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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>半導(dǎo)體技術(shù)>半導(dǎo)體新聞>上海安路科技宣布國(guó)內(nèi)首款ELF系列非易失性CPLD產(chǎn)品開(kāi)始批量供貨

上海安路科技宣布國(guó)內(nèi)首款ELF系列非易失性CPLD產(chǎn)品開(kāi)始批量供貨

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2012-09-13 12:04:25858

DS1855雙(NV)數(shù)字電位器

DS1855雙(NV)數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864

Altera宣布提供下一代MAX 10 FPGA和評(píng)估套件

2014年10月8號(hào),北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天宣布開(kāi)始提供MAX? 10 FPGA,這是Altera第10代系列產(chǎn)品中的最新型號(hào)。
2014-10-08 13:38:301338

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值SRAM

使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414

一文知道新興存儲(chǔ)(NVM)市場(chǎng)及技術(shù)趨勢(shì)

大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存(SCM)的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。 新興存儲(chǔ)(NON-VOLATILE MEMORY, NVM)有利的市場(chǎng)環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915

新型存儲(chǔ)MVM數(shù)據(jù)管理

影響,相關(guān)的存儲(chǔ)與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié).首先,概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)隨存儲(chǔ)環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢(shì);然后,對(duì)影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400

科技針對(duì)行業(yè)需要推出Eagle,國(guó)產(chǎn)FPGA銷量開(kāi)始領(lǐng)先

2016年11月9日,上海安信息科技有限公司在“IC-CHINA 2016”芯品發(fā)布會(huì)上,宣布EAGLE系列EAGLE-20 FPGA芯片產(chǎn)品正式發(fā)布,本次增添的器件包括EG4X20和EG4A20,即日起開(kāi)始對(duì)這兩顆器件批量供貨
2018-07-11 18:58:004541

Mbit靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器nvSRAM系列

包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首可直接與開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的 SRAM 存儲(chǔ)器。16-Mbit 系列
2018-09-30 00:22:02933

嵌入式存儲(chǔ)器新發(fā)展,三星大規(guī)模量產(chǎn)商用EMRAM產(chǎn)品

三星宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)商用EMRAM產(chǎn)品,該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù),并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的存儲(chǔ)器解決方案,包括1Gb EMRAM芯片。
2019-03-09 09:26:581340

對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的單芯片存儲(chǔ)技術(shù)——FRAM

在許多較早期的系統(tǒng)中,代碼存儲(chǔ)使用ROM或者OTP-EPROM,它們是非的且不能在系統(tǒng)中進(jìn)行修改。因此,設(shè)計(jì)上的主要問(wèn)題是存儲(chǔ)器的大小、存取時(shí)間,以及工作電壓等基本參數(shù)。 隨著嵌入實(shí)系統(tǒng)的發(fā)展要求對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行應(yīng)用中編程,閃存由于具備可寫(xiě)入特性被作為較合適的代碼存儲(chǔ)器。
2019-04-21 09:53:041812

AD512x/4x系列數(shù)字電位計(jì)的性能及應(yīng)用解決方案

ADI最新的AD512x / 4x系列數(shù)字電位計(jì)簡(jiǎn)介。最新的創(chuàng)新型專利解決了一個(gè)傳統(tǒng)的對(duì)數(shù)增益問(wèn)題,確保寬輸出范圍和帶寬,且容差誤差小于1%。
2019-07-08 06:13:002889

國(guó)內(nèi)單花落華工科技 5G光模塊已開(kāi)始在光谷大規(guī)模量產(chǎn)

近日,華工科技去年9月拿到5G光模塊國(guó)內(nèi)單,10月開(kāi)始批量供貨后,今年5月產(chǎn)能開(kāi)始放量。
2019-06-15 09:55:154715

可重復(fù)編程FPGA解決方案的應(yīng)用

事實(shí)上,除了這些傳統(tǒng)要求,在前兩代FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上,萊迪思半導(dǎo)體(Lattice Semiconductor)公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上存儲(chǔ)器,以及作為FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069

MAX 10 NEEK采用多點(diǎn)觸控顯示器簡(jiǎn)化FPGA中單芯片

Altera的MAX 10 FPGA和Nios II軟核嵌入式處理器。 MAX 10 NEEK是一個(gè)功能豐富的平臺(tái),為嵌入式設(shè)計(jì)人員提供了一種快速簡(jiǎn)便的方法,可以在FPGA中體驗(yàn)定制嵌入式處理器的功能。 MAX 10 NEEK由Altera及其主板合作伙伴Terasic聯(lián)合開(kāi)發(fā)。
2019-08-12 14:14:292036

創(chuàng)新推出國(guó)內(nèi)2Gb SPI NOR Flash產(chǎn)品

中國(guó)北京(2020 年7月3日) — 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆創(chuàng)新 GigaDevice(股票代碼 603986)今日宣布,隆重推出國(guó)內(nèi)容量高達(dá) 2Gb、高性能 SPI NOR Flash
2020-07-03 16:24:451534

ROHM確立邏輯IC技術(shù)的可靠,已進(jìn)行批量生產(chǎn)

ROHM確立了邏輯IC技術(shù)的可靠,已經(jīng)開(kāi)始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了邏輯CMOS同步式的技術(shù)開(kāi)發(fā)了4 Pin邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917

NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解

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2020-11-25 11:12:0026

關(guān)于0.13μmFRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能

內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫(xiě)入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整的應(yīng)用程序,內(nèi)存耐用是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速,和低功耗
2020-12-22 15:20:05794

如何選擇SRAM,如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲(chǔ)器:SRAM(NVSRAM)。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問(wèn)題,國(guó)外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品國(guó)內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問(wèn)世。面對(duì)眾多的NVSRAM產(chǎn)品,廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價(jià)廉的產(chǎn)品呢?建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器

ADM1260:帶芯片間總線和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-16 17:27:200

ADM1169:帶裕度控制和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器

ADM1169:帶裕度控制和故障記錄數(shù)據(jù)表的超級(jí)序列器
2021-04-17 10:06:150

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級(jí)序列器

ADM1166:帶余量控制和故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列器

UG-932:使用芯片間總線和故障記錄評(píng)估ADM1260超級(jí)序列器
2021-04-24 14:38:011

面向內(nèi)存文件的NVM模擬與驗(yàn)證

現(xiàn)有內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬內(nèi)存(Non- Volatile memory,NVM)進(jìn)行測(cè)試,而沒(méi)有充分考慮兩者間的寫(xiě)時(shí)延和寫(xiě)磨損特性差異,使得測(cè)試結(jié)果無(wú)法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013

AD5258:I<sup>2</sup>C<sup>?</sup>兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊(cè)

AD5258:I2C?兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-12 17:43:542

64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B的功能及特征

低功耗設(shè)計(jì)的植入人體的增強(qiáng)生命的患者監(jiān)護(hù)設(shè)備,小尺寸內(nèi)存,賽普拉斯FRAM 提供即時(shí)和幾乎無(wú)限的耐用,而不會(huì)影響速度或能源效率。本篇文章介紹64Kbit鐵電存儲(chǔ)器FM25640B。
2021-06-30 15:42:462412

血液透析機(jī)專用Everspin MRAM芯片

文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的、不需要電池或電容器、無(wú)限的寫(xiě)入耐久寫(xiě)入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793

FM18W08SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:410

英飛凌宣布新8 Mbit和16 Mbit EXCELON? F-RAM非易失性存儲(chǔ)器已開(kāi)始批量供貨

? F-RAM存儲(chǔ)器(鐵電存取存儲(chǔ)器)開(kāi)始批量供貨。該系列儲(chǔ)存器是業(yè)界功率密度最高的串行F-RAM存儲(chǔ)器,能夠滿足新一代汽車和工業(yè)系統(tǒng)對(duì)數(shù)據(jù)記錄的需求,防止在惡劣的工作環(huán)境中丟失數(shù)據(jù)。新存儲(chǔ)器
2022-11-23 13:57:42792

STT-MRAM存儲(chǔ)器特點(diǎn)及應(yīng)用

STT-MRAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一像SRAM一樣 高速、高耐久、單字節(jié)訪問(wèn)的工作,也可以像ROM/Flash一樣揮發(fā)性,保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187

簡(jiǎn)單的門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)門控功能的替代方案,這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器(MAX5427或MAX5527)存儲(chǔ)門控信號(hào)(模塊或發(fā)送)。
2023-01-12 11:30:521731

Netsol存儲(chǔ)Parallel STT-MRAM系列

英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有特性和幾乎無(wú)限的耐用。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來(lái)說(shuō),這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器??商娲鶱OR?Flash、FeRAM、nvSRAM等,具有卓越的性能和特性。
2023-02-23 14:52:55585

使用XOD訪問(wèn)ESP32存儲(chǔ)

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2023-06-15 14:35:410

MXD1210RAM控制器技術(shù)手冊(cè)

MXD1210RAM控制器是一超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)()CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫(xiě)保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16918

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