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電子發(fā)燒友網(wǎng)>控制/MCU>256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM DS1554

256k非易失、Y2K兼容時(shí)鐘RAM DS1554

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2012-07-19 14:30:074121

DS1855雙路性(NV)數(shù)字電位器

DS1855雙路性(NV)數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864

cy62146ev30 mobl? 4兆位(256K×16)靜態(tài)RAM

The CY62146EV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 16 bits.
2017-09-14 15:07:217

cy62138fv30 mobl? 2兆位(256 K×8)靜態(tài)RAM

The CY62138FV30 is a high performance CMOS static RAM organized as 256K words by 8 bits.
2017-09-14 15:22:175

cy7c1010dv33 2兆位(256 K×8)靜態(tài)RAM

The CY7C1010DV33 is a high performance CMOS Static RAM organized as 256 K words by 8 bits. Easy
2017-09-14 15:26:147

cy7c1353g 4兆位(256K SRAM×18)流過諾博?架構(gòu)

he CY7C1353G is a 3.3 V, 256K × 18 synchronous flow-through burst SRAM designed specifically
2017-09-14 17:05:283

256k(32K×8)電池電壓并行EEPROM at28bv256

256K of memory is organized as 32,768 words by 8 bits. Manufactured with Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology
2017-09-15 11:09:2411

256K×16低電壓超低功耗CMOS靜態(tài)存儲(chǔ)器IS62WV25616BLL

The ISSI IS62WV25616ALL/IS62WV25616BLL are highspeed, low power, 4M bit SRAMs organized as 256K
2017-09-20 11:24:2414

AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、性數(shù)字電位計(jì)

AD5123/AD5143: 四通道、128/256位、I2C、性數(shù)字電位計(jì)
2021-03-21 05:50:205

AD5259:性I<sup>2</sup>C兼容256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5259:性I2C兼容256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 09:00:1711

AD5258性、兼容I2C?的64位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表

AD5258性、兼容I2C?的64位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-06-16 17:24:0210

Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴(kuò)展帶插座

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Amiga 1000 A1050 256K芯片內(nèi)存擴(kuò)展帶插座.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-05 11:54:540

AGRV2K---即時(shí)啟動(dòng)、性CPLD

AGRV2K CPLDs is the low cost CPLDs. This instant-on, non-volatile CPLD family targets
2022-11-02 19:26:131598

DS1554-70+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1554-70+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有DS1554-70+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,DS1554-70+真值表,DS1554-70+管腳等資料,希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:03:38

DS1554P-70+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-18 20:53:55

DS1554-70IND+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-18 21:36:15

DS1554-70 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-18 21:45:20

DS1554W-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-18 21:52:04

DS1554WP-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 21:51:02

DS1554P-70 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 21:51:13

DS1554W-120 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 21:55:30

DS1554-70IND 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-21 22:54:58

DS1554WP-120+ 時(shí)鐘/定時(shí) - 實(shí)時(shí)時(shí)鐘

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2022-11-24 20:17:57

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表(Serial Peripheral Interface 128k EEPROM(16-kword x 8-bit)/256k EEPROM(32-kword x 8-bit))

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))
2023-03-30 19:57:460

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表(Serial Peripheral Interface 128k EEPROM(16-kword x 8-bit)/256k EEPROM(32-kword x 8-bit))

HN58X25128FPIAG/HN58X25256FPIAG 數(shù)據(jù)表 (Serial Peripheral Interface 128k EEPROM (16-kword x 8-bit)/256k EEPROM (32-kword x 8-bit))
2023-07-13 19:29:250

DS1249AB 2048kSRAM技術(shù)手冊(cè)

DS1249 2048k(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)SRAM,按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953

DS1744系列Y2K兼容、時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1744內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行
2025-02-27 09:31:07997

DS1244系列256k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50933

DS1248 1024k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)RAM (按照8位、128k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41750

DS1251 4096k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

具有隱含時(shí)鐘DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)RAM (按照8位、512k字排列),內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘DS1251Y自帶鋰電池及控制電路,控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍,一旦超出容差,鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài),寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58892

DS1747 Y2K兼容、時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09873

DS1554 256k、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351042

DS1557 4M、Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC),具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32933

DS1746 Y2K兼容時(shí)鐘RAM技術(shù)手冊(cè)

DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn),如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913

DS1243 64k NV SRAM,帶有隱含時(shí)鐘技術(shù)手冊(cè)

帶幻象時(shí)鐘DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的RAM(結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位)。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路,可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43996

MXD1210RAM控制器技術(shù)手冊(cè)

MXD1210RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路,可將標(biāo)準(zhǔn)(性)CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源,以在RAM的電源處于邊際(超出容限)條件時(shí)提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時(shí),RAM受到寫保護(hù),并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16922

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