硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計(jì)人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。 本文為白皮書第一部分，將重點(diǎn)介紹寬禁帶半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2025-01-05 19:25:29
2602 
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個(gè)極限，而此時(shí)以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時(shí)間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1013830 
在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共投資了4億元來建設(shè)寬禁帶半導(dǎo)體器件與集成電路國家工程研究中心，這個(gè)工程研究中心不僅僅承載著解決技術(shù)的問題，我們還承載著一些對(duì)原創(chuàng)性技術(shù)的布局。
2020-08-17 09:05:5619141 多個(gè)數(shù)據(jù)流，并以超低的成本，延長工作壽命。有些應(yīng)用需要抵消輸入阻塞信號(hào)的作用，降低攔截概率。正在席卷整個(gè)行業(yè)的相控天線設(shè)計(jì)為這些挑戰(zhàn)提供了解決辦法。人們開始采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)解決相控陣天線過去存在的缺點(diǎn)，以最終
2021-01-20 07:11:05
寬禁帶半導(dǎo)體的介紹
2016-04-18 16:06:50
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2018-10-30 08:57:22
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2019-07-31 08:33:30
`相控陣雷達(dá)接收技術(shù)`
2012-05-28 12:50:36
，LTM4644可以滿足該應(yīng)用場景要求。
LTM4644系列芯片因其卓越的性能和高度集成的特性，是相控陣雷達(dá)方案理想的電源芯片方案。這款產(chǎn)品能夠在4V至14V的寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，提供0.6V至
2024-11-17 10:53:29
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
申請(qǐng)理由：作為相控陣雷達(dá)系統(tǒng)的主控芯片 項(xiàng)目描述：實(shí)驗(yàn)室項(xiàng)目正在做24Ghz 高頻相控陣天線設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)，本開發(fā)板可以作為主控芯片
2015-07-06 12:50:38
市場趨勢和更嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推動(dòng)電子產(chǎn)品向更高能效和更緊湊的方向發(fā)展。寬禁帶產(chǎn)品有出色的性能優(yōu)勢，有助于高頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高能效、高功率密度。安森美半導(dǎo)體作為頂尖的功率器件半導(dǎo)體供應(yīng)商，除了提供適合全功率
2020-10-30 08:37:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)。與硅相比
2020-10-27 09:33:16
三極管具有什么特性？什么是寬禁帶半導(dǎo)體？
2021-06-08 07:09:36
，從而支持每次充電能續(xù)航更遠(yuǎn)的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。那么具體什么是寬禁帶技術(shù)呢？
2019-07-31 07:42:54
一些比較有產(chǎn)品特色品牌的4644系列芯片進(jìn)行對(duì)比分析：
國產(chǎn)芯片在性能上已經(jīng)能夠與國際品牌相媲美，甚至在某些方面實(shí)現(xiàn)了超越。它們不僅滿足了相控陣雷達(dá)電源管理解決方案的需求，還有助于提升國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
2024-10-31 17:34:45
。今天安泰測試就給大家分享一下吉時(shí)利源表在寬禁帶材料測試的應(yīng)用方案。一·寬禁帶材料介紹寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件
2022-01-23 14:15:50
同步控制的大功率機(jī)載相控陣雷達(dá)電源設(shè)計(jì)相控陣技術(shù)以其獨(dú)特功能，廣泛應(yīng)用于地面防御和海上防御各種雷達(dá)之中，發(fā)揮了重要作用，成為備受關(guān)注的雷達(dá)體制，如應(yīng)用于機(jī)載雷達(dá)，也一定能使飛機(jī)的作戰(zhàn)性能得到更好
2009-12-10 16:39:51
`由電氣觀察主辦的“寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用交流會(huì)”將于7月16日在浙江大學(xué)玉泉校區(qū)舉辦。寬禁帶半導(dǎo)體電力電子技術(shù)的應(yīng)用、寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件的封裝、寬禁帶電力電子技術(shù)
2017-07-11 14:06:55
請(qǐng)問怎么優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)？
2021-06-17 06:45:48
相控陣雷達(dá)又稱作相位陣列雷達(dá)，是一種以改變雷達(dá)波相位來改變波束方向的雷達(dá)，因?yàn)槭且噪娮臃绞娇刂撇ㄊ莻鹘y(tǒng)的機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)天線面方式，故又稱電子掃描雷達(dá)。
2017-12-01 16:45:5973845 12月11日，中關(guān)村天合寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟（以下簡稱“寬禁帶聯(lián)盟”）團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)評(píng)審會(huì)在北京市大興區(qū)天榮街9號(hào)世農(nóng)大廈3層會(huì)議室順利召開。此次評(píng)審會(huì)包含《碳化硅單晶》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)送審稿審定及《碳化硅混合模塊產(chǎn)品檢測方法》等四項(xiàng)團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)草案討論兩部分內(nèi)容。
2017-12-13 09:05:514919 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學(xué)性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
近日，廣東省“寬禁帶半導(dǎo)體材料、功率器件及應(yīng)用技術(shù)創(chuàng)新中心”在松山湖成立，該創(chuàng)新中心由廣東省科技廳、東莞市政府支持及引導(dǎo)，易事特、中鎵半導(dǎo)體、天域半導(dǎo)體、松山湖控股集團(tuán)、廣東風(fēng)華高科股份有限公司多家行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)共同出資發(fā)起設(shè)立。
2018-06-11 01:46:0011051 6月23日，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目在蘇州市吳江區(qū)舉行開工儀式。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資60億，占地368畝，建成后將成為世界一流的集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)，填補(bǔ)我國高端半導(dǎo)體器件的產(chǎn)業(yè)空白。
2018-06-25 16:54:0012150 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的收緊和政府法規(guī)的改變是提高產(chǎn)品能效的關(guān)鍵推動(dòng)因素。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 是寬禁帶材料，提供下一代功率器件的基礎(chǔ)，具有比硅更佳的特性和性能。
2018-07-21 08:04:516425 寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視，其中碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢，成為支撐信息、能源、交通、先進(jìn)制造、國防等領(lǐng)域發(fā)展的重點(diǎn)新材料。
2018-08-06 11:55:009041 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料被廣泛應(yīng)用在各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子，新能源汽車，光伏，機(jī)車牽引，以及微波通訊器件等，由于它突破第一、二代半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，被業(yè)界一直看好。
2018-10-10 16:57:4038617 近日，2018中國寬禁帶功率半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)發(fā)展峰會(huì)在濟(jì)南召開。會(huì)上，國家主管部門領(lǐng)導(dǎo)與技術(shù)專家、金融投資機(jī)構(gòu)、知名企業(yè)負(fù)責(zé)人等共同研討寬禁帶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)工藝和產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)，為技術(shù)協(xié)同以及產(chǎn)業(yè)、資本的對(duì)接提供了良好的交流互動(dòng)平臺(tái)。
2018-12-10 14:24:253990 現(xiàn)代電子技術(shù)偏愛高壓，轉(zhuǎn)向寬禁帶半導(dǎo)體的高壓系統(tǒng)，是因?yàn)椋菏紫?，高壓意味著低電流，這也意味著系統(tǒng)所用的銅總量會(huì)減少，結(jié)果會(huì)直接影響到系統(tǒng)成本的降低；其次，寬禁帶技術(shù)(通過高壓實(shí)現(xiàn))的阻性損耗
2018-12-13 16:58:306038 如典型的寬禁帶SiC器件，NTHL080N120SC1和NVHL080N120SC1結(jié)合高功率密度及高能效工作。由于器件的更小占位，可顯著降低運(yùn)行成本和整體系統(tǒng)尺寸。典型的寬禁帶半導(dǎo)體特性，尤其是
2019-04-03 15:46:094850 5月16日上午，濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)起步區(qū)項(xiàng)目開工活動(dòng)在濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)舉行。寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)小鎮(zhèn)位于濟(jì)南槐蔭經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)的，緊鄰西客站片區(qū)和濟(jì)南國際醫(yī)學(xué)中心，是濟(jì)南實(shí)施北跨發(fā)展和新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換
2019-05-17 17:18:524422 半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試
2020-05-28 09:58:592018 
資料顯示，英諾賽科寬禁帶半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資68.55億元人民幣，注冊資本20億元，占地368.6畝，主要建設(shè)從器件設(shè)計(jì)，驅(qū)動(dòng)IC設(shè)計(jì)開發(fā)，材料制造，器件制備，后段高端封測以及模塊加工的全產(chǎn)業(yè)鏈寬禁帶
2020-07-06 08:54:551214 什么是相控陣天氣雷達(dá)？江艷軍向經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)記者介紹，大興機(jī)場的相控陣天氣雷達(dá)，是C波段全數(shù)字有源相控陣天氣雷達(dá)，也是世界上首部在民用領(lǐng)域業(yè)務(wù)化的C波段相控陣雷達(dá)，具有高時(shí)空分辨力，空間分辨率達(dá)到150米，實(shí)現(xiàn)了對(duì)氣象目標(biāo)的精細(xì)化、快速化觀測。
2020-09-22 10:55:448939 基于新興GaN和SiC寬禁帶技術(shù)的新型半導(dǎo)體產(chǎn)品，有望實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強(qiáng)功能。
2020-10-23 11:03:261297 Cree Wolfspeed與泰克共同應(yīng)對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體器件的挑戰(zhàn)，共同促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展。
2020-12-21 15:48:571258 碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:46
29 器件性能的限制被認(rèn)識(shí)得越來越清晰。實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的方法是提高材料的臨界擊穿電場，也就是選擇寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
2021-03-01 16:12:0024 的角度來看，這將具有現(xiàn)實(shí)意義。寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)的出現(xiàn)將有望在實(shí)現(xiàn)新的電機(jī)能效和外形尺寸基準(zhǔn)方面發(fā)揮重要作用。
2021-05-01 09:56:002760 理工大學(xué)等純研究機(jī)構(gòu)。 幾年來，這些單位的規(guī)劃總投資已經(jīng)超過300億元，總產(chǎn)能超過180萬片/年。專家預(yù)計(jì)，2022年，此類產(chǎn)品成本逐步下降之后，國內(nèi)產(chǎn)品有望實(shí)現(xiàn)部分國產(chǎn)替代。 寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體包括碳化硅還有氮化鎵（GaN），其啟蒙階段的“頂流
2021-06-08 15:29:092215 作為2021年技術(shù)熱詞，寬禁帶總會(huì)在各大技術(shù)熱文中被提起，我們在以往的文章中也笑稱，寬禁帶半導(dǎo)體是電動(dòng)汽車的“寵兒”，但也有些朋友會(huì)問我們，寬禁帶半導(dǎo)體為什么總是要和汽車一起提起呢？ 說到這里，我們
2021-08-26 15:20:283017 相控陣雷達(dá)技術(shù)叢書之相控陣雷達(dá)數(shù)據(jù)處理
2021-10-18 10:25:290 泰克科技與忱芯科技達(dá)成了全范圍的戰(zhàn)略合作聯(lián)盟，雙方將深度整合資源，優(yōu)勢互補(bǔ)，圍繞寬禁帶功率半導(dǎo)體測試領(lǐng)域開展全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)品合作，為客戶解決寬禁帶半導(dǎo)體測試挑戰(zhàn)。
2021-11-08 17:20:314217 
大會(huì)同期舉辦了面向寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用，推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題，邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、蘇州晶湛半導(dǎo)體
2021-12-23 14:06:342830 
英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）將顯著擴(kuò)大寬禁帶（碳化硅和氮化鎵）半導(dǎo)體的產(chǎn)能，進(jìn)一步鞏固和增強(qiáng)其在功率半導(dǎo)體市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。
2022-02-21 16:47:151118 對(duì)于寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)目前概況，呂凌志博士直言，寬禁帶半導(dǎo)體行業(yè)主要有襯底、外延、器件三大段，由于每部分的物態(tài)形式、設(shè)備控制都不一樣，要想做好這個(gè)行業(yè)的MES軟件，就必須要理解每一段的工藝特性、管控重點(diǎn)。
2022-07-05 12:44:534542 在高端應(yīng)用領(lǐng)域，碳化硅MOSFET已經(jīng)逐漸取代硅基IGBT。以碳化硅、氮化鎵領(lǐng)銜的寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展迅猛，被認(rèn)為是有可能實(shí)現(xiàn)換道超車的領(lǐng)域。
2022-07-06 12:49:161771 金秋10月，Bodo's寬禁帶半導(dǎo)體論壇驚艷亮相深圳ESSHOW 2021年，特斯拉創(chuàng)紀(jì)錄出貨量助碳化硅達(dá)到了10億美元市場規(guī)模；比亞迪“漢”和現(xiàn)代Ioniq-5也都因搭載高性能碳化硅模塊受益于快速
2022-07-29 15:49:291210 
寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
2022-08-02 17:22:121579 對(duì)電子設(shè)備的需求激增正在推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)多個(gè)領(lǐng)域的增長。制造商通過使用非傳統(tǒng)產(chǎn)品和應(yīng)用程序添加差異化服務(wù)來尋求競爭優(yōu)勢。這一趨勢的受益者是寬帶隙 （WBG） 半導(dǎo)體，由于一系列應(yīng)用程序供應(yīng)商的興趣激增，它經(jīng)歷了更新。
2022-08-05 14:39:172175 效率的替代品：碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)。 這些高度創(chuàng)新的材料屬于寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體系列。WBG 非凡的物理和電氣特性使這些材料非常適合滿足高頻電源應(yīng)用的性能需求，包括極端功率和工作溫度以及對(duì)以緊湊外形實(shí)現(xiàn)更快、高效、
2022-08-08 10:16:491930 
隨著寬禁帶半導(dǎo)體材料成本得到明顯下降，其應(yīng)用情況將會(huì)發(fā)生明顯變化。 編者按： 近年來，以氮化鎵和碳化硅兩種主要新材料為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，展示出高頻、高壓、高溫等獨(dú)特的性能優(yōu)勢，迎來新的發(fā)展機(jī)遇
2022-10-28 11:04:341760 
碳化硅（SiC）是目前發(fā)展最成熟的寬禁帶半導(dǎo)體材料，世界各國對(duì)SiC的研究非常重視，紛紛投入大量的人力物力積極發(fā)展，美國、歐洲、日本等不僅從國家層面上制定了相應(yīng)的研究規(guī)劃，而且一些國際電子業(yè)巨頭也都投入巨資發(fā)展碳化硅半導(dǎo)體器件。
2022-11-29 09:10:391948 隨著硅基電子器件逐漸接近其理論極限值，近年來對(duì)寬禁帶、超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研究成為國際競爭的新熱點(diǎn)。氮化鎵、碳化硅和氧化鋅等都是寬帶隙半導(dǎo)體材料，因?yàn)樗?b class="flag-6" style="color: red">禁帶寬度都在3個(gè)電子伏以上，在室溫下不可能將價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶。
2022-12-01 16:15:101257 2022年12月15日上午 10:30-11:30力科將帶來《解析寬禁帶功率半導(dǎo)體測試中的探頭選擇難題》直播會(huì)議!歡迎企業(yè)、工程師積極報(bào)名! 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有
2022-12-09 14:29:421621 
寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。
2022-12-19 17:59:033531 寬禁帶半導(dǎo)體泛指室溫下帶隙寬度E~g~大于等于2.3eV的半導(dǎo)體材料，是繼GaAs、InP之后的第三代半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，對(duì)應(yīng)電子躍遷導(dǎo)帶能量越大，從而材料能夠承受更高的溫度和電壓。
2023-02-02 15:13:5810872 半導(dǎo)體，通常指硅基的半導(dǎo)體材料，這類材料可以通過摻雜產(chǎn)生富電子及富空穴的區(qū)域（自行修讀半導(dǎo)體物理），而在外部電場的影響下，能使材料表現(xiàn)出導(dǎo)通電流和非導(dǎo)通電流的狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)邏輯功能或0/1控制。
2023-02-02 15:22:593812 
第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域，包括電力電子、新能源汽車、光伏、機(jī)車牽引、微波通信器件等。因?yàn)橥黄屏说谝淮偷诙?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體材料的發(fā)展瓶頸，受到了業(yè)界的青睞。
2023-02-23 17:59:483757 
作者?| 薛定諤的咸魚 第三代半導(dǎo)體 主要是指氮化鎵和碳化硅、氧化鋅、氧化鋁、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體，它們通常都具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、可承受大功率等特點(diǎn)
2023-02-27 15:19:2912 ）為主的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、可承受大功率等特點(diǎn)。
2023-05-05 17:46:2211803 
活動(dòng)預(yù)告今天下午晚4點(diǎn)（北京時(shí)間），英飛凌將于線上舉辦“工業(yè)寬禁帶半導(dǎo)體開發(fā)者論壇”?；顒?dòng)將持續(xù)6個(gè)小時(shí)，更有英飛凌總部資深專家從技術(shù)和應(yīng)用角度深度解析寬禁帶半導(dǎo)體，與大家共同迎接新器件的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
2022-04-01 10:32:161356 
第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體？半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段：第一代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等化合物為代表；第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:466543 
為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體在光伏風(fēng)能發(fā)電、儲(chǔ)能、大數(shù)據(jù)、5G通信、新能源汽車等領(lǐng)域或?qū)⒂瓉砬八从械狞S金發(fā)展期。如何促進(jìn)寬禁帶半導(dǎo)體在集成電路領(lǐng)域的融合創(chuàng)新？如何提
2023-06-30 10:08:301328 
寬禁帶半導(dǎo)體光電探測技術(shù)在科學(xué)、工業(yè)和醫(yī)療領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，提供了高效的光電轉(zhuǎn)換和探測功能，推動(dòng)了許多現(xiàn)代科技應(yīng)用的發(fā)展。
2023-09-20 17:52:092640 
點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們 寬禁帶半導(dǎo)體是指具有寬禁帶能隙的半導(dǎo)體材料，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性，因此具有廣泛應(yīng)用前景。根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，寬
2023-10-08 19:15:02966 碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。
2023-10-09 16:38:061828 
點(diǎn)擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:021785 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國” ， 關(guān)注我們 ???????? 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。 在整個(gè)
2023-12-07 10:45:021167 在半導(dǎo)體行業(yè)，新的材料技術(shù)有“四兩撥千斤”的魔力，輕輕松松帶來顛覆性變革。具有先天性能優(yōu)勢的寬禁帶半導(dǎo)體材料脫穎而出。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，寬禁帶半導(dǎo)體的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。寬
2023-12-16 08:30:341284 
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
2024-01-10 09:27:324486 近日，全球寬禁帶領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（ST）在深圳和上海兩地成功舉辦了寬禁帶研討會(huì)，受到電力和能源領(lǐng)域?qū)I(yè)嘉賓的熱烈追捧。
2024-03-28 10:32:341127 2024年3月29日，2024上海全球投資促進(jìn)會(huì)在臨港新片區(qū)召開，其中包括寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈投資機(jī)遇分論壇。
2024-03-29 16:35:241164 臨港新片區(qū)管委會(huì)和萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）下屬的凱世通等知名企業(yè)聯(lián)合宣布成立“汽車-寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”，其中，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士作為關(guān)鍵裝備企業(yè)的代表榮耀見證了這一重要時(shí)刻。
2024-04-03 09:23:101093 會(huì)上，臨港新片區(qū)管委會(huì)聯(lián)動(dòng)萬業(yè)企業(yè)（600641.SH）旗下凱世通等多家行業(yè)翹楚，協(xié)同成立“汽車—寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟”。聯(lián)盟成立儀式上，凱世通總經(jīng)理陳克祿博士代表關(guān)鍵裝備企業(yè)發(fā)聲。
2024-04-03 15:50:561150 功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體（如碳化硅（SiC）和氮化鎵
2024-06-07 14:30:311645 當(dāng)今，氣候變化與如何應(yīng)對(duì)持續(xù)增長的能源需求已經(jīng)成為人類面臨的共同挑戰(zhàn)，而寬禁帶半導(dǎo)體高度契合節(jié)能減排需求，并在能源轉(zhuǎn)型中為減緩氣候變化做出重要貢獻(xiàn)。以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶
2024-06-18 08:14:18788 半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日宣布，計(jì)劃投資2億美元（約合1.84億歐元）研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品(WBG)，例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)，并在漢堡工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施
2024-06-28 09:30:591876 在全球半導(dǎo)體市場日新月異的今天，荷蘭半導(dǎo)體制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）近日邁出了重大的一步。這家以技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品質(zhì)量著稱的公司宣布，計(jì)劃投資高達(dá)2億美元（約合1.84億歐元），用于研發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并在其位于漢堡的工廠建立生產(chǎn)基礎(chǔ)設(shè)施。
2024-06-28 11:12:341391 下一代寬禁帶半導(dǎo)體（WBG）的研發(fā)和生產(chǎn)，包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等高性能材料，進(jìn)一步鞏固其作為全球節(jié)能半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者的地位。
2024-06-28 16:56:381690 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的今天，芯片制造商N(yùn)experia（安世半導(dǎo)體）再次展現(xiàn)了其前瞻性的戰(zhàn)略布局。近日，該公司宣布將投資高達(dá)2億美元，用于在德國漢堡工廠開發(fā)下一代寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品，并擴(kuò)大其晶圓廠的產(chǎn)能。
2024-06-29 10:03:261672 英飛凌致力于通過其創(chuàng)新的寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體技術(shù)推進(jìn)可持續(xù)能源解決方案。本次英飛凌寬禁帶論壇將首次展出多款CoolSiC創(chuàng)新產(chǎn)品，偕同英飛凌智能家居方案，以及電動(dòng)交通和出行方案在
2024-07-04 08:14:311369 半導(dǎo)體則由氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等材料制成。 禁帶寬度：功率半導(dǎo)體的禁帶寬度相對(duì)較窄，通常在1eV左右，而寬禁半導(dǎo)體的禁帶寬度較大，通常在3eV以上。 導(dǎo)電性能：功率半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能較好，適用于高功率、高電流的場合。而寬禁
2024-07-31 09:07:121517 寬禁帶半導(dǎo)體材料是指具有較寬的禁帶寬度（Eg>2.3eV）的半導(dǎo)體材料。這類材料具有許多獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其在許多高科技領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。 在現(xiàn)代電子學(xué)和光電子學(xué)中，半導(dǎo)體材料扮演著至關(guān)重要
2024-07-31 09:09:063202 ? 第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域中有著重要應(yīng)用。本文對(duì)其進(jìn)行簡單介紹。 以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶化合物半導(dǎo)體
2024-12-05 09:37:102785 
本文介紹第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體的應(yīng)用 在電動(dòng)汽車的核心部件中，車用功率模塊（當(dāng)前主流技術(shù)為IGBT）占據(jù)著舉足輕重的地位，它不僅決定了電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的關(guān)鍵性能，還占據(jù)了電機(jī)逆變器成本的40%以上。鑒于
2025-01-15 10:55:571150 
?無需焊接或探針，即可輕松準(zhǔn)確地測量寬禁帶功率半導(dǎo)體裸片的動(dòng)態(tài)特性 ?是德科技夾具可在不損壞裸片的情況下實(shí)現(xiàn)快速、重復(fù)測試 ?寄生功率回路電感小于10nH，實(shí)現(xiàn)干凈的動(dòng)態(tài)測試波形 是德科技（NYSE
2025-03-14 14:36:25738 半導(dǎo)體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進(jìn)步的縮影，更是人類對(duì)材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導(dǎo)體，每一代材料的迭代都推動(dòng)了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 ：在剛剛過去的英飛凌2025年寬禁帶開發(fā)論壇上，英飛凌與匯川等企業(yè)展示了寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的最新進(jìn)展。從SiC與GaN技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用到融合Si與SiC逆變器概念，再
2025-07-24 06:20:481455 
2025 年 8 月 15 日至 17 日，2025 IEEE 亞洲寬禁帶功率器件及應(yīng)用研討會(huì)(WiPDA Asia 2025)在北京國際會(huì)議中心成功舉辦。 本次功率器件研討會(huì)由 IEEE 電力
2025-08-28 16:00:57604 
隨著全球汽車產(chǎn)業(yè)向電動(dòng)化、智能化邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已成為推動(dòng)這一變革的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。特別是寬禁帶半導(dǎo)體材料，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），因其卓越的電氣性能，正在掀起一場深刻的技術(shù)革命。這些材料
2025-09-24 09:47:03680 隨著碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體走向普及，其封裝材料面臨更高溫度、更高電壓的極端考驗(yàn)。傳統(tǒng)的離子防護(hù)理念亟待升級(jí)。本文將探討在此背景下，高性能離子捕捉劑如何從“被動(dòng)防御”轉(zhuǎn)向“主動(dòng)保障”，成為高可靠性設(shè)計(jì)的核心一環(huán)。
2025-12-08 16:36:01531 
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