TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù),EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流,進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無(wú)功發(fā)生器
2022-05-30 15:10:15
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英飛凌科技股份公司近日宣布推出滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)的動(dòng)力總成和安全應(yīng)用的各種要求的全新32位多核單片機(jī)系列。
2012-05-22 09:33:13
4714 英飛凌科技股份有限公司擴(kuò)展其第叁代逆導(dǎo) (RC) 軟切換絕緣閘雙極性電晶體 (IGBT) 產(chǎn)品系列,推出 30A和40A電流的1200V 和1350V型產(chǎn)品,以因應(yīng)市場(chǎng)對(duì)高可靠性的持續(xù)需求。
2012-10-24 09:14:36
1485 英飛凌推出具備整合診斷功能的智慧型電源開(kāi)關(guān) 英飛凌科技股份有限公司針對(duì)24V 工業(yè)控制及自動(dòng)化應(yīng)用,推出第二代 ISOFACE電氣隔離8通道高壓側(cè)開(kāi)關(guān)。全新ISO2H823V 整合廣泛的診斷功能
2012-11-13 14:25:30
3437 英飛凌科技宣布推出采用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該器件專(zhuān)門(mén)針對(duì)分立式汽車(chē)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化,進(jìn)一步豐富了英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)分立式高壓器件的產(chǎn)品陣容。
2022-03-21 14:14:04
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IGBT英飛凌的模塊,用著怎么樣啊,求指導(dǎo)。
2018-04-17 15:27:54
與可控硅整流焊機(jī)相比省電多少IGBT逆變焊機(jī)與其他類(lèi)焊機(jī)的區(qū)別一、與可控硅整流焊機(jī)的區(qū)別 1、可控硅整流焊機(jī)是將50HZ的交流電整流成直流電輸出,通過(guò)改變可控硅的導(dǎo)通角來(lái)改變輸出大小,輸出波形..一
2012-07-09 14:14:57
目錄 IGBT和MOS管的區(qū)別:IGBT和可控硅的區(qū)別:IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì):1、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)2、IGBT驅(qū)動(dòng)器的選擇3、IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT和MOS管的區(qū)別: IIGBT
2021-09-09 08:05:31
二極管本器件采用了最新的半導(dǎo)體技術(shù)[1、2]:IGBT4和EmCon4二極管。英飛凌推出的全新1200V IGBT4系列,結(jié)合改進(jìn)型發(fā)射極控制二極管,針對(duì)高中低功率應(yīng)用提供了三款產(chǎn)品,可面向不同應(yīng)用滿(mǎn)足
2018-12-07 10:23:42
如圖所示,現(xiàn)在的問(wèn)題是IGBT的門(mén)極給的是15V驅(qū)動(dòng)電壓,Vce=27V,為什么導(dǎo)通之后負(fù)載對(duì)地的電壓只有9.7V,在IGBT上的壓降很大,怎么才能解決這個(gè)問(wèn)題
2016-10-16 17:07:46
二極管和IGBT在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)輪流進(jìn)行導(dǎo)通?! ?、逆變?nèi)珮蛲負(fù)涮匦浴 ♂槍?duì)逆變拓?fù)浞治鍪紫刃枰J(rèn)定以下幾個(gè)特性: 特性一:由于50Hz頻率內(nèi)的正負(fù)周期對(duì)稱(chēng)性,認(rèn)為上下開(kāi)關(guān)管的熱模型一致,電壓和電流導(dǎo)致
2023-02-24 16:47:34
`可控硅是指可控什么呢?控制電流還是電壓?IGBT是可控硅嗎?可控硅和一般橋式整流器有什么區(qū)別?`
2011-08-13 17:08:12
我在做軟開(kāi)關(guān),使用的是英飛凌IGBT:BSM150GB60DLC,在大負(fù)載時(shí)驅(qū)動(dòng)波形會(huì)有振蕩現(xiàn)象,有個(gè)別大神說(shuō)可能是IGBT問(wèn)題,有用過(guò)這個(gè)信號(hào)的大神嗎?這個(gè)管子怎么樣?
2019-03-14 16:50:48
英飛凌IGBT參數(shù)中文版搞電源變頻器電焊機(jī) 必備資料
2019-02-09 21:33:19
[tr][td]英飛凌IGBT應(yīng)用常見(jiàn)問(wèn)題解答1.IGBT模塊適用于哪些產(chǎn)品?2.Easy系列模塊電壓/電流/功率范圍?3.Easy系列有哪幾種封裝?........總共23個(gè)問(wèn)題,,已經(jīng)有此資料
2018-12-13 17:16:13
山東等地大量回收IGBT模塊電話151-5220-9946微信同步QQ2360670759山東地區(qū)回收IGBT模塊,公司專(zhuān)業(yè)回收西門(mén)康模塊,求購(gòu)英飛凌模塊,大量回收富士模塊,高價(jià)回收三菱模塊,功率
2021-09-12 18:03:24
并且開(kāi)關(guān)速度快的IGBT,英飛凌公司開(kāi)發(fā)的第四代IGBT—T4能很好地滿(mǎn)足這一要求,本文主要介紹T4芯片及其在軟開(kāi)關(guān)逆變焊機(jī)中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞:IGBT, T4, 軟開(kāi)關(guān),逆變焊機(jī) 中圖分類(lèi)號(hào)
2018-12-03 13:47:57
ASIC芯片SCALE和SCALE-2技術(shù): 脈沖變壓器和DC/DC技術(shù): CONCEPT產(chǎn)品概覽- 內(nèi)置SCALE和SCALE-2芯片集的IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)內(nèi)核即插即用型內(nèi)置SCALE
2018-12-14 09:45:02
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
常見(jiàn)的逆變焊機(jī)有mos管逆變焊機(jī),igbt逆變焊機(jī),可控硅逆變焊機(jī)等等。可控硅焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)使用可控硅的電焊機(jī),(因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">可控硅逆
2012-07-09 14:12:10
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯
常見(jiàn)的逆變焊機(jī)有mos管逆變焊機(jī),igbt逆變焊機(jī),可控硅逆變焊機(jī)等等。可控硅焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)使用可控硅的電焊機(jī),(因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">可控硅逆
2012-07-09 10:21:16
都很高,同時(shí)芯片邊緣由于晶格損傷和應(yīng)力會(huì)引起較大的漏電流,所以普通IGBT不具備反向阻斷能力(一般只有40V左右)?! ?b class="flag-6" style="color: red">逆阻型絕緣柵雙極型晶體管(RB-IGBT)是一種新型的IGBT器件,它是將
2020-12-11 16:54:35
山東省IGBT模塊回收濟(jì)南市回收可控硅太倉(cāng)南通江蘇黃山回收英飛凌三菱富士安川IGBT模塊 電話151-5220-9946 QQ 2360670759南京回收富士IGBT模塊/英飛凌可控硅/ 三菱
2021-12-02 17:55:00
供應(yīng)英飛凌的模塊,IGBT,***
2017-06-06 18:09:32
大量回收INFINEON英飛凌IGBT模塊 收購(gòu)INFINEON英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 23606570759 ,本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個(gè)人剩余IGBT模塊,回收項(xiàng)目多余IGBT,回收全新IGBT,收購(gòu)全部
2021-12-12 17:47:34
請(qǐng)教大家一個(gè)問(wèn)題:最近在做一個(gè)200kVA的變頻電源項(xiàng)目,輸入380V。前級(jí)是不可控整流,后級(jí)用1000A的IGBT組成三相逆變橋,IGBT的緩沖電路選用RCD放電阻止型緩沖電路,但是不知道緩沖電路中的電容和快恢復(fù)二極管的耐壓選擇多大,求指點(diǎn)。
2015-01-21 10:50:55
空穴阻擋層。目前量產(chǎn)的CSTBT將Trench、空穴阻擋層、LPT、透明集電極等多種技術(shù)結(jié)合在一起,如圖 13所示,性能不亞于英飛凌的IGBT4。圖 13 CSTBT的結(jié)構(gòu)5.4 逆倒型
2015-12-24 18:23:36
回收英飛凌IGBT模塊回收三菱IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收西門(mén)康IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ2360670759回收歐派克IGBT模塊回收IR IGBT模塊回收東芝
2021-03-01 15:10:19
、IPM、PIM、可控硅,整流橋模塊,快恢復(fù)二極管,場(chǎng)效應(yīng)及驅(qū)動(dòng)電路.品牌三菱安徽省回收IGBT模塊,合肥高價(jià)回收IGBT模塊,蕪湖收購(gòu)英飛凌IGBT模塊,回收IPM模塊,滁州收購(gòu)西門(mén)康IGBT模塊
2021-03-08 17:19:22
來(lái)電報(bào)單 電子**現(xiàn)金高價(jià)收購(gòu)廠家、,原裝外殼長(zhǎng)期收購(gòu)全新三墾igbt模塊回收長(zhǎng)期,收購(gòu),回收 IGBT模塊回收英飛凌模塊回收嘉善回收IGBT模塊,回收西門(mén)康模塊收購(gòu)可控硅西門(mén)康模塊回收,長(zhǎng)期,高價(jià),現(xiàn)金
2022-01-01 19:06:43
IGBT模塊、英飛凌、西門(mén)康、富士、三菱-天津高價(jià)收購(gòu)IGBT模塊系列專(zhuān)業(yè)回收igbt模塊、三菱igbt模塊、Igbt模塊、英飛凌IGBT模塊、富士模塊、西門(mén)康模塊、可控硅模塊、斯達(dá)IGBT模塊回收,行業(yè)內(nèi)高價(jià)回收IGBT模塊,
2021-01-09 18:20:52
安森美半導(dǎo)新推出高效低能耗Wi-Fi芯片組
2021-01-07 07:39:27
高價(jià)回收三菱IGBT模塊,回收變頻器模塊,回收英飛凌模塊IGBT,回收IGBT模塊可控硅模塊,回收晶閘管模塊 回收低壓熔斷器回收西門(mén)康IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收伺服驅(qū)動(dòng)電機(jī)
2022-02-16 18:26:16
長(zhǎng)期全國(guó)求購(gòu)igb模塊_回收igb模塊價(jià)格_長(zhǎng)期收購(gòu)全新求購(gòu)回收東芝IGBT|IGBT模塊|英飛凌回收 IGBT模塊回收 西門(mén)康模塊回收 英飛凌模塊回收 回收模塊,回收IGBT模塊,回收西門(mén)康模塊
2022-02-14 17:37:08
手機(jī)配件, 回收英飛凌IGBT模塊,回收功率模塊,回收IGBT模塊、IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品,具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:51:05
山東省長(zhǎng)期上門(mén)收購(gòu)英飛凌IGBT模塊富士IGBT模塊日 匯灃科技工控自動(dòng)化公司提供全國(guó)高價(jià)回收IGBT模塊長(zhǎng)期大量回收二手IGBT模塊,包括三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2022-02-14 17:34:35
專(zhuān)業(yè)回收,觸控屏,變頻器,AB模塊。新舊不限,大量上門(mén)回收IGBT模塊,或個(gè)人滯留,或工程剩余模塊要處理的主營(yíng)產(chǎn)品:常年回收igbt功率模塊,電源模塊,可控硅模塊,ipm功率模塊,gtr達(dá)林頓模塊
2021-03-04 13:57:12
回收富士模塊高價(jià)回收三菱IGBT模塊,回收變頻器模塊,回收英飛凌模塊IGBT,回收IGBT模塊可控硅模塊,回收晶閘管模塊 回收低壓熔斷器回收西門(mén)康IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收伺服驅(qū)動(dòng)電機(jī)電話151-5220-9946江工QQ2360670759
2021-05-17 19:54:53
本文從精簡(jiǎn)結(jié)構(gòu),同時(shí)兼顧精度的角度出發(fā),提出一種基于時(shí)間測(cè)量芯片TDC-GP2來(lái)精確測(cè)量IGBT導(dǎo)通延遲時(shí)間系統(tǒng),用于測(cè)量IGBT的導(dǎo)通延遲時(shí)間,實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單且成本低的一種較為理想的測(cè)量方案。
2021-05-14 06:07:09
IGBT模塊回收德國(guó)英飛凌模塊回收歐派克模塊回收EUPEC模塊 回收可控硅回收整流橋回收韓國(guó)LS模塊回收逆變焊機(jī)模塊回收大封裝IGBT小封裝IGBT模塊回收西門(mén)康(賽米控)IGBT回收SEMIKRON功率
2022-01-04 20:52:15
高價(jià)收購(gòu)各種型號(hào)的英飛凌IGBT模塊: 高價(jià)收購(gòu)英飛凌IGBT模塊,收購(gòu)富士IGBT模塊,收購(gòu)西門(mén)康IGBT模塊,收購(gòu)斯達(dá)STARPOWER模塊,收購(gòu)MgnaCHip梅格納模塊,收購(gòu)MACMIC
2021-01-07 14:59:07
洛陽(yáng)回收富士IGBT價(jià)格 回收富士模塊 本公司長(zhǎng)期回收英飛凌IGBT,回收富士IGBT,回收三菱IGBT,回收功率模塊,回收個(gè)人剩余IGBT三菱IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,富士IGBT模塊
2021-09-16 14:19:49
高價(jià)回收三菱IGBT模塊,回收變頻器模塊,回收英飛凌模塊IGBT,回收IGBT模塊可控硅模塊,回收晶閘管模塊 回收低壓熔斷器回收西門(mén)康IGBT模塊回收富士IGBT模塊回收伺服驅(qū)動(dòng)電機(jī)電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-08 15:57:05
浙江地區(qū)回收INFINEON英飛凌IGBT模塊收購(gòu)INFINEON英飛凌IGBT模塊長(zhǎng)期大量回收IC,三極管,單片機(jī),IGBT模塊浙江安徽省回收三菱功率模塊,回收英飛凌二極管模塊,回收西門(mén)康可控
2021-02-24 17:06:50
(英飛凌IGBT回收)常年回收英飛凌IGBT賣(mài)高價(jià)請(qǐng)找我回收F4-FF400R1(英飛凌IGBT回收) 2KS4回收FZ3600R17KE3-S1回收西門(mén)子變頻器模塊回收IGBT單管(1單元)模塊FZ1200R16KF4回收infineon 英飛凌IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-09-25 18:53:15
長(zhǎng)期,收購(gòu),回收 IGBT模塊回收 英飛凌模塊回收 西門(mén)康模塊回收,長(zhǎng)期,高價(jià),現(xiàn)金,回收IGBT模塊,收購(gòu)英飛凌模塊, 收購(gòu),求購(gòu)西門(mén)康模塊電話151-5220-9946 微信同步 江工 業(yè)務(wù)分部
2022-01-05 19:33:45
,能夠大大改善功率損耗、EMC性能和成本效益。通常,變頻器中使用的IGBT采用雙芯封裝。英飛凌的新型逆導(dǎo)驅(qū)動(dòng)技術(shù)將二極管芯片集成在IGBT中(如圖2所示)。 圖2:IGBT發(fā)展而來(lái)的垂直結(jié)構(gòu) 單片集成
2018-12-03 13:44:37
各位老師你們好! 前段時(shí)間找某經(jīng)銷(xiāo)商買(mǎi)了一批英飛凌的IGBT模塊(3300V/400A,管子型號(hào)是FZ400R33KL2C);拿回來(lái)做雙脈沖測(cè)試發(fā)現(xiàn)管子的導(dǎo)通壓降特別大,在100A的時(shí)候導(dǎo)通壓降大約
2018-07-24 16:38:03
400A,1200V,共發(fā)射極,用于矩陣開(kāi)關(guān),雙向變換器等 62mm ?鹽城高價(jià)回收收購(gòu)英飛凌IGBT模塊FF225R12ME4 225A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?上海收購(gòu)
2021-09-17 19:23:57
電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力汽車(chē)、電磁感應(yīng)加熱和開(kāi)關(guān)模式電源等新興應(yīng)用的追求目標(biāo)。例如,將續(xù)流二極管集成至IGBT的晶元設(shè)計(jì)(圖1d),帶來(lái)了全新的逆導(dǎo)器件(RC-IGBT)。由于總體系統(tǒng)硅成本降低,這些器件成為
2018-12-03 13:47:00
價(jià)收購(gòu)英飛凌IGBT模塊回收各種品牌IGBT模塊151-5220-9946江工 大量回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝功率模塊QQ 2360670759現(xiàn)金回收拆機(jī)IGBT模塊 高價(jià)回收原裝IGBT
2020-08-07 14:07:29
高價(jià)大量上門(mén)回收英飛凌IGBT模塊(FF/FZ/BSM/F4系列IGBT模塊),功率可控硅,晶閘管,整流橋模塊(TT/TZ/TD/DT/TX系列模塊)專(zhuān)業(yè)焊機(jī)IGBT模塊,電機(jī)控制IGBT模塊,變頻器IGBT模塊電話151-5220-9946 QQ 2360670759
2021-12-16 16:49:08
本文探討了一種應(yīng)用于燃料電池發(fā)電系統(tǒng)的DC/DC 變換器,該DC/DC 變換器采用電流型結(jié)構(gòu)和逆阻型IGBT。分析了逆阻型IGBT 電流型DC/DC 變換電路的工作原理和參數(shù)設(shè)計(jì),介紹在燃料
2009-04-03 10:31:54
27 為了改善電流型PFC的性能,本文采用逆阻型IGBT而不是普通IGBT作為功率器件。在三相9kW的PFC樣機(jī)中,對(duì)逆阻型IGBT的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行了測(cè)試,測(cè)試結(jié)果顯示逆阻型IGBT具有較低的通
2009-10-16 09:01:14
38 FF100R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為電場(chǎng)終止(fieldstop
2023-01-10 11:29:08
FZ600R12KE4FZ600R12KE4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為電場(chǎng)
2023-01-12 11:28:56
英飛凌IGBT模塊FF150R17KE4FF150R12KS4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 09:50:06
英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3英飛凌IGBT模塊FF200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n
2023-02-07 09:58:53
FF300R17KE3 IGBT模塊FF300R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 10:50:02
FF450R17ME3英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT模塊是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 13:46:10
FF450R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-07 13:52:10
FZ400R17KE3 英飛凌IGBT模塊FZ400R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-07 14:31:30
FZ600R17KE3 IGBT模塊FZ600R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加
2023-02-07 14:36:09
FZ1200R17KE3FZ1200R17KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為
2023-02-07 14:38:49
英飛凌IGBT模塊FF200R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)附加層被稱(chēng)為電場(chǎng)終止
2023-02-24 14:45:08
FZ800R33KF2CIGBT模塊英飛凌FZ800R33KF2C是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層
2023-02-24 14:55:47
FF300R06KE3英飛凌igbt模塊FF300R06KE3是英飛凌EconoDUAL?系列IGBT模塊,具有溝槽結(jié)構(gòu),并通過(guò)在傳統(tǒng)的NPT-IGBT的襯底和集電區(qū)之間加入一個(gè)n型摻雜附加層,這個(gè)
2023-02-24 15:28:34
英飛凌發(fā)布全新LTE及3G射頻芯片SMARTi LU和SMARTi UEmicro
英飛凌(Infineon Technology)宣布推出具備最高傳輸速率的第二代LTE射頻收發(fā)器樣片──SMARTi
2009-01-27 17:52:51
1888 逆導(dǎo)晶閘管(RCT)
2009-07-16 22:40:54
1647 逆導(dǎo)晶閘管(RCT),逆導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么意思
逆導(dǎo)晶閘管(RCT)
2010-03-02 17:14:41
1119 逆導(dǎo)晶閘管(RCT)是什么?
2010-03-03 11:42:19
2301 創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模
2010-05-11 17:32:47
3227 英飛凌全新.XT技術(shù)大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命
2010年5月6日,德國(guó)Neubiberg訊——英飛凌科技股份公司在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(huì)(2010年5月4日至6日
2010-05-13 09:16:10
1342 英飛凌RC-D功率開(kāi)關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專(zhuān)有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管,具有很低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗,并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:42
2070 英飛凌科技推出可信平臺(tái)模塊(TPM)芯片。TPM是谷歌Chromebook的安全架構(gòu)不可或缺的組成部分。英飛凌成為適合與面向網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用的全新操作系統(tǒng)結(jié)合使用的TPM芯片的首家供應(yīng)商
2011-08-04 08:45:34
3939 英飛凌科技股份公司推出單片集成逆導(dǎo)二極管的20A 1350V器件,再次擴(kuò)充逆導(dǎo)(RC) 軟開(kāi)關(guān)IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)品組合。新的20A RC-H5是對(duì)英飛凌性能領(lǐng)先的RC-H系列的擴(kuò)展,重點(diǎn)關(guān)注感應(yīng)加熱應(yīng)用的系統(tǒng)效率和高可靠性要求。
2014-02-24 14:42:25
1110 英飛凌科技于2016年10月17日推出了支持18kHz?40kHz開(kāi)關(guān)頻率的低損耗1200V耐壓IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)“RC-E系列”(英文發(fā)布資料)。新產(chǎn)品在IGBT上集成續(xù)流用體二極管
2016-11-14 14:51:36
1744 帶逆阻型IGBT的三電平NPC-2功率模塊的門(mén)極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用
2017-02-28 23:14:22
3 基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù),英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ,針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開(kāi)關(guān)特性。
2018-06-21 10:10:44
13292 GCT大都制成逆導(dǎo)型,與非對(duì)稱(chēng)型結(jié)構(gòu)不同,它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同,可承受相同的阻斷電壓。
2019-12-22 10:20:24
5570 英飛凌IGBT 英飛凌IGBT模塊電氣性能絕佳且可靠性最高,在設(shè)計(jì)靈活性上也絲毫不妥協(xié) 我們的產(chǎn)品組合包括不同的先進(jìn)IGBT功率模塊產(chǎn)品系列,它們擁有不同的電路結(jié)構(gòu)、芯片配置和電流電壓等級(jí),適用于
2023-02-16 16:30:58
2132 英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT,采用750V EDT2 IGBT技術(shù),具有最低的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗,這可以使電動(dòng)商用車(chē)的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:27
1227 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應(yīng)加熱半橋評(píng)估板采用新一代650V逆導(dǎo)型R6系列IGBT和SOI技術(shù)的EiceDRIVERIGBT驅(qū)動(dòng)器,產(chǎn)品針對(duì)100kHz的諧振開(kāi)關(guān)應(yīng)用感應(yīng)
2022-03-01 09:32:40
1608 
igbt和可控硅有什么區(qū)別?? IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)與可控硅(SCR,Silicon Controlled Rectifier)都是功率
2023-08-25 14:57:31
13932 Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商,其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門(mén)型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門(mén)型號(hào):1
2023-08-25 16:58:53
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igbt逆變電路工作原理? IGBT逆變電路是一種用于變換直流信號(hào)轉(zhuǎn)換為交流信號(hào)的電路。它們常用于電力電子設(shè)備中,例如交流驅(qū)動(dòng)電機(jī),太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備。IGBT逆變電
2023-08-29 10:25:51
8671 路原理 IGBT逆變電路是由IGBT管、反并聯(lián)二極管、電感、電容等組成的電路。在正常工作時(shí),IGBT管的門(mén)級(jí)隔離驅(qū)動(dòng),控制IGBT管的導(dǎo)通和截止,使電路中的電感儲(chǔ)存電能,當(dāng)IGBT管截止時(shí),電感產(chǎn)生的反電動(dòng)勢(shì)將使反并聯(lián)二極管導(dǎo)通,將儲(chǔ)存在電感中的電能傳遞到負(fù)載中
2023-08-29 10:25:54
8511 igbt怎樣導(dǎo)通和關(guān)斷?igbt的導(dǎo)通和關(guān)斷條件 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種晶體管,可以用作開(kāi)關(guān)。IGBT由P型注入?yún)^(qū)、N型襯底、N型漏源
2023-10-19 17:08:02
26499 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《IGBT單相電壓型全橋無(wú)源逆變電路.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-01 10:06:07
44 為什么逆導(dǎo)型IGBT可以用于大功率CCM模式 PFC電路
2023-12-01 16:42:02
1217 
英飛凌IGBT單管命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:35
2305 
英飛凌IGBT模塊命名規(guī)則
2023-11-23 09:09:36
3093 
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用新推出的增強(qiáng)型M1H碳化硅
2023-12-02 08:14:01
1647 
英飛凌IGBT模塊封裝? 英飛凌是一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,專(zhuān)注于電力管理、汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)解決方案、智能家居和建筑自動(dòng)化、工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療、安全和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在電力管理領(lǐng)域,英飛凌的IGBT模塊
2023-12-07 16:45:21
2367 英飛凌科技發(fā)布了其全新SSI系列固態(tài)隔離器,這是一款集成了隔離型柵極驅(qū)動(dòng)電源的革命性產(chǎn)品。SSI系列固態(tài)隔離器旨在驅(qū)動(dòng)MOS電壓驅(qū)動(dòng)型功率晶體管,如CoolMOS?、OptiMOS?、TRENCHSTOP? IGBT或CoolSiC?,無(wú)需額外的專(zhuān)用電源來(lái)驅(qū)動(dòng)功率晶體管的柵極。
2024-05-11 11:35:17
1228 可以。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種絕緣柵雙極型晶體管,它結(jié)合了MOSFET和雙極型晶體管(BJT)的優(yōu)點(diǎn),具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)
2024-07-25 10:52:54
3564 上回書(shū)(英飛凌芯片簡(jiǎn)史)說(shuō)到,IGBT自面世以來(lái),歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭,標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2,溝槽柵+場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4,表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?,F(xiàn)今
2025-01-15 18:05:21
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本文推薦一款新潔能生產(chǎn)的逆導(dǎo)型IGBT:NCE15ER135LP。這是一款1350V、TO-3P封裝、100℃下額定電流15A的產(chǎn)品。
2025-07-17 09:20:29
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評(píng)論