巧分高頻鍺管與低頻鍺管的方法

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鍺管(9010) 鍺管(9010)

評(píng)論

半導(dǎo)體三極管的分類

半導(dǎo)體三極管的分類半導(dǎo)體三極管的種類很多，按半導(dǎo)體材料和導(dǎo)電極性來(lái)分有硅材料的NPN 管、PNP 管和鍺材料的NPN管和PNP管;按半導(dǎo)體三極管耗散功率來(lái)分，有小功率三極

2009-08-22 15:43:53

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硅管/鍺管/高頻管/低頻管的判別

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。

2011-11-21 11:16:55

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二極管的結(jié)構(gòu)和分類

，安于N區(qū)的電極稱為陰極。二極管的符號(hào)如下圖中的4所示。二、二極管的分類 1、根據(jù)基片材料分類根據(jù)基片材料不同，二極管分為鍺二極管和硅二極管。鍺二極管以本征鍺材料為基片，硅二極管以本征硅材料為基片。 1）鍺管的閥電壓或死區(qū)電壓

2023-09-24 15:37:29

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3.6V轉(zhuǎn)3.3V想加個(gè)二極管，求指教什么型號(hào)的鍺管

3.6V轉(zhuǎn)3.3V，想加個(gè)二極管求指教什么型號(hào)的鍺管，什么封裝，最好是0603的封裝。謝謝了

2019-04-23 04:18:08

鍺化硅工藝在高速通信領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT(異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅(SiGe)工藝

2019-07-30 07:56:50

鍺化硅有什么特性和應(yīng)用

　　鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，尤其在新一代移動(dòng)設(shè)備中，是良好的高功率放大器，例如：下變頻

2019-05-28 06:06:21

高頻管與低頻管的判別方法資料分享

高頻管和低頻管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。因此，如果管子的型號(hào)看不清，或一時(shí)找不到該管子的有關(guān)資料，可以利用萬(wàn)用表來(lái)快速判別它是高頻管還是低頻管。判別方法為：首先用萬(wàn)用表測(cè)量三極管發(fā)射極

2021-05-13 06:44:35

三極管的作用和分類

（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N是負(fù)極的意思（代表英文中Negative），N型半導(dǎo)體在

2018-10-18 15:41:55

三極管簡(jiǎn)介

①三極管簡(jiǎn)介：三極管是一種很常用的控制和驅(qū)動(dòng)器件，常用的三極管根據(jù)材料分有硅管和鍺管兩種，原理相同，壓降略有不同，硅管用的較普遍，而鍺管應(yīng)用較少。三極管有 2 種類型，分別是 PNP 型和 NPN

2021-11-09 06:10:21

中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法相關(guān)資料分享

、3-三極管第二部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí)：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí)：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料

2021-05-25 08:01:53

二三極管基本知識(shí)介紹

小功率晶體管 )、3AX31(低頻小功率鍺管)等，它們的型號(hào)也都印在金屬的外殼上。我國(guó)生產(chǎn)的晶體管有一套命名規(guī)則，電子工程技術(shù)人員和電子愛好者應(yīng)該了解三極管符號(hào)的含義。　　符號(hào)的第一部分“3”表示

2013-04-06 12:19:25

二極管的特性和機(jī)構(gòu)

屬與鍺結(jié)合構(gòu)成PN結(jié)，并做出相應(yīng)的電極引線，外加管殼密封而成，如圖 2.7所示。由于點(diǎn)接觸型二極管金屬絲很細(xì)，形成的PN結(jié)面積很小，所以，也不能承受高的反向電壓和大的電流。這種類型的管子適于做高頻

2015-11-27 18:01:44

二極管的結(jié)構(gòu)

凌訊二極管是晶體二極管的簡(jiǎn)稱，也叫半導(dǎo)體二極管，用半導(dǎo)體單晶材料（主要是鍺和硅）制成，是半導(dǎo)體器件中最基本的一種器件，是一種具有單方向?qū)щ娞匦缘臒o(wú)源半導(dǎo)體器件。晶體二極管由一個(gè)PN結(jié)加兩個(gè)引線電極

2016-04-11 14:11:02

二級(jí)管的應(yīng)用領(lǐng)域

的主要作用是把高頻信號(hào)中的低頻信號(hào)檢出。它們的結(jié)構(gòu)為點(diǎn)接觸型。其結(jié)電容較小，工作頻率較高，一般都采用鍺材料制成?！　?.阻尼　　阻尼二極管多用在高頻電壓電路中，能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流

2020-12-25 14:41:46

關(guān)于鍺的SILVACO仿真程序

關(guān)于鍺的SILVACO仿真程序?yàn)槭参覍⑾旅娴墓钃Q成鍺之后，程序就一直停留在solvevdrain=0.05，只有將其值改為0，并將后一句刪除才會(huì)有輸出，但輸出并不好。求一個(gè)關(guān)于鍺的SILVACO仿真

2015-03-10 10:21:31

半導(dǎo)體三極管參數(shù)符號(hào)及基礎(chǔ)知識(shí)

用的有三極管和二極管兩種。三極管以符號(hào)BG（舊）或（T）表示，二極管以D表示。按制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國(guó)產(chǎn)管用xxx

2008-06-07 13:21:40

半導(dǎo)體二極管的構(gòu)造分類法

是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后，再通過(guò)電流法而形成的。因此，其PN結(jié)的靜電容量小，適用于高頻電路。但是，與面結(jié)型相比較，點(diǎn)接觸型二極管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大電流和整流

2015-11-27 18:09:05

半導(dǎo)體命名方法相關(guān)資料推薦

、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào) 第五部分：用漢語(yǔ)拼音字母表示規(guī)格號(hào) 例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管觸日本半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法二、日本生產(chǎn)的半導(dǎo)體分立器件

2021-05-25 07:46:36

半導(dǎo)體器件三極管相關(guān)資料下載

。實(shí)際上箭頭所指的方向是電流的方向。電子制作中常用的三極管有90××系列，包括低頻小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪聲管9014（NPN），高頻小功率管9018（NPN）等。它們

2021-05-25 07:02:13

場(chǎng)效應(yīng)管是一種什么元件而晶體管是什么元件

代表二極管。第二位代表材料和極性。A代表PNP型鍺材料；B代表NPN型鍺材料；C為PNP型硅材料；D為NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低頻小功率管；D代表低頻大功率管；G代表高頻小功率管；A

2012-07-11 11:36:52

如何區(qū)分硅二極管和鍺二極管？

許多不同類型的二極管可供選擇。大多數(shù)早期的二極管都是由鍺單晶制成的。后來(lái)，隨著硅材料的解決和制造工藝，硅管得到了開發(fā)和推廣。以下是區(qū)分硅（Si）二極管和鍺（Ge）二極管的方法。I. 電路特性：硅管與鍺

2023-02-07 15:59:32

常用晶體管的高頻與低頻型號(hào)是什么？

晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？

2017-10-11 23:53:40

教你如何分辨晶體三極管的種類

0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發(fā)射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號(hào)有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關(guān)管、3AD

2018-01-18 10:07:56

晶體三極管與MOSFET的講解，嶄新視角，讓你徹底搞懂三極管與mos管電路設(shè)計(jì)知識(shí)，絕對(duì)的經(jīng)典，錯(cuò)過(guò)不再有

使用頻率分：低頻管、高頻管大功率管 > 1 W1. 直流參數(shù)（1 ）夾斷電壓U p（2 ）飽和漏極電流I DSS（3 ）開啟電壓U T（4 ）直流輸入電阻R GSFET BJT電壓控制器件電流

2021-03-15 16:32:25

晶體三極管的種類

～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極管在發(fā)射極和基極之間只有0.2～0.3V的電壓，晶體管就開始工作。常用型號(hào)有：3AX系列的鍺低頻管、3AG系列的鍺高頻管、3AK系列的鍺開關(guān)管、3AD系列

2018-01-31 10:14:10

電子元件檢驗(yàn)之晶體管

三極管※三極管分類1)按材料和極性分有硅/鍺材料的NPN與PNP三極管?！?)按功率分有小功率三極管、中功率三極管、大功率三極管。3)按用途分有高、中頻放大管、低頻放大管、低噪聲放大管、光電管、開關(guān)管

2017-04-06 11:16:47

電子元器件基礎(chǔ)知識(shí)—二極管

二極管(Diode)：電子學(xué)符號(hào)DA、從封裝材料分：玻璃二極管、塑封二極管；B、從半導(dǎo)體材分：鍺材質(zhì)二極管、硅材質(zhì)二極管；從功能分：開關(guān)二極管、整流二極管、發(fā)光二極管;C、不同的半導(dǎo)體材料特性

2018-07-10 10:08:11

硅鍺直接調(diào)制器HMC497LP4的特性是什么？應(yīng)用電路設(shè)計(jì)方法是什么？

本文介紹的寬動(dòng)態(tài)范圍硅鍺直接調(diào)制器HMC497LP4 及其應(yīng)用電路設(shè)計(jì)方法能幫助工程師設(shè)計(jì)出滿足多頻段應(yīng)用的寬動(dòng)態(tài)范圍直接調(diào)制器。

2021-04-21 06:11:59

請(qǐng)問(wèn)什么型號(hào)的鍺三極管可以替代2N3096三極管？

1、硅三極管導(dǎo)通電壓是0.7V，鍺三極管導(dǎo)通電壓0.2-0.3V，請(qǐng)問(wèn)什么型號(hào)的鍺三極管可以代替硅三極管2N3096，實(shí)現(xiàn)放大？

2019-02-25 16:02:30

3AX31 pdf datasheet (低頻小功率三極管)

三極管由于其特性不同，可選為低頻管、高頻管、開關(guān)管等。從材料來(lái)看，用途最廣泛的有鍺管和硅管兩類。3AX系列屬鍺管、低頻管一類。通常用于低頻放大電路中，下為3AX31技術(shù)性

2008-12-21 17:06:12

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低頻小功率三極管3AX31

低頻小功率三極管3AX31三極管由于其特性不同，可選為低頻管、高頻管、開關(guān)管等。從材料來(lái)看，用途最廣泛的有鍺管和硅管兩類。3AX系列屬鍺管、低頻管一類。通常

2009-11-12 13:41:51

kEYSIGHT 81623B 鍺光功率探頭

81623B 鍺光功率探頭關(guān)鍵性能技術(shù)指標(biāo)寬波長(zhǎng)范圍：750 – 1800 nm經(jīng)濟(jì)型鍺探測(cè)器：建議為 850 nm5 mm 直徑探測(cè)器適用于 NA 至 0.3 和敞束型光纖特殊校準(zhǔn)選項(xiàng)：±2.5

2024-04-08 09:13:22

高頻管和低頻管的判別

　高頻管和低頻管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。 ?這里介紹如何用萬(wàn)用表來(lái)快速判別

2006-04-16 18:56:01

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硅管、鍺管的判別

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向

2006-04-17 21:40:44

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鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用

鍺化硅（SiGe）技術(shù)在測(cè)試技術(shù)中的應(yīng)用鍺化硅技術(shù)(Silicon germanium)從20世紀(jì)80年代問(wèn)世以來(lái)，是一種高于普通硅器件的高頻半導(dǎo)體材料，應(yīng)

2008-11-26 21:20:43

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使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測(cè)試振蕩器

使用鍺雙極型PNP晶體管并帶又獨(dú)立二極管檢波的陷流測(cè)試振蕩器電路圖

2009-03-29 09:35:26

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鍺檢波二極管的特性參數(shù)

鍺檢波二極管的特性參數(shù) ①正向電壓降VF: 檢波二極管通過(guò)額定正向電流時(shí)，在極間產(chǎn)生的電壓降。②額定正向電流lF: 在規(guī)定的使用條件下，允許通過(guò)的最大工作電

2009-08-22 15:34:07

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巧制穩(wěn)壓管

巧制穩(wěn)壓管電子愛好者手頭不可能擁有各種規(guī)格的穩(wěn)壓器，如何滿足自己在業(yè)余

2009-09-04 16:52:04

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巧制光敏三極管

巧制光敏三極管廉價(jià)的小功率硅三極管3DG6，可以制作成實(shí)用的光敏

2009-09-04 17:23:59

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鍺點(diǎn)接觸普通二極管特性的研究

鍺點(diǎn)接觸普通二極管特性的研究儀器　　2AP型晶體二極管一只；J1201型低壓電源；J2354

2009-10-13 15:08:03

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晶體管分類

晶體管分類按半導(dǎo)體材料和極性分類　　按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體

2009-11-05 10:48:53

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電池材料之鍺硅固溶體

電池材料之鍺硅固溶體由鍺和硅兩種元素形成的溶解度無(wú)限的替位固溶體。又稱

2009-11-09 09:48:52

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硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異

硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異 1）硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多，鍺管為mA級(jí)，硅管為nA級(jí)。這是因?yàn)樵谙嗤瑴囟认?b class="flag-6" style="color: red">鍺的ni比硅的ni要

2009-11-13 09:23:27

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三極管種類和三極管的種類分法

三極管種類和三極管的種類分法 a.按材質(zhì)分三極管種類有: 硅管、鍺管 b.按結(jié)構(gòu)分三極管的種類有: NPN 、 PNP c.按功能分三極管種類

2009-12-03 10:56:17

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鍺,鍺是什么意思

鍺,鍺是什么意思鍺，原子序數(shù)32，原子量72.61。1871年門捷列夫根據(jù)新排出的周期表預(yù)言了鍺的存在和性質(zhì)。1886年德國(guó)化學(xué)家溫克勒爾從（Winkler,C.A.1

2010-03-04 11:56:20

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隧道二極管與晶體管的組合使用

隧道二極管與晶體管的組合使用國(guó)產(chǎn)的隧道二極管全都是鍺材料做成的，其峰值電壓約為0.25伏左右，若這種鍺的遂道二極管要與硅晶體管并聯(lián)使用時(shí)，則遂道二極管BG2要串

2010-03-29 22:45:43

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晶體管的檢測(cè)經(jīng)驗(yàn)的分享

（一）晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號(hào)命名上識(shí)別其材料與極性國(guó)產(chǎn)晶體管型號(hào)命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中，A代表鍺材料PNP型管，B代表鍺

2012-07-23 15:38:00

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硅管、鍺管的判別

硅管、鍺管的判別，感興趣的小伙伴們可以看看。

2016-08-22 17:06:03

高頻管和低頻管的判別

高頻管和低頻管的判別，感興趣的小伙伴們可以看看。

2016-08-22 17:06:03

1n4148是硅管還是鍺管_硅管和鍺管的區(qū)別

1N4148是一種小型的高速開關(guān)二極管，開關(guān)比較迅速，廣泛用于信號(hào)頻率較高的電路進(jìn)行單向?qū)ǜ綦x，通訊、電腦板、電視機(jī)電路及工業(yè)控制電路用一個(gè)普通萬(wàn)用表就可以測(cè)試。一般硅管正向電阻

2017-10-31 17:02:44

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為什么 CPU 只用硅做，而不用能耗更低的鍺做？

CPU就是在一張硅片上，刻幾百萬(wàn)個(gè)晶體二極管。但是在很早之前，晶體管一直是用鍺做的。

2018-03-06 17:25:55

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淺談檢波二極管原理和選用技巧

如何選用檢波二極管檢波二極管在電子電路中用來(lái)把調(diào)制在高頻電磁波上的低頻信號(hào)（如音頻信號(hào)）檢出來(lái)。一般高頻檢波電路選用鍺點(diǎn)接觸型檢波二極管。它的結(jié)電容小，反向電流小，工作頻率高。選用檢波二極管時(shí)，要選擇工作頻率滿足要求，結(jié)電容小，反向電流小的二極管均可，但主要考慮的是工作頻率。

2018-06-13 08:57:00

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晶體三極管放大原理詳解晶體三極管放大電路

晶體三極管（以下簡(jiǎn)稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。

2018-08-15 16:15:30

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三極管制作來(lái)復(fù)再生式收音機(jī)

鍺三極管和硅三極管一樣，也有高頻管低頻管、大功率中功率小功率管之分。現(xiàn)在來(lái)說(shuō)一下如何用一支高頻鍺管3AG1來(lái)制作一個(gè)來(lái)復(fù)再生式單管收音機(jī)。

2019-08-14 17:01:33

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PNP三極管分析方法

晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結(jié)構(gòu)形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，

2019-09-05 09:23:54

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半導(dǎo)體器件型號(hào)的命名方法和半導(dǎo)體二極管參數(shù)符號(hào)及其意義說(shuō)明

一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分（場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分）組成。五個(gè)部分意義如下：第一部分：用數(shù)字

2019-10-04 09:25:00

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鍺二極管的死區(qū)電壓_鍺二極管與硅二極管有何差別

鍺二極管就是用鍺材料制作的二極管。幾乎在所有的電子電路中，都要用到半導(dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。

2019-10-09 10:07:34

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萬(wàn)用表如何區(qū)分硅二極管與鍺二極管

將萬(wàn)用表?yè)艿絉X100或RX1K檔位，測(cè)量二極管的正向?qū)娮?，根?jù)表頭指針的偏轉(zhuǎn)角度來(lái)判斷。如果指針都指示在中間或者中間偏右的位置，表明該二極管為硅管，如果指針偏到靠近0歐姆的位置，表明該二極管是鍺管。

2019-10-09 10:12:35

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PNP三極管在電路中有什么作用

晶體三極管分為PNP和NPN兩種。由于工藝和材料上的原因，鍺管是PNP的天下，鍺管中的NPN型規(guī)格少成本高性能差；硅管是NPN的天下，同樣硅管中的PNP型總體水平也要劣于NPN型。所以在設(shè)計(jì)鍺管電路要以PNP為主，硅管電路要以NPN為主。

2020-02-20 20:48:24

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指針萬(wàn)用表：分辨高頻管和低頻管

三極管是高頻管還是低頻管可以查閱手冊(cè)得知，如果有專業(yè)儀器則可以在測(cè)量中看出。如果這兩方法都辦不到又不知三極管參數(shù)，也可以用指針式萬(wàn)用表做一個(gè)簡(jiǎn)單判斷。這里以500型萬(wàn)用表為例，介紹利用萬(wàn)用表測(cè)試區(qū)分高頻管和低頻管的辦法。

2020-06-17 17:57:02

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如何使用萬(wàn)用表來(lái)判斷晶體管是硅管還是鍺管

硅管和鍺管在特性上有很大不同，使用時(shí)應(yīng)加以區(qū)別。我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。利用這一特性就可以用萬(wàn)用表來(lái)判別一只晶體管是硅管還是鍺管。

2020-06-30 17:54:00

鍺化硅工藝在高速通信領(lǐng)域有什么樣的應(yīng)用

硅技術(shù)的迅猛發(fā)展使工程師們能夠設(shè)計(jì)和創(chuàng)建出新型電路，這些電路的速度和性能以前只有用基于GaAs和InP的HBT（異質(zhì)結(jié)雙極晶體管）和PHEMT技術(shù)才能達(dá)到，電路的核心就是鍺化硅（SiGe）工藝

2020-09-08 10:47:00

BFP640 NPN硅鍺射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是BFP640 NPN硅鍺射頻晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載。

2020-07-17 08:00:00

中紅外光子集成電路的新型鍺波導(dǎo)平臺(tái)

我們通過(guò)晶片鍵合制備了具有2微米厚的掩埋氧化物層(BOX)的GeOI晶片。利用鍺晶片制作了鍺脊波導(dǎo)。鍺肋波導(dǎo)對(duì)2個(gè)微米波長(zhǎng)是透明的，傳播損耗為1.4分貝/毫米，這可能是由側(cè)壁散射引起的。

2021-12-16 13:40:56

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鍺對(duì)氮化硅中紅外集成光子學(xué)的波導(dǎo)

在中紅外波長(zhǎng)下，演示了一種具有大纖芯-包層指數(shù)對(duì)比度的鍺基平臺(tái)——氮化硅鍺波導(dǎo)。仿真驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)的可行性。這種結(jié)構(gòu)是通過(guò)首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片鍵合到硅襯底晶片上，然后通過(guò)層轉(zhuǎn)移方法獲得氮化硅上鍺結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)可擴(kuò)展到所有晶片尺寸。

2021-12-16 17:37:57

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鍺基襯底抗蝕劑剝離工藝研究

具有高k柵極電介質(zhì)的鍺和絕緣體上鍺(GeOI)MOSFET由于鍺比硅具有更好的載流子傳輸特性，最近受到了先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)注。對(duì)于Ge或GeOI CMOS，必須確定Ge專用的抗蝕劑剝離工藝，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">鍺

2022-05-25 16:43:16

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紅外波段的硅基鍺錫探測(cè)器

硅基襯底上外延鍺錫薄膜存在晶格失配和錫易分凝等難題，高質(zhì)量高錫組分鍺錫外延難度非常高。團(tuán)隊(duì)成員鄭軍副研究員長(zhǎng)期聚焦鍺錫光電子材料與器件研究工作。深入研究高錫組分鍺錫材料生長(zhǎng)機(jī)理和器件物理，解決了高錫組分鍺錫的應(yīng)變馳豫和錫分凝難題，制備出3dB帶寬3GHz

2022-07-10 11:31:46

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鍺二極管的死區(qū)電壓是多少_常用鍺二極管型號(hào)

鍺二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.2V不到，一般導(dǎo)通后的壓降按0.2V計(jì)算; 硅材料二極管的正向?qū)ㄋ绤^(qū)電壓約為0.6V，通后的壓降按0.7V計(jì)算。

2023-02-11 14:05:50

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什么是鍺二極管和鍺二極管的死區(qū)電壓

鍺二極管和硅二極管的主要區(qū)別在于其特性參數(shù)不同，鍺二極管的放大增益更高，但其截止頻率更低，而硅二極管的放大增益更低，但其截止頻率更高。

2023-02-19 16:12:46

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晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和伏安特性

今天為大家介紹晶體管由兩個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，分為NPN型和PNP型兩類，根據(jù)使用材料的不同，將晶體管分為NPN型鍺管和NPN型硅管，PNP型鍺管和PNP型硅管。

2023-06-03 09:29:11

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鍺二極管常見型號(hào) 如何判斷二極管是鍺管還是硅管

鍺二極管（Germanium diode）的死區(qū)電壓約為0.2V至0.3V之間。在低電壓下，鍺二極管會(huì)呈現(xiàn)較高的電流流動(dòng)特性，但一旦電壓超過(guò)了死區(qū)電壓，鍺二極管將會(huì)變?yōu)樽钄酄顟B(tài)，電流幾乎不再通過(guò)。

2023-07-04 16:04:52

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鍺二極管型號(hào)及參數(shù) 硅管和鍺管有什么區(qū)別

具體的鍺二極管參數(shù)可能會(huì)因不同的制造商和型號(hào)而有所差異。在選擇和使用鍺二極管時(shí)，建議參考具體型號(hào)的規(guī)格表，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的參數(shù)。

2023-07-04 16:32:47

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商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對(duì)鎵、鍺相關(guān)物限制出口

該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長(zhǎng)襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物項(xiàng)的出口許可要求。

2023-07-04 17:21:35

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鎵、鍺作為半導(dǎo)體材料有什么用途？

眾所周知，鎵、鍺是半導(dǎo)體應(yīng)用中非常重要的材料。

2023-07-06 10:05:19

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芯片制造主要用硅，為什么管制鎵和鍺的出口？

鎵和鍺是構(gòu)成半導(dǎo)體的重要材料，也是芯片制造的關(guān)鍵元素。其中氮化鎵（GaN）化合物可用于手機(jī)、電腦的LED顯示屏，也廣泛用于照明、電源、通信等領(lǐng)域。而鍺主要用于光纖通信、夜視鏡和衛(wèi)星上的太陽(yáng)能電池。此外硅鍺（SiGe）是一種重要的半導(dǎo)體應(yīng)變材料，可大大提高晶體管的速度，在高速芯片中有著廣泛應(yīng)用。

2023-07-06 10:19:08

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限制出口的鎵和鍺有何重要性？

鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關(guān)鍵礦產(chǎn)，已被列入國(guó)家戰(zhàn)略性礦產(chǎn)名錄。中國(guó)在鎵和鍺的儲(chǔ)量和出口方面都處于全球領(lǐng)先地位。

2023-07-10 15:35:10

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鎵、鍺元素為何會(huì)影響整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域？

中國(guó)對(duì)鎵、鍺實(shí)施出口管制，短期內(nèi)會(huì)引起全球鎵、鍺的備貨潮，遭到相關(guān)企業(yè)瘋搶，推動(dòng)相關(guān)海外產(chǎn)品價(jià)格大幅上漲，國(guó)外企業(yè)AXT股價(jià)已大幅下跌。

2023-07-13 09:26:26

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氫空位簇對(duì)鍺烷電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控以及鍺烷中分子摻雜的影響

2013年， Bianco等通過(guò)CaGe2拓?fù)浠瘜W(xué)剝離的方法，首次在實(shí)驗(yàn)上合成了具有較高熱穩(wěn)定性和抗氧化性的單層鍺烷。

2023-08-24 16:15:14

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二極管如何區(qū)分硅管和鍺管

硅管由硅元素構(gòu)成，它的PN結(jié)電壓通常比鍺管高很多，為0.7伏（標(biāo)準(zhǔn)反向電壓）。硅管的熱穩(wěn)定性比鍺管好，即在高溫下仍能正常工作。硅管的最大工作溫度為150℃左右，這也是其常見應(yīng)用的溫度范圍。硅管的開關(guān)速度較快，出現(xiàn)的噪音非常小，是電子產(chǎn)品中最流行的二極管之一。

2023-08-26 09:47:57

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怎么判斷二極管是硅還是鍺

首先，可以通過(guò)觀察二極管的標(biāo)識(shí)來(lái)判斷其材質(zhì)是硅還是鍺。通常，二極管上會(huì)印有序列號(hào)、型號(hào)等標(biāo)識(shí)，同時(shí)也會(huì)標(biāo)明材質(zhì)“Silicon”或“Ge”。在判斷二極管的材質(zhì)時(shí)，可以通過(guò)觀察標(biāo)識(shí)來(lái)快速判斷其材質(zhì)。

2023-08-26 09:48:58

6190

為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大？

為什么硅二極管的死區(qū)電壓比鍺二極管的死區(qū)電壓大？? 硅二極管和鍺二極管是電子學(xué)中非常常見的兩種二極管。二極管的死區(qū)電壓是指當(dāng)二極管處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，為了使其在逆向方向上有所響應(yīng)，所需的外部驅(qū)動(dòng)電壓

2023-09-17 09:57:13

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高頻三極管的用途和低頻三極管的區(qū)分

高頻三極管和低頻三極管的選擇取決于應(yīng)用的具體需求。高頻三極管的設(shè)計(jì)和制造要求更為嚴(yán)格，以確保在高頻率下的性能不受影響。在設(shè)計(jì)高頻電路時(shí)，除了選擇合適的三極管外，還需要考慮電路板設(shè)計(jì)、元件布局和信號(hào)完整性等因素。

2024-02-22 14:36:20

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通信——通過(guò)表面電荷操縱控制鍺的蝕刻

計(jì)算領(lǐng)域的潛在基礎(chǔ)材料。超薄二極管器件的制造需要去除用于同質(zhì)外延生長(zhǎng)的襯底。對(duì)于硅來(lái)說(shuō)，這一任務(wù)通常通過(guò)選擇性蝕刻來(lái)實(shí)現(xiàn)。然而，對(duì)于鍺來(lái)說(shuō)，由于與硅相比在化學(xué)和氧化行為上的根本差異，需要新的蝕刻技術(shù)。蝕刻由

2024-04-25 12:51:46

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硅二極管和鍺二極管的區(qū)別

硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和一些電氣特性。引言在電子工程領(lǐng)域，二極管是一種基礎(chǔ)且重要的元件，它允許電流單向

2024-10-14 15:54:38

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硅二極管的反向飽和電流比鍺二極管大嗎

硅二極管和鍺二極管是兩種常見的半導(dǎo)體二極管，它們?cè)陔娮与娐分杏兄鴱V泛的應(yīng)用。這兩種二極管的主要區(qū)別在于它們的材料和特性，包括反向飽和電流。 1. 二極管的基本原理二極管是一種只允許電流單向流動(dòng)

2024-10-14 16:30:06

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硅二極管和鍺二極管的區(qū)別是什么

半導(dǎo)體器件的主要材料。硅的能隙（Eg）約為1.12電子伏特（eV），這使得它在室溫下具有較高的熱穩(wěn)定性。硅二極管通常用于高頻和高功率應(yīng)用。鍺（Ge）：鍺是一種稀有金屬，其儲(chǔ)量比硅少。鍺的能隙（Eg）約為0.67電子伏特（eV），這使得

2024-11-18 09:17:59

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硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅(SOI)的介紹

本文介紹硅鍺材料、硅退火片和絕緣體上硅（SOI）硅鍺（SiGe/Si）材料硅鍺（SiGe/Si）材料，作為近十年來(lái)硅基材料的新發(fā)展，通過(guò)在硅襯底上生長(zhǎng)硅鍺合金外延層而制得。這種材料在多個(gè)領(lǐng)域

2024-12-24 09:44:12

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巧分高頻鍺管與低頻鍺管的方法

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