去年美光等多家內(nèi)存廠商相繼推出了DDR5內(nèi)存，但去年各大平臺(tái)DDR5內(nèi)存上千乃至數(shù)千的價(jià)格，加上CPU、主板等硬件支持的普及還不到位等問題，這第一批DDR5內(nèi)存并沒有在市場(chǎng)上掀起多大的風(fēng)浪。然而
2022-07-12 08:27:00
12762 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示，新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始，計(jì)劃明年定稿。
2017-04-01 07:49:522529 具體有哪些變化？DDR5與DDR4差別很大，實(shí)際上更像LPDDR4，DDR5帶來9個(gè)變化。
2021-05-19 09:56:405099 
代。SPICE 瞬態(tài)模擬器不再是最新 DDR5 和 LPDDR5 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的正確方法。 新標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和DRAM上增加了均衡（EQ），而傳統(tǒng)的仿真工具無法在這種復(fù)雜性下進(jìn)行建模。 圖1.DDR5 標(biāo)準(zhǔn)在內(nèi)存控制器和 DRAM 上增加了均衡 （EQ）。 輸入/輸出緩沖器信息規(guī)范
2022-12-07 14:34:274209 
2021 年，JEDEC 宣布發(fā)布 JESD79-5 DDR5 SDRAM 標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)志著行業(yè)向 DDR5 dual-inline memory modules （DIMM） 的過渡。
2024-03-17 09:50:375157 
“ ?本文將詳細(xì)介紹 DDR5、LPDDR5 的技術(shù)細(xì)節(jié)以及 Layout 的規(guī)范要求。然后比較 CAMM2 模組與 SODIMM 的差別。? ” ?? 本文將介紹什么是 DDR5，DDR5 和之前
2025-10-27 19:28:167378 
盡管JEDEC(固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì))的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案，Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年底量產(chǎn)。
2018-10-18 10:49:08561 JEDEC固態(tài)存儲(chǔ)協(xié)會(huì)于今日正式發(fā)布了DDR5SDRAM標(biāo)準(zhǔn)（JESD79-5），為全球計(jì)算機(jī)拉開新時(shí)代序幕。 簡(jiǎn)言之，DDR5內(nèi)存芯片Bank數(shù)量翻番到32，每Bank的自刷新速度翻番到
2020-07-16 10:00:059172 8月4日，瀾起科技公布了投資者調(diào)研報(bào)告，就公司目前在研項(xiàng)目、研發(fā)進(jìn)度及預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間、DDR5相關(guān)配套芯片等方面的問題進(jìn)行了回復(fù)。
2020-08-06 09:41:365027 積極與芯片廠商溝通，導(dǎo)入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，同時(shí)籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。
2020-12-03 09:53:443549 ）。 ? ? 嘉合勁威2020年12月宣布率先全面布局DDR5內(nèi)存模組生產(chǎn)；2021年2月嘉合勁威旗下阿斯加特率先推出了首款DDR5內(nèi)存條；3月鎂光DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒現(xiàn)貨到廠，嘉合勁威積極備貨準(zhǔn)備
2021-04-27 09:00:0015368 內(nèi)存。DDR5內(nèi)存與上一代產(chǎn)品DDR4內(nèi)存相比，無論是在內(nèi)存上還是頻率上都有不小的提升，在頻率方面DDR5起步就有4800MHz，而DDR4的一般頻率為3200MHz，即使在超頻狀態(tài)下也只達(dá)到了4266MHz。在內(nèi)存領(lǐng)域有一個(gè)說法叫內(nèi)存制勝論，頻率越高，內(nèi)存的性能越高，DDR5具有較大的性能優(yōu)勢(shì)。
2021-10-25 08:00:0011599 MRDIMM產(chǎn)品的研發(fā)，并發(fā)布了相關(guān)產(chǎn)品方案。DDR5 MRDIMM將為下一代高性能計(jì)算、AI應(yīng)用提供動(dòng)力。JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)提到，DDR5多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（Multiplexed
2024-07-31 18:26:546965 
。 繼2024年成功量產(chǎn)支持7200 MT/s的DDR5 CKD芯片后，瀾起科技持續(xù)深耕DDR5及后續(xù)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)存接口芯片設(shè)計(jì)。新款9200 MT/s CKD芯片采用公司自研的高速、低抖動(dòng)時(shí)鐘緩沖架構(gòu)，可在主機(jī)控制器與DRAM芯片之間實(shí)現(xiàn)高精度時(shí)鐘信號(hào)緩沖與驅(qū)動(dòng)，顯著提升時(shí)鐘同步精度和信號(hào)完整
2025-11-10 10:01:3567938 國(guó)產(chǎn)DDR5究竟離我們還有多遠(yuǎn)？DDR5尚未真正普及的原因是什么？
2021-06-18 09:49:06
Error Correction Code)
隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5
2023-06-28 09:09:11
技術(shù)的瓶頸，可能需要很長(zhǎng)的時(shí)間才能出來。就當(dāng)我們都對(duì)DDR5不報(bào)希望的時(shí)候，結(jié)果它就悄悄的來了。從2017年就已經(jīng)傳出消息說JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，而我們熟知的幾家
2021-08-12 15:42:06
：DDR5 RDIMM測(cè)試系統(tǒng)，DDR5內(nèi)存測(cè)試系統(tǒng)， DDR5 MR-DIMM測(cè)試系統(tǒng)，DDR5 RCD/DB芯片測(cè)試，DDR5芯片測(cè)試，DDR5接收機(jī)測(cè)試，DDR5發(fā)射機(jī)測(cè)試，DDR5數(shù)據(jù)緩沖測(cè)試
2024-08-06 12:03:07
摘要：· 與Gen1 DDR5設(shè)備相比，數(shù)據(jù)速率和帶寬提高了33%· 為未來的服務(wù)器平臺(tái)提供運(yùn)行速度高達(dá)6400 MT/s的DDR5 RDIMM服務(wù)器主內(nèi)存· 擴(kuò)展了領(lǐng)先的DDR5內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品
2023-02-22 10:50:46
演愈烈，內(nèi)存的性能成為新的瓶頸。早在2017年，負(fù)責(zé)計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC就宣稱將在2018年完成DDR5內(nèi)存的最終標(biāo)準(zhǔn)，美光、三星等內(nèi)存廠商在2018年也就開始研發(fā)16GB的DDR5產(chǎn)品
2022-10-26 16:37:40
下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。
替代型內(nèi)存崛起。
DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203633 的規(guī)范制定已經(jīng)到0.5版本，會(huì)在DDR4的基礎(chǔ)上數(shù)據(jù)速率和密度再翻一倍，單顆粒容量可達(dá)32Gb，并預(yù)計(jì)會(huì)在2020年開始商用。 很多人會(huì)把DDR5和顯卡上使用的GDDR5技術(shù)混淆，實(shí)際上兩者應(yīng)用場(chǎng)合不一樣。下面這張圖展示了目前三種主流內(nèi)存技術(shù)（DDR、GDDR、LPDDR）的速度對(duì)比和應(yīng)用場(chǎng)合。
2017-11-15 16:36:0348251 
SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:083766 2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 09:31:245503 
2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。
2020-01-07 10:13:383418 
根據(jù)Tom's Hardware的報(bào)道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 14:36:376009 根據(jù)消息報(bào)道，SK 海力士在CES 2020上展示了最新的DDR5 EEC內(nèi)存條，速度達(dá)到了DDR5-4800 MHz。
2020-01-09 15:17:134795 美光于前日宣布已經(jīng)開始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存（RDIMM）了，目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:044221 
根據(jù)消息報(bào)道，他們?cè)贑ES上研究了SK海力士的64 GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，規(guī)格達(dá)到了DDR5-4800。據(jù)介紹，DDR5 RDIMM內(nèi)存依舊采用了288個(gè)引腳，但是引腳布局和設(shè)計(jì)與DDR4有所不同，兩者互不兼容。
2020-01-14 15:42:526490 存儲(chǔ)行業(yè)近兩年的變化非常大，在內(nèi)存行業(yè)來看，包括SK Hynix在內(nèi)的多家內(nèi)存大廠，已經(jīng)開始了首批DDR5存儲(chǔ)器新品的研發(fā)試驗(yàn)。
2020-01-15 14:34:573868 驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等，由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng)，服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
2020-03-22 14:12:0010655 據(jù)外媒報(bào)道稱，由于種種原因所致，Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái)了。
2020-03-28 10:41:294593 
原以為在肺炎病毒無情來襲的2月將是平平無奇的日常，但是隨著配備LPDDR5的到來，DDR5的話題再次走進(jìn)大眾的視野范圍當(dāng)中。對(duì)于目前的情況來說，我們到底應(yīng)該做一個(gè)等等黨等DDR5，還是選擇果斷剁手DDR4呢？
2020-03-30 09:25:3711095 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:483511 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國(guó)SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 17:05:547322 既然手機(jī)已經(jīng)用上了LPDDR5，那么桌面系統(tǒng)用上DDR5內(nèi)存，其實(shí)也早在大家預(yù)想之內(nèi)，只不過AMD和Intel都要明年才可能推出支持DDR5內(nèi)存的芯片組和處理器，所以大家目前只能等待和觀望！
2020-04-05 17:28:525324 今年，小米10等智能手機(jī)都開始用上了LPDDR5內(nèi)存，此后，這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過在PC端，DDR5內(nèi)存還是需要等待的，英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品中
2020-07-30 15:27:123275 DDR5的主要特性是芯片容量，不僅僅是更高的性能和更低的功耗，DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率，更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1718333 亮相。同樣，開發(fā)也是分階段進(jìn)行的：內(nèi)存控制器、接口、電氣等效測(cè)試IP和模塊。SK Hynix已經(jīng)進(jìn)行到了最后一個(gè)階段，或者至少是這些模塊中的芯片。 DDR5是下一代用于大多數(shù)主要計(jì)算平臺(tái)的平臺(tái)內(nèi)存。該規(guī)范（于2020年7月發(fā)布）將主電壓從1.2
2020-10-23 15:11:013409 
第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5420208 
2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品，并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:076940 ，提高了 1.6 倍，同時(shí)降低了 10% 的功耗?，F(xiàn)在，支持錯(cuò)誤檢查和糾正技術(shù) （ECC）的 DDR4 內(nèi)存需要在 PCB 上安裝一個(gè)額外的芯片，而 DDR5 支持芯片內(nèi) ECC，極大地提高了系統(tǒng)的
2020-12-01 15:33:233333 積極與芯片廠商溝通，導(dǎo)入和研發(fā)新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，同時(shí)籌備配置DDR5生產(chǎn)線，有望在2021年第二季度推出單條16GB容量的DDR5內(nèi)存條。 光威、阿斯加特內(nèi)存都以超低價(jià)格、超高性價(jià)比而出名，單條32GB DDR3都能干到600元甚至更低，如今搶先布局DDR5，有望大大加速DDR5的降
2020-12-02 12:12:582441 擁有光威和阿斯加特品牌的嘉合勁威宣布率先全面布局 DDR5 內(nèi)存模組，有望在 2021 Q2 推出單根 16G 容量的 DDR5 內(nèi)存條。 嘉合勁威表示，正在積極布局導(dǎo)入 DDR5 內(nèi)存新技術(shù)
2020-12-02 16:04:362487 DDR5的量產(chǎn)。 有知情人透露，嘉合勁威目前正積極與芯片廠商溝通，引入和研發(fā)最新一代的DDR5內(nèi)存技術(shù)，并且已經(jīng)開始籌備DDR5生產(chǎn)線，最快將在2021年的第二季度推出單條16GB的DDR5內(nèi)存條。 雖然，嘉合勁威不太可能是全球最早推出DDR5內(nèi)存條的廠商，不過很有可能
2020-12-08 17:14:253346 DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了，算算迭代的速度，DDR5也該來了，而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一，嘉合勁威最近也是宣布，正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù)，將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)DDR5的量產(chǎn)。
2020-12-09 10:19:553059 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。
2020-12-12 10:01:513254 DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了，2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了，雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，但是新一代平臺(tái)值得期待，DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份，JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:394727 繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后，十銓（TeamGroup）現(xiàn)已開啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作，對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:332553 繼十銓（TEAMGROUP）之后，威剛也公布了旗下DDR5內(nèi)存條的最新進(jìn)展。
2021-01-06 17:04:552686 最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來了，DDR4內(nèi)存當(dāng)然不會(huì)馬上被淘汰，但前景肯定不會(huì)多好
2021-02-02 11:27:394194 2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年，DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存，起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:204212 回顧2020年，在新基建的驅(qū)動(dòng)下，數(shù)據(jù)中心正迎來發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代，國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14日
2021-05-01 09:31:002974 我們都知道，隨著DDR5內(nèi)存模組標(biāo)準(zhǔn)的公布，各大企業(yè)都爭(zhēng)相研發(fā)DDR5內(nèi)存模組，想要抓住DDR5內(nèi)存模組發(fā)展的黃金時(shí)期，搶占DDR5內(nèi)存模組市場(chǎng)。雖然存儲(chǔ)行業(yè)中的每個(gè)參與者都有此想法，但是能真正做到
2021-05-08 14:03:23941 
2020年，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了新的主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范，這意味著新一輪的內(nèi)存升級(jí)換代即將開始。進(jìn)入2021年，多家存儲(chǔ)企業(yè)也先后宣布發(fā)布DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
2021-10-25 18:36:433655 
內(nèi)存。DDR5內(nèi)存與上一代產(chǎn)品DDR4內(nèi)存相比，無論是在內(nèi)存上還是頻率上都有不小的提升，在頻率方面DDR5起步就有4800MHz，而DDR4的一般頻率為3200MHz，即使在超頻狀態(tài)下也只達(dá)到了4266MHz。在內(nèi)存領(lǐng)域有一個(gè)說法叫內(nèi)存制勝論，頻率越高，內(nèi)存的性能越高，DDR5具有較大的性能優(yōu)勢(shì)。
2021-10-26 16:54:142890 2021年10月9日北京訊，全球存儲(chǔ)領(lǐng)袖金士頓宣布，即將推出的DDR5內(nèi)存已通過英特爾平臺(tái)認(rèn)證，這是一個(gè)重要的里程碑，因?yàn)榻鹗款D的DDR5內(nèi)存是首個(gè)通過英特爾DDR5平臺(tái)兼容性認(rèn)證的內(nèi)存解決方案。
2022-03-16 09:23:161780 隸屬于SGH (Nasdaq： SGH)控股集團(tuán)的全球?qū)I(yè)內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 SMART Modular世邁科技 (“SMART”)宣布推出新型DuraMemory? DDR5 32GB VLP RDIMM 工規(guī)內(nèi)存模塊，這也是業(yè)界首款DDR5 VLP RDIMM規(guī)格。
2022-03-24 11:40:473342 與前幾代 DDR 存儲(chǔ)器接口產(chǎn)品一樣，瑞薩的器件在性能和可靠性方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。瑞薩擁有完整的 IC 系列來開發(fā)高性能 DDR5 DIMM，包括 - RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戲 DIMM 以及用于服務(wù)器和客戶端內(nèi)存下降應(yīng)用的內(nèi)存接口產(chǎn)品。
2022-04-26 09:10:324700 
主板DDR5內(nèi)存插槽引腳功能表免費(fèi)下載。
2022-05-16 14:16:25
37 4800MHz；集成PMIC電源管理芯片，電壓降至1.1V，功耗更低；加入On-dieEcc糾錯(cuò)功能，運(yùn)行更加穩(wěn)定等。 除了一線品牌外，老牌存儲(chǔ)廠商朗科也在積極布局這一領(lǐng)域，繼絕影RGB DDR5之后，朗科又將推出越影Ⅱ DDR5內(nèi)存，和絕影系列一樣，越影ⅡDDR5同樣定位中高
2022-05-24 16:29:381707 
DDR5在DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn)，首先是更高的數(shù)據(jù)速率，從DDR4最高的3200MT/s，到了DDR5最高的6400MT/s；其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制，以及降低功耗的1.1V電壓，而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過于新加入的電源管理芯片（PMIC）。
2022-07-12 09:58:506180 作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布，擴(kuò)大其DDR5內(nèi)存接口芯片組合，推出Rambus串行檢測(cè)集線器（SPD
2022-08-18 19:49:49854 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱CKD或DDR5CK01）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的內(nèi)存。
2022-09-01 09:26:231491 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱CKD或DDR5CK01）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦的內(nèi)存。
2022-09-01 11:32:091615 該機(jī)構(gòu)表示，目前已經(jīng)在芝奇（G.Skill）Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:482099 作為Rambus服務(wù)器和客戶端DDR5內(nèi)存接口芯片組的一部分，SPD Hub和溫度傳感器與RCD相結(jié)合，能夠?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5計(jì)算系統(tǒng)提供高性能、大容量的內(nèi)存解決方案。SPD Hub和溫度傳感器都是內(nèi)存模塊上的關(guān)鍵組件，可以感知并報(bào)告用于系統(tǒng)配置和熱管理的重要數(shù)據(jù)。
2022-09-23 10:49:533593 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:488531 瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱RCD或DDR5 RCD03）工程樣片，并已向業(yè)界主流內(nèi)存廠商送樣，該產(chǎn)品將用于新一代服務(wù)器內(nèi)存模組。 新產(chǎn)品速覽 DDR5第三
2022-12-01 11:08:29801 2022年12月1日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先推出DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱RCD或DDR5 RCD03）工程樣片，并已向業(yè)界主流內(nèi)存廠商送樣，該產(chǎn)品將用于新一代服務(wù)器內(nèi)存模組。
2022-12-01 13:03:201409 瀾起科技本次獲獎(jiǎng)的DDR5內(nèi)存接口芯片，是CPU存取內(nèi)存數(shù)據(jù)的必由通路，是內(nèi)存模組的核心器件。瀾起科技憑借全球領(lǐng)先的高速、低功耗技術(shù)，不僅研發(fā)了新一代內(nèi)存接口芯片，還全面布局DDR5內(nèi)存模組配套芯片
2023-01-09 09:53:331123 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）隨著服務(wù)器CPU更多的開始支持DDR5，服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透，Rumbus公司預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。事實(shí)上，作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:136269 
DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:444033 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2535586 瀾起科技還介紹說，根據(jù)存儲(chǔ)接口芯片的價(jià)格規(guī)律，一般來說，新一代產(chǎn)品由于技術(shù)和性能升級(jí)，其起銷價(jià)格會(huì)比上一代有所提高，上一代產(chǎn)品的售價(jià)會(huì)逐漸降低。為了保持存儲(chǔ)接口芯片產(chǎn)品的平均售價(jià)，使用了持續(xù)的重復(fù)世代。與ddr4代相比，ddr5內(nèi)存接口芯片的初期銷售價(jià)格大幅上漲。
2023-09-07 14:43:341795 在全默認(rèn)設(shè)置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800，延遲設(shè)定為40-40-40-76，因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:423033 
2023年10月27日，瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第三子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片M88DR5RCD03，該芯片應(yīng)用于DDR5 RDIMM內(nèi)存模組，旨在進(jìn)一步提升內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，滿足新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)容量、帶寬、訪問延遲等內(nèi)存性能的更高要求。
2023-10-27 11:30:411770 隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大，DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加，為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道，糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤，DDR5引入了片上ECC技術(shù)，將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部，提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:311297 
公司保持著在內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的相對(duì)領(lǐng)先態(tài)勢(shì)。公司牽頭制定DDR5RCD及MDB芯片的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，研發(fā)持續(xù)領(lǐng)先。
2023-12-19 12:44:061203 在最為重要的內(nèi)存顆粒上，根據(jù)軟件檢測(cè)，這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒，與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同，這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:011882 
關(guān)于2023年第三季度毛利率增長(zhǎng)原因，瀾起科技指出，主要是因?yàn)?DDR5內(nèi)存接口芯片出貨量占比提升，特別是 DDR5 第二子代 RCD 芯片出貨量及其占比顯著提升。
2024-01-03 13:52:111583 近日，瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04），該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，較DDR5第一子代RCD速率提升50%，
2024-01-04 09:26:581532 LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存，它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景，并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先，讓我們來了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:067773 瀾起科技，這一在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域具有領(lǐng)先地位的公司，近日發(fā)布了一款引人注目的新產(chǎn)品——DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（DDR5 RCD04）。這款新產(chǎn)品的最大亮點(diǎn)在于其高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率，相較于DDR5第一子代的RCD，速率提升了驚人的50%。
2024-01-07 16:28:241692 瀾起科技，一直致力于引領(lǐng)內(nèi)存接口芯片領(lǐng)域的創(chuàng)新，近日再次實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)過不斷的技術(shù)積累和產(chǎn)品升級(jí)，他們成功研發(fā)出DDR5第四子代RCD芯片（DDR5 RCD04），進(jìn)一步鞏固了其在這一領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-01-07 16:30:111768 DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大？怎么選擇更好？ DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù)，它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù)，以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:0513400 瀾起科技近日在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)分享了關(guān)于DDR5內(nèi)存子代RCD芯片的最新動(dòng)態(tài)。據(jù)瀾起科技預(yù)測(cè)，DDR5第二子代RCD芯片的需求將在2024年超過第一子代RCD芯片。更進(jìn)一步，DDR5第三子代RCD芯片
2024-02-02 10:27:351769 瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（簡(jiǎn)稱CKD），該產(chǎn)品應(yīng)用于新一代客戶端內(nèi)存，旨在提高內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，以匹配日益提升的CPU運(yùn)行速度及性能。
2024-04-10 10:40:181243 上海2024年4月10日 /美通社/ -- 瀾起科技宣布在業(yè)界率先試產(chǎn)DDR5第一子代時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（簡(jiǎn)稱CKD），該產(chǎn)品應(yīng)用于新一代客戶端內(nèi)存，旨在提高內(nèi)存數(shù)據(jù)訪問的速度及穩(wěn)定性，以匹配日益提升
2024-04-10 14:28:591565 瀾起科技在最新互動(dòng)平臺(tái)上分享了對(duì)當(dāng)前內(nèi)存接口芯片市場(chǎng)的觀察。自今年年初起，內(nèi)存接口芯片需求呈現(xiàn)恢復(fù)性增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，這一積極信號(hào)預(yù)示著行業(yè)發(fā)展的良好前景。
2024-06-03 14:19:311160 01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號(hào)專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間：2024年7月6日（本周六）10：00地點(diǎn)：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號(hào)線，高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51979 
DDR5標(biāo)準(zhǔn)JESD79-5文件中沒有明確的控制阻抗建議,DDR4時(shí)代基本內(nèi)存條上時(shí)鐘阻抗還是跟著芯片、主板走的70-80歐姆。線寬相對(duì)而言比較細(xì)。不知道你開始使用DDR5沒有，你有關(guān)注過DDR5內(nèi)存條上的時(shí)鐘走線嗎？
2024-07-16 17:47:136103 
近日，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)傳來重大消息，SK海力士正式通知市場(chǎng)，其DDR5內(nèi)存產(chǎn)品將漲價(jià)15%至20%，這一舉動(dòng)無疑給市場(chǎng)投下了一枚震撼彈。此次漲價(jià)的根源在于，SK海力士、美光、三星等存儲(chǔ)芯片巨頭紛紛調(diào)整
2024-08-15 10:19:212762 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡(jiǎn)介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:037932 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）宣布率先推出面向第二代DDR5多容量雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）的完整內(nèi)存接口芯片組解決方案。
2024-11-22 18:09:021314 據(jù)傳輸速率相較于DDR4內(nèi)存有了顯著提升。DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起始速率為2133MT/s，而DDR5內(nèi)存的起始速率為4800MT/s。這意味著DDR5內(nèi)存在相同的時(shí)間內(nèi)可以傳輸更多的數(shù)據(jù)，從而提高系統(tǒng)的處理
2024-11-29 14:58:405418 瀾起科技今日正式宣布，已完成DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。該芯片是高性能服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心內(nèi)存系統(tǒng)的核心組件，將為下一代計(jì)算平臺(tái)帶來顯著的內(nèi)存性能提升。
2025-10-30 11:37:54443 7月15日，JEDEC正式公布了全新的DDR5標(biāo)準(zhǔn)，劍指下一代高性能計(jì)算系統(tǒng)。據(jù)JEDEC聲稱，DDR5是為了滿足高效率高性能的多種需求所設(shè)計(jì)的，不僅包括客戶端系統(tǒng)，還有高性能服務(wù)器，為未來的數(shù)據(jù)中心和計(jì)算機(jī)改革提供全新的內(nèi)存技術(shù)。
2020-07-22 09:50:518746
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