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Synopsys和中芯國際合作推出65-nm到40-nm的S

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2025-06-23 16:28:41794

與麒麟軟件達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日,兆與麒麟軟件在京舉辦戰(zhàn)略合作簽約儀式,以"魂共筑"的深度協(xié)同,開啟從芯片架構(gòu)操作系統(tǒng)的全棧創(chuàng)新。在兆總經(jīng)理兼總工程師王惟林、副總經(jīng)理高新宇、麒麟軟件總經(jīng)理孔金珠
2025-06-19 17:19:27965

弘信電子與廈門國際銀行達(dá)成戰(zhàn)略合作

近日,值廈門國際銀行成立40周年之際,弘信電子集團(tuán)與廈門國際銀行以“鷺島合鳴?聚勢同航”為主題,隆重舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式暨業(yè)務(wù)交流活動(dòng)。廈門國際銀行黨委副書記、行長曹云川,弘信電子集團(tuán)董事長李強(qiáng)等雙方高層領(lǐng)導(dǎo)率隊(duì)出席,共同見證這場科技與金融深度融合的里程碑式合作
2025-06-16 17:22:42929

創(chuàng)飛130nm EEPROM IP通過客戶產(chǎn)品級考核

國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開發(fā),為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP,已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062

臺(tái)積電2nm良率超 90%!蘋果等巨頭搶單

當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí),臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻!據(jù)《經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道,臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%,實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍!
2025-06-04 15:20:211051

高功率1064nm半導(dǎo)體激光管介紹(布拉格和DFB版本可選)

一個(gè)TEC控制器。開放式框架或集成式版本可選。 10引腳蝶形DFB版本 – 我們所有的驅(qū)動(dòng)器都與這些10引腳外形尺寸兼容 1064nm半導(dǎo)體激光管可以在納秒脈沖模式達(dá)到高輸出功率,最高可達(dá)2W。大多數(shù) “交鑰匙 “的激光管+驅(qū)動(dòng)器解決方案均針對單發(fā)到CW性能進(jìn)行了優(yōu)
2025-06-04 09:41:38997

創(chuàng)飛55nm BCD工藝OTP IP實(shí)現(xiàn)上架

近日,珠海創(chuàng)飛科技有限公司宣布,其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 OTP IP(一次性可編程存儲(chǔ)IP核) 已在一家
2025-05-30 11:31:131170

科技推出IGBT單管AU40N120T3A5

科技正式推出1200V40A Gen3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為AU40N120T3A5。產(chǎn)品采用LUXIN FS-Trench Gen3平臺(tái),PitchSize 1.6um,TO247封裝。
2025-05-27 12:04:171070

上海光機(jī)所在972nm摻Y(jié)b石英光纖激光器實(shí)現(xiàn)超40mW穩(wěn)定單頻激光輸出

圖1 光纖激光器輸出功率曲線及光譜 近日,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所先進(jìn)激光與光電功能材料部特種玻璃與光纖研究中心團(tuán)隊(duì)首次報(bào)道了一種高性能的972 nm單頻分布式布拉格反射(DBR)摻鐿(Yb
2025-05-22 08:25:56543

見合八方發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品

天津見合八方光電科技有限公司(以下簡稱“見合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品;包括850nm SLD,850nm RSOA,同時(shí),850nm SOA也在測試驗(yàn)證階段,即將發(fā)布。
2025-05-17 11:15:33882

跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫3nm以下芯片游戲規(guī)則

。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版上的每個(gè)圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬分之一,任何微小誤差都可能導(dǎo)致芯片失效。對此,新思科技(Synopsys推出制造解決方案,尤其是
2025-05-16 09:36:475598

馳科技與Arteris深化合作

近日,上海國際車展期間,馳科技與IP供應(yīng)商 Arteris聯(lián)合宣布深化合作,基于Arteris片上網(wǎng)絡(luò)(NoC)IP,在高流量、低延遲的片上總線互聯(lián)技術(shù)方面開展技術(shù)協(xié)同,共同應(yīng)對高性能車規(guī)芯片設(shè)計(jì)的互連挑戰(zhàn)。
2025-05-06 14:37:551143

1060nm 半導(dǎo)體光放大器

ASE中心波長λASE25℃, If=400mA 1070 nm工作波長λ25℃, Pin=0dBm 1060 nm-3dB
2025-04-29 09:01:59

4nm賽道發(fā)力!瑞微押注汽車AI SoC,汽車芯片增長前景看好

和最新的旗艦產(chǎn)品。 瑞微2025年Q1凈利潤大漲209%,AIoT技術(shù)優(yōu)勢延伸到汽車電子領(lǐng)域 瑞微2001年成立,2020年在上交所上市。公司產(chǎn)品最早從復(fù)讀機(jī)、MP4、平板,發(fā)展當(dāng)前的汽車電子,機(jī)器視覺、AIoT,芯片制程也從早期的0.65um,今天的8nm,每一代都規(guī)
2025-04-27 07:48:006305

廣明源172nm晶圓光清洗方案概述

在半導(dǎo)體制造,清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程,并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715

從臺(tái)積電國際:盤點(diǎn)2025年全球100+晶圓廠布局與產(chǎn)能現(xiàn)狀

期,從領(lǐng)先的臺(tái)積電快速發(fā)展的國際,晶圓廠建設(shè)熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴(kuò)充產(chǎn)能,從先進(jìn)的3nm、5nm工藝成熟的28nm、40nm節(jié)點(diǎn)不等,單個(gè)項(xiàng)目
2025-04-22 15:38:361573

三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率

較為激進(jìn)的技術(shù)路線,以挽回局面。 4 月 18 日消息,據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日報(bào)道,三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40% 的良率,這高于
2025-04-18 10:52:53

上海雷卯電子閃耀廣交會(huì),開啟國際合作新篇章

星期二,中國進(jìn)出口商品交易會(huì)在廣州盛大開幕。上海雷卯電子科技有限公司在廣交會(huì)上驚艷亮相,吸引了來自全球各地的專業(yè)人士與參展商的目光。此次參展不僅是雷卯電子展示技術(shù)實(shí)力的重要契機(jī),更成為了推動(dòng)國際電子技術(shù)交流與合作的關(guān)
2025-04-16 11:39:30622

方案拆解展示 | 納祥科技365nm UV紫光燈檢測方案

隨著防偽檢測、食品、紡織等領(lǐng)域?qū)ψ贤夤庠葱枨蟮奶嵘?65nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性,成為替代傳統(tǒng)檢測方式操作復(fù)雜、運(yùn)維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581738

營收超570億!國際超越聯(lián)電卻增收不增利, 2025年誰能率先破局?

5.3%的平均。中國在主流制程節(jié)點(diǎn)(22nm40nm)的產(chǎn)能增長尤為顯著,預(yù)計(jì)2028年,中國在全球主流半導(dǎo)體制造產(chǎn)能的占比將達(dá)到42%。 近期,國際和聯(lián)電作為全球排名前四的兩家中國晶圓代工廠,先后發(fā)布了最新年度財(cái)報(bào)。兩家財(cái)報(bào)顯示,國際營收超越聯(lián)電,凈利潤指
2025-03-29 03:31:294007

來科技NS系列啟動(dòng)信息安全CC咨詢合作

近日,來科技與國際公認(rèn)的測試認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS網(wǎng)絡(luò)安全實(shí)驗(yàn)室Brightsight成功舉行CC咨詢合作簽約啟動(dòng)儀式。
2025-03-26 10:03:071161

FD40-110S48B3C3 FD40-110S48B3C3

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供AIPULNION(AIPULNION)FD40-110S48B3C3相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊,更有FD40-110S48B3C3的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,F(xiàn)D40-110S48B3C3真值表,F(xiàn)D40-110S48B3C3管腳等資料,希望可以幫助廣大的電子工程師們。
2025-03-25 18:33:15

臺(tái)積電2nm制程良率已超60%

,較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升(此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以60%),預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是,蘋果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴,或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝,但其最
2025-03-24 18:25:091240

國際攜手華為推出政務(wù)AI全棧解決方案

,全面介紹了國際攜手華為推出的面向智慧政務(wù)領(lǐng)域的全棧AI解決方案——“政務(wù)AI智囊團(tuán)”,并分享了與華為政務(wù)一網(wǎng)通軍團(tuán)的合作及行業(yè)前瞻思考。
2025-03-24 17:30:011355

FD20-110S40B3C3 FD20-110S40B3C3

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2025-03-20 18:58:29

PFD6-18S40A3(C)2 PFD6-18S40A3(C)2

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2025-03-20 18:41:45

UA40-220S05 UA40-220S05

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2025-03-18 18:59:51

FA40-220S24G2N5 FA40-220S24G2N5

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2025-03-18 18:59:01

FA40-220S24W2N4 FA40-220S24W2N4

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2025-03-18 18:58:37

FA40-220S15W2D4 FA40-220S15W2D4

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2025-03-18 18:57:39

FA40-220S24G2D5 FA40-220S24G2D5

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2025-03-18 18:57:02

FA40-220S24H3N4 FA40-220S24H3N4

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2025-03-18 18:56:17

科技與美電科技攜手推出AI傳感器模組

2024年,國科技與戰(zhàn)略合作伙伴深圳美電科技有限公司(以下簡稱“美電科技”)展開了深度合作。雙方以國科技首顆端側(cè)AI芯片CCR4001S為核心,攜手推出AI傳感器模組,迅速且緊密地圍繞該模組開展全方位、多維度的應(yīng)用開發(fā)工作。如今,這款模組已成功實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。
2025-03-18 16:34:461008

手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代,首發(fā)不是蘋果?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道,2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃,無論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局,或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486

”光煥新,創(chuàng)“”未來|度亙核慕尼黑上海光博會(huì)完美收官!

攜全系列產(chǎn)品亮相,并重磅推出915/976nm50W高亮度半導(dǎo)體激光芯片、單模1064nm鎖波DFB激光芯片與器件以及650W高光譜穩(wěn)定輕量化DFB泵浦模塊三款
2025-03-13 18:17:251165

曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來,每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)(SF4X)進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207

科技推出1200V40A GEN3 IGBT單管

科技正式推出1200V40A GEN3的IGBT單管,產(chǎn)品型號(hào)為YGK40N120TMA1。
2025-03-11 16:17:25901

請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少?

您好!請問DLP650LNIR用于800nm,35fs,1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級的功率密度?
2025-02-26 06:16:47

要設(shè)計(jì)CH氣體檢測設(shè)備應(yīng)用的激光源波長為3370nm,請問DMD微鏡的反射波長是多少?

請問:我現(xiàn)在要設(shè)計(jì)CH氣體檢測設(shè)備應(yīng)用的激光源波長為3370nm,請問貴司的DMD微鏡的反射波長是多少?我們的要求能滿足嗎?
2025-02-24 08:08:31

DLP660TE 370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?

我想知道該型號(hào)關(guān)于370-420nm波長的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少?
2025-02-21 07:05:14

DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少?

DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少,480mW/cm2能否使用,有沒有在355nm下的客戶應(yīng)用案例? 這個(gè)是激光器的參數(shù):355nm,脈寬5ns,單脈沖能量60uJ,照射面積0.37cm^2,
2025-02-20 08:42:33

DLP9500UV在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?

請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少?如何查看?
2025-02-20 07:49:07

YOKOGAWA/橫河AQ6370B 光譜分析儀 波長范圍 600nm至1700nm

范圍:600 至 1700 nm應(yīng)用光纖:9/125 微米 50/125 微米,62.5/125 微米1523 nm 處的近動(dòng)態(tài)范圍:37 dB(±0.1 nm
2025-02-19 14:36:55

國際擴(kuò)產(chǎn)迎新進(jìn)展:京城二期工業(yè)用地成交

近日,國際位于北京的晶圓廠項(xiàng)目——京城二期,迎來了建設(shè)進(jìn)展的重要節(jié)點(diǎn)。據(jù)最新消息,京城二期的工業(yè)用地已經(jīng)成功成交,這標(biāo)志著該項(xiàng)目正式進(jìn)入了實(shí)質(zhì)性的建設(shè)階段。 據(jù)了解,京城二期項(xiàng)目擬建
2025-02-19 11:32:531996

VirtualLab Fusion應(yīng)用:基于分布式計(jì)算的AR光波導(dǎo)測試圖像的仿真

使用一個(gè)由5個(gè)提供41個(gè)客戶端的多核PC組成的網(wǎng)絡(luò),模擬時(shí)間可以減少大約4小時(shí)(與之前的大約43小時(shí)相比)。 模擬任務(wù) 入射耦合 周期:380 nm;光柵脊寬度:190 nm;高度:100 nm
2025-02-19 08:51:05

請問DLP9500能否承受3mJ/cm2的脈沖光(532nm, 5ns, 2kHz)?

我嘗試使用脈沖激光照射具有調(diào)制圖案的DMD反射鏡(DLP9500),我想知道DMD是否能夠承受以下參數(shù)的激光: 激光器:532nm 脈沖能量:3mJ 脈沖寬度:5ns 重復(fù)頻率:2kHz 照明面積:1cm2
2025-02-18 06:05:30

365nm紫外點(diǎn)光源固化燈的特點(diǎn)、優(yōu)勢與應(yīng)用

在現(xiàn)代制造業(yè),紫外光固化技術(shù)已成為一種高效、環(huán)保的固化方式,廣泛應(yīng)用于涂料、油墨、膠水等多個(gè)領(lǐng)域。紫外點(diǎn)光源固化燈,尤其是365nm波長的紫外燈,因其獨(dú)特的光學(xué)性能和應(yīng)用優(yōu)勢,成為高精度固化過程
2025-02-13 15:44:392483

臺(tái)積電加大亞利桑那州廠投資,籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片

據(jù)最新消息,臺(tái)積電正計(jì)劃加大對美國亞利桑那州工廠的投資力度,旨在推廣“美國制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉,此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模,為未來的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995

微愛推出CBTLVD系列模擬開關(guān)

微愛推出四款CBTLVD系列模擬開關(guān)。
2025-02-12 14:21:301117

聯(lián)發(fā)科采用AI驅(qū)動(dòng)Cadence工具加速2nm芯片設(shè)計(jì)

近日,全球知名的EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)大廠Cadence宣布了一項(xiàng)重要合作成果:聯(lián)發(fā)科(MediaTek)已選擇采用其人工智能驅(qū)動(dòng)的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具,在英偉達(dá)(NVIDIA)的加速計(jì)算平臺(tái)上進(jìn)行2nm芯片的開發(fā)工作。
2025-02-05 15:22:381069

三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲

據(jù)韓媒報(bào)道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本,三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%,以達(dá)到結(jié)束開發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而,實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001

三星重啟1b nm DRAM設(shè)計(jì),應(yīng)對良率與性能挑戰(zhàn)

nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P,其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似,顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解,在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí),三星現(xiàn)有的12nm級DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408

歐洲啟動(dòng)1nm及光芯片試驗(yàn)線

高達(dá)14億美元,不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù),更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng),標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
2025-01-21 13:50:441023

創(chuàng)飛90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,2024 年在國內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647

Litestar 4D:McCree莫克利曲線

測量了 22 種作物的葉子在 350 750 nm 波長范圍內(nèi)吸收CO 2的作用光譜、吸收率和光譜量子產(chǎn)率。從他對 22 種作物植物的研究數(shù)據(jù),莫克利博士能夠創(chuàng)建一條廣義植物光吸收曲線(與廣義
2025-01-14 09:37:36

微第二代8nm高性能AIOT平臺(tái),看這款板卡怎么樣?

微近期推出了第二代8nm高性能AIOT平臺(tái)——RK3576。RK3576應(yīng)用方向指向工業(yè)控制及網(wǎng)關(guān),云終端,人臉識(shí)別設(shè)備,車載控,商顯等等。參數(shù)方面,內(nèi)置了四核Cortex-A72+四核
2025-01-09 08:03:232156

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