本應(yīng)用筆記介紹了采用表面貼裝封裝設(shè)計(jì)LITTLEFOOT?功率MOSFET的過(guò)程。它描述了功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電感性負(fù)載，公共柵極驅(qū)動(dòng)器以及磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用以及公共柵極級(jí)的驅(qū)動(dòng)電容性負(fù)載
2021-05-25 11:30:07
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風(fēng)力發(fā)電的逆變?cè)O(shè)備，可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場(chǎng)效應(yīng)管與電源變壓器為核心，通過(guò)模擬電路技術(shù)連接的。2016年至2018年 ，我國(guó)風(fēng)電裝機(jī)量從18.73GW增至21GW ， 2019年僅前5個(gè)月裝機(jī)量就新增6.88GW ，增長(zhǎng)趨勢(shì)迅猛。
2022-07-08 15:45:456817 晶體管是電子學(xué)和邏輯電路中的基本構(gòu)件，用于開(kāi)關(guān)和放大。MOSFET是場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的一種，其柵極通過(guò)使用絕緣層進(jìn)行電隔離。因此，它也被稱為IGFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。
2023-12-29 09:58:116504 
繼上一篇超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)簡(jiǎn)介后，我們這次介紹下屏蔽柵MOSFET。
2024-12-27 14:52:095179 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近日英飛凌推出了CoolSiC MOSFET G2技術(shù)，據(jù)官方介紹，這是新一代的溝槽柵SiC MOSFET技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:184422 
80路串口（230400波特率）同時(shí)采集，同時(shí)解析，怎么將采集到的字符串解析，目前的思路是一個(gè)線程專門(mén)讀串口采集將讀取的用連接字符串連接起來(lái)存在全局變量里，另一個(gè)線程專門(mén)解析全局變量。請(qǐng)問(wèn)大神有沒(méi)有
2018-04-30 08:58:45
設(shè)計(jì)在欠驅(qū)動(dòng)狀態(tài)。一般而言，對(duì)于功率型MOSFET，10V的驅(qū)動(dòng)電壓是比較推薦的。另外Rds(on)也是Tj的函數(shù)，一般可用如下公式進(jìn)行計(jì)算：a是依賴于溝道技術(shù)參數(shù)，工藝和使用技術(shù)定下來(lái)，a是常量
2018-07-12 11:34:11
MOSFET的新一代MOSFET，在給定的硅面積中具有更低電阻率（R DS(on)），以實(shí)現(xiàn)更高的電流容量。我們的PowerStack?封裝技術(shù)將集成電路（IC）和MOSFET相互堆疊（見(jiàn)圖1），以提供能夠供應(yīng)
2019-07-31 04:45:11
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
MOSFET簡(jiǎn)介MOSFET的一些主要參數(shù)MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)
2021-03-04 06:43:10
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
我看mosfet的技術(shù)手冊(cè)，有兩個(gè)轉(zhuǎn)移特性曲線，但是不知道這兩個(gè)的區(qū)別在哪，為什么不一樣？
2015-10-23 20:51:09
(和理想化的Fuzz驅(qū)動(dòng)開(kāi)發(fā)流程)可以處理下一層的bug. 有些內(nèi)存bug可以通過(guò)靜態(tài)分析發(fā)現(xiàn)。基于軟件代碼加固技術(shù)使攻擊者發(fā)現(xiàn)內(nèi)存安全問(wèn)題越來(lái)越難。Stack cookies, 不可執(zhí)行代碼的內(nèi)存
2022-08-18 11:24:47
，serial.h 和 serial.cpp可以直接移植到產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中使用，serial.cpp中open函數(shù)是核心，片段代碼如下：zb_msgzb_msg主要是把串口協(xié)議進(jìn)行解析，串口協(xié)議設(shè)計(jì)如下：start
2022-09-27 16:08:06
細(xì)說(shuō)電流隔離低壓差分信號(hào)傳輸 （LVDS）接口，涉及到串行數(shù)據(jù)傳輸?shù)募扔薪涌跇?biāo)準(zhǔn) (TIA/EIA-644)
2020-12-18 06:01:32
好的傳感器的設(shè)計(jì)是經(jīng)驗(yàn)加技術(shù)的結(jié)晶。一般理解傳感器是將一種物理量經(jīng)過(guò)電路轉(zhuǎn)換成一種能以另外一種直觀的可表達(dá)的物理量的描述。而下文我們將對(duì)傳感器的概念、原理特性進(jìn)行逐一介紹，進(jìn)而解析傳感器的設(shè)計(jì)的要點(diǎn)。
2020-08-28 08:04:04
的峰值電壓等于輸入電壓，降低了開(kāi)關(guān)所承受的電壓應(yīng)力。這種技術(shù)需要額外的MOSFET （Q2）和高端驅(qū)動(dòng)器，且需要2個(gè)高壓低功率二極管（D3和D4），參見(jiàn)圖2。雙開(kāi)關(guān)正激技術(shù)的每個(gè)開(kāi)關(guān)周期包含3步：第1步
2022-01-06 06:30:00
)與電源轉(zhuǎn)換技術(shù)來(lái)提高電源轉(zhuǎn)換效率之外，新式功率器件在高效能轉(zhuǎn)換器中所扮演的重要角色，亦不容忽視。其中，Power MOSFET 目前已廣泛應(yīng)用于各種電源轉(zhuǎn)換器中。本文將簡(jiǎn)述Power MOSFET
2025-03-06 15:59:14
也會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SWITCH同頻率的紋波，一般所說(shuō)的紋波就是指這個(gè)。它與輸出電容的容量和ESR有關(guān)系。這個(gè)紋波的頻率與開(kāi)關(guān)電源相同，為幾十到幾百KHz。另外，SWITCH一般選用雙極性晶體管或者MOSFET，不管是哪種，在其導(dǎo)通和截止的時(shí)候，都會(huì)有一個(gè)上升時(shí)間和下降時(shí)間。這時(shí)候在電路中就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)與SW
2021-12-30 08:31:11
1,由于MOSFET的結(jié)構(gòu),通常它可以做到電流很大,可以到上KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到
2019-03-06 06:30:00
解析請(qǐng)求學(xué)習(xí)到下一跳分支的 NBMA地址。分支的NHRP解析與NHRP登記過(guò)程是有差別的，登記是分支在中心上登記自己，解析是分支通過(guò)中心尋址其他分支。分支首先向中心發(fā)送解析 請(qǐng)求，請(qǐng)求下一跳隧道IP地址
2024-07-26 06:07:39
清晰度或者解決各種各樣的音視頻問(wèn)題。電子發(fā)燒友特意舉辦了這次音視頻技術(shù)博客大賽，給大家提供一個(gè)分享的平臺(tái)。所有涉及音視頻技術(shù)的博文，都可以在這里投稿，謝謝參與。本活動(dòng)旨在建立一個(gè)技術(shù)交流平臺(tái)，鼓勵(lì)廣大
2013-11-12 19:50:40
）文章小結(jié)（5%） 2.參賽博文格式要求 （1）字?jǐn)?shù)在1500-3000字之內(nèi)，內(nèi)容完整，有條理，能提供2到3張清晰的技術(shù)圖表， （2）對(duì)文、圖、表中的專業(yè)英文縮略詞作中文注解 （3）提供100字左右
2013-10-22 00:10:25
RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無(wú)線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出現(xiàn)改變了這一
2019-07-08 08:28:02
一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過(guò)了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進(jìn)步的簡(jiǎn)要?dú)v史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢(shì)及其未來(lái)的商業(yè)前景?！ √蓟杌蛱蓟璧臍v史
2023-02-27 13:48:12
KA,但是前提耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。2,IGBT可以做很大功率,電流和電壓都可以,就是一點(diǎn)頻率不是太高,目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到100KHZ,那已經(jīng)是不錯(cuò)了.不過(guò)相對(duì)于MOSFET的工作頻率還是
2017-04-15 15:48:51
個(gè)管子的時(shí)候，我們也不知道這個(gè)管子GS有沒(méi)有電，這個(gè)管子有可能是導(dǎo)通的，放到電路上去焊接的時(shí)候，可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。為了考慮到安全性，我們必須在電路設(shè)計(jì)的時(shí)候，在MOSFET的G和S之間要加一個(gè)電阻，這樣
2021-05-10 09:52:22
功率并不小，因?yàn)殡妷焊甙 ５蛪?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET，Rdson小，一般幾mΩ，比如3mΩ，可以做到幾十，甚至100A。下篇文章我們來(lái)講一下MOSFET的開(kāi)通和關(guān)斷上期回顧：從無(wú)到有，徹底搞懂MOSFET講解（一）
2021-05-07 10:11:03
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-9-1 17:15 編輯
接下來(lái)接著看12N50數(shù)據(jù)手冊(cè)。上面這個(gè)參數(shù)是MOSFET的熱阻，RBJC 表示MOS管結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道
2021-09-01 17:10:32
穩(wěn)定一些。這也就是為什么過(guò)了平臺(tái)區(qū)之后，管子不怎么震蕩了，這也和上面這幅圖表達(dá)的含義有關(guān)系的。上面這幅圖相對(duì)來(lái)說(shuō)比較關(guān)鍵。它是MOSFET工作的一個(gè)安全區(qū)域。MOSFET選型的合適與否，就要看上面這幅圖
2021-09-07 15:27:38
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫(huà)圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
從IPv4到IPv6組播過(guò)渡技術(shù)解析
2021-05-27 06:37:15
就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個(gè)3.3V的單片機(jī)就可以搞定了。那么，我們也知道，高閾值的管子開(kāi)通的上升沿是很長(zhǎng)的，從關(guān)斷到完全開(kāi)通需要t0-t4這個(gè)時(shí)間。那么低閾值
2021-08-11 16:34:04
結(jié)溫到表面的熱阻，這里我們知道RBJC=0.75。熱阻的計(jì)算公式：，其中，Tj表示MOSFET的結(jié)溫，最大能承受150℃Tc表示MOSFET的表面溫度。通過(guò)上面公式可以計(jì)算一下，表面溫度在25
2021-08-16 11:07:10
光耦PC817中文解析
2012-08-20 14:32:28
扔掉電源線，給自己的智能手機(jī)進(jìn)行無(wú)線充電。這對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)可能有點(diǎn)天方夜譚。但事實(shí)上，無(wú)線充電技術(shù)很快就要進(jìn)入大規(guī)模的商用化，這項(xiàng)此前不為大眾所熟悉的技術(shù)，正悄然來(lái)到我們的面前。全面解析無(wú)線充電技術(shù)
2016-07-28 11:13:33
六大汽車安全技術(shù)全解析
2012-08-20 13:15:06
關(guān)于TFT-LCD的三種廣視角技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:09:29
關(guān)于汽車電子功率MOSFET技術(shù)，總結(jié)的太棒了
2021-05-14 06:13:01
，工程師們已定義一套FOM以應(yīng)用于新的低壓功率MOSFET技術(shù)研發(fā)。由此產(chǎn)生的30伏特(V)技術(shù)以超級(jí)接面(Superjunction)為基礎(chǔ)概念，是DC-DC轉(zhuǎn)換器的理想選擇；相較于橫向和分裂閘極
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET數(shù)據(jù)表都包括一組熱電阻數(shù)字，以便為客戶提供器件熱性能的參考點(diǎn)。功率MOSFET數(shù)據(jù)表中提供的最常見(jiàn)的兩種熱電阻是結(jié)到環(huán)境和結(jié)到管殼的熱阻抗。結(jié)到管殼的熱電阻定義為“從半導(dǎo)體器件的工作部分到封裝外部
2018-10-18 09:13:03
樣的。（3）由于我們是410c 的平臺(tái)我們cd 到device/qcom/msm8916_64下新建一個(gè)文件夾叫Tem/ 接著我們把我們需要內(nèi)置的文佳復(fù)制到Tem/中 （4）在device/qcom
2018-09-25 16:51:36
基于嵌入式的遠(yuǎn)程測(cè)試控制技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-05-27 07:02:58
基于泰克MSO64的全新時(shí)頻域信號(hào)分析技術(shù)解析，看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
使用功率 MOSFET 也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率 MOSFET 的選型
2019-11-17 08:00:00
【追蹤嫌犯的利器】定位技術(shù)原理解析（4）
2020-05-04 12:20:20
新型低功耗無(wú)線標(biāo)準(zhǔn)ZigBee技術(shù)解析，不看肯定后悔
2021-06-04 06:28:11
金鑒出品】新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電紅外熱點(diǎn)定位+FIB解析碳化硅器件的高壓高頻和高效率的優(yōu)勢(shì)，可以突破現(xiàn)有電動(dòng)汽車電機(jī)設(shè)計(jì)上因器件性能而受到的限制，這是目前國(guó)內(nèi)外電動(dòng)汽車電機(jī)領(lǐng)域研發(fā)
2018-11-02 16:25:31
氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)解析基于GaN的高級(jí)模塊
2021-03-09 06:33:26
最近我們?cè)谂?b class="flag-6" style="color: red">一個(gè)TTL解析程序我用51做了一個(gè)PWM的電機(jī)控制，再通過(guò)傳感器測(cè)速的出來(lái)的TTL電平數(shù)據(jù)讀到51單片機(jī)里面。再顯示到12864上面?，F(xiàn)在是這個(gè)TTL的解析程序沒(méi)有壇子里面有沒(méi)有同學(xué)有這方面的程序呀能不能共享一下，或者在這方面指點(diǎn)一下。謝謝了
2013-08-02 13:01:19
應(yīng)用看，未來(lái)非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國(guó)內(nèi)品牌誰(shuí)先成功掌握這種技術(shù)，那它就會(huì)呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯
在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一種采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一
2012-12-06 14:32:55
碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
`藍(lán)牙模塊詳細(xì)解析物聯(lián)網(wǎng)在智能家居、電子產(chǎn)品等領(lǐng)域全面發(fā)展，使近距離通信的無(wú)線連接技術(shù)越來(lái)越多的應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)新興產(chǎn)品中，為設(shè)備提供穩(wěn)定和低功耗的數(shù)據(jù)傳輸服務(wù)的藍(lán)牙模塊更是成為物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的寵兒，被
2018-06-13 17:24:08
運(yùn)放正負(fù)12伏供電，運(yùn)放輸出端連接mosfet的G極。mosfet的D連接500v直流高壓，mosfet的S極連接一個(gè)20歐姆電阻到地，20歐姆電阻連接運(yùn)放反饋端，我想把運(yùn)放個(gè)mosfet進(jìn)行隔離，求方案。求器件。整個(gè)原理其實(shí)就是運(yùn)放控制mosfet實(shí)現(xiàn)電流源。
2018-08-02 08:55:51
美國(guó)ALLEGRO文丘里風(fēng)機(jī)，氣動(dòng)風(fēng)機(jī)，氣動(dòng)通風(fēng)機(jī)，文丘里風(fēng)機(jī)應(yīng)用于：煉油廠、發(fā)電廠、造船廠、造紙和紙漿廠、海洋艦船、鋼鐵工業(yè)以及人孔（沙井）的通風(fēng)換氣。文丘里風(fēng)機(jī)特別適用于有毒煙霧
2022-10-18 16:30:36
MRF275G 射頻 MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述MRF275G 是一款高性能的射頻 MOSFET 晶體管，專為頻率范圍在 100 MHz 到 500 MHz 之間的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件能夠
2024-10-23 11:01:58
UF28100V 射頻 MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述UF28100V 是一款高性能的射頻 MOSFET 晶體管，專為頻率范圍在 100 MHz 到 500 MHz 之間的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件
2024-10-23 11:02:11
ARF1501 RF MOSFET 晶體管產(chǎn)品解析產(chǎn)品概述ARF1501 是一款高性能的 RF MOSFET 晶體管，專為高頻應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件能夠承受高達(dá) 1000V 的電壓，并提供高達(dá) 750W
2024-10-23 11:02:24
IRFM450 功率MOSFET的詳細(xì)解析產(chǎn)品概述IRFM450是國(guó)際整流器（IR）公司推出的一款高壓功率MOSFET，專為高效能電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)控制設(shè)計(jì)。其高電壓和高電流能力，使其在眾多工業(yè)和消費(fèi)
2024-10-27 18:28:18
IRFY140CM 功率MOSFET的詳細(xì)解析產(chǎn)品概述IRFY140CM是國(guó)際整流器（IR）公司推出的一款高效功率MOSFET，專為高頻開(kāi)關(guān)電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的性能使其成為電力電子領(lǐng)域
2024-10-27 18:28:55
IRFY240CM 功率MOSFET的詳細(xì)解析產(chǎn)品概述IRFY240CM是國(guó)際整流器（IR）公司推出的一款高效能功率MOSFET，專為高頻電源和電機(jī)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。其出色的性能使其在電力電子領(lǐng)域得到
2024-10-27 18:30:09
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩
2010-04-26 18:19:138880 
本文詳細(xì)介紹了FTTH，并分析了光纖寬帶通信，介紹了FTTH的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)及高速光纖到戶接入技術(shù)的全解析。
2017-10-16 16:10:40
6 本文主要對(duì)特斯拉無(wú)人駕駛技術(shù)原理進(jìn)行了最全面的解析，特斯拉的愿景是為所有人提供比人類駕駛更高的行車安全；為車主提供更低的交通成本；為無(wú)車之人提供低價(jià)、按需的出行服務(wù)。究竟特斯拉無(wú)人駕駛技術(shù)達(dá)到何種地步，人們能否完全在特斯拉電動(dòng)車內(nèi)解放雙手，下面給大家詳細(xì)的解析一下。
2018-01-04 16:09:4861704 
一文解析PLC的應(yīng)用，具體的跟隨小編一起來(lái)了解一下。
2018-07-19 11:21:566116 
一文了解通信技術(shù)的常用名詞解釋
2020-06-19 17:55:306848 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）MOSFET將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化，起到開(kāi)關(guān)或放大等作用。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET器件是電壓控制型器件，在應(yīng)用中容易控制，而且MOSFET工作頻率高，符合功率器件
2021-10-21 15:52:312876 1、由于MOSFET的結(jié)構(gòu)，通常它可以做到電流很大，可以到上KA，但耐壓能力沒(méi)有IGBT強(qiáng)。
2、IGBT可以做很大功率，電流和電壓都可以，就是一點(diǎn)頻率不是太高，目前IGBT硬開(kāi)關(guān)速度可以到
2022-02-11 10:47:5631 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。
2022-05-16 15:05:585500 
當(dāng)今最常見(jiàn)的三端半導(dǎo)體中的兩種是MOSFET和BJT。MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。它是FET的變體。另一方面，BJT是雙極結(jié)型晶體管。
2022-06-20 16:37:3915404 
移動(dòng)電話技術(shù)變革，AP+內(nèi)存堆棧技術(shù)運(yùn)動(dòng)，Interposer第一處理芯片
2022-11-30 11:26:092548 一文詳解精密封裝技術(shù)
2022-12-30 15:41:122358 MOSFET作為功率開(kāi)關(guān)管，已經(jīng)是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。雖然MOSFET作為電壓型驅(qū)動(dòng)器件，其驅(qū)動(dòng)表面上看來(lái)是非常簡(jiǎn)單，但是詳細(xì)分析起來(lái)并不簡(jiǎn)單。下面我會(huì)花一點(diǎn)時(shí)間，一點(diǎn)點(diǎn)來(lái)解析MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，以及在不同的應(yīng)用，應(yīng)該采用什么樣的驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-18 09:19:311254 SQL 引擎主要由三大部分構(gòu)成：解析器、優(yōu)化器和執(zhí)行器。
2023-06-18 10:46:111206 
MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)常見(jiàn)參數(shù)解析——EASIGSS/Rds（on）/Coss
2023-06-19 09:53:142110 
ARP學(xué)習(xí)和老化機(jī)制在Linux網(wǎng)絡(luò)通信中起著至關(guān)重要的作用。ARP（Address Resolution Protocol）地址解析協(xié)議是將IP地址解析為MAC地址的一種機(jī)制。
2023-08-04 16:55:272147 功率MOSFET數(shù)據(jù)表參數(shù)
2023-08-24 09:13:061769 
電流互感器也是一種較為常見(jiàn)的電流檢測(cè)方法， 使用時(shí)使流過(guò)負(fù)載電流的導(dǎo)線或走線穿過(guò)電流互感器， 進(jìn)而在電流互感器輸出端輸出與負(fù)載電流成一定比例的感應(yīng)電流。
2023-10-31 12:34:486068 
特別之處，只是在傳統(tǒng)溝槽MOSFET的工藝基礎(chǔ)上做結(jié)構(gòu)改進(jìn)，提升了元器件愛(ài)你的穩(wěn)定性、低損耗等性能而已。具體一點(diǎn)就是提升了器件的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性，降低了器件的特征導(dǎo)通電阻(Rsp)和柵極電荷(Qg
2024-11-08 10:36:3412782 
歡迎來(lái)到2025年，這一年承諾將重新定義我們對(duì)技術(shù)的思考方式。人工智能（AI）已經(jīng)從一種時(shí)尚的話題轉(zhuǎn)變?yōu)?b class="flag-6" style="color: red">一種無(wú)形的驅(qū)動(dòng)力，推動(dòng)著從個(gè)性化醫(yī)療保健到更智能的城市基礎(chǔ)設(shè)施等一切事物。如今，它是創(chuàng)新的支柱
2025-01-05 10:15:291419 SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小EPI層的厚度，降低導(dǎo)通電阻Rds(on)。
2025-01-22 13:55:545893 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《一文解析工業(yè)互聯(lián)網(wǎng).pptx》資料免費(fèi)下載
2025-02-20 16:42:511 ：一種是IGBT，另一種是高壓(HV)MOSFET。在這兩種技術(shù)中，高壓MOSFET的采用正在加速，這主要得益于兩大趨勢(shì)。第一個(gè)趨勢(shì)是冰箱壓縮機(jī)系統(tǒng)的變頻化，通過(guò)
2025-05-16 11:08:28997 
偏移誤差、增益誤差、INL/DNL、轉(zhuǎn)換時(shí)間……這些關(guān)鍵指標(biāo)如何定義？如何影響DAC性能？本文DAC核心術(shù)語(yǔ)全解析帶您一文掌握關(guān)鍵參數(shù)！
2025-06-19 10:38:30485 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，突破硅材料的物理極限一直是工程師們的終極挑戰(zhàn)。隨著電力電子設(shè)備向高壓、高效方向快速發(fā)展，傳統(tǒng)MOSFET結(jié)構(gòu)已逐漸觸及性能天花板。本文將深入解析超結(jié)MOSFET技術(shù)如何通過(guò)創(chuàng)新
2025-06-25 10:26:291701 
基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析：第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用 第一章：B3M技術(shù)平臺(tái)架構(gòu)前沿 本章旨在奠定對(duì)基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）B3M系列的技術(shù)認(rèn)知
2025-10-08 13:12:22500 
解析，為工程師的選型與設(shè)計(jì)提供技術(shù)參考。一、產(chǎn)品基本定位與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)MOT4913J是一款N+N增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，內(nèi)部集成兩個(gè)獨(dú)立的N
2025-10-23 10:50:59355 
作為一名電子工程師，在為電動(dòng)汽車（xEV）應(yīng)用設(shè)計(jì) DC - DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器時(shí)，合適的功率 MOSFET 模塊至關(guān)重要。今天就為大家詳細(xì)解析 onsemi 的 SiC 功率 MOSFET 模塊 NVXK2PR80WXT2。
2025-12-03 16:13:24633 
在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET 憑借其卓越的性能逐漸成為眾多應(yīng)用的首選。今天我們就來(lái)詳細(xì)解析 onsemi 的 NTHL045N065SC1 這款 N 溝道 SiC 功率 MOSFET。
2025-12-08 16:55:38626 
英飛凌雙柵極MOSFET 80V 48V開(kāi)關(guān)板：技術(shù)解析與應(yīng)用前景 在現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是不可或缺的關(guān)鍵元件。英飛凌推出的雙柵極MOSFET
2025-12-19 15:20:03232 深入解析 IRF150DM115 MOSFET：特性、參數(shù)與應(yīng)用 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種極為常見(jiàn)且關(guān)鍵的電子元件。今天，我們就來(lái)
2025-12-20 10:15:02589
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