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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

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貿(mào)電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

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貿(mào)電子開售各種面向電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的英飛凌通用MOSFET

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貿(mào)電子開售面向無線音頻應(yīng)用的 英飛凌MA2304xN MERUS多級開關(guān)放大器

2023 年 4 月 4 日 – 專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 分銷商?貿(mào)電子 (Mouser Electronics) 即日起開售英飛凌的MA2304xN MERUS?多級開關(guān)
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4月25號,AGM正式發(fā)布AGM G2專業(yè)旗艦系列機(jī)型,AGM G2共有三款機(jī)型,分別是AGM G2 GT、AGM G2 Pro、AGM G2
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貿(mào)開售面向安全應(yīng)用的英飛凌OPTIGA Trust M物聯(lián)網(wǎng)安全開發(fā)套件

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2023-05-12 17:05:36884

貿(mào)與Ambiq簽約

來源:Silicon Semiconductor 貿(mào)電子(Mouser Electronics)與低功耗人工智能微控制器領(lǐng)先供應(yīng)商Ambiq簽署了新的全球分銷協(xié)議。 貿(mào)電子供應(yīng)商管理副總裁
2023-12-20 16:17:47871

貿(mào)順利完成SOC 2 Type II、ISO 27001 Stage 2和Cyber Essentials認(rèn)證

2 Type II、ISO 27001和Cyber Essentials認(rèn)證。貿(mào)電子有嚴(yán)格的流程來保護(hù)我們的數(shù)據(jù)、系統(tǒng)和產(chǎn)品的安全、隱私及可用性,并已獲得1,200多家半導(dǎo)體和電子元器件制造商的授權(quán)
2024-01-30 14:17:581028

英飛凌發(fā)布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET

英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ,旨在滿足高壓應(yīng)用的需求。
2024-02-01 10:51:001646

英飛凌推出CoolSiC MOSFET G2技術(shù),提升電力效率與可靠性

另外,CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場中的最低導(dǎo)通電阻值(Rdson),這大大提高了能效、功率密度,以及在電力系統(tǒng)中的可靠性,降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:411774

英飛凌推出G2 CoolSiC MOSFET進(jìn)一步推動碳化硅技術(shù)的發(fā)展

碳化硅(SiC)技術(shù)一直是推動高效能源轉(zhuǎn)換和降低碳排放的關(guān)鍵,英飛凌最近推出的CoolSiC MOSFET2代(G2)技術(shù),也是要在這個領(lǐng)域提高了MOSFET的性能指標(biāo),擴(kuò)大還在光伏、儲能、電動汽車充電等領(lǐng)域的市場份額。
2024-03-12 09:33:261841

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSi MOSFET G2

在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布,其已成功推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出,標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑,為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。
2024-03-12 09:43:291433

英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2,推動低碳化的高性能系統(tǒng)

英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021124

英飛凌全新CoolSiC? MOSFET 750 V G1產(chǎn)品系列推動汽車和工業(yè)解決方案的發(fā)展

英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET,滿足工業(yè)和汽車領(lǐng)域?qū)Ω吣苄Ш凸β拭芏鹊牟粩嘣鲩L需求。這款產(chǎn)品系列包含了專為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源橋
2024-03-15 16:31:451256

英飛凌推出全新CoolSiC MOSFET 2000V產(chǎn)品

英飛凌科技股份公司,作為全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列,這一創(chuàng)新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,為設(shè)計(jì)人員提供了滿足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:291466

英飛凌發(fā)布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),無疑為功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域帶來了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比,全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361715

英飛凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的產(chǎn)品特點(diǎn)

CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝,規(guī)格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù),CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強(qiáng),可靠性提高。
2024-03-22 14:08:351310

貿(mào)電子開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件

貿(mào)電子即日起開售u-blox的XPLR-HPG-2探索套件。XPLR-HPG-2探索套件為厘米級精度的定位應(yīng)用(如自主機(jī)器人、資產(chǎn)跟蹤和互聯(lián)健康)提供了一個緊湊的開發(fā)和原型設(shè)計(jì)平臺。
2024-04-17 10:25:241124

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù)

英飛凌科技推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術(shù),開啟功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比,英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:201986

產(chǎn)品簡介 | RZ/G2系列MPU

產(chǎn)品簡介 | RZ/G2系列MPU
2024-04-29 08:08:131309

CoolSiC? MOSFET G2助力英飛凌革新碳化硅市場

英飛凌憑借CoolSiCMOSFETG2技術(shù),再度突破極限,實(shí)現(xiàn)更高效率、更低功耗,這也使英飛凌在日益發(fā)展且競爭激烈的碳化硅市場,屹立于創(chuàng)新浪潮之巔。在過去三年,碳化硅市場經(jīng)歷了蓬勃發(fā)展,特別是在
2024-07-12 08:14:411152

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2,提高系統(tǒng)功率密度

半導(dǎo)體器件 650 V產(chǎn)品組合。 這兩個產(chǎn)品系列基于CoolSiC2代(G2)技術(shù),在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:072096

貿(mào)電子開售Arduino新款產(chǎn)品及解決方案

??技術(shù)日新月異,我們每天都走在創(chuàng)新的路上,獲取前沿的領(lǐng)域知識,并轉(zhuǎn)化為自己的成果,創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上,貿(mào)電子始終會伴你左右,并隨時提供新的采購情報,希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感。
2024-11-13 11:21:211231

貿(mào)電子開售能為電動汽車牽引逆變器提供可擴(kuò)展性能的 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊

高效率的汽車功率模塊,適用于電動汽車 (EV) 以及混合動力電動汽車 (HEV) 的牽引逆變器。 英飛凌HybridPACK Drive G2模塊結(jié)合了英飛凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC? G2 MOSFET芯片技術(shù),可實(shí)現(xiàn)性能擴(kuò)
2024-11-29 14:58:55508

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

650 V G2 Q-DPAK TSC 這兩個產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC Generation 2G2)技術(shù),其性能、可靠性和易用性均有顯
2025-02-21 16:38:52759

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬電距離 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321136

貿(mào)電子開售Silicon Labs EFR32FG28 BLUETOOTH SoC

Silicon Labs EFR32FG28 BLUETOOTH SoC 為遠(yuǎn)距離傳輸而設(shè)計(jì) 貿(mào)電子即日起供應(yīng)Silicon Labs的EFR32FG28 BLUETOOTH SoC。G28專為
2025-04-16 09:40:501036

貿(mào)電子供應(yīng)Digi International產(chǎn)品

貿(mào)電子成為Digi International Inc.的全球授權(quán)代理商。Digi International是機(jī)對機(jī) (M2M)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 連接產(chǎn)品與服務(wù)領(lǐng)域的知名供應(yīng)商。貿(mào)
2025-04-24 14:47:53856

新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產(chǎn)品

新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產(chǎn)品,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)
2025-05-27 17:03:361257

新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET

新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOSFET單管,專為各種工業(yè)應(yīng)用開發(fā),包括工業(yè)驅(qū)動
2025-05-29 17:04:211048

貿(mào)開售Nordic nRF54L低功耗藍(lán)牙SoC

貿(mào)電子開售Nordic Semiconductor的全新nRF54L低功耗藍(lán)牙SoC解決方案。nRF54L系列結(jié)構(gòu)緊湊、功耗低,適用于醫(yī)療和智能家居設(shè)備、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、游戲控制器和其他物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。
2025-06-03 14:37:281016

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性解析

上一篇我們介紹了英飛凌CoolSiCMOSFETG2的產(chǎn)品特性(參考文章:CoolSiCMOSFETG2性能綜述)。那么在實(shí)際應(yīng)用中,G2如何進(jìn)行正確的選型呢?接下來兩篇文章會和大家仔細(xì)探討這個
2025-06-16 17:34:51712

貿(mào)電子開售NXP RW61x無線微控制器

貿(mào)電子開售NXP Semiconductors的RW61x無線微控制器。其中RW612是一款高集成度、高安全性的無線MCU,適用于智能家居、游戲、工業(yè)自動化和智能配件等應(yīng)用。
2025-06-23 11:48:081105

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

開關(guān)和硬開關(guān)兩種場景下,如何進(jìn)行CoolSiCMOSFETG2的選型。G2在硬開關(guān)拓?fù)渲械膽?yīng)用除了RDS(on),開關(guān)損耗在SiCMOSFET的選型中也扮演著非常
2025-06-23 17:36:47658

英飛凌CoolSiC? MOSFET G2最新產(chǎn)品榮獲2025年度半導(dǎo)體市場創(chuàng)新表現(xiàn)獎

8月26日上午,英飛凌科技憑借第二代CoolSiCMOSFETG21400V分立器件以及全新封裝的1200VEasyC系列碳化硅模塊,以其卓越的產(chǎn)品性能和創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì),榮獲2025年半導(dǎo)體市場創(chuàng)新
2025-08-27 17:06:001305

CoolSiC? MOSFET G2導(dǎo)通特性深度解析:高效選型指南

在功率器件領(lǐng)域,英飛凌的CoolSiCMOSFETG2以其卓越性能備受關(guān)注。然而,面對復(fù)雜的應(yīng)用場景,如何正確選型成為工程師們的關(guān)鍵問題。今天,我們將從G2的導(dǎo)通特性入手,深入解析其設(shè)計(jì)背后的技術(shù)
2025-09-01 20:02:00922

貿(mào)電子授權(quán)代理英飛凌豐富多樣的產(chǎn)品組合

英飛凌的全球授權(quán)代理商,供應(yīng)各種英飛凌解決方案。貿(mào)供應(yīng)近20,000種英飛凌元器件,其中超過10,000種有庫存且可立即發(fā)貨,通過豐富的英飛凌新品,幫助工程師將產(chǎn)品推向市場。 ? 英飛凌XENSIV
2025-09-08 15:21:00595

貿(mào)電子開售Silicon Labs全新xG26系列無線SoC和MCU

貿(mào)電子開售Silicon Labs全新xG26系列無線SoC和MCU。xG26片上系統(tǒng)(SoC)和MCU采用32位Arm Cortex-M33內(nèi)核,為符合未來需求的計(jì)量、照明、物聯(lián)網(wǎng)、樓宇自動化和智能家居應(yīng)用,提供堅(jiān)固耐用且節(jié)能的設(shè)計(jì)。
2025-09-23 16:22:332284

英飛凌推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC??400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外,英飛凌還推出了三款額定電壓為440V(連續(xù))和455V(瞬態(tài))的TOLL封裝新產(chǎn)品
2025-10-31 11:00:59299

貿(mào)電子開售全新Arduino UNO Q單板計(jì)算機(jī)

貿(mào)電子開售全新Arduino UNO Q單板計(jì)算機(jī)。Arduino UNO Q單板計(jì)算機(jī)(SBC)將高性能計(jì)算與實(shí)時控制結(jié)合,提供理想的創(chuàng)新平臺。
2025-11-08 09:50:051146

英飛凌EconoDUAL? 3 CoolSiC? MOSFET 1200V模塊榮獲2025全球電子成就獎

/驅(qū)動器獎項(xiàng),再次彰顯英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越實(shí)力和領(lǐng)先地位。英飛凌科技工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)市場經(jīng)理劉倩出席頒獎典禮并領(lǐng)獎英飛凌EconoDUAL3CoolSiC
2025-11-26 09:32:50573

探索IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能與多功能的完美結(jié)合

,我們將深入探討英飛凌(Infineon)的IMYR140R008M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2,這款器件憑借其卓越的特性和廣泛的應(yīng)用前景,成為眾多工程師的首選。 文件
2025-12-18 13:50:02217

CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2:高性能碳化硅MOSFET的卓越之選

的作用。今天,我們要深入探討的是英飛凌(Infineon)的IMYR140R019M2H CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2,這是一款采用先進(jìn)碳化硅技術(shù)和.XT互連技術(shù)的高性能
2025-12-18 13:50:06205

Infineon HybridPACK? Drive G2:牽引逆變器的卓越之選

Infineon HybridPACK? Drive G2:牽引逆變器的卓越之選 作為電子工程師,我們深知在牽引逆變器應(yīng)用領(lǐng)域,對效率和性能的追求從未停止。英飛凌(Infineon
2025-12-19 14:30:11163

EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板:2000V CoolSiC? MOSFET的理想測試平臺

了解一下英飛凌(Infineon)的EVAL-COOLSIC-2kVHCC評估板,它專為2000V CoolSiC? MOSFET打造,在測試和評估方面有著出色的表現(xiàn)。 文件下載: Infineon
2025-12-19 17:00:15450

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