摘要：
英諾賽科推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷?，可在電池管理系統(tǒng)、雙向變換器的高側(cè)負(fù)荷開關(guān)、電源系統(tǒng)中的開關(guān)電路等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高效應(yīng)用。 ?
英諾賽科宣布推出 100V 雙向?qū)ㄆ骷?/div>
2023-10-13 13:46:59
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科，在第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)快速起量的近幾年發(fā)展如何呢？ ? 三年?duì)I收超7 億，虧損累計(jì)67 億 英諾賽科在招股書中表示，公司是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是全球唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的
2024-06-17 00:11:005217 
IPO，英諾賽科擬募資13.999億港元。 ? 氮化鎵全球第一，虧損幅度逐年收窄 英諾賽科是全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，也是唯一具備產(chǎn)業(yè)規(guī)模提供全電壓譜系的硅基氮化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)品的公司。其產(chǎn)品包括氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、
2024-12-30 00:11:007888 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月28日，功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科發(fā)布2024年業(yè)績(jī)報(bào)告，本年度營(yíng)收達(dá)到8.285億元，同比增長(zhǎng)39.8%。作為全球首家大規(guī)模量產(chǎn)8英寸晶圓的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科集團(tuán)憑借
2025-04-01 01:20:004221 
發(fā)燒友拍攝 “與硅基器件相比，氮化鎵的功率密度可達(dá) 30W/mm，是硅的150倍，開關(guān)頻率提升 10 倍以上，可使電源適配器體積縮小 60%?！?西安電子科技大學(xué)廣州研究院教授弓小武對(duì)媒體表示。當(dāng)前，GaN作為一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，近年
2025-04-21 09:10:422408 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）12月3日，安森美宣布與英諾賽科簽署了諒解備忘錄，雙方將評(píng)估加速40V-200V氮化鎵功率器件部署的合作機(jī)會(huì)，基于英諾賽科成熟的200mm硅基氮化鎵制造工藝，探索擴(kuò)大
2025-12-04 07:42:0010991 近日，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體廠商英諾賽科再傳好消息。12月9日，中國(guó)智能電動(dòng)汽車部件及解決方案提供商蘇州匯川聯(lián)合動(dòng)力系統(tǒng)股份有限公司與英諾賽科，共同宣布采用650V氮化鎵的新一代6.6KW OBC系統(tǒng)在長(zhǎng)安汽車順利裝車，為車載電源技術(shù)樹立了新典范。
2025-12-24 00:56:008038 
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
市場(chǎng)趨勢(shì)和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢(shì)，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
。今天安泰測(cè)試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測(cè)試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡(jiǎn)稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測(cè)方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國(guó)高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012151 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢(shì)，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國(guó)防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009044 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038619 近日，2018中國(guó)寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國(guó)家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253991 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫?，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306039 關(guān)鍵詞：氮化鎵 , GaN , 英諾賽科 近日，世強(qiáng)與國(guó)產(chǎn)品牌英諾賽科（Innoscience）簽約，代理其全線產(chǎn)品。本次簽約，不僅意味著世強(qiáng)進(jìn)一步拓展了功率和射頻器件的產(chǎn)品線，還意味著英諾賽科
2019-01-16 18:16:01894 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國(guó)際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524423 英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱英諾賽科）是一家專業(yè)從事新型第三代半導(dǎo)體材料、器件以及集成電路開發(fā)與制造的高科技公司。近日，芯片項(xiàng)目主廠房經(jīng)過14個(gè)月的緊張建設(shè)，順利完成封頂。市委副書記朱民，吳江區(qū)及汾湖高新區(qū)領(lǐng)導(dǎo)李銘、吳琦、沈偉江出席封頂儀式。
2019-09-02 16:19:4913130 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試
2020-05-28 09:58:592018 
近日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成，同時(shí)也標(biāo)志著中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新史步入一個(gè)新紀(jì)元。
2020-10-21 10:30:243072 此外，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項(xiàng)目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)78萬片功率控制電路及半導(dǎo)體電力電子器件的總目標(biāo)。
2020-11-05 09:41:534981 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 發(fā)燒友特別采訪了英諾賽科產(chǎn)品應(yīng)用經(jīng)理鄒艷波，他對(duì)2021年半導(dǎo)體市場(chǎng)提供了自己的前瞻觀點(diǎn)和技術(shù)趨勢(shì)分析。div style=text-align:center;img alt= src=https
2020-12-25 15:31:154331 2021中國(guó)半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會(huì)暨中國(guó)IC 風(fēng)云榜頒獎(jiǎng)典禮在北京舉辦。英諾賽科（珠海）科技有限公司（簡(jiǎn)稱：英諾賽科）榮獲2021中國(guó)IC風(fēng)云榜“年度獨(dú)角獸獎(jiǎng)”。
2021-01-19 10:24:045220 先進(jìn)研究計(jì)劃局DARPA的高功率電子器件應(yīng)用寬禁帶技術(shù)HPE項(xiàng)目的發(fā)展，介紹了SiC功率器件的最新進(jìn)展及其面臨的挑戰(zhàn)和發(fā)展前景。同時(shí)對(duì)我國(guó)寬禁帶半導(dǎo)體SiC器件的研究現(xiàn)狀及未來的發(fā)展方向做了概述與展望.
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場(chǎng)，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 理工大學(xué)等純研究機(jī)構(gòu)。 幾年來，這些單位的規(guī)劃總投資已經(jīng)超過300億元，總產(chǎn)能超過180萬片/年。專家預(yù)計(jì)，2022年，此類產(chǎn)品成本逐步下降之后，國(guó)內(nèi)產(chǎn)品有望實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代。 寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體包括碳化硅還有氮化鎵（GaN），其啟蒙階段的“頂流
2021-06-08 15:29:092216 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會(huì)在各大技術(shù)熱文中被提起，我們?cè)谝酝奈恼轮幸残ΨQ，寬禁帶半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車的“寵兒”，但也有些朋友會(huì)問我們，寬禁帶半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283018 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測(cè)試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會(huì)同期舉辦了面向寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342831 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:151118 近年來，一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測(cè)試解決方案的泰克科技，近期攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來，雙方將合作攻克氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等一系列挑戰(zhàn)，讓優(yōu)異的氮化鎵產(chǎn)品進(jìn)入更多應(yīng)用領(lǐng)域，一起為未來科技充電！
2022-04-22 16:55:192948 中國(guó)北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測(cè)試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服氮化鎵更快開關(guān)速度、更高開關(guān)頻率等等一系列挑戰(zhàn)
2022-04-25 16:30:232414 
對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534544 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341761 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國(guó)對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國(guó)、歐洲、日本等不僅從國(guó)家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國(guó)際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391949 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測(cè)試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421622 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810873 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
英諾賽科（Innoscience）一直致力于推動(dòng)GaN技術(shù)的發(fā)展，從而推動(dòng)新一代電力電子設(shè)備的快速普及。2023年8月，英諾賽科推出了一款100V的GaN新品，采用FCQFN封裝，再次彰顯了其在GaN領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2023-08-14 15:07:062681 寬禁帶半導(dǎo)體光電探測(cè)技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測(cè)功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02967 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
11月20日，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心正式啟用
將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器件的整體競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-11-22 15:27:561481 ? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。 在整個(gè)
2023-12-07 10:45:021168 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢(shì)的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬
2023-12-16 08:30:341285 
Technologies Austria AG）對(duì)英諾賽科（珠海）科技有限公司（Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.）、英諾賽科美國(guó)
2024-03-14 18:04:211530 英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司，正式狀告位于珠海的英諾賽科、以及其在美分支機(jī)構(gòu)涉嫌侵犯有關(guān)GaN技術(shù)的美國(guó)專利，尋求永久禁令。
2024-03-15 09:56:041823 英諾賽科，這家成立于2015年12月的高新技術(shù)企業(yè)，近日傳出計(jì)劃今年內(nèi)在香港進(jìn)行IPO的消息，預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到3億美元。
2024-03-20 14:36:532672 英飛凌就其GaN相關(guān)的美國(guó)專利對(duì)英諾賽科提起訴訟，目前正在尋求永久禁令! 3月14日英飛凌官網(wǎng)發(fā)布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)將通過其子公司英飛凌
2024-03-21 11:00:361246 
近日，有消息透露，英諾賽科公司正籌備在今年內(nèi)赴香港進(jìn)行首次公開募股（IPO），預(yù)計(jì)融資規(guī)模將達(dá)到約3億美元。
2024-03-25 15:40:081459 近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341128 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會(huì)在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會(huì)和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101094 會(huì)上，臨港新片區(qū)管委會(huì)聯(lián)動(dòng)萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561151 功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311647 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股（IPO）的上市申請(qǐng)，標(biāo)志著這家全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場(chǎng)的重要步伐。
2024-06-15 09:50:031456 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長(zhǎng)的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18789 
在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341392 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國(guó)漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261673 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311370 在半導(dǎo)體行業(yè)的快速變革中，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司以卓越的氮化鎵產(chǎn)品，已發(fā)展成為全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體高新技術(shù)企業(yè)。近期發(fā)布的招股書數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科不僅在多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域獲得了客戶的廣泛認(rèn)可
2024-07-08 12:53:04785 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院，對(duì)英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國(guó)公司及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡(jiǎn)稱：英
2024-07-29 13:41:52751 功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們?cè)陔娮悠骷械膽?yīng)用有著很大的不同。以下是它們之間的一些主要區(qū)別： 材料類型：功率半導(dǎo)體通常由硅（Si）或硅碳化物（SiC）等材料制成，而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢(shì)，且它們?cè)陔娏﹄娮酉到y(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
，已成為推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的核心力量。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”)憑借其深厚的技術(shù)底蘊(yùn)和前瞻性的戰(zhàn)略布局，成功躋身行業(yè)領(lǐng)先地位。作為公認(rèn)的頭部企業(yè)，英諾賽科在功率半導(dǎo)
2024-12-25 13:49:05923 近日，國(guó)內(nèi)氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者——英諾賽科(蘇州)科技股份有限公司，在香港聯(lián)合交易所主板成功掛牌上市。此舉標(biāo)志著國(guó)內(nèi)氮化鎵半導(dǎo)體第一股正式誕生，為行業(yè)樹立了新的里程碑。 英諾賽科作為一家
2025-01-02 14:36:301522 近日，全球氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的佼佼者英諾賽科(2577.HK)成功登陸港交所主板，為港股市場(chǎng)增添了一枚稀缺且優(yōu)質(zhì)的投資標(biāo)的。 英諾賽科作為全球首家實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)8英吋硅基氮化鎵晶圓的公司，其在
2025-01-06 11:29:141125 ?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測(cè)量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測(cè)試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測(cè)試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 2025 年3月19日 - 英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（香港聯(lián)交所代碼：2577）是一家致力于高性能、低成本的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）芯片制造及電源解決方案企業(yè)。 今日，英諾賽科宣布其
2025-03-19 13:57:341492 ??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲(chǔ)、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法半導(dǎo)體在歐洲的制造產(chǎn)能，意法半導(dǎo)體可借助英諾賽
2025-04-01 10:06:023812 
近日，氮化鎵行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)英諾賽科正式對(duì)外宣布，將進(jìn)一步擴(kuò)大其 8 英寸晶圓的產(chǎn)能。這一消息在半導(dǎo)體領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注，標(biāo)志著英諾賽科在鞏固自身行業(yè)地位的同時(shí)，也將為全球氮化鎵市場(chǎng)注入新的活力。 英
2025-07-17 17:10:59678 制造成本被再次推上臺(tái)面。 對(duì)于高度依賴全球制造網(wǎng)絡(luò)的半導(dǎo)體行業(yè)而言，這一輪政策調(diào)整不僅抬高了成本，也將“在哪里制造”成為影響定價(jià)結(jié)構(gòu)與交付路徑的核心變量。 ?就在政策正式公布前三天，意法半導(dǎo)體(以下簡(jiǎn)稱“ST”)與英諾賽科
2025-07-23 16:31:471148 
：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
尺寸小型化等方面的優(yōu)勢(shì)，共同為新能源汽車開發(fā)先進(jìn)的電力電子系統(tǒng)。 ? ? ? 英諾賽科作為全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)的龍頭，自 2017 年成立以來成績(jī)斐然。2024 年完成 E 輪融資后，其投后估值達(dá) 235 億元，成功躋身超級(jí)獨(dú)角獸行列，并于同年 1
2025-07-31 17:14:13887 
）控告英諾賽科（Innoscience）關(guān)于氮化鎵（GaN）技術(shù)專利侵權(quán)的一審判決中，判定英飛凌勝訴。該案的核心是英諾賽科未經(jīng)授權(quán)使用了英飛凌受專利保護(hù)的氮化鎵（GaN，以下同）技術(shù)。氮化鎵技術(shù)在實(shí)現(xiàn)高性能及高能效的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，應(yīng)用范圍廣泛涵蓋可再生能源系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動(dòng)化以及電動(dòng)
2025-08-04 18:28:251668 隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場(chǎng)深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 近日，蘇州納芯微電子股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：納芯微）、聯(lián)合汽車電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱：聯(lián)合電子）與英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-10-13 11:41:042483 安森美（onsemi）宣布已與英諾賽科（Innoscience）簽署諒解備忘錄，雙方將探索利用英諾賽科成熟的200毫米氮化鎵（GaN）硅基工藝，以擴(kuò)大 GaN 功率器件的生產(chǎn)規(guī)模。該合作將整合安森美
2025-12-11 17:47:04656 
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