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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

科友半導(dǎo)體突破8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)

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中國(guó)半導(dǎo)體FAB制造線(xiàn)總況簡(jiǎn)說(shuō)

`2016年我國(guó)半導(dǎo)體制造線(xiàn)4英寸以上共有148條,其中139條量產(chǎn),9條中試線(xiàn);其中12英寸有11條;8英寸有22條,包括2條中試線(xiàn)6英寸有49條,包括7條中試線(xiàn)5英寸有21條4英寸有44條表格中未包括5及以下的情況。`
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什么是基于SiC和GaN的功率半導(dǎo)體器件?

元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開(kāi)關(guān)頻率,但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗[2]。因此,開(kāi)關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。  基于 SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件  碳化硅
2023-02-21 16:01:16

低阻抗功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)有哪些關(guān)鍵特性和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)?

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北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

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多核DSP關(guān)鍵技術(shù)有哪些?多核DSP的應(yīng)用有哪些?主流多核DSP介紹
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報(bào)名 | 寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)

`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
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2021-05-26 07:04:20

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。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的轉(zhuǎn)移遵循一條價(jià)值規(guī)律,向賺錢(qián)越多的地方轉(zhuǎn)移。全球存儲(chǔ)器會(huì)走超級(jí)大廠(chǎng)特大晶圓道路,一定會(huì)優(yōu)先采用最先進(jìn)的工藝技術(shù)。如全球存儲(chǔ)器中,由于12英寸的性?xún)r(jià)比已經(jīng)超過(guò)8英寸,因此全球43個(gè)8
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SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景

本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場(chǎng)前景,其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問(wèn)題,最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破
2018-05-28 15:33:5412108

關(guān)于半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)的介紹(一)

半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機(jī)會(huì)打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù),這些電器可以為消費(fèi)者提供更好的便捷性,同時(shí)提供一致的烹飪效果。本次會(huì)議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢(shì)及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來(lái)提供更大差異化優(yōu)勢(shì)。
2018-06-28 18:45:003527

關(guān)于半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)介紹(二)

半導(dǎo)體RF能量讓烹飪電器制造商有機(jī)會(huì)打造差異化的烹飪電器產(chǎn)品。結(jié)合新興餐飲服務(wù),這些電器可以為消費(fèi)者提供更好的便捷性,同時(shí)提供一致的烹飪效果。本次會(huì)議將介紹半導(dǎo)體RF烹飪的關(guān)鍵技術(shù)、優(yōu)勢(shì)及其如何結(jié)合IoT技術(shù)來(lái)提供更大差異化優(yōu)勢(shì)。
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安森美半導(dǎo)體宣布富士通8英寸晶圓廠(chǎng)的遞增20%股權(quán)收購(gòu)

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重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體12英寸芯片項(xiàng)目進(jìn)展順利 預(yù)計(jì)年底正式量產(chǎn)

近日,記者從位于兩江新區(qū)水土的市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)重慶萬(wàn)國(guó))了解到,該公司半導(dǎo)體項(xiàng)目自6月試生產(chǎn)以來(lái),進(jìn)展順利,目前12英寸功率半導(dǎo)體晶元測(cè)試片已順利產(chǎn)出,預(yù)計(jì)年底正式量產(chǎn)。
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臺(tái)積電8英寸產(chǎn)能擴(kuò)充 半導(dǎo)體大廠(chǎng)跟風(fēng)

除了臺(tái)積電的8英寸廠(chǎng)廠(chǎng)能因?yàn)槭袌?chǎng)的需求提高,其他半導(dǎo)體大廠(chǎng)都紛紛提升8英寸廠(chǎng)的產(chǎn)能。
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海辰半導(dǎo)體新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠(chǎng)正式封頂 計(jì)劃月產(chǎn)能為10萬(wàn)片8英寸晶圓

日前,海辰半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司所承擔(dān)的新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠(chǎng)正式封頂,SK海力士的晶圓代工業(yè)務(wù)布局提速。
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上海漢虹12英寸半導(dǎo)體單晶爐開(kāi)始批量投入產(chǎn)線(xiàn)使用

近期,上海漢虹精密機(jī)械有限公司再傳佳報(bào),12英寸半導(dǎo)體單晶爐(FT-CZ3212B)開(kāi)始批量投入產(chǎn)線(xiàn)使用。該設(shè)備可穩(wěn)定量產(chǎn)高品質(zhì)大直徑晶棒,也標(biāo)志著12英寸硅片大規(guī)模、產(chǎn)業(yè)化布局取得了關(guān)鍵成效,在
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我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)公司聚能晶源將GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)8英寸GaN

9月10日,聚能晶源(青島)半導(dǎo)體材料有限公司“8英寸GaN外延材料項(xiàng)目投產(chǎn)暨產(chǎn)品發(fā)布儀式”在青島市即墨區(qū)舉行,意味著國(guó)內(nèi)8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技發(fā)起成立的控股公司。耐
2019-09-11 16:33:127850

6英寸MEMS半導(dǎo)體傳感器芯片生產(chǎn)線(xiàn)正式投入運(yùn)營(yíng)

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)了解,廣州奧松電子有限公司6英寸MEMS半導(dǎo)體傳感器芯片生產(chǎn)線(xiàn)正式投入運(yùn)營(yíng),成功量產(chǎn)出溫濕度、流量、氣體、差壓、風(fēng)速等傳感器芯片,并為部分珠三角客戶(hù)提供MEMS半導(dǎo)體芯片代工服務(wù)。
2020-09-26 10:53:156825

8英寸晶圓的前世今生

? ? 最近半導(dǎo)體商似乎混進(jìn)了一種新的“流行”,大家見(jiàn)面不再問(wèn)“你,吃了嗎?”,而是變成了“你,有8英寸晶圓嗎?”。 ?8英寸(200mm)晶圓到底有多缺? 這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說(shuō)起
2020-12-09 09:46:5014551

海納半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的小批量生產(chǎn)

1月22日,眾合科技在互動(dòng)平臺(tái)表示,海納半導(dǎo)體目前已實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品的小批量生產(chǎn),暫無(wú)量產(chǎn)12英寸硅片產(chǎn)品,相關(guān)技術(shù)和產(chǎn)品正在積極研發(fā)中。 天眼查顯示,海納半導(dǎo)體成立于2002年,是眾合科技的全資
2021-01-25 10:52:383615

半導(dǎo)體終極材料?金剛石芯片關(guān)鍵技術(shù)獲得突破

金剛石芯片關(guān)鍵技術(shù)獲得突破:從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu),金剛石,芯片,碳化硅,半導(dǎo)體,納米
2021-02-20 14:39:236501

富能功率半導(dǎo)體8英寸項(xiàng)目一期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品下線(xiàn)

本次投產(chǎn)的8英寸廠(chǎng)為項(xiàng)目一期,2019年開(kāi)工建設(shè),2020年12月底首條產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)完畢。項(xiàng)目第一期一階段投產(chǎn)后將有望達(dá)到年產(chǎn)36萬(wàn)片8英寸硅基功率器件(MOSFET Super Junction IGBT)和1萬(wàn)片6碳化硅功率器件(SIC MOSFET)的生產(chǎn)能力。
2021-01-31 10:04:273742

8英寸晶圓到底有多缺?

? 最近半導(dǎo)體商似乎混進(jìn)了一種新的“流行”,大家見(jiàn)面不再問(wèn)“你,吃了嗎?”,而是變成了“你,有8英寸晶圓嗎?”。 8英寸(200mm)晶圓到底有多缺? ? 這一切還得從8英寸晶圓的前世今生說(shuō)起
2021-02-01 10:39:4611189

正威集團(tuán)計(jì)劃建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項(xiàng)目

目前世界500強(qiáng)正威集團(tuán)計(jì)劃投資53億,在陽(yáng)邏建設(shè)硅基8-12英寸SOI半導(dǎo)體材料項(xiàng)目,投產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)70萬(wàn)片8英寸SOI晶圓片和30萬(wàn)片12英寸SOI晶圓片。
2022-01-23 09:56:331905

SK海力士收購(gòu)啟方半導(dǎo)體已步入尾聲,8英寸晶圓產(chǎn)量將翻倍

近日,據(jù)外媒報(bào)道稱(chēng),SK海力士收購(gòu)啟方半導(dǎo)體的交易已經(jīng)接近尾聲,即將完成。 去年10月份,SK海力士宣布將要斥資5758億韓元來(lái)收購(gòu)啟方半導(dǎo)體,并表示將通過(guò)這次收購(gòu)來(lái)提高8英寸晶圓代工的產(chǎn)能
2022-05-31 16:44:573051

國(guó)產(chǎn)8英寸SiC襯底捷報(bào)頻出,與海外龍頭差距還有多大?

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)“碳化硅行業(yè)得襯底者得天下”,襯底作為SiC產(chǎn)業(yè)鏈中成本占比最大的部分,自然是各家必爭(zhēng)之地。在下游需求帶動(dòng)下,SiC襯底正在從6英寸開(kāi)始向8英寸推進(jìn),更大的襯底尺寸
2022-11-23 07:20:032710

半導(dǎo)體引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代

國(guó)產(chǎn)之光希半導(dǎo)體: 引領(lǐng)SiC外延片量產(chǎn)新時(shí)代 希半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發(fā)布 暨投產(chǎn)啟動(dòng)儀式圓滿(mǎn)成功 中國(guó)蘇州,2022年11月23日——希半導(dǎo)體科技(蘇州)有限公司于
2022-11-29 18:06:053670

合達(dá)談八英寸SiC

本實(shí)驗(yàn)通過(guò)以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴(kuò)徑生長(zhǎng)的起始點(diǎn),采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進(jìn)行擴(kuò)徑生長(zhǎng)獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:103235

8英寸Sic的研究進(jìn)程 GaN 2-4-6英寸的研究進(jìn)程

硅晶圓正在從8英寸過(guò)渡到12英寸,更大的晶圓尺寸,意味著單片晶圓所能夠制造的芯片數(shù)量更多,晶圓邊緣的浪費(fèi)減少,單芯片成本降低。第三代半導(dǎo)體也不例外,都在向大尺寸晶圓大跨步。
2023-02-28 15:12:141613

如何在中試線(xiàn)上生產(chǎn)一片8英寸碳化硅襯底?

從實(shí)際情況上看,目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進(jìn)行生產(chǎn),而6英寸8英寸的可用面積大約相差1.78倍,這也就意味著8英寸制造將會(huì)在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場(chǎng)上主流還是6英寸碳化硅襯底?
2023-06-20 15:01:243321

積塔半導(dǎo)體12英寸產(chǎn)線(xiàn)順利通線(xiàn) 積塔半導(dǎo)體汽車(chē)芯片征程新起點(diǎn)

月正式投片,2023年6月2日流片完成,元器件電性(WAT)測(cè)試結(jié)果全部達(dá)標(biāo)。充分驗(yàn)證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn)已具備量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),對(duì)積塔未來(lái)的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開(kāi)拓、產(chǎn)線(xiàn)擴(kuò)建具有重要意義。 積塔12英寸汽車(chē)芯片工藝線(xiàn)項(xiàng)目,著力90nm到40nm車(chē)規(guī)級(jí)微處理器(MCU
2023-06-24 21:21:524074

積塔半導(dǎo)體12英寸汽車(chē)芯片先導(dǎo)線(xiàn)已建成通線(xiàn)

該生產(chǎn)線(xiàn)的12英寸bcd產(chǎn)品于今年2月正式投入膠片,6月2日完成了膠片處理,元件電極(wat)試驗(yàn)結(jié)果均達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)。積塔半導(dǎo)體方面正式表示,此次構(gòu)建開(kāi)通線(xiàn)意味著積塔12英寸汽車(chē)半導(dǎo)體事業(yè)的重大進(jìn)展,這是積塔半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)12英寸汽車(chē)半導(dǎo)體戰(zhàn)略的重要里程碑。
2023-06-26 10:39:101977

積塔半導(dǎo)體12英寸產(chǎn)線(xiàn)順利通線(xiàn)

2023年2月正式投片,2023年6月2日流片完成,元器件電性(WAT)測(cè)試結(jié)果全部達(dá)標(biāo)。充分驗(yàn)證了積塔半導(dǎo)體12英寸特色工藝產(chǎn)線(xiàn)已具備量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn),對(duì)積塔未來(lái)的工藝技術(shù)提升、產(chǎn)品開(kāi)拓、產(chǎn)線(xiàn)擴(kuò)建具有重要意義。 積塔12英寸汽車(chē)芯片工藝線(xiàn)項(xiàng)目,著力90nm到40nm車(chē)
2023-06-26 17:37:031493

三星計(jì)劃入局8英寸氮化鎵功率半導(dǎo)體代工服務(wù)

三星詳細(xì)介紹了他們的2納米制造工藝量產(chǎn)計(jì)劃和性能水平,并宣布從2025年開(kāi)始提供8英寸氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體代工服務(wù),以滿(mǎn)足人工智能技術(shù)的需求。這種半導(dǎo)體具有高性能低功耗的特點(diǎn),在消費(fèi)類(lèi)電子、數(shù)據(jù)中心和汽車(chē)等領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。
2023-06-29 14:48:151834

中科院8英寸SiC導(dǎo)電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長(zhǎng)的難點(diǎn)在于:首先要研制出8英寸籽晶;其次要解決大尺寸帶來(lái)的溫場(chǎng)不均勻和氣相原料分布和輸運(yùn)效率問(wèn)題。
2023-07-05 14:59:33705

我國(guó)突破12英寸二維半導(dǎo)體晶圓批量制備技術(shù)

該研究提出模塊化局域元素供應(yīng)生長(zhǎng)技術(shù),成功實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體性二維過(guò)渡金屬硫族化合物晶圓批量化高效制備,晶圓尺寸可從2英寸擴(kuò)展至與現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝兼容的12英寸,有望推動(dòng)二維半導(dǎo)體材料由實(shí)驗(yàn)研究向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用過(guò)渡,為新一代高性能半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展奠定了材料基礎(chǔ)。
2023-07-10 18:20:392248

8英寸晶圓半導(dǎo)體IGBT封測(cè)和模組項(xiàng)目將落地安徽黟縣

黟縣據(jù)公布的消息稱(chēng),黃山芯動(dòng)力投資基金合作協(xié)議的簽訂,黟縣總規(guī)模3億元的益山繼招商產(chǎn)業(yè)引導(dǎo)基金設(shè)立后,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目投資的又一個(gè)“芯動(dòng)力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金設(shè)立的。黟縣正在進(jìn)行總投資額達(dá)10億元人民幣的8英寸半導(dǎo)體igbt包裝測(cè)試及模塊項(xiàng)目。
2023-07-19 11:11:221734

國(guó)產(chǎn)晶圓代工廠(chǎng)華虹半導(dǎo)體登錄創(chuàng)板今日申購(gòu)

募集資金180億元,擬用于華虹制造(無(wú)限)項(xiàng)目、8英寸廠(chǎng)優(yōu)化升級(jí)項(xiàng)目等。 華虹半導(dǎo)體作為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體代工龍頭之一,截至2022年底,擁有三座8英寸晶圓廠(chǎng)和一座12英寸晶圓廠(chǎng),近三年折合8英寸年產(chǎn)能分別為248.52萬(wàn)片、326.04萬(wàn)片、386.27萬(wàn)片,年均復(fù)合增長(zhǎng)率為24.67%。 華虹
2023-07-25 19:32:412257

半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底下線(xiàn)

2023年9月,半導(dǎo)體自產(chǎn)首批8英寸碳化硅襯底成功下線(xiàn)。
2023-10-18 09:17:461174

sic功率半導(dǎo)體上市公司 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化

解更多公司,建議查詢(xún)相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過(guò)以下途徑實(shí)現(xiàn): 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作:尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè),與他們合作,共同研究開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品,將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:302069

半導(dǎo)體官宣,首批8吋碳化硅襯底下線(xiàn)

半導(dǎo)體8英寸碳化硅(SiC)中試線(xiàn)在2023年4月正式貫通后,同步推進(jìn)晶體生長(zhǎng)厚度、良率提升和襯底加工產(chǎn)線(xiàn)建設(shè),加快襯底加工設(shè)備調(diào)試與工藝參數(shù)優(yōu)化。
2023-10-18 17:43:401457

三安光電8英寸碳化硅量產(chǎn)加速!

業(yè)內(nèi)人士預(yù)測(cè),今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭Wolfspeed和意法半導(dǎo)體等公司正在加速推進(jìn)8英寸碳化硅技術(shù)。在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)方面,碳化硅設(shè)備、襯底和外延領(lǐng)域也有突破性進(jìn)展,多家行業(yè)龍頭選擇與國(guó)際功率半導(dǎo)體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:212166

環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè)

環(huán)球晶董事長(zhǎng)徐秀蘭10月26日表示,她2年前錯(cuò)估了客戶(hù)對(duì)8英寸碳化硅(SiC)需求,現(xiàn)在情況超出預(yù)期,她強(qiáng)調(diào)環(huán)球晶將加快8英寸碳化硅基板產(chǎn)能建設(shè),預(yù)估明年將送樣給需要8英寸基板的客戶(hù)進(jìn)行認(rèn)證,并于2025年量產(chǎn)。
2023-10-27 15:07:431115

德州儀器正在將GaN半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝向8英寸過(guò)渡

德州儀器,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商,近日宣布正在積極推進(jìn)其氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝從當(dāng)前的6英寸8英寸過(guò)渡。這一重大舉措旨在進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率、降低成本,并鞏固公司在GaN半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。
2024-03-07 11:06:151462

2億多!半導(dǎo)體斬獲歐洲SiC長(zhǎng)訂單

近日,半導(dǎo)體在國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)激烈的SiC襯底市場(chǎng)殺出一條血路,成功拿下超2億元的出口歐洲長(zhǎng)訂單之后,順利通過(guò)“國(guó)際汽車(chē)特別工作組質(zhì)量管理體系”(IATF16949)認(rèn)證,獲得進(jìn)軍國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)芯片襯底百億級(jí)規(guī)模市場(chǎng)“通行證”。
2024-03-21 17:20:181489

半導(dǎo)體與俄羅斯N公司開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作

2024年3月27日,半導(dǎo)體與俄羅斯N公司在哈爾濱簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,開(kāi)展“八英寸碳化硅完美籽晶”的項(xiàng)目合作。
2024-04-07 11:29:501259

新質(zhì)生產(chǎn)力賦能高質(zhì)量發(fā)展,青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備!

4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新,在SiC鍵合襯底的研發(fā)上取得重要進(jìn)展,在國(guó)內(nèi)率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
2024-04-14 09:12:391976

杭州士蘭與廈門(mén)半導(dǎo)體等聯(lián)手投資8英寸SiC功率器件項(xiàng)目

本次合作四方預(yù)計(jì)將在位于廈門(mén)市海滄區(qū)的廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司進(jìn)行合資運(yùn)營(yíng),主要目的是建造一座每月能生產(chǎn)6萬(wàn)片以SiC-MOSEFET為主導(dǎo)產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)。
2024-05-22 09:16:58996

士蘭微攜手廈門(mén)企業(yè)投資8英寸SiC功率器件生產(chǎn)線(xiàn)

士蘭微發(fā)布公告,公司將與廈門(mén)半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司、廈門(mén)新翼科技實(shí)業(yè)有限公司共同向子公司廈門(mén)士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司增資41.5億元,并簽署投資合作協(xié)議。該合作項(xiàng)目旨在廈門(mén)市海滄區(qū)合資經(jīng)營(yíng),共同建設(shè)一條以SiC-MOSFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)。
2024-05-22 10:37:201257

臺(tái)亞半導(dǎo)體8英寸GaN業(yè)務(wù)將由冠亞承接

臺(tái)亞董事長(zhǎng)李國(guó)光在會(huì)議結(jié)束后表示,星亞視覺(jué)將于6月下旬在證券交易所上市,而冠亞半導(dǎo)體的未來(lái)發(fā)展將由經(jīng)驗(yàn)豐富的半導(dǎo)體專(zhuān)家衣冠君擔(dān)任總經(jīng)理,負(fù)責(zé)臺(tái)亞集團(tuán)8英寸氮化鎵產(chǎn)品的相關(guān)業(yè)務(wù)。
2024-05-28 17:20:441446

國(guó)產(chǎn)8英寸碳化硅晶圓邁入新紀(jì)元,芯聯(lián)集成引領(lǐng)行業(yè)突破

后,將形成每年6萬(wàn)片6/8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)能力,為我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入強(qiáng)勁動(dòng)力。來(lái)源:芯聯(lián)集成在全球半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)日益激烈的背景下,碳化硅(SiC)材料因其獨(dú)特的
2024-05-30 11:24:522315

韓國(guó)首座8英寸SiC晶圓廠(chǎng)開(kāi)建

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新里程碑。韓國(guó)貿(mào)易、工業(yè)和能源部近日宣布,本土半導(dǎo)體制造商EYEQ Lab在釜山功率半導(dǎo)體元件和材料特區(qū)正式開(kāi)工建設(shè)韓國(guó)首座8英寸碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)。該項(xiàng)目于5日上午舉行了隆重的奠基儀式。
2024-06-07 10:06:511287

意法半導(dǎo)體將在意大利新建8英寸SiC工廠(chǎng)

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)近日宣布,將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地,專(zhuān)注于8英寸碳化硅(SiC)功率器件和模塊的制造、封裝、測(cè)試等全流程生產(chǎn)。這一重要舉措不僅體現(xiàn)了意法半導(dǎo)體在碳化硅技術(shù)領(lǐng)域的深厚實(shí)力,也標(biāo)志著公司向全面垂直整合碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-06-07 18:07:053036

全球掀起8英寸SiC投資熱潮,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來(lái)新一輪技術(shù)升級(jí)

隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期,8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球,各大半導(dǎo)體廠(chǎng)商紛紛加大投入,積極布局這一新興產(chǎn)業(yè)。8英寸SiC晶圓相較于傳統(tǒng)
2024-06-12 11:04:311040

國(guó)內(nèi)外突破:三種新工藝方案引領(lǐng)8英寸SiC生產(chǎn)降本增效

半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的高溫、高頻、高壓特性而備受關(guān)注,尤其是在電動(dòng)汽車(chē)、電力傳輸、高頻通信等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。然而,SiC的生產(chǎn)和加工過(guò)程一直面臨著諸多挑戰(zhàn)。近期,國(guó)內(nèi)外研究團(tuán)隊(duì)和企業(yè)在8英寸SiC工藝方案上取得了新的突破,有望大幅提升生產(chǎn)效率和降低成本。
2024-06-17 15:28:071593

廈門(mén)士蘭集宏開(kāi)啟8英寸SiC功率器件芯片制造新篇章

在科技日新月異的今天,半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代工業(yè)的核心,正不斷引領(lǐng)著技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)變革。6月18日,廈門(mén)廣電網(wǎng)傳來(lái)喜訊,廈門(mén)士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目正式在海滄區(qū)拉開(kāi)建設(shè)的序幕,這標(biāo)志著廈門(mén)在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。
2024-06-19 16:35:431812

萬(wàn)年芯:三代半企業(yè)提速,碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

碳化硅晶圓市場(chǎng)。在江西萬(wàn)年芯看來(lái),這一趨勢(shì)預(yù)示著半導(dǎo)體行業(yè)即將迎來(lái)新一輪的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)張?!?b class="flag-6" style="color: red">8英寸”擴(kuò)大產(chǎn)能據(jù)權(quán)威預(yù)測(cè),到2029年SiC市場(chǎng)容量將達(dá)到100
2024-08-16 16:48:361306

又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

近日,日本礙子株式會(huì)(NGK,下文簡(jiǎn)稱(chēng)日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國(guó)ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關(guān)研究成果。
2024-09-21 11:04:10946

高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)研究

高精密潔凈艙在半導(dǎo)體生產(chǎn)中扮演著至關(guān)重要的角色,其關(guān)鍵技術(shù)的研究與應(yīng)用直接關(guān)系到半導(dǎo)體產(chǎn)品的質(zhì)量和生產(chǎn)效率。
2024-10-25 17:52:36888

天域半導(dǎo)體8英寸SiC晶圓制備與外延應(yīng)用

,但是行業(yè)龍頭企業(yè)已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)基于8英寸SiC晶圓的下一代器件和芯片。 近日,廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司丁雄杰博士團(tuán)隊(duì)聯(lián)合廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司、清純半導(dǎo)體(寧波)有限公司、芯三代半導(dǎo)體科技(蘇州)股份有限公司在《人工晶體學(xué)報(bào)》2
2024-12-07 10:39:362575

封頂!奧松半導(dǎo)體重慶8英寸MEMS項(xiàng)目今年投產(chǎn)

1月8日,記者從西部(重慶)科學(xué)城獲悉,奧松半導(dǎo)體8英寸MEMS特色芯片IDM產(chǎn)業(yè)基地一期項(xiàng)目FAB主廠(chǎng)房近日封頂,標(biāo)志著該項(xiàng)目建設(shè)取得階段性進(jìn)展。預(yù)計(jì)今年年中,該項(xiàng)目將建成投產(chǎn)。 據(jù)介紹,該項(xiàng)
2025-01-09 18:25:031809

三安光電與意法半導(dǎo)體重慶8英寸碳化硅項(xiàng)目通線(xiàn)

三安光電和意法半導(dǎo)體于2023年6月共同宣布在重慶成立8英寸碳化硅晶圓合資制造廠(chǎng)(安意法半導(dǎo)體有限公司,簡(jiǎn)稱(chēng)安意法),全面落成后預(yù)計(jì)總投資約為230億元人民幣(約32億美元)。該合資廠(chǎng)預(yù)計(jì)將在2025年四季度投產(chǎn),屆時(shí)將成為國(guó)內(nèi)首條8英寸車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅功率芯片規(guī)?;?b class="flag-6" style="color: red">量產(chǎn)線(xiàn)。
2025-02-27 18:12:341590

我國(guó)首發(fā)8英寸氧化鎵單晶,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎新突破!

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的全面發(fā)展帶來(lái)了新的機(jī)遇和動(dòng)力。一、氧化鎵8英寸單晶的技術(shù)突破與意義氧化鎵(Ga?O?)作為第四代半導(dǎo)體材料的代表,具有超寬的禁帶寬度(約4.8eV),遠(yuǎn)
2025-03-07 11:43:222418

全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國(guó)SiC碳化硅功率半導(dǎo)體崛起

的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗,更是美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問(wèn)題體現(xiàn)在三個(gè)維度: 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長(zhǎng)期依賴(lài)6英寸晶圓技術(shù)8英寸量產(chǎn)計(jì)劃因良率不足陷入僵局,而中國(guó)天合達(dá)、爍晶體等企業(yè)已實(shí)現(xiàn)8英寸襯底小批量出貨,良率突破。更致命的是,中國(guó)通過(guò)工
2025-05-21 09:49:401088

重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目“奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目”迎來(lái)重大進(jìn)展

堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)——今年8月底通線(xiàn)試產(chǎn),第四季度實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能爬坡并交付客戶(hù)。 光刻機(jī)進(jìn)入百級(jí)潔凈黃光區(qū)廠(chǎng)房 奧松半導(dǎo)體項(xiàng)目作為重慶首個(gè)8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目,計(jì)劃總投資35億元,包含8英寸特色傳感器芯片量產(chǎn)線(xiàn)、8英寸MEMS特色晶
2025-07-16 18:11:441053

晶越半導(dǎo)體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠

近日,晶越半導(dǎo)體傳來(lái)重大喜訊,在半導(dǎo)體材料研發(fā)領(lǐng)域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后,公司持續(xù)加大研發(fā)投入,不斷優(yōu)化工藝,于 7 月 21 日成功研制出
2025-07-25 16:54:48701

差距縮至2年內(nèi)!國(guó)內(nèi)8英寸SiC襯底最新進(jìn)展

SiC晶圓廠(chǎng),也意味著8英寸襯底正式拉開(kāi)量產(chǎn)大幕。 ? 那么8英寸襯底有哪些優(yōu)點(diǎn)以及技術(shù)難點(diǎn),目前國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商的進(jìn)度又如何?近期包括天合達(dá)、爍晶體等廠(chǎng)商以及產(chǎn)業(yè)人士都分享了一些最新觀點(diǎn)。 ? 8 英寸碳化硅襯底的必要性 ? 正如硅基芯片所用到的
2023-06-22 00:16:004657

8英寸SiC投產(chǎn)進(jìn)展加速,2025年上量

生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)在2024年6月投入使用,下一個(gè)目標(biāo)是未來(lái)兩年在德國(guó)漢堡工廠(chǎng)里建設(shè)8英寸SiC MOSFET和低壓GaN HEMT產(chǎn)線(xiàn)。 ? 雖然8英寸SiC當(dāng)前產(chǎn)能在整個(gè)市場(chǎng)中占比并不高,不過(guò)作為降低SiC成本的重要技術(shù)路線(xiàn),最近又有了不少新的進(jìn)展。 ? 8英寸產(chǎn)線(xiàn)逐步投產(chǎn),龍頭老大
2024-07-01 07:35:0058859

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