并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢(shì) - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無(wú)與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無(wú)法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:19
2379 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
DS1243, DS1243Y資料介紹,64k NV SRAM，帶有隱含時(shí)鐘DS1243, DS1243Y概述The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock
2012-01-04 12:11:06
保持新鮮一般說(shuō)明DS1553是一個(gè)全功能、符合2000年（Y2KC）標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷（RTC），帶有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)視器和8k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS
2020-09-17 17:24:23
特征?集成NV SRAM、實(shí)時(shí)時(shí)鐘（RTC）、晶體、電源故障控制電路和鋰能源?時(shí)鐘寄存器與靜態(tài)RAM訪問(wèn)相同；這些寄存器位于16個(gè)頂級(jí)RAM位置?世紀(jì)字節(jié)寄存器（即符合Y2K）?完全不易揮發(fā)，在斷電
2020-09-16 17:17:42
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
2020-12-10 07:20:20
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來(lái)測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問(wèn)題：非易失性內(nèi)存有寫(xiě)入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫(xiě)入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫(xiě)入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
bq4011是一個(gè)非易失性262144位靜態(tài)RAM，按8位組織為32768字。集成控制電路和鋰能源提供可靠的非易失性，與標(biāo)準(zhǔn)SRAM的無(wú)限寫(xiě)入周期相結(jié)合?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)測(cè)單個(gè)5V電源是否超出公差條件。當(dāng)
2020-09-16 17:15:13
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
描述Dallas DS1230 - FM18W08 非易失性 SRAM FRAM 適配器來(lái)自達(dá)拉斯的流行的電池支持 SRAM 在 10 到 15 年后往往會(huì)忘記其寶貴的數(shù)據(jù)。通過(guò)這種引腳兼容的鐵電 RAM 升級(jí)，您可以放心，因?yàn)樵谑覝叵拢臄?shù)據(jù)保留時(shí)間為 150 年，無(wú)需任何電池供電。
2022-07-14 07:51:06
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說(shuō)，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
概述:DS3902是一款雙路、非易失(NV)、低溫度系數(shù)的可變數(shù)字電阻，提供256級(jí)用戶選擇。DS3902可以在2.4V至5.5V的寬電源范圍內(nèi)工作，通過(guò)I2C兼容的串行接口與該器件通信。內(nèi)部地址設(shè)置功能通過(guò)編程使DS3902從地址置為128個(gè)可用地址之
2021-05-17 07:29:10
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗(yàn)證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項(xiàng)目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
DESCRIPTIONThe DS1746 is a full-function, year-2000-compliant (Y2KC), real-time clock/calendar (RTC
2008-08-10 10:39:53
16 Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫(xiě)串行 RAM 具有功耗低, 擦寫(xiě)速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:3518 具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視VCC是否超出容差范圍
2023-07-24 09:32:13
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2023-07-24 09:41:00
DS4301非易失、32抽頭數(shù)字電位器
DS4301是一款單32抽頭線性數(shù)字電位器，具有200kΩ端到端電阻?；瑒?dòng)端位置存儲(chǔ)在EEPROM中，因此DS4301上電時(shí)就處于最近
2008-10-01 23:49:531158 
DS1643, DS1643P 非易失時(shí)鐘RAM
概述
DS1643 is an 8K x 8 nonvolatile static RAM with a full function Real Time Clock (RTC) that a
2009-12-19 12:50:451248 
The DS1642 is a 2k x 8 nonvolatile static RAM and a full-function real-time clock (RTC), both
2010-05-29 08:26:571161 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字
2010-09-28 09:05:421307 
DS1554是一個(gè)全功能的，2000年兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC的鬧鐘，看門狗定時(shí)器/日歷(RTC)上電復(fù)位，電池監(jiān)控，和32K × 8非易失
2010-09-28 09:11:081867 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問(wèn)。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問(wèn)靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制
2010-10-22 09:04:041281 
MXIM推出DS3065WP，一個(gè)1米x 8非易失(NV)與一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)和電池包在一個(gè)PowerCap
2010-10-28 08:46:50900 DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1270W 16Mb非易失(NV) SRAM為16,777,216位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-10 09:31:521000 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
DS1249W 2048kb非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)NV SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:43:531078 
DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
DS1250W 3.3V 4096k NV SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控
2010-12-07 10:21:021215 
DS1851雙路溫度控制非易失性(NV) DAC由兩路DAC，兩個(gè)EEPROM查詢表，和一個(gè)數(shù)字式溫度傳感器組成。兩個(gè)DAC可以編程為任意的溫度系數(shù)，這意味著無(wú)需任何外部器件，就可以修正任何系統(tǒng)的溫度影響。
2011-01-22 09:29:11735 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無(wú)需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3605集成非易失(NV) SRAM控制器、實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)、CPU監(jiān)控電路和溫度傳感器，可以為加密交易終端和其它安全敏感應(yīng)用提供篡改保護(hù)
2011-04-27 10:23:371201 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1500為完備的、2000年兼容的、實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有報(bào)警、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)內(nèi)置非易失(NV) SRAM、為備份外圍SRAM提供NV控制以及一個(gè)32.768kHz頻率的輸出
2011-12-19 11:08:182147 
DS1244,DS1244P具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘
2011-12-19 11:15:392071 
DS1315時(shí)鐘芯片的CMOS計(jì)時(shí)器和一個(gè)非易失性內(nèi)存控制器的組合。在權(quán)力的情況下，外接電池保持計(jì)時(shí)操作，并提供電源的CMOS靜態(tài)RAM。
2012-01-04 10:06:501845 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:41:501101 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。
2012-01-04 10:49:181560 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
The DS1243Y 64K NV SRAM with Phantom Clock is a fully static nonvolatile RAM (organized as 8192
2012-01-04 11:23:2835 DS1746是一個(gè)全功能的，2000年的兼容(Y2KC)，實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128K×8非易失性靜態(tài)RAM
2012-03-19 16:28:122688 
, and Lithium Energy Source Clock Registers are Accessed Identically to the Static RAM. These Registers are Resident in the Eight Top RAM Locations Centu
2012-03-19 17:01:1615 DS1323設(shè)計(jì)靈活的非易失控制器帶有鋰電池監(jiān)測(cè)器，采用CMOS電路設(shè)計(jì)，用于解決CMOS SRAM轉(zhuǎn)換成非易失存儲(chǔ)器的實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。
2012-04-16 12:11:022667 DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1218非易失控制器芯片供應(yīng)電路要求提供標(biāo)準(zhǔn)CMOS RAM非易失性。
2012-07-19 14:28:141883 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問(wèn)題。
2012-07-19 14:30:074121 
DS1855雙路非易失性（NV）數(shù)字電位器和安全存儲(chǔ)器由一個(gè)100級(jí)線性變化電位器、一個(gè)256級(jí)線性變化電阻器、256字節(jié)EEPROM存貯器、和2線接口組成。
2013-02-19 16:53:302864 
使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢(shì)必對(duì)數(shù)據(jù)庫(kù)系統(tǒng)帶來(lái)重大
2018-01-02 19:04:400 求的。一個(gè)鋰能源，石英晶體，和寫(xiě)保護(hù)電路包含在一個(gè)24引腳雙在線封裝。因此，DS12C887是一個(gè)完整的子系統(tǒng)，取代了典型應(yīng)用中的16個(gè)組件。這些功能包括非易失性日鐘、鬧鐘、百年歷、可編程中斷、方波發(fā)生器和113字節(jié)的非易失性靜態(tài)RAM。實(shí)時(shí)時(shí)鐘的特點(diǎn)在于，即使在沒(méi)有電源的情況下，
2018-11-28 08:00:0045 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場(chǎng)邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù)，一旦斷電就都沒(méi)了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數(shù)據(jù)中心
2021-02-19 10:04:022325 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供F-RAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)優(yōu)勢(shì)與安全氣囊設(shè)計(jì)資料下載的電子資料下載，更有其他相關(guān)的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設(shè)計(jì)、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-17 08:47:555 AD5259：非易失性I2C兼容256位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-04-26 09:00:1711 AD5258：非易失性I2C?兼容64位數(shù)字電位器產(chǎn)品手冊(cè)
2021-05-12 17:43:542 AD5258非易失性、兼容I2C?的64位數(shù)字電位器數(shù)據(jù)表
2021-06-16 17:24:0210 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Maxim(Maxim)DS1557WP-120+相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有DS1557WP-120+的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，DS1557WP-120+真值表，DS1557WP-120+管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2022-11-18 20:54:32
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2022-11-18 22:11:03
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2022-11-18 22:11:31
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2022-11-21 22:05:15
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2022-11-21 22:07:57
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2022-11-24 20:14:33
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2022-11-24 20:19:26
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2022-11-24 20:20:12
作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521732 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問(wèn)ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410 DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09953 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54825 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過(guò)如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1744內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行
2025-02-27 09:31:07997 
具有隱含時(shí)鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50933 
具有隱含時(shí)鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41750 
具有隱含時(shí)鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動(dòng)切換至供電狀態(tài)，寫(xiě)保護(hù)將無(wú)條件使能、以防存儲(chǔ)器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58892 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過(guò)如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對(duì)DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。RTC
2025-02-27 15:51:09873 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351042 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時(shí)器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32933 
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對(duì)DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問(wèn)都通過(guò)字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
帶幻象時(shí)鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時(shí)時(shí)鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個(gè)字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43996 
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲(chǔ)器。它還會(huì)持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時(shí)提供RAM寫(xiě)保護(hù)。當(dāng)電源開(kāi)始出現(xiàn)故障時(shí)，RAM受到寫(xiě)保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16922 
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