并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
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計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263492 
新一代器件已通過QML-Q和高可靠性工業(yè)規(guī)格的認(rèn)證，支持苛刻環(huán)境下的非易失性代碼存儲和數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用，包括航天和工業(yè)應(yīng)用。
2021-04-01 11:10:543054 0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲器是一個電表
2021-07-12 07:26:45
我們正在構(gòu)建一個設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
bq4011是一個非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無限寫入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測單個5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號和時序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵?，它的?shù)據(jù)保留時間為 150 年，無需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個位置了。“非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個位置。是這個意思嗎
2024-11-21 07:15:57
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過編程使DS3902從地址置為128個可用地址之
2021-05-17 07:29:10
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個輸入引腳和哪個是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
我應(yīng)該用什么API來存儲非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:35
18 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻。滑動端位置存儲在EEPROM中，因此DS4301上電時就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯誤，
2010-08-26 10:52:38669 該DS1557是一個全功能實(shí)時時鐘/日歷(RTC的同一個RTC報警，看門狗定時器，上電復(fù)位，電池監(jiān)控)，以及512K的× 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶訪問DS1557內(nèi)部所有寄存器完成了一個字節(jié)寬
2010-09-15 09:51:321001 
DS1554是一個全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時時鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1345W 3.3V、1024k NV SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控
2010-10-21 09:06:321445 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個完備的實(shí)時時鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時時鐘，都在一個字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實(shí)時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時時鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有報警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘
2011-12-19 11:15:392071 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實(shí)時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:122685 
DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲器的實(shí)際應(yīng)用問題。
2012-04-16 12:11:022664 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 非易失性半導(dǎo)體存儲器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。 新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境 相變存儲
2018-07-04 11:55:007915 
影響，相關(guān)的存儲與事務(wù)處理技術(shù)是其中值得關(guān)注的重要環(huán)節(jié)．首先，概述了事務(wù)型數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)隨存儲環(huán)境發(fā)展的歷史與趨勢；然后，對影響上層數(shù)據(jù)管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的非易失性存儲技術(shù)以及面向大數(shù)據(jù)應(yīng)用領(lǐng)域與硬件環(huán)境優(yōu)化的事務(wù)技術(shù)進(jìn)行綜述
2018-01-02 19:04:400 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 。本文存儲芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機(jī)存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 存儲器概況 存儲器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲器。 非易失性存儲器 非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然
2020-12-07 14:26:136411 
一種由普通SRAM、后備電池以及相應(yīng)控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。 為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導(dǎo)體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以
2021-01-11 16:44:202306 ADM1260：帶芯片間總線和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-16 17:27:200 ADM1169：帶裕度控制和非易失性故障記錄數(shù)據(jù)表的超級序列器
2021-04-17 10:06:150 ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器
2021-04-24 12:29:412 UG-932：使用芯片間總線和非易失性故障記錄評估ADM1260超級序列器
2021-04-24 14:38:011 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進(jìn)行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 ? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?MB85R8M2T。保證寫入壽命超過10萬億次
2022-01-12 15:12:201308 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
結(jié)果表明，非易失性（NV）SRAM是用于存儲安全數(shù)據(jù)的最安全的存儲器。通過使用 DES 或三重 DES 加密內(nèi)存，可以建立加密邊界，使安全信息不被黑客滲透。通過使用防篡改反應(yīng)傳感器，可以進(jìn)一步保護(hù)
2023-03-01 16:16:281570 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲.zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 ，非易失性存儲器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)和動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:282450 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09873 
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