Corporation，簡(jiǎn)稱“東芝”）推出了150V N溝道功率MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）“TPH9R00CQH”(?https://toshiba.semicon-storage.com
2022-04-06 17:36:55
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式電源?(SMPS)。 ? 首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率
2022-05-19 10:50:422606 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時(shí)保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。 通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET反向恢復(fù)特性 為了評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性，我們使用4種MOSFET實(shí)施了雙脈沖測(cè)試。4種MOSFET均為超級(jí)結(jié)MOSFET（以下簡(jiǎn)稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復(fù)型和普通型分別進(jìn)行了比較。 先來(lái)看具有快速恢復(fù)
2020-12-21 14:25:4510373 
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以
2023-10-07 09:57:368691 
汽車級(jí)MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競(jìng)品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時(shí)增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 東芝將進(jìn)一步擴(kuò)大其MOSFET產(chǎn)品線，通過(guò)減少損耗提高設(shè)備電源效率，進(jìn)而幫助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271633 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:141124 
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內(nèi)部二極管的trr高速化有助于實(shí)現(xiàn)逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的高效化與小型化。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
檢測(cè)（AOI）系統(tǒng)對(duì)焊點(diǎn)進(jìn)行目視檢查，并有助于提高焊點(diǎn)可靠性。此外，東芝已驗(yàn)證其可在貼裝溫度循環(huán)測(cè)試中承受3000次循環(huán)，并獲得了相關(guān)數(shù)據(jù)，從而讓客戶能夠完全放心地使用該QFN封裝。與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，通過(guò)
2023-02-28 14:11:51
% 。這些改進(jìn)有助于顯著提高設(shè)備效率。對(duì)于使用東芝當(dāng)前產(chǎn)品GT50JR22的空調(diào)PFC電路，其工作頻率低于40kHz。而GT30J65MRB是東芝首款用于60kHz 以下PFC的IGBT，其可通過(guò)降低
2023-03-09 16:39:58
器件并沒(méi)有完全導(dǎo)通，此時(shí)。功率MOSFET管承受電源電壓，導(dǎo)通電阻非常大，理論上，電流乘以電阻等于VDS值。到了米勒平臺(tái)區(qū)，電流達(dá)到系統(tǒng)的最大電流后，電流就不能再增加，柵極提高的多余電子進(jìn)入到外延層
2025-11-19 06:35:56
MOSFET和開(kāi)關(guān)頻率不太高的中壓功率MOSFET。如果需要低的導(dǎo)通電阻，只有增大的晶片面積，晶片的面積受到封裝尺寸的限制，因此不適合于一些高功率密度的應(yīng)用。平面型高壓的功率MOSFET管的耐壓主要通過(guò)厚的低
2016-10-10 10:58:30
靜態(tài)反向電壓階段。參數(shù)性能仿真研究人員利用SPICE模型，通過(guò)商業(yè)PSpice軟件對(duì)功率二極管反向恢復(fù)特性進(jìn)行了仿真。功率二極管型號(hào)1n4005（Ie=1A，Um<600V）。(a)二極管
2023-02-14 15:46:54
ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標(biāo)準(zhǔn)的超級(jí)結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低
2018-12-04 10:23:36
第二代。非常有助于改善包括電源在內(nèi)的PFC等各種功率轉(zhuǎn)換電路的效率。低噪聲 EN系列以往的超級(jí)結(jié)MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、開(kāi)關(guān)速度快的特點(diǎn)，但存在因其高速性而噪聲較大的課題。EN系列是結(jié)合了平面
2018-12-05 10:00:15
Q2的P-N結(jié)增加儲(chǔ)存電荷。在t4~t5時(shí)段，MOSFET Q1通道導(dǎo)通，流過(guò)非常大的直通電流，該電流由MOSFET Q2體二極管的反向恢復(fù)電流引起。這不是偶然的直通，因?yàn)楦?、低?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET正常施加
2019-09-17 09:05:04
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
ROHM此次開(kāi)發(fā)的業(yè)界先進(jìn)的雙極MOSFET中，采用了新工藝、±40V耐壓的產(chǎn)品與普通產(chǎn)品相比，Pch部分的導(dǎo)通電阻降低多達(dá)61％，Nch部分的導(dǎo)通電阻也降低達(dá)39％，有助于降低各種設(shè)備的功耗。2、具備
2021-07-14 15:17:34
理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性的不同首先，反向恢復(fù)或恢復(fù)是指二極管在呈反向偏置狀態(tài)時(shí)，無(wú)法立即完全關(guān)斷，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)反向電流的現(xiàn)象。trr是其
2018-11-29 14:34:32
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此，在相同的耐壓值
2019-05-07 06:21:55
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
【實(shí)例分析】抑制功率二極管反向恢復(fù)的3種方法大比拼！引言高頻功率二極管在電力電子裝置中的應(yīng)用極其廣泛。但PN結(jié)功率二極管在由導(dǎo)通變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)過(guò)程中，存在反向恢復(fù)現(xiàn)象。這會(huì)引起二極管損耗增大，電路效率
2017-08-17 18:13:40
通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入垂直的N+區(qū)，中和N+區(qū)的正電荷空穴，從而恢復(fù)被耗盡的N+型特性，因此導(dǎo)電溝道形成，垂直N+區(qū)摻雜濃度高，具有較低的電阻率，因此導(dǎo)通電阻低。比較平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，可以
2017-08-09 17:45:55
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉(zhuǎn)換器內(nèi)所使用的MOSFET體二極管的反向恢復(fù)。氮化鎵—GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。如果功率MOSFET的S極連接端的電壓不是系統(tǒng)的參考地，N溝道就需要浮地供電電源驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)或自舉驅(qū)動(dòng)，驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜；P溝道可以直接驅(qū)動(dòng)
2019-04-04 06:30:00
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
的電子通過(guò)導(dǎo)電溝道進(jìn)入被耗盡的垂直的N區(qū)中和正電荷，從而恢復(fù)被耗盡的N型特性，因此導(dǎo)電溝道形成。由于垂直N區(qū)具有較低的電阻率，因而導(dǎo)通電阻較常規(guī)MOS管將明顯降低?！ ⊥ㄟ^(guò)以上分析可以看到：阻斷電壓與導(dǎo)
2018-11-01 15:01:12
連線的電源短路。圖2顯示的是經(jīng)修改的評(píng)估模塊 (EVM) 電路原理圖。圖2：用于反向恢復(fù)測(cè)量的經(jīng)修改的硅橋圖3顯示了插入分流電阻器后的TPS40170 EVM。圖3：EVM探測(cè)技術(shù)圖4顯示的是開(kāi)關(guān)
2018-09-03 15:17:37
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:31
低功耗的、以極快的反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為特點(diǎn)的ROHM獨(dú)創(chuàng)的功率MOSFET。＜提高設(shè)計(jì)靈活度的關(guān)鍵＞開(kāi)關(guān)速度的高速化與誤開(kāi)啟現(xiàn)象、噪聲干擾是相悖的，用戶在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要通過(guò)調(diào)整柵極電阻來(lái)進(jìn)行優(yōu)化
2020-03-12 10:08:47
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開(kāi)關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
-Channel MOSFET系列 RUH4080M-B
RUH4080M-B是一款高性能的N溝道 MOSFET，采用先進(jìn)SGT（屏蔽柵極槽）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，適合用于高效電源管理和高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)
2024-10-14 09:40:16
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時(shí)，阻斷電壓還可進(jìn)一步提高。 內(nèi)建橫向電場(chǎng)MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場(chǎng)的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
IR推出150V和200V MOSFET 具有極低的閘電荷
國(guó)際整流器公司（International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開(kāi)
2009-08-18 12:00:511624 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負(fù)信號(hào)傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 東芝公司（Toshiba Corporation）推出了一種低導(dǎo)通電阻功率MOSFET，該產(chǎn)品也成為其專為汽車應(yīng)用打造的TO-220SIS封裝系列中的最新成員。新產(chǎn)品“TK80A04K3L”還實(shí)現(xiàn)了低漏電電流和175℃的保證工作溫度。該產(chǎn)品不但非常適用于汽車應(yīng)用，還適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器
2013-01-22 10:25:301152 瑞薩電子宣布推出新款低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，包括經(jīng)過(guò)最佳化的μPA2766T1A，做為網(wǎng)路伺服器與儲(chǔ)存系統(tǒng)之電源供應(yīng)器內(nèi)的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101310 日前，東芝開(kāi)發(fā)了提高內(nèi)置二極管恢復(fù)特性的構(gòu)造MOSFET“DTMOS”，并將于5-14日至16日在PCM 2013大會(huì)上展示。據(jù)悉，該產(chǎn)品耐壓為600V，縮短了內(nèi)置二極管反向恢復(fù)時(shí)間。
2013-05-20 11:40:331122 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴(kuò)充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。
2015-01-22 15:33:263434 本文重點(diǎn)介紹在調(diào)試FPGA系統(tǒng)時(shí)遇到的問(wèn)題及有助于提高調(diào)試效率的技術(shù)，針對(duì)Altera和Xilinx的FPGA調(diào)試提供了最新的方法和工具。
2018-11-28 08:43:003254 
安森美半導(dǎo)體NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技術(shù)碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。此外，該SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻
2020-06-15 14:19:404976 產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:434609 
150V 快速高壓側(cè)受保護(hù)的 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器提供 100% 占空比能力
2021-03-19 04:35:12
11 快速 150V 高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 提供 100% 占空比能力
2021-03-20 11:56:482 東芝拓展650V超結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發(fā)布JH920 東芝拓展新一代超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產(chǎn)品線 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社 （“東芝
2022-03-18 17:35:265831 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，其中
2022-04-01 09:12:423969 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。
2022-04-01 16:42:3612278 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，現(xiàn)已開(kāi)始出貨。
2022-09-01 15:37:531079 由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過(guò)了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道MOSFET或N溝道MOSFET作為主開(kāi)關(guān)。
2022-11-18 11:28:214033 ”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開(kāi)始出貨。 ? 近年來(lái)，隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長(zhǎng)，產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGLTM封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，
2023-02-04 18:31:453724 ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復(fù)時(shí)間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。
2023-02-10 09:41:051467 
我們開(kāi)設(shè)了Si功率元器件的新篇章——“評(píng)估篇”。在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，我們將通過(guò)雙脈沖測(cè)試來(lái)評(píng)估MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性，并確認(rèn)MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:084173 
本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測(cè)試結(jié)果，來(lái)探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評(píng)估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請(qǐng)結(jié)合上一篇文章的內(nèi)容來(lái)閱讀本文。
2023-02-10 09:41:081904 
在“通過(guò)雙脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性”中，重點(diǎn)關(guān)注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數(shù)校正（PFC）電路等是兩個(gè)MOSFET串聯(lián)連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導(dǎo)致導(dǎo)通損耗增加的現(xiàn)象。
2023-02-13 09:30:043938 
面對(duì)SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復(fù)特性。反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù)，所以不僅要比較trr的數(shù)值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
反向恢復(fù)時(shí)間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲(chǔ)電荷，二極管繼續(xù)反向導(dǎo)通。反向流動(dòng)的時(shí)間稱為反向恢復(fù)時(shí)間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復(fù)電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:308887 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開(kāi)關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。
2023-03-31 10:05:322107 —GaN器件不會(huì)表現(xiàn)出反向恢復(fù)特性，并因此避免了損耗和其它相關(guān)問(wèn)題。借助于我的LMG5200和一個(gè)差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開(kāi)始在24V至5V/4A電源轉(zhuǎn)換器中測(cè)量反向恢復(fù)。
2023-04-15 09:15:125736 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:441157 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06900 
列產(chǎn)品的參考資料，助力您快速了解產(chǎn)品各項(xiàng)信息。 點(diǎn)擊下載產(chǎn)品參考資料 與Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的導(dǎo)通電阻，并且在各種電路中具有更出色的易用性，因而目前在市場(chǎng)上更受歡迎
2023-05-17 13:35:021476 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:011395 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:561060 安建半導(dǎo)體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，平臺(tái)采用先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)，提供了卓越的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻，從而實(shí)現(xiàn)了高效的能源轉(zhuǎn)換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:491735 
東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計(jì)的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達(dá)到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 ，對(duì)于高效能電源和轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。快速反向恢復(fù)時(shí)間： TK49N65W5的典型反向恢復(fù)時(shí)間（trr）為145 ns，非常適合高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用。這一特性降低了開(kāi)關(guān)損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率，非常適用于需要快速響應(yīng)時(shí)間的電力電子產(chǎn)品。高電壓和電流處理能力： 該MOSFET可以承受高達(dá)650 V的漏源電壓（VD
2024-08-05 11:12:520 150V Gen.3 SGT MOSFET系列產(chǎn)品采用全新屏蔽柵溝槽技術(shù)，特征導(dǎo)通電阻Rsp（導(dǎo)通電阻Ron*芯片面積AA）相對(duì)上一代降低43.8%，具備更高的電流密度和功率密度。同時(shí)，二極管
2024-08-15 16:36:581677 
TK160F10N1L是一款N溝道MOSFET，采用了東芝最新的U-MOS-H技術(shù)。這種技術(shù)使得該器件在低導(dǎo)通電阻和高電流能力之間達(dá)到了一個(gè)出色的平衡，從而提高了效率和功率密度。這款器件最早
2024-08-31 09:27:481 具有極低的導(dǎo)通電阻和較高的漏源間擊穿電壓Vdss；采用屏蔽柵極結(jié)構(gòu)，器件獲得優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能，使得150V SGT系統(tǒng)產(chǎn)品具有極低的開(kāi)關(guān)損耗。
2025-01-03 10:19:162055 
現(xiàn)代集成電路中MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)特性對(duì)系統(tǒng)安全具有重要影響，本文探討了Diode的反向恢復(fù)特性的機(jī)理和模型原理。 ? 半橋、全橋和 LLC 的電源系統(tǒng)以及電機(jī)控制系統(tǒng)的主功率
2025-01-03 10:36:292014 
GNE1008TB 是一款具有 8V 柵極電壓的 150V GaNHEMT，屬于EcoGaN?系列產(chǎn)品，利用該系列產(chǎn)品的低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特性，有助于提高功率轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品尺寸；即使在
2025-03-07 17:40:40847 
塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻僅為0.79 mΩ，有助于減少功率損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻（R_θJC）僅為0.8°C/W，有助于散熱。 ? 邏輯電平兼容
2025-04-16 10:05:07663 
電荷 ?：Qg（總柵極電荷）在VGS=10V時(shí)為118nC，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻 ?：RDS(on)（漏源導(dǎo)通電阻）在VGS=10V時(shí)為1.4mΩ，有助于降低傳導(dǎo)損耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:13:57766 
3.3mm × 3.3mm 塑料封裝 參數(shù) 方框圖 1. 產(chǎn)品特性 ? 超低柵極電荷（Q_g 和 Q_gd） ?：有助于減少開(kāi)關(guān)損耗。 ? 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on)） ?：在V_GS = 10V時(shí)，導(dǎo)通電阻為8.1 mΩ，有助于降低功耗。 ? 低熱阻 ?：結(jié)到殼熱阻
2025-04-16 10:35:32787 
仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC
2025-11-10 15:42:30277 
仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:32:14203 仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開(kāi)關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開(kāi)關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-18 15:39:25204 仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-19 15:25:38249 仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-20 16:06:45264 仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-20 16:15:04256 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開(kāi)關(guān)特性，適用于各類開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305 仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:38:31151 仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開(kāi)關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:57:56177 仁懋電子（MOT）推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高頻開(kāi)關(guān)特性及高可靠性，適用于高頻開(kāi)關(guān)、同步整流等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件
2025-11-24 14:27:27203 仁懋電子（MOT）推出的MOT6180J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-25 15:31:05218 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，具備快速開(kāi)關(guān)特性與高能量轉(zhuǎn)換效率，憑借低導(dǎo)通電阻與高可靠性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、負(fù)載開(kāi)關(guān)等低壓
2025-11-26 15:21:16231 威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載
2025-11-27 16:52:11394 
威兆半導(dǎo)體推出的VS3618BE是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適用于低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-11-28 12:07:44160 
威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配中高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電源管理、中功率
2025-12-02 09:29:20207 
威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性與高可靠性，適配低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、中功率負(fù)載開(kāi)關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品
2025-12-02 09:32:01255 
：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：150V，適配中高壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{G
2025-12-12 14:34:23226
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