Altera公司與臺積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09
1246 金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁P(yáng)PT）
2024-11-01 11:08:073354 
淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473390 
本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋層的原因以及關(guān)鍵工藝流程。
2025-05-03 12:56:002885 
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
性和可裝配性等因素。所以DFM又是并行工程中最重要的支持工具。它的關(guān)鍵是設(shè)計信息的工藝性分析、制造合理性評價和改進(jìn)設(shè)計的建議。本文我們就將對PCB工藝中的DFM通用技術(shù)要求做簡單介紹。
2021-01-26 07:17:12
PCB抄板中光板測試工藝技術(shù)指導(dǎo) 在PCB抄板過程中，PCB文件的導(dǎo)出只是完成了簡單的PCB抄板操作，完整的PCB抄板還包括后期PCB制板及焊接等工藝流程。根據(jù)PCB文件制出的PCB光板可以說是
2009-12-01 14:22:08
、等離子體法、激光法和噴沙法(屬機(jī)械方法，包含未介紹的數(shù)控鉆孔法等)等方法來制得的。多層PCB線路板這些微導(dǎo)通孔要通過孔金屬化和電鍍銅來實現(xiàn)PCB層間電氣互連。本節(jié)主要是介紹PCB板中微導(dǎo)通孔在孔化
2017-12-15 17:34:04
<br/>? 九. 檢驗工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動貼裝設(shè)備的設(shè)計制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
環(huán)保更廣泛的普及，達(dá)到既盈利又環(huán)保的雙贏目標(biāo)。無鉛工藝的現(xiàn)狀當(dāng)前國內(nèi)許多大公司也沒有完全采用無鉛工藝而是采取有鉛工藝技術(shù)來提高可靠性，在機(jī)車行業(yè)中西門子和龐巴迪等國際知名公司也沒有完全采用無鉛工藝進(jìn)行
2016-05-25 10:08:40
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競成----無鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:54 編輯
請問誰有PCB板三防工藝，三防時如何解決元器件腳尖端不留漆、絕緣不達(dá)標(biāo)的問題。
2009-04-24 11:54:19
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對此，業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
和日趨完善?！ ∪詣淤N裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個工序，整個SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB的制造技術(shù)受到廣泛關(guān)注。剛?cè)峤Y(jié)合PCB的制造工藝：Rigid-Flex PCB，即RFC，是將剛性PCB與柔性PCB結(jié)合在一起的印刷電路板，它可以通過PTH形成層間傳導(dǎo)。剛?cè)嵝訮CB的簡單制造
2019-08-20 16:25:23
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
圖形反轉(zhuǎn)工藝用于金屬層剝離的研究研究了ＡＺ?５２１４ 膠的正、負(fù)轉(zhuǎn)型和形成適用于剝離技術(shù)的倒臺面圖形的工藝技術(shù)。用掃描電鏡和臺階儀測試制作出的光刻膠斷面呈倒臺面，傾角約為６０°，膠厚１?４μｍ。得到
2009-10-06 10:05:30
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對多層板層壓工藝有一個比較好的了解．為此就多年的層壓實踐，對如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
）水溶液中以較快的腐蝕速率被去除干凈。而多晶硅在HF水溶液中的腐蝕速度非常慢，在經(jīng)過長時間腐蝕PSG或PBSG后，多晶硅結(jié)構(gòu)層不會發(fā)生明顯腐蝕。表面硅MEMS加工技術(shù)常見的工藝流程首先在襯底上淀積犧牲層
2018-11-05 15:42:42
請詳細(xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制 多層印制板是由三層以上的導(dǎo)電圖形層與絕緣材料層交替地經(jīng)層壓粘合一起而形成的印制板，并達(dá)到設(shè)計要求規(guī)定的層間導(dǎo)電
2009-06-14 10:20:040 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡介項目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 介紹了梅山熱軋支撐輥的堆焊修復(fù)工藝。熱軋支撐輥的堆焊難點(diǎn)主要是堆焊層開裂，通過工藝調(diào)整，可解決堆焊層開裂問題。熱軋支撐輥堆焊修復(fù)后的使用效果接近新輥，而堆焊成
2009-12-15 14:30:2521 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 摘要：介紹了幾種高開關(guān)速度、低電源電壓等極、低功耗的BiCMOS邏輯門電路，并分析了它們的工作原理及其工藝技術(shù)情況。結(jié)果表明，這些電路的電源電壓可達(dá)到20V以下，而且信號
2010-05-13 09:59:2919 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1767 無鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢
2006-04-16 21:37:531063 IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動的電源電壓Vcc是選擇IC時要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級
2009-08-27 23:13:381012 中芯國際將45納米工藝技術(shù)延伸至40納米以及55納米
上海2009年10月14日電 -- 中芯國際集成電路制造有限公司（“中芯國際”，紐約
2009-10-15 08:22:441035 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:121272 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國還屬空白。無論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識
2009-12-18 10:39:011051 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對專有模擬、混合信號和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23952 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們?？梢栽贑PU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項，其中有“
2010-02-04 10:41:53961 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵器系統(tǒng)，它能夠通過高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49931 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 新思科技與中芯國際合作推出用于中芯65納米低漏電工藝技術(shù)的、獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
通過芯片驗證的DesignWare PHY IP
2010-05-20 17:39:09898 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684 日前，記者從有關(guān)方面獲悉，昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心(簡稱昆山平板顯示中心)和維信諾公司在中國本土率先全線打通了LTPS-TFT背板和OLED顯示屏制造工藝技術(shù)，并于201
2010-12-29 09:29:35665 Silterra Malaysia Sdn Bhd積極布局中國本地市場，據(jù)該公司工作人員介紹，SilTerra在消費(fèi)電子，尤其是移動和無線產(chǎn)品方面擁有獨(dú)特的工藝解決方案。目前SilTerra可提供標(biāo)準(zhǔn)化的CMOS邏輯、高壓、功率MOSFET 和混合信號/RF工藝技術(shù)
2011-03-08 09:13:554801 
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:210 對3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對過去幾年國際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)。這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，稱為BCD工藝。
2012-03-26 12:00:5694481 
隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來越高。TSMC對外發(fā)言人孫又文表示，臺積電會繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:268619 日前，聯(lián)華電子與SuVolta公司宣布聯(lián)合開發(fā)28納米工藝技術(shù)，該工藝將SuVolta的SuVolta的Deeply Depleted Channel晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate高效能移動工藝。
2013-07-25 10:10:521458 2015年4月27日 – 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo， Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）日前宣布推出一項全新的砷化鎵（GaAs）贗晶型高電子遷移率晶體管（pHEMT）工藝技術(shù)，與競爭對手的半導(dǎo)體工藝相比，該技術(shù)能夠提供更高的增益/帶寬和更低的功耗。
2015-04-28 11:37:091253 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 三星10納米工藝技術(shù)公告：全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布，其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù)，10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11815 1.1 看來有趣實則無用的新技術(shù) 首先要說明工藝與技術(shù)的區(qū)別，這兩個詞在英文中都可以用technology代替，但工藝指的是可以進(jìn)行商業(yè)化生產(chǎn)的技術(shù)，而技術(shù)則不一定。實際上，用technology來
2017-09-26 16:28:103 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423455 業(yè)界對哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦
2017-11-25 02:35:02918 業(yè)界對哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13840 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過孔和埋孔設(shè)計，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:064407 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:217323 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是集成電路工藝技術(shù)教程之半導(dǎo)體襯底的詳細(xì)資料說明主要內(nèi)容包括了：1、集成電路發(fā)展歷程回顧 2、描述天然硅原料如何加工提煉成半導(dǎo)體級硅
2018-11-19 08:00:0024 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0077 多層印製板的層壓工藝技術(shù)按所采用的定位系統(tǒng)的不同，可分爲(wèi)前定位系統(tǒng)層壓技術(shù)（PIN-LAN)和后定位系統(tǒng)層壓技術(shù)(MASS-LAM)。前者定位精度高,但效率低、成本高,只適用于高層數(shù)、高精度的多層
2019-07-24 14:54:268854 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來完成的，無論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5236634 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 IBM日前推出一項微芯片工藝技術(shù)中的新改進(jìn)。該公司表示，這項改進(jìn)將讓為手機(jī)和其它通信設(shè)備制造更高速的硅設(shè)備
2021-03-26 11:08:541878 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 電子工藝技術(shù)論文-反射層對倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 詳細(xì)描述了PCB的加工工藝技術(shù)
2022-02-11 16:29:300 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:511455 犧牲層技術(shù)自20世紀(jì)80 年代美國加州大學(xué)伯克利分校開發(fā)至今，得到了快速發(fā)展。犧牲層技術(shù)是 MEMS 工藝設(shè)計中有別于傳統(tǒng)IC制造工藝技術(shù)之一
2022-10-25 18:18:297739 氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度
2023-02-05 10:24:522352 2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:036 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:222031 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:236 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:331934 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:281975 
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）工藝技術(shù)是當(dāng)今集成電路制造的主流技術(shù)，99% 的 IC 芯片，包括大多數(shù)數(shù)字、模擬和混合信號IC，都是使用 CMOS 技術(shù)制造的。
2024-03-12 10:20:3713587 
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
2024-07-17 10:09:503053 
ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補(bǔ)又相輔相成，未來在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542209 
本文介紹了集成電路制造工藝中的柵極的工作原理、材料、工藝，以及先進(jìn)柵極工藝技術(shù)。
2025-03-27 16:07:411960 
在電子封裝技術(shù)的快速發(fā)展中，陶瓷基板因其出色的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和良好的機(jī)械性能，成為了高端電子設(shè)備中不可或缺的關(guān)鍵材料。為了滿足不同應(yīng)用場景的需求，陶瓷基板工藝技術(shù)不斷演進(jìn)，形成了DPC、AMB、DBC、HTCC與LTCC這五大核心工藝……
2025-03-31 16:38:083076 
一、技術(shù)定義與核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）?是一種將?雙極型晶體管（BJT）?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技術(shù)，通過結(jié)合兩者的優(yōu)勢實現(xiàn)高性能與低功耗的平衡
2025-04-17 14:13:541541 在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無論是智能手機(jī)、自動駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181337 
在半導(dǎo)體封裝工藝中，芯片鍵合（Die Bonding）是指將晶圓芯片固定到封裝基板上的關(guān)鍵步驟。鍵合工藝可分為傳統(tǒng)方法和先進(jìn)方法：傳統(tǒng)方法包括芯片鍵合（Die Bonding）和引線鍵合（Wire
2025-10-21 17:36:162064 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論