業(yè)內(nèi)最小的手機(jī)靜電放電保護(hù)裝置問世
California Micro Devices近日宣布推出其超小型靜電放電(ESD)保護(hù)裝置系列中的首款產(chǎn)品 CM1242-33CP。CM1242 為行業(yè)樹立了新的靜電放電性
2009-12-23 08:48:41
1895 東芝于日前擴(kuò)充了耐壓（漏源間電壓）為-12V的p通道MOSFET的產(chǎn)品線。此次推出的新產(chǎn)品是采用封裝面積為2.0mm×2.0mm的SOT-1220（UDFN6B）封裝的“SSM6J505NU”，以及采用封裝面積為1.6mm×1.6mm的SOT-563（ES6）封裝的“SSM6J216FE”。
2013-02-21 10:14:191404 如何防止靜電放電損傷呢？首先當(dāng)然改變壞境從源頭減少靜電(比如減少摩擦、少穿羊毛類毛衣、控制空氣溫濕度等)，當(dāng)然這不是我們今天討論的重點(diǎn)。
2024-01-24 14:24:272105 
通過對不同器件結(jié)構(gòu)LDMOS的靜電放電防護(hù)性能的分析對比，指出帶埋層的深漏極注入雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS器件在靜電防護(hù)方面的優(yōu)勢。
2011-12-01 11:00:5512329 
東芝推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”，可在小型IGBT／MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動IC。
2021-11-30 15:24:191919 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET“SSM14N956L”，該器件可用于移動設(shè)備鋰離子（Li-ion）電池組中的電池保護(hù)電路。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-05-22 14:33:121099 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141124 
? 中國上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:572329 
新唐N329對地打靜電死機(jī)，接觸放電4KV，一打就死機(jī)，怎么解決。
2023-06-26 06:36:02
我一直以為mosfet內(nèi)部有靜電保護(hù)功能，因?yàn)閺膩矶紱]有因手工焊接而擊穿過，突然發(fā)現(xiàn)這可能不對，MOSFET有內(nèi)部靜電保護(hù)嗎？
2011-10-21 11:52:40
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見來源。即使人與電路沒有直接接觸，電容式檢測
2022-07-12 16:32:21
，所以幾乎所有的芯片設(shè)計都要克服靜電擊穿問題。靜電放電保護(hù)可以從FAB端的Process解決，也可以從IC設(shè)計端的Layout來設(shè)計，所以你會看到Prcess有一個ESD的option layer，或者
2022-03-24 18:06:25
常常可以看到操作員因?yàn)橥霂啥蛘咄ㄟ^測試或者失效。許多操作員企圖通過用另一只手簡單抓著測試儀靠近其手腕來通過測試。 ESD保護(hù)電路的設(shè)計 靜電放電（ESD）會給電子產(chǎn)品帶來致命的危害，它不僅降低
2018-10-11 16:10:23
（SOT-23-6L封裝），工作電壓5V，擊穿電壓6V，漏電流6uA，鉗位電壓12V，峰值脈沖電流4A，結(jié)電容1pF。該方案符合IEC61000-4-2 等級4，接觸放電8KV，空氣放電15KV。針對IEEE1394接口靜電浪涌防護(hù)，有很多設(shè)計保護(hù)方案。具體選用哪種，可以根據(jù)自己的需求來選擇！
2020-11-30 14:10:50
PCM15N12E 3A以上快充鋰電池保護(hù)MOSFET 的參數(shù)介紹 威明半導(dǎo)體/周R:***產(chǎn)品類型:12V ESD 鋰電池保護(hù)MOSFET參數(shù): 12V,5.9mohm (TYP: 4mohm
2019-07-31 10:45:31
的共模和差模干擾來實(shí)現(xiàn)。在電源端使用 WE-CBF 系列貼片磁珠可以實(shí)現(xiàn)卓越的抑制性能（圖 1）。圖 1：具有靜電放電保護(hù)功能的雙端口 USB 端口單通道保護(hù)元件（如 WE-VE 系列靜電放電抑制器
2020-04-14 08:00:00
電場的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象就是靜電放電． 4、靜電敏感度：元器件所能承受的靜電放電電壓． 5、靜電敏感器件：對靜電放電敏感的器件． 6、接地：電氣連接到能供給或接受大量電荷
2019-07-02 06:42:48
請問各位大神，在
靜電放電抗擾度試驗(yàn)中，
靜電放電發(fā)生器的直流高壓電源、充電電阻、
放電電阻、儲能電容器、
放電開關(guān)、等等的各項具體要求是什么？比如功率，電流，耐壓值什么的。希望大家可以幫助我這個小菜鳥，我是剛剛開始學(xué)習(xí)EMC。謝謝！?。?/div>
2013-12-22 15:47:30
描述Lipo/鋰離子保護(hù)板該保護(hù)板可保護(hù)您的 Lipo 或鋰離子電池。它基于DW01A電池保護(hù)IC和FS8205A雙mosfet。這個微型 PCB 將保護(hù)您的 Lipo 或鋰離子電池免受過充電、過放電、過電流、短路的影響。
2022-08-08 06:12:39
隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國最近公布因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電放電而造成的國家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份
2019-07-25 06:45:53
和空氣靜電放電(ESD)保護(hù)功能。新產(chǎn)品HDMIULC6-4SC6是當(dāng)前市場上帶寬最大的（超過5GHZ）單片專用保護(hù)芯片，可為4條數(shù)據(jù)線路提供軌到軌的保護(hù)，而且不會破壞數(shù)據(jù)信號的完整性。 保護(hù)高速
2018-12-07 10:31:29
隨著集成電路及電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用，人體靜電放電的危害性日益引起人們的重視。首先介紹人體靜電放電模型及測試方法，然后闡述幾種新型集成化靜電放電保護(hù)器件的原理與應(yīng)
2009-08-05 15:04:54
114 和控制線上敏感電子元件而設(shè)計，防止由靜電放電（ESD）、電快速瞬變（EFT）和雷擊造成的過壓。該型號能夠提供最高±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并能在IEC6
2024-07-25 10:50:35
CAMD推出極低電容靜電放電保護(hù)設(shè)備PicoGuard CM1227
California Micro Devices (CAMD) 近日宣布針對最先進(jìn)的數(shù)字消費(fèi)品和計算機(jī)應(yīng)用推出一款超低電容靜電放電
2009-12-09 18:01:301403 PCB設(shè)計時怎樣抗靜電放電
靜電對于精密的半導(dǎo)體芯片會造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極
2010-03-13 14:55:501990 Infineon推出全新靜電防護(hù)二極管，保護(hù)高速USB 3.0連接埠免于靜電放電的破壞。
2011-01-26 21:57:261308 靜電放電保護(hù)器件性能測試技術(shù)研究研制了基于微帶設(shè)計和 電磁場 屏蔽理論的專用測試夾具,評價了該夾具的傳輸特性,建立了由高頻脈沖模擬器、專用測試夾具.
2011-07-25 15:12:0433 在電路中，靜電放電(ESD)很常見，所以在電路設(shè)計中必須要包含能夠免于ESD影響的器件。隨著系統(tǒng)總線和I/O總線更多地在高速模式下工作，設(shè)計先進(jìn)的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)也就變得越來越具有挑
2011-10-21 16:14:07118 東芝光耦 MOSFET Output，Photorelays (MOSFET Output)
2012-03-16 13:44:59769 
國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等
2012-04-25 09:34:441272 日前，東芝公司宣布，公司已為智能手機(jī)與平板電腦燈移動設(shè)備的高電流充電電路開關(guān)推出超緊湊型MOSFET，包括兩種高功耗封裝電池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391388 
東京—東芝公司（TOKYO：6502）旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，推出單通道高邊N溝道功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）柵極驅(qū)動器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:362105 靜電放電原理
2016-12-30 15:22:440 先來談靜電放電(ESD: Electrostatic Discharge)是什么？這應(yīng)該是造成所有電子元器件或集成電路系統(tǒng)過度電應(yīng)力破壞的主要元兇。
2017-02-10 02:10:114912 
本文介紹ESD（靜電放電·浪涌）保護(hù)裝置·對策元件的種類。 ESD（靜電放電?浪涌）保護(hù)裝置?對策元件的種類 ESD保護(hù)裝置為實(shí)現(xiàn)必要機(jī)能，有工作原理和素材不同的產(chǎn)品。
2017-03-04 01:05:123030 
隨著半導(dǎo)體制程技術(shù)的不斷演進(jìn)，以及集成電路大量的運(yùn)用在電子產(chǎn)品中，靜電放電已經(jīng)成為影響電子產(chǎn)品良率的主要因素。美國最近公布因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">靜電放電而造 成的國家損失，一年就高達(dá)兩百多億美金，而光是電子產(chǎn)品部份
2017-11-08 15:45:0216 電場的能量達(dá)到一定程度后，擊穿其間介質(zhì)而進(jìn)行放電的現(xiàn)象就是靜電放電． 4、靜電敏感度：元器件所能承受的靜電放電電壓． 5、靜電敏感器件：對靜電放電敏感的器件． 6、接地：電氣連接到能供給或接受大量電荷的物體，如大地、船
2017-11-23 05:45:512076 ：DF2B5M4SL，DF2B6M4SL，DF10G5M4N和DF10G6M4N。新型高性能二極管可屏蔽移動設(shè)備免受靜電放電和噪聲影響，專為智能手機(jī)，平板電腦，筆記本電腦和可穿戴設(shè)備而設(shè)計。
2019-08-07 11:12:343605 靜電放電（ESD）理論研究的已經(jīng)相當(dāng)成熟，為了模擬分析靜電事件，前人設(shè)計了很多靜電放電模型。
2019-08-11 11:46:4110491 
全球電子元器件與開發(fā)服務(wù)分銷商e絡(luò)盟推出全面的防靜電產(chǎn)品系列以保護(hù)電子元器件免受靜電放電（ESD）損壞，為客戶的制造和供應(yīng)流程提供有力支持。
2020-03-12 14:06:273882 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是TEVD0R6V3B1X靜電放電抑制器的數(shù)據(jù)手冊免費(fèi)下載
2020-04-16 08:00:0022 的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)前市
2021-10-25 14:16:292311 
的能力主要通過實(shí)踐培養(yǎng)起來的。 新品 近日，東芝針對汽車應(yīng)用推出了XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC三款100V N溝道功率MOSFET產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充了產(chǎn)品線。這些產(chǎn)品符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用于汽車設(shè)計中，有助于縮小汽車設(shè)備體積，滿足當(dāng)
2021-11-26 15:22:502814 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 了適用于頭燈控制開關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R，該器件通過東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計把設(shè)備功耗深度壓縮。
2022-08-26 11:01:071847 東芝SSM6N44FE場效應(yīng)晶體管規(guī)格書
2022-11-22 17:32:540 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 25 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R2-25QL
2023-02-17 19:14:590 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB08R6EN
2023-02-17 19:21:120 雙 N 溝道 40 V、9.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K8R7-40E
2023-02-21 19:37:460 雙 N 溝道 40 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K6R8-40E
2023-02-21 19:40:300 雙 N 溝道 40 V、6.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K6R8-40E
2023-02-21 19:41:570 雙 N 溝道 40 V、5.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K6R2-40E
2023-02-21 19:42:170 雙 N 溝道 30 V、5.1 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K5R1-30E
2023-02-21 19:42:360 雙 N 溝道 30 V、5.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K5R6-30E
2023-02-22 18:39:520 雙 N 溝道 30 V、5.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K5R1-30E
2023-02-22 18:40:130 雙 N 溝道 40 V、8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K8R7-40E
2023-02-22 18:43:410 雙 N 溝道 30 V、5.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K5R6-30E
2023-02-22 18:43:510 N 溝道 120 V 6.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO-220-PSMN6R3-120PS
2023-02-22 19:07:120 N 溝道 100 V、5.6 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN5R6-100PS
2023-02-23 18:35:510 N 溝道 LFPAK 40 V 2.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN2R6-40YS
2023-02-27 19:21:250 N 溝道 30 V 1.7 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN1R6-30PL
2023-02-27 19:21:581 N 溝道 60 V 7.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN7R6-60PS
2023-03-02 22:24:540 TO220 中的 N 溝道 80 V 6.9 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN6R5-80PS
2023-03-02 22:25:050 LFPAK 中的 N 溝道 30 V 6 mOhm 邏輯電平 MOSFET-PSMN6R0-30YL
2023-03-02 22:37:170 813N2532 數(shù)據(jù)表
2023-03-14 19:37:340 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸是ESD的常見來源。即使人與電路沒有直接接觸，電容式檢測開關(guān)等器件也可以允許電荷耦合到電導(dǎo)體上。在ESD放電可能導(dǎo)致電路故障的情況下，需要ESD保護(hù)。
2023-06-02 09:21:031780 
靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。
2023-06-02 09:21:451153 
國產(chǎn)ESD品牌廠商東沃電子（DOWOSEMI）供應(yīng)的ESD靜電防護(hù)器件，防靜電能力±30KV（接觸放電）/±30KV（空氣放電）；小型封裝（最小0201）；低結(jié)電容，低至0.05pF；擊穿電壓低，低
2022-02-28 17:17:203323 
點(diǎn)擊關(guān)注，電磁兼容不迷路。靜電放電保護(hù)器件種類與特點(diǎn)概述靜電放電(ESD)是一種意外的快速高壓瞬態(tài)波形，出現(xiàn)在電路內(nèi)的導(dǎo)體上。ESD引起的高電壓和電流峰值可能導(dǎo)致靜電敏感IC等器件發(fā)生故障。人際接觸
2022-07-02 14:37:392446 
813N2532 數(shù)據(jù)表
2023-07-05 20:03:120 813N252I-04 數(shù)據(jù)表
2023-07-11 18:53:110 813N252DI-02 數(shù)據(jù)表
2023-07-11 19:34:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《A004R應(yīng)用筆記 靜電放電損壞與控制.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-27 15:07:070 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。
2023-08-22 11:03:211439 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:101596 
靜電放電的產(chǎn)生有兩個基本條件，一. 是電荷的積累，電荷的積累是前提，然后是“跨接”，電荷的劇烈流動就是放電。所以從這兩個方面就行控制就能有效地防護(hù)靜電放電的產(chǎn)生。
2023-09-05 11:08:191756 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出采用有助于降低開關(guān)損耗的4引腳TO-247-4L(X)封裝的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，該產(chǎn)品采用東芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工業(yè)設(shè)備應(yīng)用。
2023-09-07 09:59:322086 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPD6E001靜電放電(ESD)保護(hù)二極管陣列數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-06-28 10:57:380 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPD2E1B06雙通道高速靜電放電(ESD)保護(hù)器件數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-07-03 10:43:410 UWB650模塊作為思為無線推出的一款高性能UWB定位測距模塊，在設(shè)計時考慮了靜電保護(hù)的重要性。該模塊集成了ESD保護(hù)器件，能夠在靜電放電發(fā)生時提供即時保護(hù)。保護(hù)器件能夠迅速將靜電能量導(dǎo)入地線，防止其對電路造成影響。
2024-09-19 16:33:031076 
物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中使用ESD（Electro-Static Discharge，靜電放電）靜電保護(hù)管的原因主要基于以下幾個方面。
2024-09-29 14:15:051804 
近日，納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產(chǎn)品。這款新品以其優(yōu)異的短路過流能力與雪崩過壓能力，以及更強(qiáng)的機(jī)械壓力耐受能力，為便攜式鋰電設(shè)備的充放電提供了全面的保護(hù)。
2024-10-17 15:59:211391 ESD（靜電放電）器件與靜電放電之間存在密切的關(guān)系。ESD器件的設(shè)計和應(yīng)用主要是為了應(yīng)對靜電放電對電子設(shè)備和電路可能造成的損害。 靜電放電（ESD） 靜電放電是指靜電荷在不同物體之間或物體表面之間
2024-11-14 11:23:281344 在現(xiàn)代電子工業(yè)中，靜電放電（ESD）是一個不可忽視的問題。它不僅關(guān)系到電子產(chǎn)品的可靠性和安全性，還直接影響到生產(chǎn)效率和成本。 一、ESD靜電與靜電放電的定義 ESD靜電是指物體表面或內(nèi)部由于電荷積累
2024-11-20 09:45:431979 在現(xiàn)代電子設(shè)備中，MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是不可或缺的核心元件之一。隨著電子產(chǎn)品對功耗和效率要求的不斷提升，選擇合適的MOSFET變得尤為重要。東芝的SSM6N44FE就是一款
2024-11-25 11:13:441135 
為了使汽車在復(fù)雜環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行，CAN總線接口必須配備極為高效的靜電放電（ESD）防護(hù)機(jī)制，不僅需要防止系統(tǒng)遭受高壓瞬態(tài)沖擊的損害，還要最大限度地降低電容影響，確保信號傳輸?shù)臅惩o阻與高效性
2025-01-17 17:31:491393 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-100SSF N溝道MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-18 15:41:520 概述對于雙USB2.0接口的靜電保護(hù)（ESDProtection）方案，目標(biāo)是防止靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）、浪涌等干擾信號對USB數(shù)據(jù)線和電源線的損壞，確保接口的可靠性和系統(tǒng)穩(wěn)定性
2025-06-08 15:20:31813 
STMicroelectronics STP80N1K1K6 N溝道功率MOSFET采用MDmesh K6技術(shù)，利用了20年的超級結(jié)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。STMicroelectronics STP80N1K1K6 MOSFET具有出色的每面積導(dǎo)通電阻和柵極電荷。該器件非常適用于高功率密度和高效應(yīng)用。
2025-10-23 15:08:58415 
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