Altera公司與臺(tái)積公司今日共同宣布在55納米嵌入式閃存 （EmbFlash） 工藝技術(shù)上展開合作，Altera公司將采用臺(tái)積公司的55納米前沿嵌入式閃存工藝技術(shù)生產(chǎn)可程序器件，廣泛支持汽車及工業(yè)等各類市場(chǎng)的多種低功耗、大批量應(yīng)用。
2013-04-16 09:05:09
1246 金線鍵合工藝技術(shù)詳解(69頁(yè)P(yáng)PT）
2024-11-01 11:08:073354 
淺溝道隔離（STI）是芯片制造中的關(guān)鍵工藝技術(shù)，用于在半導(dǎo)體器件中形成電學(xué)隔離區(qū)域，防止相鄰晶體管之間的電流干擾。本文簡(jiǎn)單介紹淺溝道隔離技術(shù)的作用、材料和步驟。
2025-03-03 10:00:473390 
已經(jīng)成為全球智能手機(jī)市場(chǎng)的中流砥柱。射頻芯片產(chǎn)業(yè)在中國(guó)已然高速增長(zhǎng)。“Qorvo在未來(lái)的5G 射頻市場(chǎng)將擁有很多領(lǐng)先的技術(shù)，比如非常適合毫米波器件的氮化鎵（GaN）工藝。不僅如此，現(xiàn)在多頻多模LTE手機(jī)
2016-08-26 10:20:52
就是增加電壓，這讓氮化鎵晶體管技術(shù)極具吸引力。如果我們對(duì)比不同半導(dǎo)體工藝技術(shù)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)功率通常會(huì)如何隨著高工作電壓IC技術(shù)而提高。硅鍺(SiGe)技術(shù)采用相對(duì)較低的工作電壓（2 V至3 V），但其集成
2018-10-17 10:35:37
就是層壓，層壓品質(zhì)的控制在多層板制造中顯得愈來(lái)愈重要。因此要保證多層板層壓品質(zhì)，需要對(duì)多層板層壓工藝有一個(gè)比較好的了解．為此就多年的層壓實(shí)踐，對(duì)如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)上作如下總結(jié)： 一
2018-11-22 16:05:32
如何提高多層板層壓品質(zhì)在工藝技術(shù)
2021-04-25 09:08:11
`CHA6652-QXG是一款三級(jí)單片GaAs大功率電路，可產(chǎn)生2瓦輸出功率。它是高度線性的，可以進(jìn)行增益控制，并集成了功率檢測(cè)器。包括ESD保護(hù)。它是專為點(diǎn)對(duì)點(diǎn)廣播而設(shè)計(jì)的。該電路采用pHEMT
2021-01-21 15:56:15
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
EMC設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)基本要點(diǎn)和問題處理流程推薦給大家參考。。
2015-08-25 12:05:04
的GaAs芯片采用0.25μmpHEMTGaAs工藝，該工藝針對(duì)RF功率，低噪聲和RF信號(hào)控制應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，非常適合單個(gè)IC的高集成度。該GaAs MMIC包括一個(gè)“公共路徑”電路，其中包含一個(gè)4位數(shù)
2019-04-23 20:04:11
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
128Mbit，3V，采用90nm MirrorBit工藝技術(shù)的頁(yè)面閃存
2023-03-25 03:30:11
<br/>? 九. 檢驗(yàn)工藝<br/>? 十. SMT生產(chǎn)中的靜電防護(hù)技術(shù)<br/><
2008-09-12 12:43:03
。 SMT有關(guān)的技術(shù)組成 1、電子元件、集成電路的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 2、電子產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)技術(shù) 3、電路板的制造技術(shù) 4、自動(dòng)貼裝設(shè)備的設(shè)計(jì)制造技術(shù) 5、電路裝配制造工藝技術(shù) 6、裝配制造中使用的輔助材料的開發(fā)生產(chǎn)技術(shù)
2010-03-09 16:20:06
環(huán)保更廣泛的普及，達(dá)到既盈利又環(huán)保的雙贏目標(biāo)。無(wú)鉛工藝的現(xiàn)狀當(dāng)前國(guó)內(nèi)許多大公司也沒有完全采用無(wú)鉛工藝而是采取有鉛工藝技術(shù)來(lái)提高可靠性，在機(jī)車行業(yè)中西門子和龐巴迪等國(guó)際知名公司也沒有完全采用無(wú)鉛工藝進(jìn)行
2016-05-25 10:08:40
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對(duì)ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對(duì)較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進(jìn)行了器件研制。通過(guò)優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
;nbsp; &nbsp;<br/>薛競(jìng)成----無(wú)鉛工藝技術(shù)應(yīng)用和可靠性&nbsp;<br/>主辦單位&
2009-07-27 09:02:35
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
在滿足宏蜂窩基站性能要求的前提下，能達(dá)到多高的集成度？ 工藝技術(shù)仍然限定某些重要的功能部件必需運(yùn)用特殊的工藝來(lái)制造：在射頻 （RF） 領(lǐng)域采用 GaAs 和 SiGe、高速 ADC 采用細(xì)線 CMOS，而高品質(zhì)因數(shù)濾波器則無(wú)法使用半導(dǎo)體材料得以很好地實(shí)現(xiàn)。此外，市場(chǎng)還需要更高的密度。
2019-08-15 08:25:15
和日趨完善?！ ∪詣?dòng)貼裝工藝是表面貼裝技術(shù)中對(duì)設(shè)備依賴性最強(qiáng)的一個(gè)工序，整個(gè)SNIT生產(chǎn)線的產(chǎn)能、效率和產(chǎn)品適應(yīng)性，主要取決于貼裝工序，在全自動(dòng)貼裝中貼片機(jī)設(shè)備起決定性作用。但是這絕不意味著設(shè)備決定一切
2018-11-22 11:08:10
PCB部件使用PI膜作為柔性芯板，并覆蓋聚酰亞胺或丙烯酸膜。粘合劑使用低流動(dòng)性預(yù)浸料，最后將這些基材層壓在一起以制成剛撓性PCB。剛?cè)嵝訮CB制造工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)：未來(lái)，剛?cè)峤Y(jié)合PCB將朝著超薄，高密度
2019-08-20 16:25:23
的路要走，但Qorvo 已在開發(fā)相應(yīng)的工藝技術(shù)和封裝技術(shù)，以推動(dòng)客戶的5G 應(yīng)用。GaN 必將在5G 格局中發(fā)揮激動(dòng)人心的關(guān)鍵作用。
2017-07-28 19:38:38
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
本文所介紹的各種方法與技巧有利于提高PCB的EMC特性，當(dāng)然這些只是EMC設(shè)計(jì)中的一部分，通常還要考慮反射噪聲，輻射發(fā)射噪聲，以及其他工藝技術(shù)問題引起的干擾。
2021-04-27 06:20:32
根據(jù)電壓控制增益電路理論及放大器設(shè)計(jì)原理，設(shè)計(jì)制作了一種基于GaAs工藝的可變?cè)鲆婀β史糯笃鲉纹⒉呻娐罚?MMIC）。采用電路仿真ADS軟件進(jìn)行了原理圖及版圖仿真，研究了增益控制電路在放大器中的位置對(duì)性能的影響。
2021-04-06 08:32:23
及結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等措施。為節(jié)省芯片面積普遍采用了多層布線結(jié)構(gòu)，現(xiàn)已達(dá)到7層布線。晶片集成(Wafer Scale Integration-WSI)和三維集成技術(shù)也正在研究開發(fā)。自IC問世以來(lái)，集成度不斷提高
2018-08-24 16:30:28
的工藝技術(shù)可用于晶圓凸起，每種技術(shù)有各自的優(yōu)缺點(diǎn)。其中金線柱焊接凸點(diǎn)和電解或化學(xué)鍍金焊接凸點(diǎn)主要用于引腳數(shù)較少的封裝應(yīng)用領(lǐng)域包括玻璃覆晶封裝、軟膜覆晶封裝和RF模塊。由于這類技術(shù)材料成本高、工序
2011-12-01 14:33:02
，Agilent 最早采用帶寬增強(qiáng)技術(shù)僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過(guò)來(lái)，用數(shù)字處理技術(shù)還可以根據(jù)需要來(lái)壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時(shí)有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時(shí)可以
2018-04-03 10:34:04
，Agilent 最早采用帶寬增強(qiáng)技術(shù)僅是把其 12GHz 帶寬的示波器提高到 13GHz。反過(guò)來(lái)，用數(shù)字處理技術(shù)還可以根據(jù)需要來(lái)壓縮帶寬。帶寬壓縮的同時(shí)有一部分頻率成分的噪聲也被濾掉，所以在不需要高帶寬時(shí)可以
2018-04-04 09:17:01
采用的是超級(jí)結(jié)工藝。超級(jí)結(jié)技術(shù)是專為配備600V以上擊穿電壓的高壓功率半導(dǎo)體器件開發(fā)的，用于改善導(dǎo)通電阻與擊穿電壓之間的矛盾。采用超級(jí)結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻，并提高MOS管開關(guān)速度，基于該技術(shù)的功率MOSFET已成為高壓開關(guān)轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的業(yè)界規(guī)范。
2026-01-05 06:12:51
請(qǐng)?jiān)敿?xì)敘述腐蝕工藝工段的工藝流程以及整個(gè)前道的工藝技術(shù)
2011-04-13 18:34:13
。IBM采用0.18um光刻工藝制成的120GHz Ft SiGe晶體管是一個(gè)很好的例子。 處理這一例子，鍺化硅工藝技術(shù)還在哪些高速通信領(lǐng)域應(yīng)用呢？
2019-07-30 07:56:50
再流焊工藝技術(shù)研究(SMT工藝):隨著表面貼裝技術(shù)的發(fā)展，再流焊越來(lái)越受到人們的重視。本文介紹了再流焊接的一般技術(shù)要求，并給出了典型溫度曲線以及溫度曲線上主要控制點(diǎn)
2009-03-25 14:44:33
30 和艦科技自主創(chuàng)新研發(fā)的0.16 微米硅片制造工藝技術(shù)在原有比較成熟的0.18 微米工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，將半導(dǎo)體器件及相關(guān)繞線尺寸進(jìn)行10%微縮（實(shí)際尺寸為0.162 微米），大大降低了芯
2009-12-14 11:23:3625 高壓0.18um 先進(jìn)工藝技術(shù)上海華虹 NEC 電子有限公司工程一部1、簡(jiǎn)介項(xiàng)目名稱：高壓0.18μm 先進(jìn)工藝技術(shù)，該項(xiàng)目產(chǎn)品屬于30V 高工作電壓的關(guān)鍵尺寸為0.18μm 的邏輯器件。
2009-12-14 11:37:329 選擇性焊接工藝技術(shù)的研究烽火通信科技股份有限公司 鮮飛摘要: 本文介紹了選擇性焊接的概念、特點(diǎn)、分類和使用工藝要點(diǎn)。選擇性焊接是現(xiàn)代組裝技術(shù)的新概念，它的出現(xiàn)
2009-12-19 08:19:4114 La、Co 代換永磁鐵氧體的高性能化與工藝技術(shù)何水校關(guān)鍵詞：永磁鐵氧體，離子代換，高性能，工藝技術(shù)摘 要：介紹了日本TDK、日立公司等開發(fā)高性能永磁鐵氧體的一些基
2010-02-05 22:26:1934 常用PCB工藝技術(shù)參數(shù).
2010-07-15 16:03:1767 無(wú)鉛波峰焊接工藝技術(shù)與設(shè)備1．無(wú)鉛焊接技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2006-04-16 21:37:531063 IC工藝技術(shù)問題 集成電路芯片偏置和驅(qū)動(dòng)的電源電壓Vcc是選擇IC時(shí)要注意的重要問題。從IC電源管腳吸納的電流主要取決于該電壓值以及該IC芯片輸出級(jí)
2009-08-27 23:13:381012 提高多層板層壓品質(zhì)工藝技術(shù)技巧 由于電子技術(shù)的飛速發(fā)展，促使了印制電路技術(shù)的不斷發(fā)展。PCB板經(jīng)由單面-雙面一多層發(fā)展，并
2009-11-18 14:13:121272 IGBT核心技術(shù)及人才缺失 工藝技術(shù)缺乏
新型電力半導(dǎo)體器件的代表，IGBT的產(chǎn)業(yè)化在我國(guó)還屬空白。無(wú)論技術(shù)、設(shè)備還是人才，我國(guó)都處于全方位的落后狀態(tài)。應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)
2009-12-18 10:39:011051 ADI完成制造工藝技術(shù)的升級(jí)，有效提高晶圓制造效率
Analog Devices, Inc.，最近成功完成了對(duì)專有模擬、混合信號(hào)和 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造工藝技術(shù)的升級(jí)和改進(jìn)，目的是
2009-12-24 08:44:23952 什么是CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù)/向下兼容？
CPU的生產(chǎn)工藝技術(shù) 我們常可以在CPU性能列表上看到“工藝技術(shù)”一項(xiàng)，其中有“
2010-02-04 10:41:53961 創(chuàng)建靈敏的MEMS結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)介紹
表面微加工技術(shù)可用于創(chuàng)建微機(jī)電傳感器及激勵(lì)器系統(tǒng)，它能夠通過(guò)高適應(yīng)度的彈性，形成錨
2010-03-11 14:20:49931 超細(xì)線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來(lái)越高的趨勢(shì)，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:082052 采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過(guò)50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351684 Achronix半導(dǎo)體公司宣布：該公司已經(jīng)戰(zhàn)略性地獲得了英特爾公司22納米工藝技術(shù)的使用權(quán)，并計(jì)劃開發(fā)最先進(jìn)的現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)
2010-11-15 09:06:29793 對(duì)3D封裝技術(shù)結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、主流多層基板技術(shù)分類及其常見鍵合技術(shù)的發(fā)展作了論述,對(duì)過(guò)去幾年國(guó)際上硅通孔( TSV)技術(shù)發(fā)展動(dòng)態(tài)給與了重點(diǎn)的關(guān)注。尤其就硅通孔關(guān)鍵工藝技術(shù)如硅片減薄
2011-12-07 11:00:52153 隨著芯片微縮，開發(fā)先進(jìn)工藝技術(shù)的成本也越來(lái)越高。TSMC對(duì)外發(fā)言人孫又文表示，臺(tái)積電會(huì)繼續(xù)先進(jìn)工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)的投入和開發(fā)，今年年底臺(tái)積電將推出20nm工藝
2012-08-30 14:34:302301 本文重點(diǎn)描述運(yùn)用MEMS微機(jī)械加工工藝技術(shù)設(shè)計(jì)、加工、生產(chǎn)胎壓傳感器IC芯片，希望對(duì)大家學(xué)習(xí)MEMS有所幫助
2012-12-11 14:17:268619 半導(dǎo)體的制造流程以及各工位的詳細(xì)工藝技術(shù)。
2016-05-26 11:46:340 PCB測(cè)試工藝技術(shù)，很詳細(xì)的
2016-12-16 21:54:480 發(fā)電機(jī)轉(zhuǎn)子銅排成型工藝技術(shù)指標(biāo)的優(yōu)化_胡陽(yáng)
2017-01-01 15:31:541 撓性電路板化學(xué)鎳鈀金工藝技術(shù)研究
2017-01-22 20:56:130 Technology （12FFC） 和最新版本 7nm FinFET Plus 工藝的認(rèn)證。Nitro-SoCTM 布局和布線系統(tǒng)也通過(guò)了認(rèn)證，可以支持 TSMC 的 12FFC 工藝技術(shù)。
2017-10-11 11:13:423455 業(yè)界對(duì)哪種 半導(dǎo)體 工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像 CMOS 、B iC MOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦
2017-11-25 02:35:02918 業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-03-15 11:06:13840 Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)用于高性能、高密度芯片設(shè)計(jì) 重點(diǎn)： Synopsys設(shè)計(jì)平臺(tái)獲得TSMC工藝認(rèn)證，支持高性能7-nm FinFET Plus工藝技術(shù)，已成功用于客戶的多個(gè)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 針對(duì)
2018-05-17 06:59:005639 印刷電路板工藝：伴隨微間距LED顯示屏發(fā)展趨勢(shì)，4層、6層板被采用，印制電路板將采用微細(xì)過(guò)孔和埋孔設(shè)計(jì)，印制電路圖形導(dǎo)線細(xì)、微孔化窄間距化，加工中所采用的機(jī)械方式鉆孔工藝技術(shù)已不能滿足要求，迅速發(fā)展起來(lái)的激光鉆孔技術(shù)將滿足微細(xì)孔加工。
2018-07-06 14:11:064407 基于7nm工藝技術(shù)的控制器和PHY IP具有豐富的產(chǎn)品組合，包括LPDDR4X、MIPI CSI-2、D-PHY、PCI Express 4.0以及安全I(xiàn)P。
IP解決方案支持TSMC 7nm工藝技術(shù)所需的先進(jìn)汽車設(shè)計(jì)規(guī)則，滿足可靠性和15年汽車運(yùn)行要求。
2018-10-18 14:57:217323 新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工藝技術(shù)的汽車級(jí)DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20:232042 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說(shuō)明。主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝技術(shù)。
2019-01-08 08:00:0077 多層印製板的層壓工藝技術(shù)按所采用的定位系統(tǒng)的不同，可分爲(wèi)前定位系統(tǒng)層壓技術(shù)（PIN-LAN)和后定位系統(tǒng)層壓技術(shù)(MASS-LAM)。前者定位精度高,但效率低、成本高,只適用于高層數(shù)、高精度的多層
2019-07-24 14:54:268853 
PCB板上的線路圖形就是PCB線路板廠家采用曝光成像與顯影蝕刻工藝技術(shù)來(lái)完成的，無(wú)論是PCB多層線路板還是柔性線路板在制作線路圖形時(shí)都要用到曝光成像與顯影工藝技術(shù)。下面來(lái)詳細(xì)介紹這兩種工藝的加工特點(diǎn)及加工原理。
2019-04-28 15:10:5236634 東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:581073 在14版本中，SONNET新引入了一種名為工藝技術(shù)層的屬性定義層，以實(shí)現(xiàn)EDA框架和設(shè)計(jì)流程的平滑過(guò)渡。該工藝技術(shù)層實(shí)際上是用戶創(chuàng)建的EM工程中 的多個(gè)屬性對(duì)象的集合體，其中包括了很多基本屬性設(shè)置，比如層的命名、物理位置、金屬屬性、網(wǎng)格控制選項(xiàng)等等。
2019-10-08 15:17:412756 
使用Qorvo工藝技術(shù)的各種各樣性能指標(biāo)。Qorvo的通用性增益模塊在內(nèi)部匹配，在各種各樣封裝類型中提供各種各樣增益和線性，Qorvo為用戶提供了諸多系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。 Qorvo增益塊放大器的主要特性： 完整的產(chǎn)品組合，包括各種部件；高級(jí)別OIP 3；寬帶寬度；內(nèi)部零件匹配設(shè)
2020-09-03 10:51:57789 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是CMOS工藝技術(shù)的學(xué)習(xí)課件免費(fèi)下載。
2020-12-09 08:00:000 最大的RISC-V架構(gòu)廠商SiFive近日宣布，其OpenFive部門已成功采用臺(tái)積電（TSMC）的N5工藝技術(shù)流片公司首個(gè)SoC，采用2.5D封裝HBM3存儲(chǔ)單元，帶寬7.2Gbps。在半導(dǎo)體行業(yè)中，流片意味著芯片設(shè)計(jì)大功告成，一般會(huì)在一年內(nèi)投入商用。
2021-05-01 09:33:003547 
QORVO Omnia 診斷測(cè)試平臺(tái)采用創(chuàng)新射頻技術(shù)，旨在快速獲取特異的 COVID-19 抗原檢測(cè)結(jié)果 中國(guó)，北京，2021 年 5 月 11 日——移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF
2021-05-13 14:57:572186 多絞屏蔽線處理及焊接工藝技術(shù)綜述
2021-07-12 09:45:593 電子工藝技術(shù)論文-反射層對(duì)倒裝LED芯片性能的影響
2021-12-08 09:55:046 全面解讀電子封裝工藝技術(shù)
2022-10-10 11:00:511455 Qorvo的RFPA0133是款3V至5V高效率可編程增益值放大器IC。RFPA0133選用領(lǐng)先的GaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT)工藝技術(shù)。RFPA0133設(shè)計(jì)適用于在380MHz至960MHz
2022-12-07 13:58:424283 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:481591 GaAs工藝中也可以像傳統(tǒng)的Si工藝一樣集成無(wú)源和有源器件，但GaAs在某些方面會(huì)比Si工藝有優(yōu)勢(shì)，尤其是高頻應(yīng)用。
2023-07-11 10:42:345932 
2006電子元器件搪錫工藝技術(shù)要求
2023-08-23 16:48:036 電子產(chǎn)品裝聯(lián)工藝技術(shù)詳解
2023-10-27 15:28:222031 
多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（一）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（三）
2022-12-30 09:21:225 多層印制板層壓工藝技術(shù)及品質(zhì)控制（二）
2022-12-30 09:21:236 DOH新工藝技術(shù)助力提升功率器件性能及使用壽命
2024-01-11 10:00:331934 
密性等。本文介紹了五種用于MEMS封裝的封帽工藝技術(shù),即平行縫焊、釬焊、激光焊接、超聲焊接和膠粘封帽?？偨Y(jié)了不同封帽工藝的特點(diǎn)以及不同MEMS器件對(duì)封帽工藝的選擇。本文還介紹了幾種常用的吸附劑類型,針對(duì)吸附劑易于飽和問題,給出了封帽工藝解決方案,探
2024-02-25 08:39:281975 
本章主要介紹了集成電路是如何從雙極型工藝技術(shù)一步一步發(fā)展到CMOS 工藝技術(shù)以及為了適應(yīng)不斷變化的應(yīng)用需求發(fā)展出特色工藝技術(shù)的。
2024-07-17 10:09:503052 
近日，安森美（onsemi，納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON）宣布推出Treo平臺(tái)，這是一個(gè)采用先進(jìn)的65nm節(jié)點(diǎn)的BCD（Bipolar–CMOS-DMOS）工藝技術(shù)構(gòu)建的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)。該平臺(tái)為安森美
2024-11-12 11:03:211375 ALD 和 ALE 是微納制造領(lǐng)域的核心工藝技術(shù)，它們分別從沉積和刻蝕兩個(gè)維度解決了傳統(tǒng)工藝在精度、均勻性、選擇性等方面的挑戰(zhàn)。兩者既互補(bǔ)又相輔相成，未來(lái)在半導(dǎo)體、光子學(xué)、能源等領(lǐng)域的聯(lián)用將顯著加速
2025-01-23 09:59:542208 
一、技術(shù)定義與核心特性 BiCMOS（Bipolar-CMOS）?是一種將?雙極型晶體管（BJT）?與?CMOS晶體管?集成在同一芯片上的混合工藝技術(shù)，通過(guò)結(jié)合兩者的優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)高性能與低功耗的平衡
2025-04-17 14:13:541535 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo（納斯達(dá)克代碼：QRVO）宣布拓展其QPG6200產(chǎn)品組合，全新推出三款Matter系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）。此次擴(kuò)展的產(chǎn)品系列具有超低的功耗，并采用
2025-05-15 11:53:35977 
在半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)追求更高性能、更低功耗的今天，一種名為“SOI（Silicon-On-Insulator）”的工藝技術(shù)逐漸成為行業(yè)焦點(diǎn)。無(wú)論是智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車，還是衛(wèi)星通信系統(tǒng)，SOI技術(shù)都在幕后扮演著關(guān)鍵角色。
2025-10-21 17:34:181337 
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