DS1250 4096k、非易失SRAM

　　DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍，一旦超出容差范圍，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)、寫保護將無條件使能、防止數(shù)據(jù)被破壞。DIP封裝的DS1250器件可以直接用來替代現(xiàn)有的512k x 8靜態(tài)RAM，符合通用的單字節(jié)寬、32引腳DIP標準。 PowerCap模塊封裝的DS1250器件為表面貼安裝、通常與DS9034PC PowerCap配合構成一個完整的非易失SRAM模塊。該器件沒有寫次數(shù)限制，可直接與微處理器接口、不需要額外的支持電路。

　　關鍵特性

　　無外部電源時最少可以保存數(shù)據(jù)10年

　　掉電期間數(shù)據(jù)被自動保護

　　替代512k x 8易失靜態(tài)RAM、EEPROM及閃存

　　沒有寫次數(shù)限制

　　低功耗CMOS操作

　　70ns的讀寫存取時間

　　第一次上電前，鋰電池與電路斷開、維持保鮮狀態(tài)

　　±10% VCC工作范圍(DS1250Y)

　　可選擇的±5% VCC工作范圍(DS1250AB)

　　可選的工業(yè)級溫度范圍：-40°C至+85°C，指定為IND

　　JEDEC標準的32引腳DIP封裝

　　PowerCap模塊(PCM)封裝

　　表面貼裝模塊

　　可更換的即時安裝PowerCap提供備份鋰電池

　　所有非易失SRAM器件提供標準引腳

　　分離的PCM用常規(guī)的螺絲起子便可方便拆卸

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　　MXIM推出DS3065WP，一個1米x 8非易失(NV)與一個嵌入式實時時鐘(RTC)和電池包在一個PowerCap

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　　DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照

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　　DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按

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　　DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控

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DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM

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DS1851雙路溫度控制非易失性(NV)DAC

DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個EEPROM查詢表，和一個數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。

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DS3605 非易失(NV)SRAM控制器(中文資料)

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1201

DS3911 非易失(NV)控制器

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DS1244,DS1244P 256k NV SRAM,帶有隱含時鐘

DS1244,DS1244P具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘

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DS1251,DS1251P全靜態(tài)非易失RAM

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

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具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。

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DS1243Y 64K非易失SRAM

DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時鐘是一個內(nèi)置的實時時鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存。

2012-01-04 10:53:26

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2012-01-04 11:23:28

DS1251,DS1251P 4096k NV SRAM

The DS1251 4096K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 512K

2012-01-04 11:30:52

DS1746,DS1746P非易失時鐘RAM

DS1746是一個全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實時時鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM

2012-03-19 16:28:12

2685

DS1323設計靈活的非易失控制器

DS1323設計靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測器，采用CMOS電路設計，用于解決CMOS SRAM轉換成非易失存儲器的實際應用問題。

2012-04-16 12:11:02

2664

DS1314非易失控制器,帶有鋰電池監(jiān)測器

DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個CMOS電路，解決了轉換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:21:12

1865

DS1312非易失控制器

DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:26:37

1109

DS1218非易失控制器芯片

DS1218非易失控制器芯片供應電路要求提供標準CMOS RAM非易失性。

2012-07-19 14:28:14

1883

DS1210非易失控制器芯片

DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應用問題。

2012-07-19 14:30:07

4121

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器

DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲器由一個100級線性變化電位器、一個256級線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。

2013-02-19 16:53:30

2864

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM

使用賽道存儲單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南

2017-01-07 21:45:57

非易失性半導體存儲器的相變機制

2017-01-19 21:22:54

一文知道新興非易失性存儲（NVM）市場及技術趨勢

大型廠商的產(chǎn)品導入、存儲級內(nèi)存（SCM）的新興應用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動非易失性存儲市場的增長。新興非易失性存儲（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境相變存儲

2018-07-04 11:55:00

7915

新型非易失存儲MVM數(shù)據(jù)管理

為適應底層存儲架構的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大

2018-01-02 19:04:40

非易失可重復編程FPGA解決方案的應用

事實上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗基礎上，萊迪思半導體（Lattice Semiconductor）公司還認識到需要靈活的片上非易失存儲器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。

2019-06-16 09:48:47

2069

關于非易失性NV-SRAM的簡介，它的用途是什么

。本文存儲芯片供應商宇芯電子先帶大家認識一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介在現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時宜的隨機存取存儲器（RAM）。這個名稱意義不大，因為當今所有內(nèi)存都是隨機訪問的。當工程

2020-09-11 16:09:32

2230

非易失性NVSRAM存儲器的詳細講解

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2020-11-25 11:12:00

關于易失性存儲器SRAM基礎知識的介紹

存儲器概況存儲器是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導體存儲器。非易失性存儲器非易失存儲器是指在系統(tǒng)停止供電的時候仍然

2020-12-07 14:26:13

6411

如何選擇非易失性SRAM，如何解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題

一種由普通SRAM、后備電池以及相應控制電路集成的新型存儲器：非易失性SRAM（NVSRAM）。為解決SRAM的數(shù)據(jù)保存問題，國外著名半導體公司率先推出了可以完全替代SRAM的NV-SRAM系列產(chǎn)品，國內(nèi)也有同類產(chǎn)品相繼問世。面對眾多的NVSRAM產(chǎn)品，廣大用戶如何選擇質(zhì)優(yōu)價廉的產(chǎn)品呢？建議用戶根據(jù)以

2021-01-11 16:44:20

2306

ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級序列器

2021-04-24 12:29:41

FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器

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2022-07-12 10:20:41

STT-MRAM非易失存儲器特點及應用

STT-MRAM非易失性隨機存取存儲器是一款像SRAM一樣高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時間長的存儲。MRAM供應商英尚微支持提供相關技術支持。

2022-11-29 15:57:58

2187

簡單的非易失性門控

作為使用PAL、GAL或CPLD器件實現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲門控信號（模塊或發(fā)送）。

2023-01-12 11:30:52

1731

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器。

2023-05-12 16:31:39

882

使用XOD訪問ESP32非易失性存儲

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2023-06-15 14:35:41

DS1249AB 2048k非易失SRAM技術手冊

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否

2025-02-27 09:09:09

953

DS1265AB 8M非易失SRAM技術手冊

DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍

2025-02-27 09:19:54

825

DS1244系列256k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC

2025-02-27 10:10:50

933

DS1248 1024k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:38:41

750

DS1251 4096k NV SRAM，帶有隱含時鐘技術手冊

具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護將無條件使能、以防存儲器和實時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。

2025-02-27 15:44:58

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