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基于雙熱阻模型芯片封裝的強(qiáng)制對(duì)流換熱仿真案例

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2021-04-29 09:15:085700

LED封裝器件測(cè)試

。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的,通道成串聯(lián)關(guān)系。
2021-05-26 15:45:154025

芯片發(fā)熱、損耗以及概念

硬件的小伙伴應(yīng)該都有“燒設(shè)備”的經(jīng)歷,芯片摸上去溫溫的,有的甚至燙手。 所以有些芯片在正常工作時(shí),功耗很大,溫度也很高,需要涂散熱材料。 今天我們來聊下芯片的散熱/發(fā)熱、、溫升、設(shè)計(jì)等概念
2021-06-02 17:42:0025310

相關(guān)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)介紹

從本文開始將會(huì)介紹數(shù)據(jù)。首先介紹相關(guān)的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試相關(guān)的內(nèi)容。 JEDEC標(biāo)準(zhǔn) JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council
2021-10-09 17:06:0613768

特性參數(shù)的關(guān)鍵要點(diǎn)

本文將介紹上一篇文章中提到的實(shí)際數(shù)據(jù)θJA和ΨJT的定義。 θJA和ΨJT的定義 先溫習(xí)一下上一篇中的部分內(nèi)容: ● θJA(℃/W):結(jié)點(diǎn)-周圍環(huán)境間的 ● ΨJT(℃/W):結(jié)點(diǎn)-封裝
2021-10-19 10:50:457875

LED封裝器件的測(cè)試及散熱能力測(cè)試

。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的,通道成串聯(lián)關(guān)系。 LED燈具作為新型節(jié)能燈具在照明過程中只是將30-40%的電能轉(zhuǎn)換成光,其余的全部變成了熱能,
2021-11-15 15:13:023224

元器件設(shè)計(jì):是什么?散熱路徑圖解

可以用與電阻幾乎相同的思路來考慮,并且可以以與歐姆定律相同的方式來處理計(jì)算的基本公式。
2022-02-08 16:51:3421

數(shù)據(jù)的TJ估算示例

上一篇文章中介紹了數(shù)據(jù)θJA和ΨJT的定義。接下來將分兩次來探討在進(jìn)行TJ估算時(shí)如何使用θJA和ΨJT。另外,還將單獨(dú)介紹使用了數(shù)據(jù)的TJ估算示例。
2022-02-22 13:30:494226

華為設(shè)計(jì)規(guī)范

華為 設(shè)計(jì)部門 設(shè)計(jì)規(guī)范,熱量的傳遞有導(dǎo)熱,對(duì)流及輻射三種方 式。在終端設(shè)備散 熱過程中,這三種方式都有發(fā)生。
2022-08-05 16:55:4226

IPOSIM仿真中的散熱器參數(shù)Rthha解析

如何評(píng)估IGBT模塊的損耗與結(jié)溫?英飛凌官網(wǎng)在線仿真工具IPOSIM,是IGBT模塊在選型階段的重要參考。這篇文章將針對(duì)IPOSIM仿真中的散熱器參數(shù)Rthha,給大家做一些清晰和深入的解析。
2022-08-01 09:56:103765

網(wǎng)絡(luò)模型-DELPHI模型

DELPHI項(xiàng)目:從1993年到1996年,由歐盟資助,F(xiàn)lomerics公司負(fù)責(zé)協(xié)調(diào),Alcatel Bell 、Alcatel Espace 、Philips CFT 、Thomson CSF 、Flomerics 、NMRC 等公司合作,旨在開發(fā)芯片的簡(jiǎn)化模型的精確表示方法。
2022-08-16 09:20:525186

如何去計(jì)算電子元器件的

其中,RJC表示芯片內(nèi)部至外殼的;RCS表示外殼至散熱片的;RSA表示散熱片到環(huán)境的。
2022-08-19 15:26:5511850

POL測(cè)量及SOA評(píng)估

POL測(cè)量及SOA評(píng)估
2022-10-28 11:59:431

LED鋁基板的

LED鋁基板的
2022-11-08 16:21:254

非氣密倒裝焊陶瓷封裝特性分析及測(cè)試驗(yàn)證

國(guó)內(nèi)對(duì)CBGA焊球可靠性的分析研究得較多,但是對(duì)整個(gè)封裝體,尤其是封裝體本身的熱衷研究卻很少。高輝等[3]對(duì)多芯片陶瓷封裝的結(jié)-殼分析方法進(jìn)行了研究,研究了多芯片耦合對(duì)的影響;Ravl等
2022-12-01 09:21:412684

電子電路仿真基礎(chǔ):模型(Thermal Model)

SPICE模型中還包括用來進(jìn)行仿真的“模型(Thermal Model)”和“動(dòng)態(tài)模型(Thermal Dynamic Model)”。首先介紹一下模型。希望通過以下的介紹能夠大致了解熱模型。
2023-02-14 09:26:295552

電子電路仿真基礎(chǔ):什么是動(dòng)態(tài)模型(Thermal Dynamic Model)

上一篇文章中,簡(jiǎn)單介紹了SPICE模型中的模型(Thermal Model),它是用來進(jìn)行仿真的SPICE模型之一。本文將簡(jiǎn)單介紹另一個(gè)仿真用的SPICE模型,即動(dòng)態(tài)模型(Thermal Dynamic Model)。
2023-02-14 09:26:292439

LFPAK MOSFET——PCB布局的仿真、測(cè)試和優(yōu)化-AN90019

LFPAK MOSFET——PCB布局的仿真、測(cè)試和優(yōu)化-AN90019
2023-02-17 19:51:275

如何理解IGBT的阻抗

隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化,產(chǎn)品的散熱性能顯得尤為重要。設(shè)計(jì)在IGBT選型和應(yīng)用過程中至關(guān)重要,關(guān) 系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問題,而模塊的阻抗是系統(tǒng)散熱評(píng)估環(huán)節(jié)
2023-02-23 16:11:229

基于Fluent橫掠等溫圓柱對(duì)流系數(shù)仿真驗(yàn)證

已知:在1atm壓力下、35℃的空氣以50m/s的速度橫掠過直徑為5cm的圓柱,圓柱表面溫度保持150℃不變。試計(jì)算圓柱表面的對(duì)流系數(shù)。
2023-03-22 09:33:543444

ANSYS Icepak如何對(duì)芯片ECAD進(jìn)行仿真?

對(duì)于PCB或芯片仿真中,為精確計(jì)算分布,都必須考慮ECAD導(dǎo)入后的影響。實(shí)務(wù)來說,從PCB獲得ECAD走線信息較從芯片容易得多;
2023-03-22 11:44:4813818

基于Fluent的橫掠等溫圓柱對(duì)流系數(shù)仿真驗(yàn)證

已知:在1atm壓力下、35℃的空氣以50m/s的速度橫掠過直徑為5cm的圓柱,圓柱表面溫度保持150℃不變。試計(jì)算圓柱表面的對(duì)流系數(shù)。
2023-03-28 10:38:233508

技術(shù)資訊 I 推導(dǎo)散熱器的輻射

本文要點(diǎn)散熱器中的輻射傳熱。傳熱的電路類比。推導(dǎo)輻射。散熱器是電子產(chǎn)品中常用的熱管理系統(tǒng),利用傳導(dǎo)、對(duì)流、輻射或三者的組合等傳熱方式將熱能從電路傳遞到環(huán)境中。散熱器系統(tǒng)的傳熱可以用電路類比來描述
2023-03-31 10:32:523855

測(cè)試儀的原理與工作方式

在現(xiàn)代工業(yè)和科學(xué)領(lǐng)域中,測(cè)試儀是一種重要的儀器設(shè)備,用于評(píng)估材料和設(shè)備的和濕性能。它通過測(cè)量熱量和濕氣的傳導(dǎo)、傳遞和耗散來了解材料的熱性能、絕緣性能以及潮濕環(huán)境下的阻抗能力等關(guān)鍵參數(shù)
2023-06-29 14:07:534528

測(cè)試儀的應(yīng)用領(lǐng)域

適用范圍:通過模擬人體皮膚產(chǎn)生的熱量和水蒸氣穿透織物的過程,在穩(wěn)定的溫濕度環(huán)境下,測(cè)試多種材料的及濕阻值。可用于織物、薄膜、涂層、泡沫、皮革及多層復(fù)合材料等的測(cè)試,如衣物,棉被,保暖服裝
2023-06-29 14:49:321087

【工程師筆記】Driver IC 模型概述與計(jì)算

的定義及網(wǎng)絡(luò)模型 熱量傳遞有三種形式,熱傳導(dǎo),熱對(duì)流和熱輻射,芯片在Package內(nèi)的熱量傳遞主要是以熱傳導(dǎo)為主。 圖1 以圖1的QFN模型為例,IC中的die作為熱源,上面有芯片最高溫度結(jié)溫T J , 產(chǎn)生的熱量傳導(dǎo)至直接和die接觸的case top 和PCB board,
2023-09-13 12:15:012749

芯片封裝的簡(jiǎn)單強(qiáng)制對(duì)流問題仿真分析

手機(jī)、電腦、智能家電等智能化設(shè)備都離不開芯片,隨著人們對(duì)智能化設(shè)備的功能要求越來越多樣化,芯片不斷朝著小尺寸、多功能、高密度、高功耗的方向發(fā)展,隨之而來的是越來越嚴(yán)重的發(fā)熱問題。芯片過熱會(huì)導(dǎo)致其性能下降,壽命縮短,造成不可逆損壞,這已經(jīng)成為制約半導(dǎo)體發(fā)展的主要因素。
2023-09-21 10:59:284245

半導(dǎo)體器件為什么參數(shù)經(jīng)常被誤用?

一些半導(dǎo)體器件集成了專用的二極管,根據(jù)校準(zhǔn)后的正向電壓與溫度曲線精確測(cè)量結(jié)溫。由于大多數(shù)器件沒有這種設(shè)計(jì),結(jié)溫的估計(jì)取決于外部參考點(diǎn)溫度和封裝參數(shù)。常用的封裝指標(biāo)是和熱表征參數(shù)。
2023-09-25 09:32:264272

MPS | Driver IC 模型概述與計(jì)算

一、的定義及網(wǎng)絡(luò)模型?? ? 熱量傳遞有三種形式,熱傳導(dǎo),熱對(duì)流和熱輻射,芯片在Package內(nèi)的熱量傳遞主要是以熱傳導(dǎo)為主。 圖1 以圖1的QFN模型為例,IC中的die作為熱源,上面
2023-10-10 19:30:031616

粘接層空洞對(duì)功率芯片的影響

,對(duì)器件通電狀態(tài)下的溫度場(chǎng)進(jìn)行計(jì)算,討論空洞對(duì)于的影響。有限元仿真結(jié)果表明,隨著芯片粘接層空洞越大,器件隨之增大,在低空洞率下,增加緩慢,高空洞率下,增加更明顯;總空洞率一致時(shí),不同位置空洞對(duì)應(yīng)器件的關(guān)
2024-02-02 16:02:541625

影響pcb基本的因素有哪些

PCB(印刷電路板)的基本是指阻礙熱量從發(fā)熱元件傳遞到周圍環(huán)境的能力。越低,散熱效果越好。在設(shè)計(jì)和制造PCB時(shí),了解和優(yōu)化對(duì)于保證電子元件的正常工作和延長(zhǎng)其使用壽命至關(guān)重要。 PCB
2024-01-31 16:43:252211

SPICE中的模型介紹

SPICE模型中的模型是指用于模擬和預(yù)測(cè)電子元件在工作時(shí)的行為特性的模型。這些模型通常與電路仿真軟件一起使用,以便在設(shè)計(jì)階段評(píng)估和優(yōu)化電子系統(tǒng)的熱性能。模型對(duì)于確保電子元件不會(huì)因過熱而損壞或
2024-02-06 11:28:302514

是什么意思 符號(hào)

(Thermal Resistance),通常用符號(hào)Rth表示,是衡量材料或系統(tǒng)對(duì)熱能傳遞的阻礙程度的物理量。類似于電阻對(duì)電流流動(dòng)的阻礙作用,描述了溫度差與通過材料的熱流量之間的關(guān)系
2024-02-06 13:44:307375

長(zhǎng)電科技推出了一項(xiàng)革命性的高精度測(cè)試與仿真模擬驗(yàn)證技術(shù)

芯片封裝技術(shù)日益邁向高密度、高性能的今天,長(zhǎng)電科技引領(lǐng)創(chuàng)新,推出了一項(xiàng)革命性的高精度測(cè)試與仿真模擬驗(yàn)證技術(shù)。
2024-03-08 13:33:311522

和散熱的基礎(chǔ)知識(shí)

共讀好書 什么是 是表示熱量傳遞難易程度的數(shù)值。是任意兩點(diǎn)之間的溫度差除以兩點(diǎn)之間流動(dòng)的熱流量(單位時(shí)間內(nèi)流動(dòng)的熱量)而獲得的值。阻值高意味著熱量難以傳遞,而阻值低意味著熱量易于傳遞
2024-04-23 08:38:012485

pcb的測(cè)量方法有哪些

PCB的測(cè)量是評(píng)估印制電路板散熱性能的關(guān)鍵步驟。準(zhǔn)確地了解和測(cè)定PCB的有助于設(shè)計(jì)更高效的散熱方案,確保電子組件在安全的溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。以下是幾種常用的PCB測(cè)量方法: 1. 熱導(dǎo)率
2024-05-02 15:44:004333

MPS | Driver IC 模型

θ的定義是兩點(diǎn)之間的溫度差除以對(duì)應(yīng)流經(jīng)這兩點(diǎn)的功率,是一個(gè)有實(shí)際意義的物理量,θJC,θJB, 通常是由芯片封裝決定的,無法改變;θCA, θBA通常是由芯片外圍空間大小,空氣對(duì)流情況,有無散熱器,以及PCB layout 決定
2024-06-07 13:39:341239

功率器件的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(二)——的串聯(lián)和并聯(lián)

設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章將比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。第一講《功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)----功率半導(dǎo)體的》,已經(jīng)把和電阻聯(lián)系起來了,那自然會(huì)
2024-10-29 08:02:481426

基于RCSPICE模型的GaNPX?和PDFN封裝特性建模

?和PDFN封裝特性建??偨Y(jié) 一、概述 ? 目的 ?:提供RC模型,使客戶能夠使用SPICE進(jìn)行詳細(xì)的仿真。 ? 模型
2025-03-11 18:32:031434

LED封裝器件測(cè)試與散熱能力評(píng)估

就相當(dāng)于電阻。在LED器件的實(shí)際應(yīng)用中,其結(jié)構(gòu)分布涵蓋了芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體以及自由空間的,這些通道呈串聯(lián)
2025-06-04 16:18:53684

技術(shù)資訊 I 導(dǎo)熱材料對(duì)的影響

在電子器件(如導(dǎo)熱材料或?qū)峁柚┥贤扛矊?dǎo)熱材料的目的是幫助發(fā)熱器件加快散熱。此舉旨在降低器件每單位電能耗散所產(chǎn)生的溫升。衡量每功耗所產(chǎn)生溫升的指標(biāo)稱為,而給器件涂抹導(dǎo)熱材料的目的正是為了降低
2025-08-22 16:35:56775

深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——

,則相當(dāng)于電阻。通常,LED器件在應(yīng)用中,結(jié)構(gòu)分布為芯片襯底、襯底與LED支架的粘結(jié)層、LED支架、LED器件外掛散熱體及自由空間的,通道成串聯(lián)關(guān)系
2025-07-17 16:04:39479

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