,數(shù)百家SiC&GaN領(lǐng)域精英企業(yè)齊聚一堂,共襄產(chǎn)業(yè)盛事。
2025-12-13 10:56:01
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“溫度保險(xiǎn)絲”和“溫度開關(guān)”之后推出的第三代保護(hù)器件。
1 應(yīng)用領(lǐng)域
智能電度表、萬用表、充電器、小型變壓器、數(shù)字萬用表、微電機(jī)、小型電子儀器等
2 產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)
型號(hào)齊全,各種體積大小、電流大小
2025-12-12 09:13:49
2025年行至尾聲,智融科技憑借領(lǐng)先的數(shù)?;旌显O(shè)計(jì)實(shí)力、卓越的消費(fèi)級(jí)電源管理方案,以及在第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)技術(shù)的前瞻布局,一舉攬獲多項(xiàng)行業(yè)大獎(jiǎng),成為國產(chǎn)數(shù)模混合IC與GaN/SiC第三代半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)賽道的“雙料”先鋒!
2025-12-11 15:20:51
377 近日,在深圳舉辦的“2025行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮上,士蘭微電子憑借在碳化硅(SiC)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與深厚積累,一舉斬獲三大獎(jiǎng)項(xiàng):“中國SiC器件IDM十強(qiáng)企業(yè)”、“中國SiC模塊十強(qiáng)企業(yè)”以及“第三代半導(dǎo)體年度創(chuàng)新產(chǎn)品”。
2025-12-10 17:43:35
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AMEYA360代理品牌:上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵,如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言:氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動(dòng)功率電子革命,但真正的場(chǎng)景落地,離不開
2025-12-04 15:34:17
217 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,正在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源
2025-12-04 08:21:12
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如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅是第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章節(jié)會(huì)以要點(diǎn)列示為主,如果遺漏
2025-12-03 08:33:44
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在第三代半導(dǎo)體器件的研發(fā)與性能評(píng)估中,對(duì)半橋電路上管進(jìn)行精確的電壓與電流參數(shù)測(cè)試,是優(yōu)化電路設(shè)計(jì)、驗(yàn)證器件特性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。一套科學(xué)、可靠的測(cè)試方案可為技術(shù)開發(fā)提供堅(jiān)實(shí)的數(shù)據(jù)支撐,加速技術(shù)迭代與產(chǎn)業(yè)化
2025-11-19 11:01:05
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引言1.1研究背景與意義碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV,是硅的近3倍;擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm,是硅的10倍;熱導(dǎo)率
2025-11-19 07:30:47
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的硅(Si)器件,成為工業(yè)電源、新能源汽車和太陽能逆變器等領(lǐng)域的理想選擇。三安半導(dǎo)體推出的SDS120J005D3正是一款順應(yīng)此趨勢(shì)的第三代碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管(SiC SBD),它以其強(qiáng)大的性能參數(shù)和出色的可靠性,為現(xiàn)代高頻高效電力轉(zhuǎn)換系
2025-11-17 09:16:42
186 2025年11月11-14日,第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇(IFWS&SSLCHINA 2025)在廈門盛大召開。作為覆蓋90余個(gè)國家及地區(qū)、匯聚
2025-11-14 17:53:47
2410 如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅(Silicon Carbide, SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,以其優(yōu)異的物理和化學(xué)特性,在電力電子、光電子、射頻器件等領(lǐng)域展現(xiàn)出了巨
2025-11-11 08:13:37
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的飛躍?歡迎觀看虹科「CAN總線專題」直播第8期,虹科資深技術(shù)工程為您帶來CANXL總線技術(shù)的全面解析。Introduction第三代CAN總線技術(shù)——CANXLC
2025-11-04 17:34:45
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為1600比特,并且為了方便定義迭代函數(shù)中的具體運(yùn)算,中間狀態(tài)需按照一個(gè)5x5x64的三維矩陣如圖 進(jìn)行組織。
每次調(diào)用迭代函數(shù)時(shí),輸入及輸出狀態(tài)到三維矩陣的映射關(guān)系,應(yīng)該遵循以下公式: A
2025-10-28 07:13:32
10月25日,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)合作大會(huì)在鹽城高新區(qū)召開。省工業(yè)和信息化廳二級(jí)巡視員余雷、副市長(zhǎng)祁從峰出席會(huì)議并致辭。鹽都區(qū)委書記馬正華出席,鹽都區(qū)委副書記、區(qū)長(zhǎng)臧沖主持會(huì)議。
2025-10-27 18:05:00
1276 OPPO Find X9 系列搭載天璣 9500 旗艦芯,該芯片采用第三代全大核架構(gòu)設(shè)計(jì),憑借其先進(jìn)的第三代 3 納米制程,在端側(cè) AI、專業(yè)影像、主機(jī)級(jí)游戲體驗(yàn)以及網(wǎng)絡(luò)通信等方面提供強(qiáng)大的算力支持
2025-10-23 11:35:23
1114 在新能源汽車、5G通信和人工智能的推動(dòng)下,功率半導(dǎo)體正經(jīng)歷前所未有的技術(shù)變革。SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體器件的高頻、高壓特性,對(duì)封裝基板提出了更嚴(yán)苛的要求——既要承受超高功率密度,又要確保信號(hào)
2025-10-22 18:13:11
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10月14日,一加攜手京東方正式發(fā)布第三代東方屏。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕,第三代東方屏以8項(xiàng)技術(shù)突破刷新9項(xiàng)世界紀(jì)錄,在流暢度、顯示素質(zhì)、暗光顯示、護(hù)眼能力四大維度帶來引領(lǐng)行業(yè)
2025-10-15 09:15:02
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以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料,正加速替代傳統(tǒng)硅基材料,在新能源汽車、工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)?;瘧?yīng)用。GaN 憑借更高的電子遷移率和禁帶寬度,成為高頻通信、快充設(shè)備的核心
2025-10-13 18:29:43
402 10月11日,一加宣布將與京東方聯(lián)合推出「第三代東方屏」。作為全球首塊165Hz超高刷高分辨率屏幕,第三代東方屏將為用戶帶來更流暢絲滑的游戲體驗(yàn),并在顯示素質(zhì)、暗光顯示及護(hù)眼方面實(shí)現(xiàn)突破。第三代東方
2025-10-11 15:56:32
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搭載第三代無線SoC中的Secure Vault安全技術(shù)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證
2025-10-09 15:57:30
42380 基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章:B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22
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。 隨著高精度三維掃描技術(shù)的飛速發(fā)展,無線掃描這一應(yīng)用形式不斷深化,經(jīng)過這些年的發(fā)展,先臨三維已經(jīng)歷經(jīng)第一代、第二代直至第三代技術(shù)。第一代技術(shù)需要配合外置無線模塊使用,通過外置的無線模塊將數(shù)據(jù)傳輸至外置電腦,第二代則在第一代基
2025-09-26 11:26:46
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傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-21 16:12:35
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9月15日,“比亞迪e-Bus平臺(tái)3.0發(fā)布暨全新客車上市”發(fā)布會(huì)在杭州舉行,正式揭幕第三代電動(dòng)客車技術(shù)平臺(tái),推出電動(dòng)客車首個(gè)千伏平臺(tái),推動(dòng)實(shí)現(xiàn)“電比油強(qiáng)”,并同步推出基于該平臺(tái)打造的全新電動(dòng)客車
2025-09-17 16:42:49
987 XM3半橋電源模塊系列是 Wolfspeed(原CREE)推出的高功率碳化硅(SiC)電源模塊平臺(tái),專為電動(dòng)汽車、工業(yè)電源和牽引驅(qū)動(dòng)等高要求應(yīng)用設(shè)計(jì)。XM3半橋電源模塊系列采用第三代 SiC
2025-09-11 09:48:08
8月28日,為期三天(8月26日-28日)的深圳電子展暨嵌入式展在深圳會(huì)展中心(福田)圓滿落幕,作為電子行業(yè)的年度大展,elexcon匯聚了全球400+家頂尖技術(shù)巨頭,探討從AI芯片、存算一體、RISC-V生態(tài),到第三代半導(dǎo)體、綠色能源電子等一系列議題。
2025-09-08 11:31:15
2240 1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,SiC MOSFET提供更低
2025-09-03 11:29:40
1034 蘿麗三代12通遙控器原理圖
2025-08-25 15:45:17
0 8月21日,第三代全新蔚來ES8閃亮登場(chǎng),歷經(jīng)7年積累進(jìn)化,以“王者歸來”之勢(shì),引領(lǐng)豪華大三排SUV進(jìn)入純電時(shí)代。
2025-08-22 16:45:37
1287 Silicon Labs(芯科科技)今日宣布其第三代無線開發(fā)平臺(tái)首款產(chǎn)品SiXG301 SoC中3系列(Series 3)的Secure Vault安全子系統(tǒng)率先通過PSA 4級(jí)認(rèn)證,成為全球首家
2025-08-13 10:22:26
1144 AEM作為第三代電解水制氫技術(shù)的核心組件,正成為全球綠氫產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要突破口。
2025-08-08 14:36:10
792 傳統(tǒng)硅基材料已接近工藝極限,高效能需求驅(qū)動(dòng)氮化鎵等第三代半導(dǎo)體高速增長(zhǎng)。在消費(fèi)電子領(lǐng)域,AI手機(jī)、AI PC等各類AI終端的功率提升,GaN方案較硅基方案體積縮小60%,帶動(dòng)了GaN充電器市場(chǎng)的騰飛
2025-08-07 00:18:00
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近日,在第五屆全國新型儲(chǔ)能技術(shù)及工程應(yīng)用大會(huì)現(xiàn)場(chǎng),廣州智光儲(chǔ)能科技有限公司(簡(jiǎn)稱 “智光儲(chǔ)能”)與海辰儲(chǔ)能聯(lián)合發(fā)布基于∞Cell 587Ah 大容量電池的第三代級(jí)聯(lián)型高壓大容量?jī)?chǔ)能系統(tǒng)。這一突破性成果標(biāo)志著全球首個(gè)大容量?jī)?chǔ)能電池從技術(shù)發(fā)布到閉環(huán)應(yīng)用的完整落地,為儲(chǔ)能產(chǎn)業(yè)安全與高效發(fā)展注入新動(dòng)能。
2025-07-30 16:56:14
1230 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)日前,芯科科技發(fā)布了其第三代無線開發(fā)平臺(tái),以及基于此的無線SoC新品。邊緣智能正在對(duì)無線SoC提出新的需求,芯科科技洞察到這一轉(zhuǎn)變,在AI加速器、內(nèi)存、能源效率、新興
2025-07-23 09:23:00
6096 近日,索尼(中國)有限公司發(fā)布備受期待的黑卡系列全畫幅旗艦RX1R 系列第三代產(chǎn)品 —— RX1R III (型號(hào)名:DSC-RX1RM3)
2025-07-21 14:26:21
1082 /item.htm?id=950959017990Maix4-HAT搭載愛芯元智第三代AX650芯片,支持一板兩用,不僅是你樹莓派5的PCIeAIHAT的算法加速
2025-07-18 18:35:12
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零代碼平臺(tái)是一種無需編寫傳統(tǒng)代碼,通過可視化拖拽、參數(shù)配置、邏輯連線即可快速搭建業(yè)務(wù)流程與應(yīng)用系統(tǒng)的工具平臺(tái)。它將復(fù)雜的軟件開發(fā)過程轉(zhuǎn)化為 “搭積木” 式的操作,讓非技術(shù)人員(如業(yè)務(wù)人員、運(yùn)營人員
2025-07-12 20:28:23
BLR3XX系列是上海貝嶺推出的第三代高精度基準(zhǔn)電壓源。具有高輸出精度、低功耗、低噪聲以及低溫度系數(shù)的特性。
2025-07-10 17:48:14
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高頻噪聲和干擾,在新能源汽車電驅(qū)、第三代半導(dǎo)體等高頻高壓場(chǎng)景中,為工程師提供更具效率的測(cè)量方案。
一、核心參數(shù)
帶寬:100MHz-500MHz
差分電壓:高達(dá)7000Vpk
精度:±2
2025-07-07 20:45:43
MOSFET/IGBT 及第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)設(shè)計(jì)。其核心價(jià)值在于解決三大矛盾:
功率密度 vs 驅(qū)動(dòng)能力:在僅 5x5mm LGA 封裝 下實(shí)現(xiàn) 4A 源極/6A 灌電流峰值,支持高達(dá) 33V
2025-07-04 08:45:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,消息人士稱,英偉達(dá)計(jì)劃于 7 月推出第三代 “閹割芯片”。此次推出的 B20 和 B40/B30 芯片將替代 H20 芯片,試圖重新奪回市場(chǎng)份額。 ? B20 芯片
2025-06-21 00:03:00
3666 ,涵蓋了從材料生長(zhǎng)到質(zhì)量控制的多個(gè)環(huán)節(jié)。外延生長(zhǎng)監(jiān)測(cè):確保高質(zhì)量材料基礎(chǔ)外延生長(zhǎng)是第三代半導(dǎo)體材料制備的核心環(huán)節(jié)之一。碳化硅和氮化鎵通常通過化學(xué)氣相沉積(CVD)
2025-06-19 14:21:46
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評(píng)審工具演進(jìn)與ReviewHub優(yōu)勢(shì)第三代:ReviewHub平臺(tái)——特點(diǎn):質(zhì)量部門通過輕量級(jí)Booster工具評(píng)審,設(shè)計(jì)部門通過設(shè)計(jì)工具端接收反饋。優(yōu)勢(shì):1.評(píng)審
2025-06-17 11:33:16
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第三代“快速”碳化硅MOSFET將助力Brightloop打造重型農(nóng)業(yè)運(yùn)輸設(shè)備專用的氫燃料電池充電器。 BrightLoop所提供的領(lǐng)先高性能解決方案, 功率轉(zhuǎn)換效率超過98%,功率密度高達(dá)35kW
2025-06-16 10:01:23
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發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面,
2025-06-15 07:30:57
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第三方工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)有哪些
2025-06-14 15:48:29
805 尋跡智行第三代自研移動(dòng)機(jī)器人控制器BR-300G獲歐盟CE認(rèn)證
2025-06-12 13:47:53
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作為國內(nèi)MOSFET功率器件研發(fā)的先行者之一,新潔能始終致力于功率半導(dǎo)體核心技術(shù)的突破,其研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)創(chuàng)新,正式推出第三代SGT產(chǎn)品Gen.3 SGT MOSFET,電壓涵蓋25-150V系列產(chǎn)品
2025-06-11 08:59:59
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繼X60和X100之后,進(jìn)迭時(shí)空正在基于開源香山昆明湖架構(gòu)研發(fā)第三代高性能處理器核X200。與進(jìn)迭時(shí)空的第二代高性能核X100相比,X200的單位性能提升75%以上,達(dá)到了16SpecInt2006
2025-06-06 16:56:07
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時(shí),面臨的主要問題。 AXRF49 正是為解決這些瓶頸而來——它依托于 AMD 第三代 Zynq UltraScale+ RFSoC ZU49DR,整合了: 16 通道 14 位高性能 ADC/DAC
2025-06-05 09:20:00
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Silicon Labs(芯科科技)第三代無線開發(fā)平臺(tái)SoC代表了下一代物聯(lián)網(wǎng)無線產(chǎn)品開發(fā)趨勢(shì),該系列產(chǎn)品升級(jí)了三大功能特性:可擴(kuò)展性、輕松升級(jí)、頂尖性能,因而得以全面滿足未來物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用不斷擴(kuò)增
2025-06-04 10:07:39
926 的設(shè)計(jì)中,最常見的集成方式是將 IGBT、MOSFET 與驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路整合,這一設(shè)計(jì)能顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。隨著第三代半導(dǎo)體材料(SiC、GaN)的技術(shù)突破,在新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)、光伏逆變器、數(shù)據(jù)中心等高壓高頻應(yīng)用場(chǎng)景中,集成第三代
2025-05-29 01:01:00
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SiXG301和SiXG302是芯科科技采用22納米工藝節(jié)點(diǎn)推出的首批無線SoC系列產(chǎn)品,在計(jì)算能力、功效、集成度和安全性方面實(shí)現(xiàn)突破性進(jìn)展
2025-05-26 14:27:43
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隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進(jìn)。傳統(tǒng)的硅(Si)半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:05
1951 在可靠性檢驗(yàn)中,不僅展現(xiàn)出樣本間的高度一致性,更實(shí)現(xiàn)了零老化問題。 ?瑞能超級(jí)結(jié) MOSFET 展現(xiàn)出卓越的抗靜電(ESD)能力。 升溫表現(xiàn) 測(cè)試環(huán)境 測(cè)試平臺(tái): 1200W?服務(wù)器電源 輸入
2025-05-22 13:59:30
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隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展,進(jìn)一步推動(dòng)算力需求,服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%,通過降低能量損耗,來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇,瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人,推出的第三代超結(jié)MOSFET,能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35
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近日,英飛凌的磁傳感器門類再添新兵,第三代3D霍爾傳感器TLE493D-x3系列在經(jīng)歷兩代產(chǎn)品的迭代之后應(yīng)運(yùn)而生。
2025-05-22 10:33:42
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://bbs.elecfans.com/collection_485_1.html芯品速遞1.天璣9400e--臺(tái)積電第三代4nm制程全大核CPU架構(gòu)天璣9400e采用高能效的臺(tái)積電第三代
2025-05-20 08:07:59
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,這一革新使電池儲(chǔ)電能力顯著增強(qiáng),能量密度提升 15%。在相同體積下,它能儲(chǔ)存更多電能,為手機(jī)制造商打造輕薄產(chǎn)品提供了技術(shù)支撐。 ? 彭博社指出,蘋果和三星是 TDK 的主要客戶,各自貢獻(xiàn)了公司約 10% 的總收入。第三代硅陽極電池的推出,
2025-05-19 03:02:00
2928 恩智浦半導(dǎo)體發(fā)布采用16納米FinFET技術(shù)的新一代S32R47成像雷達(dá)處理器,進(jìn)一步鞏固公司在成像雷達(dá)領(lǐng)域的專業(yè)實(shí)力。S32R47系列是第三代成像雷達(dá)處理器,性能比前代產(chǎn)品提升高達(dá)兩倍,同時(shí)改進(jìn)
2025-05-12 15:06:43
53526 板卡使用Xilinx最新的第三代RFSOC系列,單顆芯片包含8路ADC和DAC,64-bit Cortex A53系列4核CPU,Cortex-R5F實(shí)時(shí)處理核,以及大容量FPGA。
2025-05-10 11:54:18
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第三代功率半導(dǎo)體的應(yīng)用測(cè)試不再困難,目前正與行業(yè)頭部廠商共建測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),推動(dòng)國產(chǎn)高精度測(cè)量設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用,通過持續(xù)的技術(shù)迭代,麥科信正為半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域提供更多國產(chǎn)化設(shè)備選擇。
2025-05-09 16:10:01
1550nm遠(yuǎn)距激光雷達(dá)帶到量產(chǎn)車型上;第二代獵鷹K2優(yōu)化高性能激光雷達(dá)綜合實(shí)力,內(nèi)嵌ASIC芯片,實(shí)現(xiàn)功耗大幅度降低。 獵鷹K3是圖達(dá)通第三代超遠(yuǎn)距激光雷達(dá),通過第三代激光發(fā)射及接收技術(shù)應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了性能的全面升級(jí):標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)距離提升至350米,最遠(yuǎn)測(cè)距提升至600米,最高
2025-05-08 18:32:54
5186 日前,集設(shè)計(jì)研發(fā)、生產(chǎn)和全球銷售為一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片解決方案供應(yīng)商 Alpha and Omega Semiconductor Limited(AOS, 納斯達(dá)克代碼:AOSL)推出其新一代
2025-05-07 10:56:10
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近日,半導(dǎo)體技術(shù)公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術(shù)的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產(chǎn)品采用先進(jìn)的共封裝設(shè)計(jì),具備更快的開關(guān)速度、更低的導(dǎo)通與開關(guān)損耗,適用于
2025-04-25 11:39:28
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第三代半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)憑借其高擊穿電壓、低導(dǎo)通電阻、耐高溫等特性,在新能源汽車、工業(yè)電源、軌道交通等領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)。然而,SiC器件的高頻開關(guān)特性也帶來了動(dòng)態(tài)測(cè)試的挑戰(zhàn):開關(guān)速度可達(dá)納
2025-04-22 18:25:42
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SMT FUJI NXT三代CPU卡 2EGTBC0302**/ 2EGTBC049700, PDS-BX01E0906
2025-04-22 14:32:21
4月13日至16日,路暢科技攜全場(chǎng)景健康座艙及第三代智能座艙解決方案亮相2025香港春季電子產(chǎn)品展,通過沉浸式交互體驗(yàn)展示其在汽車智能化領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新成果。
2025-04-16 17:26:51
1103 蔡司CIMT2025 | 新品天團(tuán)第三位成員ZEISS ScanPort亮相 – 一鍵掃描,效率倍增! ? ? 蔡司新品組團(tuán)出道 ? 您是否正在尋找一款 移動(dòng)靈活的 自動(dòng)化三維光學(xué)掃描系統(tǒng) 為您提
2025-04-11 15:27:55
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DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品,相較于DDR2,DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:53
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新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專題報(bào)道。 ? ? 日前, 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體中國區(qū)-功率分立和模擬產(chǎn)品器件部-市場(chǎng)及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI 接受
2025-04-10 09:18:41
3662 隨著新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展,其動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵組件:IGBT及SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)件需求量十分可觀;為更好地迎合上述市場(chǎng)的需求,金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅(qū)動(dòng)電源QA_(T)-R3S系列(“T”為貼片式封裝)。
2025-04-09 17:25:26
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要點(diǎn) ??全新一代驍龍G系列平臺(tái)包括第三代驍龍G3、第二代驍龍G2和第二代驍龍G1,帶來定制化的卓越性能和沉浸式游戲體驗(yàn)。 ??驍龍G系列平臺(tái)支持玩家隨時(shí)隨地暢玩云端、主機(jī)、Android或PC游戲
2025-03-18 09:15:20
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? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡(jiǎn)稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡(jiǎn)稱“納微半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:04
3890 SO1400是專為?第三代光耦器件?設(shè)計(jì)的全自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),集成1400V高壓測(cè)試與1A大電流驅(qū)動(dòng)能力。本設(shè)備采用軍工級(jí)測(cè)試架構(gòu),滿足?工業(yè)4.0?標(biāo)準(zhǔn)下對(duì)光耦器件的?在線質(zhì)量檢測(cè)?與?可靠性驗(yàn)證?需求,適用于新能源、智能電網(wǎng)等高可靠性應(yīng)用場(chǎng)景。
2025-03-13 12:05:29
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一談起低軌衛(wèi)星,大家勢(shì)必會(huì)說起馬斯克的星鏈。一談起相控陣天線,大家還是繞不開馬斯克的星鏈。星鏈給大家打了個(gè)樣,一眾企業(yè)在模仿,試圖實(shí)現(xiàn)超越和跟隨。最近,拆了一臺(tái)第三代星鏈終端。但是,看不懂,完全
2025-03-05 17:34:16
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SemiQ最新發(fā)布的QSiC1200V第三代碳化硅(SiC)MOSFET在前代產(chǎn)品基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)突破性升級(jí),芯片面積縮小20%,開關(guān)損耗更低,能效表現(xiàn)更優(yōu)。該產(chǎn)品專為電動(dòng)汽車充電樁、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)
2025-03-03 11:43:43
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的變革,推動(dòng)整個(gè)行業(yè)邁向新的發(fā)展階段。二、GaN + BLDC SoC(一)技術(shù)原理融合GaN 功率器件特性基石GaN 作為第三代半導(dǎo)體材料的佼佼者,具備一系列傳統(tǒng)硅基材料難以企及的優(yōu)異特性。其寬禁帶
2025-02-26 18:04:53
4047 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來,第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性,逐漸
2025-02-15 11:15:30
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近日,在深圳舉辦的行家說第三代半導(dǎo)體年會(huì)——碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇上,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)憑借其領(lǐng)先產(chǎn)品“針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的CCPAK封裝GaN FET”榮獲「GaN年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)」。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)技術(shù)創(chuàng)新的認(rèn)可,更是對(duì)其在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域深耕細(xì)作成果的肯定。
2025-02-14 17:24:30
1020 近日,中國在太空成功驗(yàn)證了首款國產(chǎn)碳化硅(SiC)功率器件,這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代,為中國航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:06
1341 近日,百度智能云宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功點(diǎn)亮了國內(nèi)首個(gè)自研的昆侖芯三代萬卡集群。這一里程碑式的成就標(biāo)志著百度在AI芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展。
2025-02-06 17:52:22
1460 Qualcomm高通QCC3091藍(lán)牙音頻SoC,即第三代高通S3音頻平臺(tái),采用四核處理器架構(gòu),包括雙核32位處理器應(yīng)用子系統(tǒng)(最高80MHz),雙核240MHz可配置DSP音頻子系統(tǒng)(從ROM運(yùn)行
2025-02-05 15:07:27
近日,百度智能云宣布成功點(diǎn)亮昆侖芯三代萬卡集群,這一成就不僅在國內(nèi)尚屬首次,也標(biāo)志著百度在人工智能算力領(lǐng)域取得了重大突破。據(jù)了解,百度智能云計(jì)劃進(jìn)一步擴(kuò)大規(guī)模,進(jìn)一步點(diǎn)亮3萬卡集群,以滿足日益增長(zhǎng)
2025-02-05 14:58:14
1032 來源:新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的驅(qū)動(dòng)因素和重要保證。記者從中國科學(xué)院微電子研究所獲悉,我國在太空
2025-02-05 10:56:13
517 本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中,車用功率模塊(當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT)占據(jù)著舉足輕重的地位,它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能,還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:57
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行業(yè)正迎來一場(chǎng)革命性的變革。第三代半導(dǎo)體材料,以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用前景,正逐漸成為推動(dòng)這一變革的核心力量。 第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,第三代
2025-01-08 17:23:51
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-230:第三代SHARC系列處理器上的代碼疊加.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-08 14:43:01
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-220:將外部存儲(chǔ)器與第三代SHARC處理器和并行端口配合使用.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-01-06 16:12:11
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評(píng)論