擁有業(yè)界最低讀取電流的內存 適用于小型穿戴裝置。

上海，2019年8月8日 – 富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內最高密度8Mbit ReRAM（注１）---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產產品由富士通與松下電器半導體（Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.）（注2）合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲器 （EEPROM） 兼容的非揮發(fā)性內存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運作。其一大特色是極低的平均電流，在5MHz工作頻率下僅需0.15mA讀取數據，這讓需透過電池供電且經常讀取數據的裝置能達到最低功耗。MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 （WL-CSP），所以非常適用于需電池供電的小型穿戴裝置，包括助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。

MB85AS8MT采用極小的晶圓級封裝 （WL-CSP）

MB85AS8MT的三大特色與相關應用

富士通電子提供各種鐵電隨機存取內存 （FRAM）（注3） 產品，能提供比EEPROM與閃存更高的耐寫次數與更快的寫入速度。富士通電子的FRAM產品以最佳的非揮發(fā)性內存聞名，尤其是需要非常頻繁記錄及保護寫入的數據以避免突然斷電時導致數據遺失。但同時，也有些客戶提出需要較低電流讀取運作的內存，因為他們的應用僅需少量的寫入次數，卻極頻繁地讀取數據。

為滿足此需求，富士通電子特別開發(fā)出新型態(tài)的非揮發(fā)性ReRAM內存“MB85AS8MT”，兼具“高密度位存取”及“低讀取電流”的特色。其為全球最高密度的8Mbit ReRAM量產產品，采用SPI接口、支持1.6至3.6伏特的廣泛電壓，且包含指令與時序在內的電氣規(guī)格都兼容于EEPROM產品。

“MB85AS8MT”最大的特色在于即使擁有超高密度，仍能達到極小的平均讀取電流。例如，在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流為0.15mA，僅相當于高密度EEPROM器件所需電流的5%。

因此，在需要透過電池供電的產品中，像是特定程序讀取或設定數據讀取這類需要頻繁讀取數據的應用中，透過此內存的超低讀取電流特性，該產品即能大幅降低電池的耗電量。

在5MHz的工作頻率下，

MB85AS8MT的平均讀取電流僅為高密度EEPROM器件的5%

除了提供與EEPROM兼容的8針腳小外形封裝 （SOP） 外，還可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP，適用于裝設在小型穿戴裝置中。

MB85AS8MT也可提供2mm x 3mm的超小型11針腳WL-CSP

高密度內存與低功耗的MB85AS8MT采用極小封裝規(guī)格，成為最適合用于需以電池供電的小型穿戴裝置的內存，例如助聽器、智能手表及智能手環(huán)等。

富士通電子將持續(xù)致力研發(fā)最佳內存，支持客戶對各種特殊應用的需求。

關鍵規(guī)格

·器件型號：MB85AS8MT

·內存密度 （組態(tài)）：8 Mbit （1M字符x 8位）

·界面：序列外圍接口 （SPI）

·運作電壓：1.6V至3.6V

·運作頻率：最高10MHz

·低功耗：讀取運作電流0.15mA （5MHz下取平均值）

·寫入周期時間：10ms

·分頁容量：256 bytes

·保證寫入周期：100萬次

·保證讀取周期：無限

·數據保留：10年 （最高耐熱達85°C）

·封裝：11-pin WL-CSP與8-pin SOP

注：

1.可變電阻式隨機存取內存 （ReRAM）：為非揮發(fā)性內存，藉由電壓脈沖于金屬氧化物薄膜，產生的大幅度電阻變化以記錄1和0。其制程化繁為簡，由兩電極間簡易金屬氧化物架構組成，使其同時擁有低功耗和高寫入速度的優(yōu)點。

2.松下電器半導體有限公司Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.：

〒 617-8520 日本京都府長岡京市神足焼町1番地

3.鐵電隨機存儲器 （FRAM）：FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數據的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數據。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數據、低功耗和高速讀寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年開始生產FRAM，亦稱為FeRAM。