工程學會重慶市造船工程學會重慶兩江半導體研究院重慶集成電路技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟重慶市機器人與智能裝備產(chǎn)業(yè)聯(lián)合會協(xié)辦單位: 陜西省半導體行業(yè)協(xié)會 浙江省半導體行業(yè)協(xié)會成都市集成電路行業(yè)協(xié)會深圳市半導體行業(yè)協(xié)會天津市集成
2019-12-10 18:20:16
芯片業(yè)務(wù)注入上市公司。三安光電子公司湖南三安致力于第三代化合物半導體碳化硅及氧化鎵材料、外延、芯片及封裝的開發(fā)。南大光電在互動平臺表示，公司三甲基鎵產(chǎn)品可以作為生產(chǎn)氧化鎵的原材料。
2023-03-15 11:09:59
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導體？
2021-06-08 07:09:36
(個別的第三位)能存活下來。對于全球設(shè)備制造商最關(guān)鍵的問題是兼并市場的回報率太低。產(chǎn)業(yè)的發(fā)展實際上不存在帶強制性理由,以及不會無故的把錢送至您手中。預計在未來半導體設(shè)備業(yè)中可能有兩個領(lǐng)域會產(chǎn)生強勁
2010-02-26 14:52:33
半導體器件等前所未有的應(yīng)用推動著半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，新的應(yīng)用標準、新的材料性能、新的設(shè)計和測試方法、新的生產(chǎn)工藝和新的半導體芯片技術(shù)繼續(xù)對測試設(shè)備和技術(shù)提出挑戰(zhàn)。半導體材料的突破帶來了一場技術(shù)革命，引領(lǐng)了
2020-12-08 10:18:29
` 誰來闡述一下半導體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
。電路集成度越高，挑戰(zhàn)半導體制造工藝的能力，在可接受的成本條件下改善工藝技術(shù)，以生產(chǎn)高級程度的大規(guī)模集成電路芯片。為達到此目標，半導體產(chǎn)業(yè)已變成高度標準化的，大多數(shù)制造商使用相似的制造工藝和設(shè)備。開發(fā)
2020-09-02 18:02:47
基礎(chǔ)設(shè)施，推動5G大規(guī)模的商用部署。這也是8月份國務(wù)院印發(fā)《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》后，對軟件產(chǎn)業(yè)的又一重要扶持。值得注意的是，就在工信部部長發(fā)言的前一天，媒體報道第三代半導體
2020-09-24 15:17:16
半導體技術(shù)是如何變革汽車設(shè)計產(chǎn)業(yè)的？
2021-02-22 09:07:43
半導體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
降低。這種摻雜半導體常稱為雜質(zhì)半導體。雜質(zhì)半導體靠導帶電子導電的稱N型半導體，靠價帶空穴導電的稱P型半導體。不同類型半導體間接觸（構(gòu)成PN結(jié)）或半導體與金屬接觸時，因電子（或空穴）濃度差而產(chǎn)生擴散，在
2013-01-28 14:58:38
的產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)域，長三角、環(huán)渤海地區(qū)，以及新興的東北工業(yè)區(qū)都形成了較為完整的激光產(chǎn)業(yè)帶。產(chǎn)業(yè)升級激光加工設(shè)備需求更大隨著制造業(yè)向高端化、智能化的轉(zhuǎn)型升級，激光設(shè)備加工應(yīng)用市場隨之不斷擴增。摩爾定律創(chuàng)始人
2019-05-13 05:50:35
國際半導體芯片巨頭壟斷加劇半導體芯片產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)三大趨勢
2021-02-04 07:26:49
寬禁帶半導體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
模塊化，按最初的定義是把兩個或兩個以上的電力半導體芯片按一定的電路結(jié)構(gòu)相聯(lián)結(jié)，用RTV、彈性硅凝膠、環(huán)氧樹脂等保護材料，密封在一個絕緣的外殼內(nèi)，并且與導熱底板相絕緣而成的。
2019-11-11 09:02:31
寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學和電學性能成為繼第一代元素半導體硅（Si）和第二代化合物半導體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導體
2019-06-25 07:41:00
中國大力發(fā)展高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的宏觀指導下，集成電路產(chǎn)業(yè)作為高技術(shù)的代表成為各省市的重點規(guī)劃發(fā)展方向?！ 母鞯亟甑腎C產(chǎn)業(yè)布局來看，近幾年中西部地區(qū)投資環(huán)境不斷改善，以及東部沿海地區(qū)半導體制造成本不斷上升
2010-04-01 13:49:07
電子制造業(yè)的核心器件之一，還獨立成為電子電力學科。作為制造業(yè)大國，功率半導體器件在中國大陸的工業(yè)、消費、軍事等領(lǐng)域都有著廣泛應(yīng)用，具有很高的戰(zhàn)略地位。功率半導體器件分類從發(fā)展歷程看，功率半導體器件先后
2019-02-26 17:04:37
市場趨勢和更嚴格的行業(yè)標準推動電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導體作為頂尖的功率器件半導體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)生產(chǎn)過剩、效益下滑，而IC設(shè)計業(yè)卻獲得持續(xù)的增長。特別是96、97、98年持續(xù)三年的DRAM的跌價、MPU的下滑，世界半導體工業(yè)的增長速度已遠達不到從前17％的增長值，若再依靠高投入提升
2020-02-12 16:11:25
的“國有超大規(guī)模集成電路實驗室”和垂直一體化經(jīng)營模式相對抗。隨著PC制造產(chǎn)業(yè)鏈在***崛起，大口徑晶圓和大規(guī)模集成電路的微細工藝，使得巨額設(shè)備投資的折舊成為半導體生產(chǎn)中的最大成本。剝離半導體制造業(yè)，注重
2018-08-30 16:02:33
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目標。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
，對制造周期的快速反應(yīng)能力等等，都對半導體和集成電路行業(yè)的生產(chǎn)規(guī)劃增加了難度。對任何IC廠商，提高生產(chǎn)效率有三種方法：建立一個更有效的工廠，更新已有工廠或改變工廠的操作。包括英特爾，摩托羅拉在內(nèi)的多家
2009-08-20 18:35:32
請教，關(guān)于MIP705半導體集成電路的應(yīng)用，請有識之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
醫(yī)療將帶動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 英特爾的首席執(zhí)行官貝瑞特表示，通過發(fā)現(xiàn)癌癥和微芯片
2008-08-20 11:31:38
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會”將于7月16日在浙江大學玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
新冠疫情給半導體產(chǎn)業(yè)帶來的影響到底如何？有什么后果？如何去應(yīng)對？
2021-06-18 07:23:15
：2019全球電子生產(chǎn)設(shè)備博覽會（重慶）2019全球觸摸屏與顯示產(chǎn)業(yè)博覽會（重慶）同期活動論壇： 全球半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展創(chuàng)新論壇半導體與互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇半導體與智慧汽車技術(shù)發(fā)展論壇半導體與光通訊技術(shù)發(fā)展論壇
2018-11-20 09:23:55
、汽車電子產(chǎn)品等等是未來發(fā)展熱點。應(yīng)聘指南針——半導體行業(yè)人才需求分析按照目前國內(nèi)IC產(chǎn)業(yè)的格局，IC企業(yè)主要分為設(shè)計和加工兩類企業(yè)，設(shè)計公司負責產(chǎn)品的設(shè)計，而加工企業(yè)則包括芯片生產(chǎn)、封裝、測試三
2008-09-23 15:43:09
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計，2019年中國半導體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體?？梢院唵蔚陌呀橛?b class="flag-6" style="color: red">導體和絕緣體之間的材料稱為半導體三、什么是集成電路集成電路（integrated
2020-02-18 13:23:44
）從febless發(fā)展成為集設(shè)計研發(fā)、生產(chǎn)制造、銷售服務(wù)一體化的國家級高新科技企業(yè),“SLKOR”品牌在半導體行業(yè)聲譽日隆，產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵點已經(jīng)實現(xiàn)了國產(chǎn)化，薩科微乘電子元器件“國產(chǎn)替代”的東風，，立志成為
2022-05-31 14:00:20
“在全省新舊動能轉(zhuǎn)換重點工程十強產(chǎn)業(yè)和濟南市十大千億級產(chǎn)業(yè)中,新材料產(chǎn)業(yè)是其中的重點,而寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)又是新材料產(chǎn)業(yè)中的核心產(chǎn)業(yè)之一,它的應(yīng)用領(lǐng)域十分廣泛,據(jù)國內(nèi)外權(quán)威機構(gòu)預測,到2025年,全球
2018-07-23 15:40:00
963 近日，廣東省“寬禁帶半導體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導，易事特、中鎵半導體、天域半導體、松山湖控股集團、廣東風華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導體項目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺，填補我國高端半導體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料更是引發(fā)全球矚目，攪動著全球半導體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-07-27 15:02:126757 寬禁帶功率半導體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點新材料。
2018-08-06 11:55:009041 半導體是集成電路的基礎(chǔ)，目前集成電路已經(jīng)占到半導體產(chǎn)業(yè)的80%，近幾年隨著集成電路的蓬勃發(fā)展，進一步推動了半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更加凸顯了半導體在工業(yè)生產(chǎn)上的重要作用。為更好了解半導體領(lǐng)域及其專利發(fā)展
2018-08-29 17:03:296705 第三代寬禁帶半導體材料被廣泛應(yīng)用在各個領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國寬禁帶功率半導體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會在濟南召開。會上，國家主管部門領(lǐng)導與技術(shù)專家、金融投資機構(gòu)、知名企業(yè)負責人等共同研討寬禁帶功率半導體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對接提供了良好的交流互動平臺。
2018-12-10 14:24:253990 近幾年集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革催化著化合物半導體市場的發(fā)展，而其中以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料更是引人矚目，攪動著全球半導體產(chǎn)業(yè)浪潮。
2018-12-18 10:06:534663 先行區(qū)的橋頭堡。小鎮(zhèn)總占地面積約4900畝，將分“科技創(chuàng)新孵化區(qū)”、“產(chǎn)業(yè)先進智造區(qū)”和“半導體生態(tài)科技城”三大功能區(qū)，打造寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)領(lǐng)先高地。
2019-05-17 17:18:524422 半導體器件制造平臺。建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺。
2020-07-06 08:54:551214 碳化硅，作為發(fā)展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優(yōu)勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優(yōu)質(zhì)半導體材料。
2020-09-02 11:56:351905 第三代半導體指禁帶寬度大于2.2eV的半導體材料，也稱為寬禁帶半導體材料。半導體材料共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一階段是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導體材料;
2020-11-06 17:20:404691 
因眾所周知的原因，近兩年國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，還特意推出產(chǎn)業(yè)基金扶持產(chǎn)業(yè)鏈內(nèi)企業(yè)，作為基金持倉中市值最高的企業(yè)，三安光電（600703）全面布局化合物半導體業(yè)務(wù)有望持續(xù)受益于國產(chǎn)替代，成為全球領(lǐng)先
2020-11-19 17:28:244096 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對寬禁帶半導體器件的挑戰(zhàn)，共同促進寬禁帶半導體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 三安光電獲補助款1.84億元三安光電公告稱，公司全資子公司泉州三安半導體科技有限公司（以下簡稱“三安半導體”）收到泉州半導體高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)南安分園區(qū)管理委員會《關(guān)于撥付泉州三安半導體科技有限公司
2020-12-24 16:55:293236 碳化硅（SiC）是第三代半導體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 2月2日，三安光電發(fā)布公告稱，全資子公司湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）獲得產(chǎn)業(yè)扶持資金8，107.43萬元。 公告顯示，根據(jù)三安光電與長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會簽訂的《項目
2021-02-02 15:30:292634 器件性能的限制被認識得越來越清晰。實現(xiàn)低導通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導體材料。
2021-03-01 16:12:0024 泰克科技與忱芯科技達成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補，圍繞寬禁帶功率半導體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
有限公司、泰科天潤半導體科技（北京）有限公司、北京郵電大學、三安光電有限公司等知名企業(yè)及高校科研院所共同分享寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)的最新進展。
2021-12-23 14:06:342830 
對于寬禁帶半導體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導體發(fā)展迅猛，被認為是有可能實現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 隨著寬禁帶半導體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導體，展示出高頻、高壓、高溫等獨特的性能優(yōu)勢，迎來新的發(fā)展機遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料，世界各國對SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導體器件。
2022-11-29 09:10:391948 隨著硅基電子器件逐漸接近其理論極限值，近年來對寬禁帶、超寬禁帶半導體材料的研究成為國際競爭的新熱點。氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導體材料，因為它的禁帶寬度都在3個電子伏以上，在室溫下不可能將價帶電子激發(fā)到導帶。
2022-12-01 16:15:101257 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導體測試中的探頭選擇難題》直播會議!歡迎企業(yè)、工程師積極報名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導體，指的是價帶和導帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價帶躍遷到導帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導體材料。半導體材料的禁帶寬度越大，對應(yīng)電子躍遷導帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 第三代寬禁帶半導體材料廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機車牽引、微波通信器件等。因為突破了第一代和第二代半導體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點。
2023-05-05 17:46:2211803 
！（詳情請戳：報名|工業(yè)寬禁帶半導體開發(fā)者論壇）快掃描下方二維碼報名活動，并獲取詳細論壇議程吧！（論壇為英文演講）新品通用分立功率半導體測試評估平臺型號為EVAL_
2022-04-01 10:32:161356 
第95期什么是寬禁帶半導體？半導體迄今為止共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
第三代半導體以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料，用于高壓、高溫、高頻場景。廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、工控等領(lǐng)域。因此第三代半導體研究主要是集中在材料特征研究，本文主要是研究碳化硅的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。
2023-08-11 10:17:541658 
寬禁帶半導體光電探測技術(shù)在科學、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能，推動了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
的性能已經(jīng)逐漸達到了極限。而氮化鎵作為一種寬禁帶半導體材料，具有更高的熱導率、更高的擊穿場強、更快的開關(guān)速度和更低的導通電阻等優(yōu)點，使得其成為電力電子器件的理想材料。尤其是在充電器領(lǐng)域，氮化鎵的應(yīng)用更是具有顯著的優(yōu)勢。
2023-10-11 16:30:48874 代半導體材料。 寬禁帶半導體材料適合于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件，正在成為固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的重要材料，在半導體照明、新一代移動通信、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。 寬
2023-11-03 12:10:021785 
11月13日， 三菱電機株式會社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅（SiC）功率半導體。三菱電機將利用其寬禁帶半導體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:331268 據(jù)了解，三安半導體與朗明納斯均為三安光電集團的子公司，2013年，三安光電收購了朗明納斯100%股權(quán)。
2024-01-12 10:36:491269 近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進會在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈投資機遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時刻。
2024-04-03 09:23:101093 會上，臨港新片區(qū)管委會聯(lián)動萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認識并保證寬禁帶（WBG）半導體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 半導體已成為綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動力，幫助實現(xiàn)更高的功效、更小的尺寸、更輕的重量、以及更低的總成本。英飛凌提供廣泛的寬禁帶產(chǎn)品系列和組合，包括硅材料、碳化硅和
2024-06-18 08:14:18788 
半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日宣布，計劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
2024-06-28 09:30:591876 在全球半導體市場日新月異的今天，荷蘭半導體制造商Nexperia（安世半導體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計劃投資高達2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進一步鞏固其作為全球節(jié)能半導體領(lǐng)導者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商Nexperia（安世半導體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導體產(chǎn)品，并擴大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261672 功率半導體和寬禁半導體是兩種不同類型的半導體材料，它們在電子器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物理和化學性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學和光電子學中，半導體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導體
2024-12-05 09:37:102785 
一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸成為
2025-02-15 11:15:301613 
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇學習總結(jié)》系列-文字原創(chuàng)，素材來源：Infineon-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學習、交流導語
2025-07-24 06:20:481455 
9月12日，湖南三安半導體有限責任公司（以下簡稱“湖南三安”）與賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司（以下簡稱“賽晶半導體”）在湖南三安成功舉行戰(zhàn)略合作簽約儀式。雙方基于在新型功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)中
2025-09-12 15:45:31723 隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動化、智能化邁進，半導體技術(shù)已成為推動這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動力。特別是寬禁帶半導體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 安世半導體是半導體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽。安世半導體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930
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