地，2020 年業(yè)界普遍認(rèn)為 5G 會(huì)實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用，熱點(diǎn)技術(shù)與應(yīng)用推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料需求有望進(jìn)一步增長(zhǎng)。寬禁帶半導(dǎo)體材料測(cè)試1 典型應(yīng)用一. 功率雙極性晶體管BJT 特性表征2 典型應(yīng)用二. 功率
2020-05-09 15:22:12
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來(lái)的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:08:33
及新能源汽車要求在600V-1200V，而軌道交通要求最高，范圍在3300V-6500V之間。圖表4 功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用及工作頻率（來(lái)源：Applied Materials）注：IPM即智能功率模塊，常見類型有IGBT類本文來(lái)源：來(lái)源：寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
2019-02-26 17:04:37
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
”，無(wú)疑令三星雪上加霜。 因受市況每況愈下的影響和制約，韓國(guó)三星電子的發(fā)展面臨著巨大的挑戰(zhàn)。據(jù)最新報(bào)導(dǎo)顯示，三星電子計(jì)劃明年將半導(dǎo)體事業(yè)的投資ST22I支出砍半，從134億美元降至70億美元，提前
2012-09-21 16:53:46
市場(chǎng)的銷售份額將進(jìn)一步提升，在下半年有望迎來(lái)較為快速的增長(zhǎng)。2023年行業(yè)將迎全新發(fā)展良機(jī)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依托于豐富人口紅利、龐大市場(chǎng)需求、穩(wěn)定經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)及產(chǎn)業(yè)扶持政策等眾多有利條件快速發(fā)展。據(jù)數(shù)據(jù)顯示，從
2023-03-17 11:13:35
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來(lái)實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
元件來(lái)適應(yīng)略微增加的開關(guān)頻率，但由于無(wú)功能量循環(huán)而增加傳導(dǎo)損耗［2］。因此，開關(guān)模式電源一直是向更高效率和高功率密度設(shè)計(jì)演進(jìn)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導(dǎo)體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
產(chǎn)線擁有生產(chǎn)設(shè)備近1000臺(tái)，工廠設(shè)有先進(jìn)實(shí)驗(yàn)室，2021年公司的年產(chǎn)能100億顆。合科泰在電路設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體器件及工藝設(shè)計(jì)、可靠性設(shè)計(jì)等方面積累了豐富的核心技術(shù)，擁有多項(xiàng)國(guó)家發(fā)明專利和實(shí)用新型專利等
2023-03-10 17:34:31
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
的機(jī)遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機(jī)會(huì)。誠(chéng)摯歡迎大家的參與。1、活動(dòng)主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
請(qǐng)問(wèn)怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)是半導(dǎo)體器件，因此半導(dǎo)體器件的性能就決定了整個(gè)電子產(chǎn)品的性能，所謂半導(dǎo)體就是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物理器件。
2016-04-29 15:25:23
1561 12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測(cè)方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 迄今為止， 在碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)、國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)過(guò)統(tǒng)計(jì)共有16項(xiàng)，遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于該行業(yè)的發(fā)展，這對(duì)整個(gè)市場(chǎng)的秩序及行業(yè)的發(fā)展是很不利的，因此標(biāo)準(zhǔn)化制定這項(xiàng)工作大有可為。這16項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)基本均發(fā)布于近幾年，所以近年來(lái)碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)發(fā)展了起來(lái)。
2018-07-18 08:43:002200 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 泰克科技（中國(guó)）有限公司業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理陳迎雨介紹泰克的MSO和DPO家族示波器。
2018-06-25 15:32:009858 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國(guó)家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫?，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過(guò)高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國(guó)際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無(wú)二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊(cè)資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測(cè)以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 從技術(shù)發(fā)展來(lái)看，隨著硅基器件的趨近成本效益臨界點(diǎn)，近年來(lái)主流功率半導(dǎo)體器件廠商紛紛圍繞碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體材料進(jìn)行探索。第三代半導(dǎo)體材料具備寬禁帶、低功率損耗等特性，迅速在高壓高頻率等新場(chǎng)景下發(fā)展壯大，成為功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域未來(lái)的重要發(fā)展趨勢(shì)之一。
2020-07-06 12:52:103091 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件 GaN 和 SiC 的出現(xiàn)，推動(dòng)著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。新型開關(guān)器件既能實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗，又能處理超高速 dv/dt 轉(zhuǎn)換，且支持超快速開關(guān)切換頻率，帶來(lái)的測(cè)試挑戰(zhàn)也成了
2020-10-30 03:52:111116 第三代半導(dǎo)體指禁帶寬度大于2.2eV的半導(dǎo)體材料，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一階段是以硅（Si）、鍺（Ge）為代表的第一代半導(dǎo)體材料;
2020-11-06 17:20:404691 
半導(dǎo)體，我們當(dāng)下討論的比較多的，有關(guān)于材料，有關(guān)于器件，有關(guān)于投資，有……每個(gè)話題的側(cè)重點(diǎn)都不同。材料無(wú)非是第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料；器件主要是基于WBG材料的MOS，HEML等，我們之前也聊過(guò)；投資
2020-11-09 14:25:3219028 先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來(lái)的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來(lái)越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度來(lái)看，這將具有現(xiàn)實(shí)意義。寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)將有望在實(shí)現(xiàn)新的電機(jī)能效和外形尺寸基準(zhǔn)方面發(fā)揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002760 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會(huì)在各大技術(shù)熱文中被提起，我們?cè)谝酝奈恼轮幸残ΨQ，寬禁帶半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車的“寵兒”，但也有些朋友會(huì)問(wèn)我們，寬禁帶半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說(shuō)到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會(huì)同期舉辦了面向寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342830 
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 追求更高效的電子產(chǎn)品以功率器件為中心，而半導(dǎo)體材料則處于研發(fā)活動(dòng)的前沿。硅的低成本和廣泛的可用性使其在幾年前超越鍺成為主要的功率半導(dǎo)體材料。然而，今天，硅正在將其在功率器件中的主導(dǎo)地位讓給兩種更高
2022-08-08 10:16:491930 
泰克科技在北京成立【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室】（TEK Advance Semiconductor Open Lab），并邀請(qǐng)嘉賓一起見證啟動(dòng)開幕，這是全國(guó)首個(gè)企業(yè)級(jí)第三代半導(dǎo)體功率器件測(cè)試服務(wù)實(shí)驗(yàn)室。
2022-09-26 14:30:341591 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來(lái)，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來(lái)新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來(lái)《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 郝躍院士長(zhǎng)期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學(xué)研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長(zhǎng)光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機(jī)理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:321473 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
活動(dòng)預(yù)告今天下午晚4點(diǎn)（北京時(shí)間），英飛凌將于線上舉辦“工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇”?；顒?dòng)將持續(xù)6個(gè)小時(shí)，更有英飛凌總部資深專家從技術(shù)和應(yīng)用角度深度解析寬禁帶半導(dǎo)體，與大家共同迎接新器件的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2022-04-01 10:32:161356 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉?lái)前所未有的黃金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
根據(jù)用戶在寬禁帶、雙脈沖測(cè)試遇到的種種問(wèn)題，安泰配置齊全的儀器、軟件、探頭和服務(wù)，加快有關(guān) SiC 和 GaN 功率器件與系統(tǒng)的驗(yàn)證。 通過(guò)以下方式幫助您提高系統(tǒng)性能： 符合 JEDEC 和 IEC
2023-07-07 18:08:361262 
。面對(duì)新材料、新器件和新特性在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和使用中的全新挑戰(zhàn)， 泰克結(jié)合多年在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的豐富經(jīng)驗(yàn)和領(lǐng)先的功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)為客戶提供支持服務(wù) ，同時(shí)在北京成立第三代半導(dǎo)體測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，幫助行業(yè)內(nèi)客戶、合作
2023-09-04 12:20:011009 寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
股份有限公司共建的寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心成功獲批。矽力杰創(chuàng)芯驅(qū)動(dòng)模擬未來(lái)寬禁帶功率器件與應(yīng)用浙江省工程研究中心圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體的器件與電源管理
2023-11-15 08:19:401564 能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬禁帶技術(shù)將推動(dòng)電力電子器件提高效率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在數(shù)據(jù)中心、智能樓宇、個(gè)人電子設(shè)備等應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出
2023-12-07 10:45:021167 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來(lái)顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬
2023-12-16 08:30:341284 
近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會(huì)在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會(huì)和萬(wàn)業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101093 會(huì)上，臨港新片區(qū)管委會(huì)聯(lián)動(dòng)萬(wàn)業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 ，今日宣布其實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過(guò)全面升級(jí)后，推出Version 2.0并在京盛大揭幕。泰克科技中國(guó)區(qū)分銷業(yè)務(wù)總經(jīng)理宋磊為本次盛會(huì)做了開幕致辭，同時(shí)我們有幸邀請(qǐng)到了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長(zhǎng)高偉博士，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
2024-05-16 17:14:30591 
功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國(guó)漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261672 英飛凌致力于通過(guò)其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略的引領(lǐng)下，節(jié)能減排已成為推動(dòng)各行各業(yè)結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型的核心動(dòng)力。泰克科技與廣東芯聚能半導(dǎo)體有限公司的合作，正是這一戰(zhàn)略下的重要實(shí)踐，雙方致力于推動(dòng)SiC功率模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，共同加速寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用，促進(jìn)了產(chǎn)業(yè)的綠色升級(jí)。
2024-07-09 14:22:521309 
功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮?b class="flag-6" style="color: red">器件中的應(yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 的角色。它們是構(gòu)成電子器件和光電子器件的基礎(chǔ)。根據(jù)禁帶寬度的不同，半導(dǎo)體材料可以分為窄禁帶、中禁帶和寬禁帶材料。寬禁帶半導(dǎo)體材料因其獨(dú)特的電子和光學(xué)特性，在高功率、高頻、高溫和高亮度應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。 寬禁帶半導(dǎo)
2024-07-31 09:09:063202 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體測(cè)試變得越來(lái)越復(fù)雜和具有挑戰(zhàn)性。在這種情況下，信號(hào)發(fā)生器作為測(cè)試設(shè)備的一個(gè)組成部分，扮演了越來(lái)越重要的角色。泰克信號(hào)發(fā)生器是一種高性能的信號(hào)發(fā)生器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體
2024-10-22 16:58:44852 
，被稱為第三代寬禁帶半導(dǎo)體。 優(yōu)勢(shì) 高溫、高頻、高耐壓：相比第一代（Si、Ge）和第二代（GaAs、InSb、InP）半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料在這些方面具備明顯優(yōu)勢(shì)。 導(dǎo)通電阻小：降低了器件的導(dǎo)通損耗。 電子飽和速率和電子遷移率高：提高
2024-12-05 09:37:102785 
時(shí)存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
2024-12-25 17:30:32865 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301613 
目前電氣化仍是減少碳排放的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力，而對(duì)高效電源的需求正在加速增長(zhǎng)。與傳統(tǒng)硅器件相比，寬禁帶技術(shù)，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（ GaN）等仍是促進(jìn)功率轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。工程師必須重新評(píng)估他們的驗(yàn)證和測(cè)試方法，以應(yīng)對(duì)當(dāng)今電氣化的挑戰(zhàn)。
2025-02-19 09:37:10869 
?無(wú)需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測(cè)試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 ：在剛剛過(guò)去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
共探寬禁帶功率器件領(lǐng)域技術(shù) 作為寬禁帶功率器件領(lǐng)域的重要學(xué)術(shù)與產(chǎn)業(yè)交流平臺(tái)，2025 IEEE 亞洲寬
2025-08-28 16:00:57604 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場(chǎng)深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 9月24日，PCIM Asia 2025在上海新國(guó)際博覽中心盛大開幕。泰克（Tektronix）攜手合作伙伴東方中科，重磅亮相N5館F08展位，聚焦模擬半導(dǎo)體與寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用場(chǎng)景，全面展示泰克全棧
2025-09-30 17:50:164640
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