25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

??? 據(jù)報(bào)道：Intel將繼續(xù)推出緩存式SSD新品，屬于313系列，代號(hào)為"Hawley Creek"，替代代號(hào)為"Larson Creek"的311系列，容量有20GB、24GB，預(yù)計(jì)將在4月上市，售價(jià)分別為99美元和119美元。

??? 據(jù)介紹，Intel新313系列緩存SSD為7系列芯片組所設(shè)計(jì)，厚度7mm，包括2.5英寸和mSATA規(guī)格產(chǎn)品，采用SATA 3Gbps接口，基于25nm閃存制造工藝，采用SLC閃存，提高讀寫(xiě)壽命。

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納米技術(shù)(27000) 納米技術(shù)(27000)
intel(190773) intel(190773)
固態(tài)硬盤(pán)(60214) 固態(tài)硬盤(pán)(60214)

評(píng)論

高性能SPI接口的NOR FLASH存儲(chǔ)器ZB25D80B

英尚代理的恒爍半導(dǎo)體NOR FLASH存儲(chǔ)器，具備通用SPI接口，覆蓋廣泛的工作電壓與容量選項(xiàng)，為各類(lèi)嵌入式系統(tǒng)提供可靠的非易失性存儲(chǔ)支持。該系列包括適用于1.8V低電壓環(huán)境的ZB25

2026-01-05 16:11:01

TE新推的Buchanan接線端子是什么?-赫聯(lián)電子

用　　7、兼容通孔回流的版本適用于經(jīng)濟(jì)高效的焊接工藝　　作為T(mén)E的授權(quán)分銷(xiāo)商，Heilind(赫聯(lián)電子)可為市場(chǎng)提供相關(guān)服務(wù)與支持，此外Heilind(赫聯(lián)電子)也供應(yīng)多家世界頂級(jí)制造商的產(chǎn)品，涵蓋25

2026-01-05 10:16:57

0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)的背后需要“背面供電”支撐

實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中

2026-01-03 05:58:00

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HMC313 / 313E：GaAs InGaP HBT MMIC寬帶放大器增益模塊的優(yōu)秀之選

HMC313 / 313E：GaAs InGaP HBT MMIC寬帶放大器增益模塊的優(yōu)秀之選在電子工程領(lǐng)域，放大器的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的表現(xiàn)。HMC313 / 313E作為一款GaAs

2025-12-31 14:10:12

HMC-ALH313：27 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析

HMC-ALH313：27 - 33 GHz GaAs HEMT MMIC低噪聲放大器的深度解析在毫米波頻段的射頻設(shè)計(jì)中，低噪聲放大器（LNA）起著至關(guān)重要的作用。今天我們要深入探討

2025-12-31 09:55:10

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三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%

級(jí)芯片（SoC），有望重塑三星在移動(dòng)芯片領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力。預(yù)計(jì)2026年2月發(fā)布的Galaxy S26系列將首發(fā)搭載該芯片。 ? ? Exynos 2600在制程工藝上采用2nm GAA（MBCFET

2025-12-25 08:56:00

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5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）芯片

5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）芯片5CEFA4F23C8NQS是 Intel（原 Altera）Cyclone? V E 系列的一款 FPGA 器件，采用先進(jìn)的 28 nm

2025-12-25 08:53:29

NORDIC 54系列相比52系列的優(yōu)勢(shì)有哪些？

①成本優(yōu)勢(shì)，貨源穩(wěn)定 ②功耗降低30%-50%，工藝制程采用22nm，主頻由64M升級(jí)到128M。且54系列是M33的核。 ③54系列支持藍(lán)牙6.0 ，支持channelsounding功能，52系列不支持。 ④54系列支持最新的NCS

2025-12-24 11:09:50

FPGA 專(zhuān)業(yè)級(jí)開(kāi)發(fā)平臺(tái)性?xún)r(jià)比之選，ALINX Artix US+ PCle AXAU25

UltraScale+ 系列 FPGA 芯片 AU25P ： ? 采用? 16nm FinFET+ ?先進(jìn)工藝，相比老一代 28nm/20nm 產(chǎn)品在每瓦性能上實(shí)現(xiàn)了代際飛躍，功耗低，在緊閉、被動(dòng)散熱

2025-12-24 10:54:15

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電子工程師必看：QVxx25xHx系列25A高溫雙向晶閘管TRIAC深度解析

電子工程師必看：QVxx25xHx系列25A高溫雙向晶閘管TRIAC深度解析在電子工程師的日常工作中，選擇合適的半導(dǎo)體器件至關(guān)重要，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性和壽命。今天，我們就來(lái)深入探討一下

2025-12-16 10:00:06

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高性能SPI NOR FLASH芯片ZB25VQ系列推薦

在嵌入式系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備及各類(lèi)存儲(chǔ)應(yīng)用中，SPI NOR FLASH芯片因其接口簡(jiǎn)單、功耗低、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，成為代碼存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)緩存的常見(jiàn)選擇。SPI NOR FLASH是一種基于SPI（串行外設(shè)

2025-12-01 14:52:03

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芯源EEPROM產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì)

01CW24xx系列串行EEPROM具有低引腳數(shù)、高可靠性、多種存儲(chǔ)容量 02用于靈活的參數(shù)管理和小代碼存儲(chǔ)，滿(mǎn)足穩(wěn)定的數(shù)據(jù)保存、低功耗和空間受限的需要 03采用華虹95nm 最先進(jìn)工藝，晶圓

2025-11-28 06:43:14

昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm新波段

為進(jìn)一步滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)850nm波段光器件精準(zhǔn)測(cè)量的需求，昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm測(cè)量新波段，為多模光纖鏈路、850nm光器件及芯片級(jí)樣品提供一套更高效、更全面的檢測(cè)解決方案

2025-11-27 17:30:44

1777

PCIe 5.0 8TB SSD挺進(jìn)消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，隨著AI應(yīng)用的廣泛落地，用戶(hù)對(duì)存儲(chǔ)速率和容量的需求與日俱增。近期高端消費(fèi)級(jí)SSD市場(chǎng)不斷出現(xiàn)PCIe 5.0?8TB SSD產(chǎn)品。 ? 三星于2025年推出PCIe 5.0旗艦

2025-11-22 08:05:00

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憶聯(lián)首款商用消費(fèi)級(jí)QLC SSD AE531深度評(píng)測(cè)

近日，深耕存儲(chǔ)及硬件領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)PCEVA對(duì)憶聯(lián)首款QLC商用消費(fèi)級(jí)SSD AE531展開(kāi)了深度評(píng)測(cè)。結(jié)果顯示，AE531在性能以及各項(xiàng)測(cè)試上的成績(jī)均超越同級(jí)表現(xiàn)。同時(shí)，務(wù)實(shí)的SLC緩存策略、跨平臺(tái)兼容性與60℃滿(mǎn)載無(wú)降速的溫控能力，更凸顯商用場(chǎng)景下的穩(wěn)定優(yōu)勢(shì)。

2025-11-07 11:02:40

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FS313B USB 的 PD和QC 快充協(xié)議電壓誘騙控制器規(guī)格書(shū)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS313B USB 的 PD和QC 快充協(xié)議電壓誘騙控制器規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-11-05 17:28:15

SSD為何需要DRAM緩存？天碩工業(yè)級(jí)SSD帶來(lái)深度解析！

在當(dāng)今數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，工業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備的選擇直接關(guān)系到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)憑借其卓越的DRAM緩存技術(shù)，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。本文將采用問(wèn)答形式，深入探討這一關(guān)

2025-10-20 17:59:28

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德明利企業(yè)級(jí)SSD與OpenCloudOS、騰訊云完成技術(shù)兼容互認(rèn)證

德明利TS3160系列企業(yè)級(jí)SATA SSD產(chǎn)品與OpenCloudOS、騰訊云相互兼容認(rèn)證

2025-10-17 15:48:58

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目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝水平介紹

1.8nm）制程技術(shù)亮點(diǎn)：這是英特爾首個(gè)2納米級(jí)別制程節(jié)點(diǎn)，采用了全環(huán)繞柵極晶體管（Gate-All-Around, GAA）和背面供電網(wǎng)絡(luò)（Backside Power Delivery Network）。與Intel 3制程相比，每瓦性能提升達(dá)15%，芯片密度提升約30%。該工藝支持多芯片封裝架構(gòu)，兼具高

2025-10-15 13:58:16

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嵌入式領(lǐng)域的“性?xún)r(jià)比王者”！明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板

嵌入式領(lǐng)域的“性?xún)r(jià)比王者”！深度解析明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板的技術(shù)亮點(diǎn)與應(yīng)用潛力在物聯(lián)網(wǎng)與智能硬件飛速發(fā)展的背景下，嵌入式核心板作為設(shè)備的“大腦”，其性能、成本與兼容性直接決定了產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力

2025-10-14 17:53:13

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車(chē)載360環(huán)視平臺(tái)：米爾RK3576開(kāi)發(fā)板支持12路低延遲推流

，傳統(tǒng)硬件平臺(tái)往往在攝像頭數(shù)量、編解碼效率和推流延遲上存在瓶頸，難以滿(mǎn)足行業(yè)對(duì) 高并發(fā) + 低延遲的要求。作為嵌入式領(lǐng)域的先行者，米爾電子基于瑞芯微 RK3576開(kāi)發(fā)板，推出了針對(duì)車(chē)載360環(huán)視

2025-10-11 17:55:41

串口DMA發(fā)送有緩存嗎？

串口DMA發(fā)送有緩存嗎，我是從ringbuffer取出來(lái)，放到申請(qǐng)的緩存里，啟動(dòng)串口DMA發(fā)送，然后就釋放了。暫時(shí)沒(méi)發(fā)現(xiàn)什么問(wèn)題。用的drv_usart.c是這個(gè)版本

2025-10-10 06:14:05

為什么推薦 SSD 而不是 HDD 的電腦？

一、SSD 與 HDD 的本質(zhì)區(qū)別? 1.存儲(chǔ)原理? 固態(tài)硬盤(pán)（SSD）：采用NAND閃存芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，類(lèi)似“大號(hào)U盤(pán)”，無(wú)任何機(jī)械運(yùn)動(dòng)部件。數(shù)據(jù)通過(guò)電子信號(hào)讀寫(xiě)，速度極快，且抗震動(dòng)、噪音低

2025-09-25 16:19:43

711

請(qǐng)問(wèn)官方bootloader能使用外部flashNM25q128嗎？

直接生成的bootloader不能用，正點(diǎn)原子探索者使用的NM25Q128。請(qǐng)問(wèn)是為什么？硬件沒(méi)有問(wèn)題，使用片內(nèi)flash的話是可以的，NM25Q128掛載沒(méi)有問(wèn)題

2025-09-18 06:15:53

BCM56771A0KFSBG—7nm 低功耗工藝、56G PAM4 高速接口

BCM56771A0KFSBG性能密度：?jiǎn)涡酒?12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時(shí)代。能效比

2025-09-09 10:41:47

【「AI芯片：科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

個(gè)演進(jìn)過(guò)程中都發(fā)生了怎樣的變化和啟示呢？之所以出現(xiàn)傳統(tǒng)工藝平面場(chǎng)效應(yīng)晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及納米片全環(huán)繞柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管的變化，主要是解決在關(guān)閉狀態(tài)下也會(huì)出現(xiàn)的漏電流問(wèn)題，它會(huì)導(dǎo)致電池供電情況下電量

2025-09-06 10:37:21

請(qǐng)問(wèn)M453是否默認(rèn)啟用4kb緩存？

瀏覽 M453 的各種示例代碼，我沒(méi)有看到顯式啟用 4kb 緩存，那么緩存是否默認(rèn)啟用？

2025-08-28 08:27:31

選型手冊(cè)：MRFE6VP61K25 系列 RF 功率 LDMOS 晶體管

2025-08-27 17:51:24

6127

德承新款工控機(jī)P2302系列全面搭載新一代 Intel? Meteor Lake-PS Core? Ultra 7/5/3 處理器

P2302?系列是一款針對(duì)邊緣運(yùn)算而設(shè)計(jì)的薄型、高性能嵌入式工控機(jī)。在效能上可搭載 Intel? Core? Ultra 7/5/3 U?系列（Meteor Lake-PS）CPU，擁有 12?核心

2025-08-27 15:02:37

766

代理供應(yīng)希力微 SJ MOS管 SSF60R190TH、SSD60R280FTR、SSD60R360METR、SSD65R900FTR

希力微 SJ MOS系列產(chǎn)品涵蓋250V-1000V全系列，提供高達(dá)140A靜態(tài)電流的規(guī)格，高工作頻率達(dá)到200KHz以上，可以滿(mǎn)足各種電源規(guī)格的需求。其高效率、低溫升的優(yōu)點(diǎn)，特別適用于TV電源

2025-08-27 09:49:48

自主可控：度亙核芯成功推出全國(guó)產(chǎn)化830nm單模光纖耦合模塊

的擁有830nm單模系列產(chǎn)品全流程設(shè)計(jì)與制造能力的企業(yè)！基于度亙核芯在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域深厚的技術(shù)積淀與高端IDM制造工藝，實(shí)現(xiàn)了功率≥300mW、線寬≤0.5nm、高

2025-08-26 13:08:36

1308

10CX150YF672E5G現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）芯片

10CX150YF672E5G 是Intel（原 Altera）推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片，選用 20nm 工藝技術(shù)，具備 150,000 個(gè)邏輯單元

2025-08-21 09:15:02

Redis緩存的經(jīng)典問(wèn)題和解決方案

用戶(hù)瘋狂查詢(xún)數(shù)據(jù)庫(kù)中不存在的數(shù)據(jù)，每次查詢(xún)都繞過(guò)緩存直接打到數(shù)據(jù)庫(kù)，導(dǎo)致數(shù)據(jù)庫(kù)壓力驟增。

2025-08-20 16:24:14

627

JAE推出全新ST51系列連接器

日本航空電子工業(yè)(JAE)現(xiàn)已開(kāi)始對(duì)外銷(xiāo)售推/推式“ST51系列”的卡座連接器，該系列連接器支持的“microSD EXPRESS卡”，實(shí)現(xiàn)高速大容量的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)。

2025-08-15 11:19:36

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創(chuàng)飛芯40nm HV工藝OTP IP完成上架

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)

2025-08-14 17:20:53

1311

創(chuàng)飛芯40nm eNT嵌入式eFlash IP通過(guò)可靠性驗(yàn)證

珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過(guò)可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。

2025-08-14 11:52:59

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M系列連接器電鍍工藝及單位轉(zhuǎn)換

M系列航空插頭因其高可靠性要求，通常采用多種電鍍工藝以提升性能。

2025-08-08 15:07:47

現(xiàn)在rtsp推流還是只能向局域網(wǎng)推流嗎？

現(xiàn)在rtsp推流還是只能向局域網(wǎng)推流嗎

2025-08-08 06:07:03

緩存之美：萬(wàn)文詳解 Caffeine 實(shí)現(xiàn)原理（上）

文章將采用“總-分-總”的結(jié)構(gòu)對(duì)配置固定大小元素驅(qū)逐策略的 Caffeine 緩存進(jìn)行介紹，首先會(huì)講解它的實(shí)現(xiàn)原理，在大家對(duì)它有一個(gè)概念之后再深入具體源碼的細(xì)節(jié)之中，理解它的設(shè)計(jì)理念，從中能學(xué)習(xí)到

2025-08-05 14:49:12

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工業(yè)級(jí)SSD怎么選？天碩三大核心部件技術(shù)解析

買(mǎi)工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)時(shí)，總有人問(wèn) “哪款性能好”？而天碩M.2 NVMe 工業(yè)級(jí) SSD 能成為工業(yè)級(jí)標(biāo)桿，正是因?yàn)榘堰@三大部件主控芯片、緩存和閃存顆粒做到了極致的運(yùn)用

2025-07-26 16:27:48

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晶圓清洗工藝有哪些類(lèi)型

清洗工藝可分為以下幾類(lèi)：1.濕法清洗（WetCleaning）（1）槽式清洗（BatchCleaning）原理：將多片晶圓（通常25-50片）放入化學(xué)槽中，依次浸泡

2025-07-23 14:32:16

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PCIe 6.0 SSD主控芯片曝光！4nm制程，順序讀取高達(dá)28 GB/s

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，慧榮科技首次曝光了其下一代企業(yè)級(jí)SSD主控芯片——SM8466。該款重磅新品將支持PCIe Gen6標(biāo)準(zhǔn)，采用臺(tái)積電4nm制程，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)28 GB/s的順序讀取和7M

2025-07-18 08:19:00

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沒(méi)有掉電保護(hù)的SSD為什么不適合工業(yè)級(jí)場(chǎng)景？

在電力、工業(yè)自動(dòng)化、軌道交通等領(lǐng)域，數(shù)據(jù)安全容不得半點(diǎn)馬虎。然而很多人并不知道，普通SSD在突發(fā)斷電時(shí)面臨著巨大的風(fēng)險(xiǎn)：DRAM緩存中的數(shù)據(jù)可能還未寫(xiě)入NAND閃存，就因掉電而徹底丟失。那么，沒(méi)有

2025-07-16 10:54:36

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明遠(yuǎn)智睿SSD2351：開(kāi)啟嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)新時(shí)代

和產(chǎn)品質(zhì)量。明遠(yuǎn)智睿SSD2351的出現(xiàn)，為嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)帶來(lái)了新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，正開(kāi)啟著嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的新時(shí)代。強(qiáng)勁性能，滿(mǎn)足復(fù)雜計(jì)算需求明遠(yuǎn)智睿SSD2351搭載的四核1.4GHz處理器是其性能的核心保障。四核架構(gòu)的設(shè)計(jì)使得處理器能

2025-07-15 15:47:07

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明遠(yuǎn)智睿SSD2351：嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的卓越之選

在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)這一充滿(mǎn)挑戰(zhàn)與機(jī)遇的領(lǐng)域，一款出色的開(kāi)發(fā)板就如同開(kāi)發(fā)者手中的利器，能助力他們披荊斬棘，創(chuàng)造出令人驚嘆的成果。明遠(yuǎn)智睿SSD2351便是這樣一款集性能、功能與易用性于一身的杰出代表，正

2025-07-15 15:46:07

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為什么天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)比普通SSD更適合工業(yè)設(shè)備？

很多用戶(hù)認(rèn)為SSD的主要區(qū)別只在于速度，但實(shí)際上，工業(yè)級(jí)SSD和消費(fèi)級(jí)SSD在性能、可靠性和適用場(chǎng)景上存在本質(zhì)差異。尤其是在高安全性、極端環(huán)境下運(yùn)行的工業(yè)設(shè)備中，選擇合適的SSD關(guān)乎系統(tǒng)的整體穩(wěn)定性

2025-07-09 18:00:39

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工業(yè)級(jí)SSD為什么需要掉電保護(hù)？天碩工業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)告訴你答案

在工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)中，電源波動(dòng)或突發(fā)斷電是常見(jiàn)問(wèn)題。這種情況下，如果SSD正在寫(xiě)入數(shù)據(jù)，很可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或文件系統(tǒng)損壞，甚至引發(fā)系統(tǒng)宕機(jī)。天碩（TOPSSD）G40工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，針對(duì)這一

2025-07-09 17:05:07

631

希力微 250V-1000V耐壓超結(jié)工藝MOSFET 代理供應(yīng)

、快速充電器、LED電源、通訊和服務(wù)器電源、電動(dòng)車(chē)充電樁等系統(tǒng)。 SJ MOS系列型號(hào)： SSQ55R115FTH、SSD55R280FTR、SSD100R1K4METR、SSF100R1K4METH

2025-07-09 12:00:21

SSD2351核心板技術(shù)解析：高性能嵌入式設(shè)計(jì)的核心引擎

? ? 1. 產(chǎn)品概述 ? ? SSD2351核心板是一款基于國(guó)產(chǎn)高性能處理器或SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）設(shè)計(jì)的嵌入式核心模塊，以明遠(yuǎn)智睿的SSD2351的核心板為例，適用于工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)終端、邊緣

2025-07-07 16:45:05

1428

企業(yè)級(jí)SSD的核心技術(shù)與市場(chǎng)趨勢(shì)

。 ? 企業(yè)級(jí)SSD的核心部件示意圖 ? 主控芯片（控制大腦）控制數(shù)據(jù)讀寫(xiě)，直接決定SSD 的性能、可靠性固件（操作系統(tǒng)）確保SSD高效穩(wěn)定運(yùn)行 NAND Flash、DRAM（存儲(chǔ)介質(zhì)） NAND Flash是主要存儲(chǔ)介質(zhì)，用于存儲(chǔ)用戶(hù)數(shù)據(jù)；DRAM提供數(shù)據(jù)緩存。 ? 企業(yè)級(jí)SSD總線? ? 總線是

2025-07-06 05:34:00

6817

harmony-utils之CacheUtil，緩存工具類(lèi)

2025-07-04 16:36:34

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明遠(yuǎn)智睿SSD2351開(kāi)發(fā)板：嵌入式創(chuàng)新應(yīng)用的理想平臺(tái)

隨著科技的飛速發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)已經(jīng)滲透到我們生活的方方面面，從智能家居到工業(yè)自動(dòng)化，從視頻監(jiān)控到智能交通，嵌入式技術(shù)的應(yīng)用無(wú)處不在。而在嵌入式開(kāi)發(fā)的過(guò)程中，一款性能卓越、功能豐富的開(kāi)發(fā)板無(wú)疑是開(kāi)發(fā)者

2025-07-01 16:49:15

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高性能緩存設(shè)計(jì)：如何解決緩存偽共享問(wèn)題

在多核高并發(fā)場(chǎng)景下，緩存偽共享（False Sharing）是導(dǎo)致性能驟降的“隱形殺手”。當(dāng)不同線程頻繁修改同一緩存行（Cache Line）中的獨(dú)立變量時(shí)，CPU緩存一致性協(xié)議會(huì)強(qiáng)制同步整個(gè)

2025-07-01 15:01:35

578

?紫光閃芯新一代企業(yè)級(jí)SATA SSD E1200產(chǎn)品系列發(fā)布

2025 年 6 月 25 日,紫光閃芯正式發(fā)布新一代面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的SATA SSD E1200產(chǎn)品系列,憑借性能顯著躍升與企業(yè)級(jí)高可靠性設(shè)計(jì),為數(shù)據(jù)中心、云計(jì)算、邊緣計(jì)算等場(chǎng)景的高性能存儲(chǔ)需求

2025-06-26 16:57:15

713

FS313B USB 的 PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS313B USB 的 PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-06-26 15:57:16

FS313B USB的PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器中文手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS313B USB的PD和QC快充協(xié)議電壓誘騙控制器中文手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-06-17 15:53:49

鎧俠雙軸技術(shù)戰(zhàn)略，研發(fā)超級(jí)SSD

年，近一半的NAND需求將與人工智能相關(guān)。Kioxia旨在通過(guò)先進(jìn)的SSD產(chǎn)品和技術(shù)，以支持人工智能系統(tǒng)不斷變化的需求。鎧俠正在開(kāi)發(fā)鎧俠CM9系列、鎧俠LC9系列和其他系列，作為其使用第8代BiCS FLASH的最新SSD產(chǎn)品線。KIOXIA CM9系列是用于AI系統(tǒng)的高性能SSD，

2025-06-12 09:14:22

2727

推掃式高光譜相機(jī)VIX-N230重磅發(fā)布——開(kāi)啟精準(zhǔn)成像新時(shí)代

近紅外高光譜相機(jī)——VIX-N230。 VIX-N230 基于推掃式高光譜成像原理，覆蓋可見(jiàn)光近紅外光譜范圍，光譜分辨率可達(dá)2.5nm，具備超高成像速度、高靈敏度和優(yōu)越的信噪比，可按需快速、精準(zhǔn)獲取生態(tài)環(huán)境、精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)、工業(yè)檢測(cè)、資源勘

2025-05-20 15:34:17

447

見(jiàn)合八方發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品

天津見(jiàn)合八方光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“見(jiàn)合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同時(shí)，850nm SOA也在測(cè)試驗(yàn)證階段，即將發(fā)布。

2025-05-17 11:15:33

882

從25G PHY到AI平臺(tái)：差分晶振FCO-PG系列關(guān)鍵應(yīng)用全解讀

在高速通信、數(shù)據(jù)中心、AI服務(wù)器、光纖網(wǎng)絡(luò)與高精度時(shí)鐘應(yīng)用不斷擴(kuò)展的背景下，F(xiàn)Com富士晶振推出了 FCO-3L/5L/7L-PG 系列差分輸出晶體振蕩器，覆蓋3種常用封裝，支持

2025-05-16 14:46:56

QLC SSD在數(shù)據(jù)中心的用途

QLC技術(shù)通過(guò)在HDD和TLC SSD之間形成中間層來(lái)解決這些挑戰(zhàn)。與現(xiàn)有的TLC SSD相比，QLC具有更高的密度、更高的功率效率和更低的成本。

2025-05-14 09:02:14

1127

MCU緩存設(shè)計(jì)

MCU 設(shè)計(jì)通過(guò)優(yōu)化指令與數(shù)據(jù)的訪問(wèn)效率，顯著提升系統(tǒng)性能并降低功耗，其核心架構(gòu)與實(shí)現(xiàn)策略如下：一、緩存類(lèi)型與結(jié)構(gòu) 指令緩存（I-Cache）與數(shù)據(jù)緩存（D-Cache）? I-Cache?：緩存

2025-05-07 15:29:47

937

Nginx緩存配置詳解

Nginx 是一個(gè)功能強(qiáng)大的 Web 服務(wù)器和反向代理服務(wù)器，它可以用于實(shí)現(xiàn)靜態(tài)內(nèi)容的緩存，緩存可以分為客戶(hù)端緩存和服務(wù)端緩存。

2025-05-07 14:03:02

1104

OPA313 單路、5.5V、1MHz、低靜態(tài)電流 (50μA)、RRIO運(yùn)算放大器技術(shù)手冊(cè)

OPA313 系列單通道、雙通道和四通道運(yùn)算放大器代表了新一代的低成本、通用、微功耗運(yùn)算放大器。軌到軌輸入和輸出擺幅，低靜態(tài)電流（典型值 50μA）與 1MHz 的寬帶寬和極低噪聲（1kHz 時(shí)為

2025-04-30 15:45:54

882

Intel-Altera FPGA：通信行業(yè)的加速引擎，開(kāi)啟高速互聯(lián)新時(shí)代

、機(jī)器人等高增長(zhǎng)領(lǐng)域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技術(shù)，提供高帶寬、低延遲的互聯(lián)能力。能效優(yōu)化：通過(guò)先進(jìn)制程（如10nm SuperFin）和架構(gòu)創(chuàng)新，降低功耗并提升集成度

2025-04-25 10:19:09

Xilinx Ultrascale系列FPGA的時(shí)鐘資源與架構(gòu)解析

Ultrascale是賽靈思開(kāi)發(fā)的支持包含步進(jìn)功能的增強(qiáng)型FPGA架構(gòu)，相比7系列的28nm工藝，Ultrascale采用20nm的工藝，主要有2個(gè)系列：Kintex和Virtex

2025-04-24 11:29:01

2261

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車(chē)工藝上實(shí)現(xiàn)流片成功

我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車(chē)工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車(chē)規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾，可滿(mǎn)足新一代汽車(chē)電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。

2025-04-16 10:17:15

843

高速SSD存儲(chǔ)+傳輸系統(tǒng)方案設(shè)計(jì)

Ethernet IP）、AXI PCIe IP等模塊。該系統(tǒng)能夠持續(xù)接收高速數(shù)據(jù)流數(shù)據(jù)，并經(jīng)緩存模塊處理后，存儲(chǔ)至NVMe SSD，同時(shí)可以將存儲(chǔ)數(shù)據(jù)通過(guò)萬(wàn)兆光纖以UDP協(xié)議上傳至上位機(jī)以供后續(xù)處理。

2025-04-14 13:38:13

659

高速SSD存儲(chǔ)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)緩存控制器整體頂層設(shè)計(jì)

數(shù)據(jù)緩存控制器主要實(shí)現(xiàn)了對(duì)大量突發(fā)數(shù)據(jù)的緩存、AXI4接口與AXI4-Stream接口之間的轉(zhuǎn)換和NVMe命令的生成等功能。這里主要介紹相關(guān)開(kāi)發(fā)流程。

2025-04-14 10:46:12

678

高速ssd存儲(chǔ)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)緩存控制器流程控制設(shè)計(jì)

高速SSD系統(tǒng)中流程控制模塊設(shè)計(jì)。該模塊主要由寄存器、讀狀態(tài)機(jī)、寫(xiě)狀態(tài)機(jī)和命令生成模塊組成，系統(tǒng)介紹各模塊功能。

2025-04-14 10:43:28

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便攜式醫(yī)療鐵電存儲(chǔ)器SF25C20(FM25V20A)的替換方案

2025-04-07 09:46:03

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nginx中強(qiáng)緩存和協(xié)商緩存介紹

強(qiáng)緩存直接告訴瀏覽器：在緩存過(guò)期前，無(wú)需與服務(wù)器通信，直接使用本地緩存。

2025-04-01 16:01:51

798

千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首

2025-03-23 11:17:40

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千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首

2025-03-22 00:02:00

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HMC313 InGaP HBT增益模塊放大器SMT技術(shù)手冊(cè)

HMC313(E)是一款GaAs InGaP異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管(HBT) MMIC放大器，采用Vcc單電源工作。表面貼裝SOT26放大器可用作寬帶增益級(jí)，或用于針對(duì)窄帶應(yīng)用優(yōu)化的外部匹配。 Vcc

2025-03-19 16:03:04

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多流技術(shù)：不同壽命數(shù)據(jù)存在SSD的不同塊

根據(jù)數(shù)據(jù)的壽命將數(shù)據(jù)存放在SSD的不同塊內(nèi)可以顯著提高SSD的GC效率、減少WAF、提高SSD的壽命和性能。

2025-03-17 14:52:12

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手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代，首發(fā)不是蘋(píng)果？

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)

2025-03-14 00:14:00

2486

AMEYA360：兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

將進(jìn)一步強(qiáng)化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領(lǐng)域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)于先進(jìn)嵌入式存儲(chǔ)解決方案日益增長(zhǎng)的需求，成為智能可穿戴設(shè)備、醫(yī)療健康、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心及邊緣人工智能應(yīng)用的理想選擇。 GD25NE系列SPI NOR Flash的核心

2025-03-12 16:03:21

832

內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī)：VIX-S315無(wú)需外置推掃裝置，1秒內(nèi)完成一次全譜推掃成像

在現(xiàn)代工業(yè)檢測(cè)和科學(xué)研究中，內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī) 解決了傳統(tǒng)推掃式高光譜相機(jī)的一些缺陷，本文將以 VIX-S315 為例，科普內(nèi)置推掃式高光譜相機(jī)的技術(shù)特點(diǎn)及其在高速應(yīng)用場(chǎng)景中的優(yōu)勢(shì)。內(nèi)置推掃式

2025-03-12 14:25:13

815

將SSD300模型轉(zhuǎn)換為IR時(shí)收到錯(cuò)誤的原因？

將 SSD300 模型轉(zhuǎn)換為 IR 時(shí)收到錯(cuò)誤： [ FRAMEWORK ERROR ] Model Optimizer is not able to parse /OpenVINO

2025-03-07 07:58:18

MR30系列分布式I/O：高穩(wěn)定與高精準(zhǔn)賦能鋰電池覆膜工藝革新

技術(shù)MR30系列分布式I/O模塊憑借其高穩(wěn)定性和高精準(zhǔn)性，成功應(yīng)用于鋰電池覆膜工藝段，成為推動(dòng)行業(yè)智能化升級(jí)的核心力量。

2025-02-28 13:13:59

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深度解析SSD2351核心板：硬核視頻處理+工業(yè)級(jí)可靠性設(shè)計(jì)

明遠(yuǎn)智睿SSD2351核心板基于SigmaStar SSD2351芯片打造，專(zhuān)為高可靠性工業(yè)場(chǎng)景設(shè)計(jì)，其硬件配置與接口能力充分滿(mǎn)足復(fù)雜環(huán)境下的多模態(tài)數(shù)據(jù)處理需求。芯片技術(shù)細(xì)節(jié) ：視頻處理能力

2025-02-21 17:19:13

英特爾18A與臺(tái)積電N2工藝各有千秋

TechInsights與SemiWiki近日聯(lián)合發(fā)布了對(duì)英特爾Intel 18A(1.8nm級(jí)別)和臺(tái)積電N2(2nm級(jí)別)工藝的深度分析。結(jié)果顯示，兩者在關(guān)鍵性能指標(biāo)上各有優(yōu)勢(shì)。據(jù)

2025-02-17 13:52:02

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接觸孔工藝簡(jiǎn)介

本文主要簡(jiǎn)單介紹探討接觸孔工藝制造流程。以55nm接觸控工藝為切入點(diǎn)進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 ? 在集成電路制造領(lǐng)域，工藝流程主要涵蓋前段工藝（Front End of Line，F(xiàn)EOL）與后段工藝

2025-02-17 09:43:28

2173

產(chǎn)品力獲認(rèn)可，佰維存儲(chǔ)企業(yè)級(jí)SSD通過(guò)聯(lián)想服務(wù)器兼容性互認(rèn)證

近日,佰維存儲(chǔ)SP406/416系列企業(yè)級(jí)PCIe 4.0 SSD、SS621系列企業(yè)級(jí)SATA SSD,與聯(lián)想服務(wù)器完成相互兼容性測(cè)試并取得認(rèn)證。測(cè)試期間,產(chǎn)品在功能適配、性能及系統(tǒng)兼容性等方面

2025-02-14 09:08:12

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臺(tái)積電加大亞利桑那州廠投資，籌備量產(chǎn)3nm/2nm芯片

據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。

2025-02-12 17:04:04

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三星Galaxy S25系列國(guó)行價(jià)格揭曉

在萬(wàn)眾矚目的三星Galaxy S25系列手機(jī)發(fā)布會(huì)上，消費(fèi)者們終于迎來(lái)了國(guó)行價(jià)格的正式公布。此次發(fā)布的Galaxy S25系列手機(jī)涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及旗艦級(jí)

2025-02-12 11:23:39

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三星Galaxy S25系列中國(guó)市場(chǎng)正式發(fā)布

近日，三星電子面向中國(guó)市場(chǎng)正式推出了備受期待的新一代高端旗艦智能手機(jī)——Galaxy S25系列。此次發(fā)布的系列包含三款機(jī)型，分別是三星Galaxy S25 Ultra、三星Galaxy S25

2025-02-12 11:18:22

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ADS4129后級(jí)接緩存器，緩存器出現(xiàn)過(guò)熱的原因？

使用25M的采樣頻率對(duì)1M的信號(hào)進(jìn)行采樣，ADS4129以12位cmos電平輸出，出來(lái)后的數(shù)據(jù)接緩存器SN74AVC16244，緩存器工作電壓是3.3V，在工作過(guò)程中緩存器很燙，芯片管腳沒(méi)有短路

2025-02-07 08:42:27

帶緩存與不帶緩存的固態(tài)硬盤(pán)有什么區(qū)別

隨著信息技術(shù)的不斷進(jìn)步，存儲(chǔ)設(shè)備作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的核心組成部分，其性能與穩(wěn)定性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的運(yùn)行效率。固態(tài)硬盤(pán)（Solid State Disk，簡(jiǎn)稱(chēng)SSD）作為新一代存儲(chǔ)設(shè)備，以其高速讀寫(xiě)、低

2025-02-06 16:35:36

4681

三星Galaxy S25系列中國(guó)發(fā)布會(huì)將于2月11日舉行

。目前，新機(jī)已開(kāi)啟搶鮮預(yù)訂。三星商城頁(yè)面顯示，Galaxy S25系列的中國(guó)發(fā)布會(huì)將于2月11日舉行，訂單將于2月14日起發(fā)貨。從配置來(lái)看，全系列新品均搭載了基于3納米工藝定制的高通驍龍8至尊版

2025-01-23 17:09:10

1302

慧榮正在開(kāi)發(fā)4nm PCIe 6.0 SSD主控芯片

慧榮科技正在積極開(kāi)發(fā)采用4nm先進(jìn)制程的PCIe 6.0固態(tài)硬盤(pán)主控芯片SM8466。根據(jù)慧榮的命名規(guī)律，其PCIe 4.0和5.0企業(yè)級(jí)SSD主控分別名為SM8266和SM8366，因此可以推測(cè)，SM8466也將是一款面向企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的高端產(chǎn)品。

2025-01-22 15:48:51

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創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)

一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也

2025-01-20 17:27:47

1647

Mini SSD是什么

? 在全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型加速的背景下，存儲(chǔ)設(shè)備已不再是單純的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)工具，而是信息安全、提升運(yùn)算效率和支持業(yè)務(wù)創(chuàng)新的關(guān)鍵基石。佰維存儲(chǔ)順應(yīng)行業(yè)趨勢(shì)，發(fā)布全新一代存儲(chǔ)解決方案——Mini SSD，突破

2025-01-20 12:36:17

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基于javaPoet的緩存key優(yōu)化實(shí)踐

數(shù)據(jù)庫(kù)中的熱數(shù)據(jù)緩存在redis/本地緩存中，代碼如下： ? @Cacheable(value = { "per" }, key="#person.getId

2025-01-14 15:18:04

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固態(tài)硬盤(pán)（SSD）對(duì)比機(jī)械硬盤(pán)（HDD）

固態(tài)硬盤(pán)（SSD）對(duì)比機(jī)械硬盤(pán)（HDD），優(yōu)點(diǎn)眾多。首先是讀寫(xiě)速度，SSD 讀寫(xiě)超迅速，系統(tǒng)啟動(dòng)、軟件加載轉(zhuǎn)瞬完成，開(kāi)機(jī)時(shí)間大幅縮短，一般 10 秒內(nèi)就能進(jìn)入系統(tǒng)桌面，而 HDD 通常需幾十

2025-01-13 16:33:36

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EE-313：28x28 MQFP和LQFP封裝之間的焊盤(pán)模式兼容性

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《EE-313：28x28 MQFP和LQFP封裝之間的焊盤(pán)模式兼容性.pdf》資料免費(fèi)下載

2025-01-07 14:22:56

聯(lián)發(fā)科調(diào)整天璣9500芯片制造工藝

性能和能效上取得顯著提升。然而，面對(duì)臺(tái)積電2nm工藝高昂的制造成本，以及蘋(píng)果即將在M5系列芯片中引入該工藝可能導(dǎo)致的產(chǎn)能緊張，聯(lián)發(fā)科不得不重新考慮其制造策略。經(jīng)過(guò)深思熟慮，聯(lián)發(fā)科最終決定采用更為經(jīng)濟(jì)且產(chǎn)能相對(duì)穩(wěn)定的N3P工藝來(lái)制造天

2025-01-06 13:48:23

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25nm工藝 Intel新推313系列緩存式SSD

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