SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考,并期待與您進一步的交流。 ? 前兩篇文章我們分別探討了 SiC MOSFET的驅(qū)動電壓 ,以及 SiC器件驅(qū)動設(shè)計中的寄生導通問題 。本文作為系列文章的第三篇,會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給
2022-07-07 09:55:00
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作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:10
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在高功率應用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。
2023-09-11 14:55:31
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大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:57
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? ? 揚杰科技干貨分享- 如何用雙脈沖測試更好的表征SiC MOS動態(tài)能力? ? 引言 隨著碳化硅(SiC)MOS產(chǎn)品的迭代發(fā)展,SiC MOS相比于Si IGBT的高頻應用潛力得到越來越多工程師
2025-12-02 09:36:22
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制器射頻發(fā)射部分采用SI24R1的技術(shù)方案,無線接收器和計算機通過USB連接,教學過程中,該系統(tǒng)可與教室中的電子白板、投影幕布等設(shè)備配合。教師可用教師卡隨時發(fā)起提問、隨堂測驗或其他互動式教學,學生使用學生卡作答?;榆浖詧D表直觀顯示學生答題情況。4推薦運營平臺有興趣可以聯(lián)系了解`
2017-07-26 11:39:44
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別,介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動方法的兩個關(guān)鍵要點。本章將針對與IGBT的區(qū)別進行介紹。與IGBT的區(qū)別:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
半導體相比,損耗更低,高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異,有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。提及功率元器件,人們當然關(guān)注SiC之類的新材料,但是,目前占有極大市場份額和應用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
的穩(wěn)健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統(tǒng)設(shè)計的影響。如圖1所示,與同類型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET狀態(tài)表明了主要商業(yè)障礙的解決方案,包括價格,可靠性,堅固性和供應商的多樣化。盡管價格優(yōu)于Si IGBT,但由于成本抵消了系統(tǒng)級優(yōu)勢,SiC MOSFET已經(jīng)取得了成功。隨著材料成本的下降,這項技術(shù)
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-04-22 06:20:22
從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
”)應用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET,這里給出了DMOS結(jié)構(gòu),不過目前ROHM已經(jīng)開始量產(chǎn)特性更優(yōu)異的溝槽式結(jié)構(gòu)的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續(xù)進行介紹。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面,按照現(xiàn)在的
技術(shù)水平,
SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比
Si器件要高。 因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)?! ∪绻?/div>
2023-02-07 16:40:49
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。SiC-MOSFET應用實例1:移相DC/DC轉(zhuǎn)換器下面是演示機,是與功率Power Assist Technology Ltd.聯(lián)合制
2018-11-27 16:38:39
反向電流的流動時間。此時,前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在內(nèi)的Si-PND高速。下面我們來了解其原因和實際特性。簡單地說,trr的速度和反向恢復特性的不同是因為二極管構(gòu)造不同。這就
2018-11-29 14:34:32
、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。下圖是相對于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的,所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管下面從SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)的結(jié)構(gòu)開始
2018-11-29 14:35:50
WInSiC4AP的主要目標是什么?SiC技術(shù)在WInSiC4AP中有什么應用?
2021-07-15 07:18:06
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。
2019-07-30 06:18:11
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
另一方面,按照現(xiàn)在的技術(shù)水平,SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低,所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的門極電壓,可以得到越低的導通電阻(VCS=20V以上則逐漸飽和)。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料,與Si相比,它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙,SiC器件的工作溫度可高達600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
和相比上一代的優(yōu)點,不過由于機會難得,能否請您首先介紹一下SiC-SBD的基礎(chǔ)內(nèi)容?說實話,我認為非常了解使用了SiC(碳化硅)這種半導體的二極管和晶體管的特點的人并不多。是?。?010年ROHM確立
2018-12-03 15:12:02
si4438,大家了解多少 ,與cc1100,1020系列的比較
2014-01-22 21:14:38
引言:前段時間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展,針對其中使用的碳化硅SiC器件,來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
的導通電阻大大降低。在25°C至150°C的溫度范圍內(nèi),SiC的變化范圍為20%,而Si的變化范圍為200%至300%.SiC MOSFET管芯能夠在200°C以上的結(jié)溫下工作。該技術(shù)還得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差異化的領(lǐng)先半導體技術(shù)方案供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:MSCC ) 發(fā)布專門用于高電流、低導通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
Power Solutions攜手,通過面向工業(yè)以及數(shù)據(jù)基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域盡可能地深挖SiC技術(shù)潛力,從而進一步提升電源系統(tǒng)的能效?!保缄P(guān)于Murata Power Solutions>Murata Power
2023-03-02 14:24:46
的量產(chǎn)化,并于 2010 年全球首家成功實現(xiàn)了 SiC-MOSFET 的量產(chǎn)。羅姆希望通過本次研討會,讓更多同行了解 SiC 的優(yōu)點和特性,更好地應用 SiC 功率器件。研討會的演講概要如下: 1
2018-07-27 17:20:31
SBD耐壓均在200V以內(nèi),更高電壓應用往往選擇Si FRD,盡管FRD技術(shù)不斷發(fā)展,但仍然無法完全消除反向恢復的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV,極大地擴展了SBD的應用范圍。
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2023-10-07 10:12:26
狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換,并且具有更低的導通電阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片內(nèi)提供與 Si MOSFET 相同的導通電阻(圖 1)。圖 1:SiC MOSFET(右側(cè))與硅
2017-12-18 13:58:36
帶寬或-3dB 的點對于濾波器電路的設(shè)計非常有幫助。 Multisim內(nèi)含20種不同的分析,可幫助學生透徹地理解電路行為。 Multisim還包含用于模擬、數(shù)字、機電一體化和電力電子技術(shù)方面的模型組件
2012-07-12 01:00:24
關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD(肖特基勢壘二極管 )、SiC-MOSFET之后,來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇,想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
)③ SiC、GaN寬禁帶電力電子技術(shù)的機遇和挑戰(zhàn) ④ 針對寬禁帶電力電子技術(shù)特性的封裝技術(shù) ⑤ SiC、GaN器件與Si器件的對比(優(yōu)勢、驅(qū)動上的區(qū)別、結(jié)構(gòu)和成本的影響)五、活動報名電話:***微信:CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
收發(fā)一體功能,可以更好的配合接收與發(fā)射。4應用意義2.4g無線答題器的出現(xiàn)是為了輔助實現(xiàn)智慧課堂的媒介,讓學生更好的參與課堂的教育學習,提升課堂參與度以及協(xié)助老師更好的了解各個學生的知識掌握情況,通過
2017-10-07 10:31:17
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類:一是以傳統(tǒng)的硅半導體為基礎(chǔ)的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,與Si半導體相比
2017-07-22 14:12:43
本文討論了商用氮化鎵功率晶體管與Si SJMOS和SiC MOS晶體管相比在軟開關(guān)LLC諧振轉(zhuǎn)換器方面的優(yōu)勢。介紹隨著更高功率、更小尺寸和更高效率的明顯趨勢,高頻 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器是業(yè)內(nèi)隔離式
2023-02-27 09:37:29
應用看,未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到,一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù),那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天,SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD(肖特基勢壘二極管)結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列!我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術(shù),賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升:效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
更新?lián)Q代,SiC并不例外 新一代半導體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段,有望進一步改善許多應用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然,隨著碳化硅技術(shù)的進步,未來還將面臨挑戰(zhàn),例如,晶圓
2023-02-27 14:28:47
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
的逆變器和轉(zhuǎn)變器中一般使用Si-IGBT,但尾電流和外置FRD的恢復導致的功率轉(zhuǎn)換損耗較大,因此,更低損耗、可高頻動作的SiC-MOSFET的開發(fā)備受期待。但是,傳統(tǒng)的SiC-MOSFET,體二極管通電
2019-03-18 23:16:12
剛學完51,想做個東西,比較綜合,然后幫助學習吧
2019-08-07 04:35:20
2 : Si、SiC和GaN的特性優(yōu)值比較(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目標主要目標WinSiC4AP致力于為高效能、高成本效益的目標應用開發(fā)可靠的技術(shù)
2019-06-27 04:20:26
Using Allegro PCB SI to Analyze a Board’s Power Delivery System from Power Source to Die Pad:Slide
2010-04-05 06:23:27
0 The Si3480 is a power manager intended for use with the Si3452 Power over Ethernet (PoE
2010-07-29 16:25:28
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SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面?電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:44
13374 SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導率是Si的3倍,所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:41
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Osso VR是一家專門為外科醫(yī)生、醫(yī)院工作人員和銷售團隊提供虛擬現(xiàn)實(VR)技術(shù)培訓的專業(yè)公司。該公司宣布與醫(yī)療銷售學院(the Medical Sales College)建立新的合作伙伴關(guān)系,幫助其學生通過無限的動手實踐來增加他們的外科知識。
2018-11-05 15:06:45
1553 電離情況的機會。學生們利用六維度觸控筆將離子與分子”拽出屏幕“,仔細觀察每一個微觀粒子的構(gòu)造,了解每一種粒子的大小比例,用實際觀察為自己的疑惑尋找到了答案。蘭老師也提到:學生們借此形成正確的微粒觀和變化觀,提升了他們的科學核心素養(yǎng)。
2019-06-02 09:42:36
5527 在大多數(shù)藝術(shù)教室里,學生可以使用不同的媒介,如顏料或粘土,來創(chuàng)作他們的作品。但在Powhatan學校,虛擬現(xiàn)實(VR)現(xiàn)在已經(jīng)成為一種新的創(chuàng)新工具。
2019-09-10 11:48:04
1469 教育部對于人臉識別技術(shù)進校園持謹慎態(tài)度值得肯定。一段時間以來,教育改革加速了人臉識別等人工智能技術(shù)在教育領(lǐng)域的應用。人工智能技術(shù),既可以幫助學生隨時隨地學習,也可以幫助老師更好地優(yōu)化教學,讓老師在輔助學生成長過程中更有針對性。
2019-10-09 14:55:59
5049 直到最近,功率模塊市場仍被硅(Si)絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注,使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應用,這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:53
19656 在K12中,輔助學習可能是一個棘手難以應對的問題。學校有責任照顧到每一個學生的需求,但是要創(chuàng)建一個可以滿足所有學生需求的課程卻很難,特別是在越來越多優(yōu)秀的、名片靠前的學校面臨著學生過度擁擠的情況下。
2019-12-23 08:39:35
1747 作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現(xiàn)了以Si基器件為主導,SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:00
13305 
物聯(lián)網(wǎng)在幫助校園變得更安全、更高效方面具有很大潛力。在學生們準備開始其秋季學期之際,他們的學校正在努力解決如何在新冠肺炎疫情爆發(fā)后確保學生、教師和員工的安全。在學校思考秋季學期以及以后的流行病時,技術(shù)——包括物聯(lián)網(wǎng)——已經(jīng)成為他們許多問題的潛在答案。
2020-09-17 11:52:54
4242 i.MX7 96Board Power Tree
2021-03-11 08:55:09
1 硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2021-06-17 18:20:04
6940 
、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲存等應用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性,其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介電擊穿強度大約是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:27
8492 我們知道,技術(shù)教育不僅需要理論知識,還需要實踐知識和動手經(jīng)驗,讓學生在電路層面理解更深層次的概念。2 Labs 實際上幫助學生理解諸如電路設(shè)計概念之類的主題。用于電子教學的工具,如 Power
2022-08-04 09:55:26
897 
來源:半導體芯科技編譯 SEMI最近與PowerAmerica聯(lián)盟的執(zhí)行董事兼首席技術(shù)官Victor Veliadis合作,舉辦了一次題為SiC-碳化硅材料特性、制造基礎(chǔ)知識和關(guān)鍵應用的在線研討會
2022-08-19 16:53:30
2070 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《W406812AS2D2 Gerber PCB Flag Box Board開源.zip》資料免費下載
2022-08-22 16:32:20
9 SiC 器件取代服務(wù)器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:43
1293 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內(nèi)容,總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現(xiàn)的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51
3205 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-08 13:43:18
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為了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二極管為比較對象,對特性進行了說明。其中,也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18
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關(guān)于SiC-SBD,前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內(nèi)容,并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18
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從本文開始,將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。
2023-02-08 13:43:20
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二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的,但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面與Si-PND的FRD(快速恢復二極管)進行比較。
2023-02-22 09:18:59
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本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人,與其詳細研究每個參數(shù),不如先弄清楚驅(qū)動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區(qū)別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅(qū)動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關(guān)鍵要點。
2023-02-23 11:27:57
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碳化硅(SiC)技術(shù)改進了各種應用中的多個系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比,碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個溫度范圍內(nèi)的平坦RDS(on)和更好的體二極管性能表現(xiàn)出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00
2141 碳化硅(SiC)器件是一種新興的技術(shù),具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙,允許更高的電壓阻斷,并使其適用于高功率和高電壓應用。此外,SiC還具有比Si更低的熱阻,這意味著它可以更有效地散熱,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:16
3128 硅 (Si) 基功率器件由于其技術(shù)的成熟性和相對容易的可獲性,長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好地契合當前的工業(yè)趨勢,正在獲得越來越多的采用
2023-05-20 16:45:13
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AR地鐵拆解教學是一種基于增強現(xiàn)實技術(shù)的教育工具,通過將虛擬模型與實際場景相結(jié)合,幫助學生更好地理解和掌握地鐵車輛的結(jié)構(gòu)和工作原理。該教學工具解決了傳統(tǒng)教學難以深入了解地鐵車輛結(jié)構(gòu)、難以模擬真實場景
2023-07-20 14:35:40
1081 如今,大多數(shù)半導體都是以硅(Si)為基材料,但近年來,一個相對新的半導體基材料正成為頭條新聞。這種材料就是碳化硅,也稱為SiC。目前,SiC主要應用于MOSFET和肖特基二極管等半導體技術(shù)。
2023-09-05 10:56:05
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了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49
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Si對比SiC MOSFET 改變技術(shù)—是正確的做法
2023-11-29 16:16:06
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SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
2023-12-05 14:31:21
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SiC的導熱性大約是Si的三倍,并且將其他特性的所有優(yōu)點結(jié)合在一起。導熱率是指熱量從半導體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達200°C的溫度下工作,而Si的典型工作溫度限制為150°C。
2023-11-23 15:08:11
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碳化硅(SiC)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的半導體化合物,屬于寬帶隙(WBG)材料系列。它的物理結(jié)合力非常強,使半導體具有很高的機械、化學和熱穩(wěn)定性。
2023-12-11 11:29:35
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在當今信息爆炸的時代,設(shè)計項目的速度和效率對于工程專業(yè)的學生來說至關(guān)重要。SOLIDWORKS教育版作為一款專門為學生設(shè)計的3D CAD軟件,不僅提供了強大的設(shè)計工具,更致力于幫助學生了解如何加快設(shè)計項目的速度,提升他們的設(shè)計能力和效率。
2024-04-09 16:00:17
813 著名的 Box86/Box64 模擬器現(xiàn)在有了更好的 RISC-V RVV 1.0 支持,性能提升顯著
2024-10-15 08:08:14
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與Si材料相比,SiC半導體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯,比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等,使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。
2024-11-14 14:55:09
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SiC是由硅(Si)和碳(C)按1:1的化學計量比組成的晶體,因其內(nèi)部結(jié)構(gòu)堆積順序的不同,形成不同的SiC多型體,本篇章帶你了解SiC的晶體結(jié)構(gòu)及其可能存在的晶體缺陷。
2024-11-14 14:57:04
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拿到一個ST的宣傳材料,該資料介紹了Si/SiC混合功率器件可能是過渡到全SiC的中間方案,也找了文章了解了一下原理。資料有限,標題的問題沒找到答案。有哪位大神愿意分享一下呢?
2025-03-01 14:37:15
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Si-IGBT+SiC-MOSFET并聯(lián)混合驅(qū)動逆變器設(shè)計的關(guān)鍵要素
2025-06-06 08:25:17
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以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于SiC+Si多變量融合逆變器·從概念到系統(tǒng)方案落地的全景解析-原創(chuàng)文章,僅用于SysPro內(nèi)部使用,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇節(jié)選,完整內(nèi)容在知識
2025-08-15 08:32:32
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知識星球,歡迎學習交流導語:在2025年上海車展上,混合碳化硅(SiC)與硅(Si)基器件的混碳方案多次出現(xiàn)在我們的視野。這一技術(shù)通過巧妙的拓撲優(yōu)化與芯片級混合布局
2025-08-16 07:00:00
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