在現(xiàn)代電子電路中，二極管被廣泛應(yīng)用于整流、電源管理、保護(hù)電路等領(lǐng)域。二極管的導(dǎo)通電壓（V_f）是其一個重要參數(shù)，它決定了電流通過二極管時的電壓降。如果二極管的導(dǎo)通電壓過高，它將直接影響電路的效率
2026-01-05 11:39:18
64 
采用的是超級結(jié)工藝。超級結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高M(jìn)OS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
RAA223010：超低待機(jī)功耗700V AC/DC降壓調(diào)節(jié)器的卓越之選 在電子設(shè)計領(lǐng)域，AC/DC開關(guān)降壓調(diào)節(jié)器是實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵組件，尤其是對于需要高效、低功耗的應(yīng)用場景。Renesas推出
2025-12-29 15:40:0666 該系列產(chǎn)品還配備了內(nèi)置保護(hù)，包括DESAT保護(hù)、輸入UVLO和OTP，能夠進(jìn)一步確保設(shè)備的穩(wěn)健性和系統(tǒng)安全性。產(chǎn)品性能· 集成700V，22mΩ~59mΩ E-Mode GaN和高精度柵極鉗位
2025-12-24 16:50:10
0 （1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
國硅集成代理商提供700V大電流、高低側(cè)柵極驅(qū)動芯片NSG2184
2025-12-19 16:49:10
DK8045是一款高度集成了700V/330mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片。DK8045檢測功率管漏極電壓 V D， 當(dāng) V D 達(dá)到其最低值時開啟功率管，從而減小
2025-12-17 09:04:571 在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來越多高效系統(tǒng)
2025-12-16 11:01:13198 
電路中。 ? 近日，長晶科技正式推出新一代 SGT（Shielded Gate Trench）Gen2.0 工藝，其基于該工藝打造的 30V MOSFET 系列產(chǎn)品，在核心性能參數(shù)、系統(tǒng)能效及熱管理表現(xiàn)上實現(xiàn)全面突破，不僅顯著超越上一代技術(shù)，更對標(biāo)國際一流廠商水平，為 PC 電腦等終端應(yīng)用的電源管
2025-12-16 09:31:011615 
功率MOSFET（超結(jié)工藝）核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓供電場景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS
2025-12-12 15:59:34330 
今日，南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出 700V 高壓 GaN 半橋功率芯片 SC3610，可實現(xiàn)高精度電壓驅(qū)動、更優(yōu)的通道延時匹配和更好的 EMI 性能。SC3610 特別適用于高頻軟
2025-11-28 17:49:371531 合粵車規(guī)電容具備700V高壓耐受能力，可適配車載OBC充電器主電路，其核心優(yōu)勢在于耐高壓設(shè)計、低ESR特性、長壽命及高可靠性，能夠滿足高壓快充場景下的嚴(yán)苛需求。 以下從技術(shù)適配性、應(yīng)用場景、性能優(yōu)勢
2025-11-28 14:07:11182 仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道
2025-11-21 10:31:06233 
。
強(qiáng)化低阻特性：SGT 工藝的深溝槽結(jié)構(gòu)（深度為傳統(tǒng)溝槽的 3 - 5 倍）形成垂直導(dǎo)電通道，搭配屏蔽電極的電荷耦合效應(yīng)，可在 100V 耐壓的前提下提高外延層摻雜濃度，進(jìn)一步壓低導(dǎo)通電阻。這與該器件
2025-11-17 14:04:46
。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(
2025-11-12 14:15:44277 在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可
2025-11-12 11:02:47339 
等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{
2025-11-12 09:34:45197 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01164 。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(
2025-11-07 10:31:03211 領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：700V，適配高壓高頻供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS
2025-11-06 16:12:24294 圣邦微電子推出 SGM25642，一款 5.5V，15A 峰值電流能力，具備可編程軟啟動、電流監(jiān)測和輸出放電功能的低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)。該器件可應(yīng)用于筆記本電腦和平板電腦、便攜式設(shè)備、固態(tài)硬盤和手持設(shè)備。
2025-11-05 17:24:162153 
### LNG04R035B-VB MOSFET 產(chǎn)品簡介LNG04R035B-VB 是一款采用 TO252 封裝的單 N-channel MOSFET，設(shè)計用于高電流和低導(dǎo)通電阻要求的應(yīng)用場景。該
2025-10-10 15:26:07
UCC2773x 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，適用于驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個浮動通道 （HO
2025-10-10 15:05:041377 
UCC2773x-Q1 是一款 700V 半橋柵極驅(qū)動器，具有 3.5A 源電流和 4A 灌電流能力，旨在驅(qū)動功率 MOSFET 和 IGBT。該器件由一個接地基準(zhǔn)通道 （LO） 和一個浮動通道
2025-10-10 14:58:35463 
揚(yáng)杰科技超低導(dǎo)通電壓(VF)橋式整流器系列(封裝6KBJGBU/JA)采用自制的外延(EPI)+平面工藝(Planar)結(jié)構(gòu)制程技術(shù)，其通過增加截止環(huán)和終端鈍化層，多次的光照制程, 來實現(xiàn)超低導(dǎo)通電
2025-09-30 11:06:095978 
近日，TDK 株式會社（東京證券交易所代碼：6762）宣布擴(kuò)展了其低電阻軟端子MLCC的CN系列。該產(chǎn)品在3225尺寸封裝（3.2 x 2.5 x 2.5 mm – 長 x 寬 x 高）下實現(xiàn)了業(yè)界
2025-09-26 09:15:3922573 光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
導(dǎo)言在追求更高效率、更高功率密度的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，寬禁帶半導(dǎo)體（GaN、SiC）器件扮演著越來越關(guān)鍵的角色。然而，理解這些器件在高速開關(guān)過程中的真實性能，特別是其動態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS
2025-09-12 17:14:581019 
NSG21867國硅集成700V大電流高、低側(cè)MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片 一、產(chǎn)品概述NSG21867是一款高壓、高速功率MOSFET/IGBT高低側(cè)驅(qū)動芯片，具有兩個獨(dú)立地傳輸通道
2025-09-04 15:20:36
Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。
2025-09-02 14:57:49637 
產(chǎn)品描述PL34051是一款輸入電壓范圍2.8V至32V的高效同步升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器，它采用恒定導(dǎo)通時間（COT）控制拓?fù)洌商峁┛焖俚乃矐B(tài)響應(yīng)。PL34051集成了兩個低導(dǎo)通電阻的功率
2025-08-21 17:45:400 Texas Instruments LMG362x GaN FET與交流-直流電源轉(zhuǎn)換中最常見的拓?fù)浼嫒?。這些FET具有可編程導(dǎo)通壓擺率，可提供EMI和振鈴控制，與傳統(tǒng)的電流檢測電阻相比，電流檢測
2025-08-13 15:28:09591 
在電子元件領(lǐng)域，電阻因材質(zhì)、工藝和性能差異分為多個品類，其中合金電阻與普通電阻（如厚膜貼片電阻）在核心特性與應(yīng)用場景上區(qū)別顯著。前者以高精度、高功率、低溫度漂移為核心優(yōu)勢，后者則以通用性和經(jīng)濟(jì)性見長
2025-08-12 10:14:321109 
近日，派恩杰半導(dǎo)體正式發(fā)布基于第四代平面柵工藝的SiC MOSFET系列產(chǎn)品。該系列在750V電壓平臺下，5mm × 5mm芯片尺寸產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻RDS(on)最低可達(dá)7mΩ，達(dá)到國際領(lǐng)先水平。相比
2025-08-05 15:19:011208 
0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。 一、技術(shù)突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設(shè)計 MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID
2025-07-28 15:20:11466 
在電子元件領(lǐng)域，電阻因材質(zhì)、工藝和性能差異分為多個品類，其中合金電阻與普通電阻（如厚膜貼片電阻）在核心特性與應(yīng)用場景上區(qū)別顯著。前者以高精度、高功率、低溫度漂移為核心優(yōu)勢，后者則以通用性和經(jīng)濟(jì)性見長
2025-07-23 11:33:11730 這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。
2025-07-16 13:52:553321 
電阻的測試分為方塊電阻和接觸電阻，方塊電阻是電路設(shè)計的重要組成部分，其阻值準(zhǔn)確性嚴(yán)重影響電路的性能，Fab廠通過WAT參數(shù)方塊電阻Rs監(jiān)測它們。
2025-07-15 14:33:592065 
這款20V N溝道MOSFET采用雙芯片設(shè)計，基于MDD獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。
2025-07-10 14:30:360 優(yōu)異的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、低柵極電荷、低柵極電壓
2025-07-10 14:27:230 低導(dǎo)通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制
2025-07-10 14:21:480 這款30V N溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)特性以及優(yōu)異的雪崩耐量。
2025-07-10 14:15:370 這款N溝道MOSFET采用MDD公司先進(jìn)的溝槽型功率技術(shù)制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能和業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。
2025-07-10 14:14:550 低導(dǎo)通電阻 @VGS=10V ?5V邏輯電平控制 ?N溝道 SOT23封裝 ?無鉛，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-10 14:06:250 低導(dǎo)通電阻 @柵源電壓=-10V ?-5V邏輯電平控制 ?P溝道SOT23封裝 ?無鉛工藝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-10 14:04:220 先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)?高密度單元設(shè)計實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
2025-07-10 14:02:310 TPS53321 器件提供完全集成的 3V 至 5V V 電壓~在~集成同步 FET 轉(zhuǎn)換器解決方案，200 個組件中共有 16 個組件 毫米^2^的 PCB 面積。由于低導(dǎo)通電阻和 TI 專有
2025-07-10 13:57:25547 
先進(jìn)溝槽工藝技術(shù)高密度單元設(shè)計實現(xiàn)超低導(dǎo)通電阻
2025-07-09 16:56:410 ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計?● 低導(dǎo)通電阻的高密度單元結(jié)構(gòu)?● 無鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:20:220 這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進(jìn)的溝槽型功率技術(shù)制造。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度降低導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能和業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。
2025-07-09 16:06:270 ● 溝槽式功率低壓MOSFET技術(shù)?● 卓越的散熱封裝設(shè)計?● 高密度單元結(jié)構(gòu)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻?● 無鹵素環(huán)保工藝
2025-07-09 16:04:330 這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)性能以及優(yōu)異的雪崩特性。? 高密度電池設(shè)計實現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的導(dǎo)通電阻與最大直流電流承載能力
2025-07-09 15:05:550 ● 溝槽功率低壓MOSFET技術(shù)● 低導(dǎo)通電阻?● 低柵極電荷
2025-07-09 15:02:230 低導(dǎo)通電阻?低柵極電荷?100%通過UIS測試??符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:51:100 低導(dǎo)通電阻低柵極電荷100%通過雪崩測試??符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:49:034 低導(dǎo)通電阻低柵極電荷?100%通過雪崩測試??符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:47:180 低導(dǎo)通電阻??低柵極電荷?100%通過雪崩測試?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:44:560 低導(dǎo)通電阻低柵極電荷?100%用戶界面測試?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:40:510 低導(dǎo)通電阻 ?低柵極電荷100%用戶界面測試符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
2025-07-09 14:29:300 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 
引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 該UCC28881將控制器和一個 14 Ω、700V 功率 MOSFET 集成到一個單片器件中。該器件還集成了一個高壓電流源，可以直接從整流的電源電壓啟動和運(yùn)行。UCC28881 是同一
2025-06-20 16:04:27696 
的動態(tài)響應(yīng)，
SOP8 封裝，內(nèi)置 700V 高壓功率開關(guān)，可靠性高，
具有欠壓鎖定、過壓、過溫、過流、輸出短路保護(hù)等功能，
FT8451X是一款高性能、高精度、低成本的非隔離PWM功率開關(guān)。它包含一
2025-06-18 11:02:18
至關(guān)重要。本文將介紹用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液 配方設(shè)計 低銅腐蝕光刻膠剝離液需兼顧光刻膠溶解能力與銅保護(hù)性能。其主要成分包括有機(jī)溶
2025-06-18 09:56:08693 測量對工藝優(yōu)化和產(chǎn)品質(zhì)量控制至關(guān)重要。本文將探討低含量 NMF 光刻膠剝離液及其制備方法，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的應(yīng)用。 低含量 NMF 光刻膠剝離液及制備方法 配方組成 低含量 NMF 光刻膠剝離液主要由低濃度 NMF、助溶劑、堿性物質(zhì)、緩蝕劑
2025-06-17 10:01:01678 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 工作電壓可達(dá) 700V。高速風(fēng)筒專用電機(jī)驅(qū)動芯片KP85302SGA采用 SOP-8封裝，可以在-40℃至 125℃溫度范圍內(nèi)工作。
一、產(chǎn)品特性：
1.自舉工作的浮地通道
2.最高工作電壓為
2025-06-14 09:08:31
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 LMR436x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉(zhuǎn)換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
2025-06-09 11:03:24692 
LMR436x0-Q1 是業(yè)界最小的 36V、2A 和 1A 同步降壓直流/直流轉(zhuǎn)換器，采用 2mm × 2mm HotRod 封裝。這款易于使用的轉(zhuǎn)換器支持 3.0V 至 36V 的寬輸入電壓范圍
2025-06-08 15:18:29778 
導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對電流通過的阻礙程度。
2025-05-26 15:09:343808 
MAX14918 和 MAX14918A 是四個 700mA 低側(cè) 用于工業(yè)應(yīng)用的開關(guān)。每個設(shè)備 具有四個 140mΩ（典型值）導(dǎo)通電阻 （R~ON）~ 開關(guān) 內(nèi)置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保護(hù)器。2 或 可以并聯(lián)更多輸出，以提供 更高的負(fù)載電流。
2025-05-20 15:45:131556 ADG3241是一款2.5 V或3.3 V、單通道數(shù)字開關(guān)，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 14:34:49633 
ADG3246是一款2.5 V或3.3 V、10位、2端口數(shù)字開關(guān)，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:27:38657 
ADG3245是一款2.5 V或3.3 V、8位、2端口數(shù)字開關(guān)，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:22:06793 
ADG3242是一款2.5 V或3.3 V、2位、2端口公共控制數(shù)字開關(guān)，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 11:02:16703 
ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路復(fù)用器/解復(fù)用器，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。低導(dǎo)通電阻特性使輸入可以與輸出相連，而且不會引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。
2025-05-16 10:03:30888 
TPS22917x 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān)，使用低泄漏 P 溝道 MOSFET，可實現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計支持低至 1 V 的工作電壓，導(dǎo)通電阻和功率損耗的增加最小
2025-05-09 17:14:15844 
隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢，在特定領(lǐng)域正形成差異化競爭格局。
2025-05-09 10:08:491369 
TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時間，用于限制啟動時的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。
2025-05-07 17:52:38663 
TPS22999 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，旨在實現(xiàn)快速導(dǎo)通時間，同時保持低浪涌電流該器件包含一個 N 溝道 MOSFET，可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并可支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。
2025-05-07 10:00:56536 
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級，高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)，全新推出2款100V耐壓雙MOSFET，以超低導(dǎo)通電阻和緊湊尺寸，為風(fēng)扇電機(jī)驅(qū)動提供高性能
2025-04-30 18:33:29877 
CSD87313DMS 是一款 30V 共漏極、雙 N 通道器件，專為 USB Type-C/PD 和電池保護(hù)而設(shè)計。這款 SON 3.3mm × 3.3mm 器件具有低源極到源導(dǎo)通電阻，可最大限度地減少損耗，并為空間受限的應(yīng)用提供低元件數(shù)量。
2025-04-16 09:55:06835 
這款 –8V、4.7mΩ、1.5mm × 1.5mm 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超薄外形中具有出色的熱特性。低導(dǎo)通電阻、小尺寸和扁平外形使該器件成為電池供電空間受限應(yīng)用的理想選擇。
2025-04-16 09:32:28634 
這款 –8V、8.2mΩ、1.2mm × 1.2mm 基板柵格陣列 （LGA） NexFET? 器件旨在以盡可能小的外形提供最低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷，并在超扁平中具有出色的熱特性?；鍠鸥耜嚵?（LGA） 封裝是一種硅芯片級封裝，采用金屬焊盤而不是焊球。
2025-04-16 09:18:13614 
第9章 集成電路制造工藝概況 第10章 氧化 第11章 淀積 第12章 金屬化 第13章 光刻：氣相成底膜到軟烘 第14章 光刻：對準(zhǔn)和曝光 第15章 光刻：光刻膠顯影和先進(jìn)的光刻技術(shù) 第16章
2025-04-15 13:52:11
光刻工藝貫穿整個芯片制造流程的多次重復(fù)轉(zhuǎn)印環(huán)節(jié)，對于集成電路的微縮化和高性能起著決定性作用。隨著半導(dǎo)體制造工藝演進(jìn)，對光刻分辨率、套準(zhǔn)精度和可靠性的要求持續(xù)攀升，光刻技術(shù)也將不斷演化，支持更為先進(jìn)的制程與更復(fù)雜的器件設(shè)計。
2025-03-27 09:21:333273 
在醫(yī)療科技領(lǐng)域，血糖儀作為一種重要的便攜式醫(yī)療檢測設(shè)備，其準(zhǔn)確性和可靠性直接關(guān)系到患者的健康監(jiān)測效果。而在血糖儀的生產(chǎn)過程中，焊接工藝是確保組件之間穩(wěn)固連接、實現(xiàn)電氣導(dǎo)通的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。下面來看看激光
2025-03-19 14:18:23525 
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:041206 
近期，充電頭網(wǎng)拆解了機(jī)械師G6Pro游戲手柄，該款產(chǎn)品使用的過壓保護(hù)芯片來自Prisemi芯導(dǎo)科技，型號P14C13，是一顆高集成的過壓保護(hù)芯片，過壓保護(hù)點(diǎn)為6V，耐壓為32V，內(nèi)置MOS管導(dǎo)通電阻為250mΩ，采用SOT23封裝。
2025-02-19 14:30:371091 惠斯通電橋是一種能準(zhǔn)確方便地測量直流電阻的儀器，其電阻測量方法主要基于電橋平衡的原理。以下是惠斯通電橋測量電阻的詳細(xì)步驟： 一、準(zhǔn)備階段 選擇合適的儀器 ：確保自組電橋電路板、檢流計、電阻箱（如
2025-02-13 15:11:193532 ，Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡化大功率設(shè)計中常見的開關(guān)行為和設(shè)計挑戰(zhàn)而設(shè)計，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降，開關(guān)損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個部分，首
2025-02-13 00:21:001523 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTD143XU NPN電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-10 14:00:000 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PDTB143XU PNP電阻晶體管規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-08 18:10:030 NX899是一款先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)，它采用硅柵CMOS技術(shù)制造，在保持CMOS低功耗的同時，實現(xiàn)了非常低的傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個供電范圍內(nèi)(從VCC到GND)有所不同。
在性能上，NX899能國產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。
2025-02-05 17:26:121123 
光刻是芯片制造過程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003583 
電阻器是電子電路中最基本的元件之一，用于限制或調(diào)節(jié)電流的流動。根據(jù)其精度和應(yīng)用場景的不同，電阻器可以分為精密電阻器和普通電阻器。 1. 定義與分類 精密電阻器 是指那些具有高穩(wěn)定性、高精度和低溫
2025-01-24 16:17:031676 ### 產(chǎn)品簡介BSC035N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它提供優(yōu)異的電流承載能力和低導(dǎo)通電阻，適合于高效率電源管理和電流控制
2025-01-08 15:58:54
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論