盛美半導體設(shè)備(上海)有限公司近日宣布第一臺Ultra C 12英寸單片兆聲波清洗設(shè)備已經(jīng)銷售給韓國存儲器制造巨頭。采用盛美的空間交變相移兆聲波技術(shù)(SAPS)，Ultra C無需用高濃度的化學藥液，而是采用極低濃度的功能水即可實現(xiàn)優(yōu)越的顆粒去除率(PRE)，并且使材料的流失降到最低。該設(shè)備將用于客戶最先進器件的制造工藝上，該設(shè)備現(xiàn)已運出，最終驗收預計在近期完成。

　　這是中國本土的半導體設(shè)備廠商第一次能夠進入國際主流半導體廠商的供應(yīng)鏈中，而且還是對新工藝新技術(shù)最最敏感的存儲器廠商，就更加不容易。相信進入這家存儲巨頭的供應(yīng)鏈以后，會有更多國際半導體制造商敢于采用來自這家公司的設(shè)備，而中國半導體行業(yè)的最大短板——半導體制造設(shè)備終于有了巨大的突破。

　　Ultra C定位于高端的清洗工藝。通過客戶端大生產(chǎn)線驗證，Ultra C清洗后的PRE在65nm及以上顆粒達到96%，在44nm至65nm顆粒之間PRE達到74%，單道清洗后的材料損失控制在0.2 ?之內(nèi)，而競爭對手只能做到PRE在65nm及以上顆粒做到84%，44nm至65nm顆粒之間僅為13%，清洗效果顯著優(yōu)于其它與之競爭的技術(shù)。在45nm技術(shù)節(jié)點，Ultra C的單道清洗將生產(chǎn)良率提高了1.3%。

　　對于大型半導體制造公司來說，每提高1%的良率都可增加一億美元的凈收入，所以Ultra C給客戶帶來的巨大良率提升是盛美能夠打入半導體巨頭設(shè)備供應(yīng)鏈的根本原因，因為半導體制造企業(yè)對于設(shè)備的采購與更改供應(yīng)商會極端謹慎，如果沒有巨大的技術(shù)創(chuàng)新，你不可能說服他們更改設(shè)備供應(yīng)商。盛美的創(chuàng)始人及CEO王暉說，“這臺訂單證明市場認可了我們的SAPS清洗技術(shù)，越小器件的技術(shù)節(jié)點對材料流失的工藝參數(shù)要求越高，并且影響最終良率的特征顆粒尺寸趨小，因而更難以清洗。我們的SAPS聲波清洗技術(shù)已被半導體制造業(yè)巨頭接受，成為去除這些納米級顆粒的可行方案。在45nm及以下技術(shù)節(jié)點，Ultra C將成為取代現(xiàn)有清洗技術(shù)的突破性技術(shù)。” 盛美擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)“SAPS”可以控制兆聲波能量在硅片面內(nèi)以及硅片到硅片之間的非均勻度都小于2%。而目前在市面上的單片兆聲波清洗設(shè)備只能控制兆聲波能量非均勻度在10-20%。

　　同時，盛美也推出了其無應(yīng)力拋光集成設(shè)備(the Ultra iSFP)。該設(shè)備能夠?qū)?5nm及以下的銅互聯(lián)結(jié)構(gòu)進行無應(yīng)力、無損傷拋光。該設(shè)備整合了無應(yīng)力拋光技術(shù)(SFP)、熱氣相蝕刻技術(shù) (TFE)以及低下壓力化學機械平坦化技術(shù)(ULDCMP)，利用其各自獨特的技術(shù)優(yōu)點，確保在整個拋光過程中對銅互連結(jié)構(gòu)無任何損傷。使用無應(yīng)力拋光設(shè)備制造以二氧化硅(SiO2)為基體的空氣穴互連結(jié)構(gòu)有諸多優(yōu)點。其工藝簡單，可以使用傳統(tǒng)的二氧化硅介電質(zhì)及大馬士革工藝，因此不需要開發(fā)新材料和新工藝。該工藝對于窄的銅線和極小的互聯(lián)結(jié)構(gòu)沒有任何損傷，具有自動對準功能，不需要硬光掩膜，并只在小線距區(qū)域選擇性的形成空氣穴，而不在大線距區(qū)域形成空氣穴，這樣既能在小線距區(qū)域提供低于2.2的有效超低k特性，又能給互連結(jié)構(gòu)提供出色的機械強度及良好的散熱特性，以此抵擋封裝時帶來的機械壓力，并解決器件運行時的發(fā)熱問題。“無應(yīng)力拋光技術(shù)的問世代表著銅/超低k介質(zhì)互聯(lián)的整合工藝取得了重大突破，特別是在以二氧化硅(SiO2)為基體的空氣穴互聯(lián)結(jié)構(gòu)的應(yīng)用解決了三維封裝TSV遇到的發(fā)熱難題。”王暉補充道。據(jù)悉，盛美所掌握的是獨家技術(shù)，目前在全世界無直接競爭對手，連應(yīng)用材料公司等世界前三大半導體設(shè)備商和IBM和Intel等公司都未能掌握。