JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)，微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)全球領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)，今天宣布正式發(fā)布JEDEC DDR3L規(guī)范。這是廣受期待的DDR3存儲(chǔ)器標(biāo)準(zhǔn)JESD79-3 的附件。這是DDR3作為當(dāng)今DRAM主導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)演變的繼續(xù)
2010-08-05 09:10:50
4186 本文主要使用了Cadence公司的時(shí)域分析工具對(duì)DDR3設(shè)計(jì)進(jìn)行量化分析，介紹了影響信號(hào)完整性的主要因素對(duì)DDR3進(jìn)行時(shí)序分析，通過分析結(jié)果進(jìn)行改進(jìn)及優(yōu)化設(shè)計(jì)，提升信號(hào)質(zhì)量使其可靠性和安全性大大提高。##時(shí)序分析。##PCB設(shè)計(jì)。
2014-07-24 11:11:216350 
本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺(tái)，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲(chǔ)管理。##每片
2015-04-07 15:52:1013985 
使用Vivado 2018.1。 第一篇：DDR3和mig的介紹 1 DDR3介紹 以鎂光的MT41K128M16為例來介紹DDR3。 ? ? 通過以上信息我們即可知道DDR3的內(nèi)存容量，Row
2021-01-01 10:09:005268 
為了更好地管理各類DDR3內(nèi)存的特性，并提供一種簡便的、帶寬效率高的自動(dòng)化方式來初始化和使用內(nèi)存，我們需要一款高效DDR3內(nèi)存控制器。
2021-02-09 10:08:0014491 
本實(shí)驗(yàn)為后續(xù)使用DDR3內(nèi)存的實(shí)驗(yàn)做鋪墊，通過循環(huán)讀寫DDR3內(nèi)存，了解其工作原理和DDR3控制器的寫法，由于DDR3控制復(fù)雜，控制器的編寫難度高，這里筆者介紹采用第三方的DDR3 IP控制器情況下的應(yīng)用，是后續(xù)音頻、視頻等需要用到DDR3實(shí)驗(yàn)的基礎(chǔ)。
2021-02-05 13:27:0010988 
? 2022年4月20日，中國蘇州訊?—— 全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布，將持續(xù)供應(yīng)DDR3產(chǎn)品，為客戶帶來超高速的性能表現(xiàn)。 ? 華邦的?1.35V DDR3 產(chǎn)品在?x8
2022-04-20 16:04:033594 
以MT41J128M型號(hào)為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個(gè)8bit的DDR3，每個(gè)bank的大小為16Mbit，一共有8個(gè)bank。
2023-09-15 15:30:093825 
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。
2025-04-10 09:42:533932 
時(shí)鐘接口有兩個(gè)時(shí)鐘給DDR3控制器，一個(gè)時(shí)鐘是DDR3控制器的工作時(shí)鐘，一個(gè)是給DDR3的I/O接口。DDR3控制器的時(shí)鐘不可超過DSP的1/2，I/O接口的時(shí)鐘是DDR3的內(nèi)存時(shí)鐘。2.2. 信號(hào)
2018-01-18 22:04:33
嗨，我是FPGA領(lǐng)域的新手?，F(xiàn)在我正在使用Genesys2。我必須控制DDR3內(nèi)存。我在Digilent網(wǎng)站上找到了一些使用micrlaze處理器的DDR3示例。但是，在我的情況下，我不必
2019-05-05 15:29:38
DDR3芯片讀寫控制及調(diào)試總結(jié)，1. 器件選型及原理圖設(shè)計(jì)（1） 由于是直接購買現(xiàn)成的開發(fā)板作為項(xiàng)目前期開發(fā)調(diào)試使用，故DDR3芯片已板載，其型號(hào)為MT41J256M16HA-125，美光公司生產(chǎn)的4Gb容量DDR3芯片。采...
2021-07-22 08:33:54
規(guī)格和發(fā)展線路。我們可以通過顯存的演進(jìn)圖，明顯知道GDDR3與DDR3是兩種規(guī)格的顯存，DDR3提供和GDDR3一樣的性能，但是價(jià)格卻比GDDR3低很多，通過演進(jìn)圖的預(yù)測(cè)，以后的顯存市場(chǎng)將是GDDR5
2011-02-23 15:27:51
各位朋友有沒有遇到過DDR3 Vref 信號(hào)上100nF濾波電容失效的情況？我們板子用到了2顆DDR3芯片，VREFCA和VREFDQ管腳各自通過兩個(gè)10K電阻分壓得到0.76V。主芯片上還有一個(gè)MEM_VREF管腳也是通過兩個(gè)1K電阻分壓得到0.76V。
2019-02-19 10:41:35
DDR3（double-data-rate three synchronous dynamic random accessmemory）是應(yīng)用在計(jì)算機(jī)及電子產(chǎn)品領(lǐng)域的一種高帶寬并行數(shù)據(jù)總線。DDR3 在 DDR2
2019-05-22 08:36:26
CPU的DDR3總線只連了一片DDR3，也沒有復(fù)用總線將DDR3的CS直接拉到地的話，DDR3初始化不成功所以說DDR3的CS信號(hào)是通過沿采樣的嗎，電平采樣不行？無法理解啊還是有其他方面原因
2016-11-25 09:41:36
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-21 15:24 編輯
各位好！關(guān)于DDR3，之前有小結(jié)過如果進(jìn)行DDR3的SW leveling和進(jìn)行EMIF4寄存器的配置。但是調(diào)試時(shí)，如果進(jìn)行DDR3的問題定位，現(xiàn)小結(jié)一下，附上相關(guān)文檔。如有相關(guān)問題，可在樓下跟帖討論。謝謝！
2018-06-21 04:01:01
你好，ISE版本為13.3，modelsim版本為10.1c 64bit.MIG工具為ddr3生成mcb。modelsim的transcript窗口中的消息如下
2019-07-08 08:44:42
本次發(fā)布 Gowin DDR3參考設(shè)計(jì)。Gowin DDR3 參考設(shè)計(jì)可在高云官網(wǎng)下載，參考設(shè)計(jì)可用于仿真，實(shí)例化加插用戶設(shè)計(jì)后的總綜合，總布局布線。
2022-10-08 08:00:34
獵芯網(wǎng)近期表示，芯片供應(yīng)商生產(chǎn)成本明顯上升，不少成本敏感的芯片報(bào)價(jià)已經(jīng)開始往上漲，其中，2020年第3季就一再喊漲的LCD驅(qū)動(dòng)IC及MOSFET芯片價(jià)格應(yīng)該確定在第4季會(huì)調(diào)漲，且未來還會(huì)持續(xù)上升
2020-10-15 16:30:57
DDR3的IP核配置完畢后，產(chǎn)生了好多文件，請(qǐng)問如何調(diào)用這些文件實(shí)現(xiàn)DDR3的讀寫呢？看了一些文章，說是要等到local_init_done為高電平后，才能進(jìn)行讀寫操作。請(qǐng)問DDR3的控制命令如
2016-01-14 18:15:19
的邏輯Bank就是8個(gè)，另外還為未來的16個(gè)邏輯Bank做好了準(zhǔn)備。2、封裝（Packages） 由于DDR3新增了一些功能，在引腳方面會(huì)有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封裝，16bit芯片
2011-12-13 11:29:47
數(shù)字信號(hào)處理[3]已經(jīng)成為FPGA的一個(gè)重要課題，高速的采樣頻率帶來的是大容量的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，DDR3以較低的功耗，較快的存儲(chǔ)速度，較高的存儲(chǔ)容量和較低的價(jià)格迅速占領(lǐng)市場(chǎng)；同時(shí)在繪制PCB板圖
2018-08-30 09:59:01
現(xiàn)在因?yàn)轫?xiàng)目需要，要用DDR3來實(shí)現(xiàn)一個(gè)4入4出的vedio frame buffer。因?yàn)槠邮褂玫氖莑attice的，參考設(shè)計(jì)什么的非常少。需要自己調(diào)用DDR3控制器來實(shí)現(xiàn)這個(gè)vedio
2015-08-27 14:47:57
大家好，我試圖通過vivado v14.3生成DDR3控制器。我正在選擇DDR3 SODIMM模塊“MT8KSF1G72HZ-1G6”。該工具支持該器件，最高頻率可達(dá)666.66MHz，但該模塊的數(shù)據(jù)表明最高頻率可達(dá)800MHz。請(qǐng)幫我確定問題所在。感謝致敬Tarang JIndal
2020-07-31 06:07:43
怎樣對(duì)DDR3芯片進(jìn)行讀寫控制呢？如何對(duì)DDR3芯片進(jìn)行調(diào)試？
2021-08-12 06:26:33
目前有
一個(gè)項(xiàng)目需要使用
DDR3作為顯示緩存，VGA作為顯示器，F(xiàn)PGA作為主控器，來刷圖片到VGA上。VGA部分已經(jīng)完成，唯獨(dú)這個(gè)
DDR3以前沒有使用過，時(shí)序又比較復(fù)雜，所以短時(shí)間內(nèi)難以完成，希望做過
DDR3控制器的大神指點(diǎn)一二。
急求！?。。?/div>
2015-11-16 09:18:59
DDR3將是2010年最有前景市場(chǎng)
2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場(chǎng)之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認(rèn)為，它即將成為世
2009-12-15 10:28:141003 
臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13795 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34856 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:261010 DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過DDR3
報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價(jià)格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:181177 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501422 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 Quamtum-SI DDR3仿真解析
Automated DDR3 Analysis
2010-04-29 09:00:114760 
DDR3DDR
總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:37
36 用ise工具調(diào)用DDR3 IP核教程，內(nèi)容非常的詳細(xì)
2015-11-20 11:56:200 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)
2016-02-23 11:37:230 針對(duì)DDR2-800和DDR3的PCB信號(hào)完整性設(shè)計(jì)，要認(rèn)證看
2016-12-16 21:23:410 華芯半導(dǎo)體DDR3內(nèi)存顆粒 datasheet
2016-12-17 21:59:120 DDR3是目前DDR的主流產(chǎn)品，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。最開始的DDR, 芯片采用的是TSOP封裝，管腳露在芯片兩側(cè)的，測(cè)試起來相當(dāng)方便；但是，DDRII和III就不一樣了，
2017-11-06 13:44:109412 
Group具備獨(dú)立啟動(dòng)操作讀、寫等動(dòng)作特性，Bank Group 數(shù)據(jù)組可套用多任務(wù)的觀念來想象，亦可解釋為DDR4 在同一頻率工作周期內(nèi)，至多可以處理4 筆數(shù)據(jù)，效率明顯好過于DDR3。
2017-11-07 10:48:5155968 
這段時(shí)間，DDR4內(nèi)存條價(jià)格持續(xù)處于高位，于是不少廠商和需求不高的用戶開始將目光轉(zhuǎn)向老一代的DDR3，畢竟無論是DDR3內(nèi)存本身還是相應(yīng)主板，都已經(jīng)十分廉價(jià)，組個(gè)入門機(jī)還挺合適。
2017-11-07 13:21:264947 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2332470 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4928010 為了解決視頻圖形顯示系統(tǒng)中多個(gè)端口訪問DDR3的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)沖突，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了基于FPGA的DDR3存儲(chǔ)管理系統(tǒng)。DDR3存儲(chǔ)器控制模塊使用MIG生成DDR3控制器，只需通過用戶接口信號(hào)就能完成DDR3
2017-11-18 18:51:257989 
最近發(fā)現(xiàn)越來越多的客戶使用DDR3了，據(jù)描述，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DDR2使用的越來越少了，而且產(chǎn)量不多，所以現(xiàn)在價(jià)格不便宜，倒是DDR3隨著用戶量的增加，價(jià)格上已經(jīng)與DDR2相差無幾，所以DDR3不失為一個(gè)能讓
2018-04-24 16:08:2018 DDR3內(nèi)存已經(jīng)被廣泛地使用，專業(yè)的PCB設(shè)計(jì)工程師會(huì)不可避免地會(huì)使用它來設(shè)計(jì)電路板。本文為您提出了一些關(guān)于DDR3信號(hào)正確扇出和走線的建議，這些建議同樣也適用于高密度、緊湊型的電路板設(shè)計(jì)。
2018-06-16 07:17:0010446 
Cyclone 10 GX DDR3 示例設(shè)計(jì)的步驟
2018-06-20 00:12:006906 
突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5416120 
測(cè)試價(jià)格（hourly rate）已喊漲約1成幅度。法人看好京元電、矽格、臺(tái)星科等測(cè)試廠，下半年?duì)I運(yùn)將旺上加旺。
2018-07-23 16:14:004496 繼儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器價(jià)格走跌之后，原本報(bào)價(jià)尖挺的DRAM也開始松動(dòng)，其中，連續(xù)八季漲價(jià)的DDR3率先走跌，臺(tái)灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:144337 我們通過Configuration,Package,Speed...等DDR3的命名可知道DDR3的容量，封裝，速度等級(jí)等信息。
2019-03-03 11:04:152626 
DDR3內(nèi)存與DDR2內(nèi)存相似包含控制器和存儲(chǔ)器2個(gè)部分，都采用源同步時(shí)序，即選通信號(hào)(時(shí)鐘)不是獨(dú)立的時(shí)鐘源發(fā)送，而是由驅(qū)動(dòng)芯片發(fā)送。它比DR2有更高的數(shù)據(jù)傳輸率，最高可達(dá)1866Mbps；DDR3還采用8位預(yù)取技術(shù)，明顯提高了存儲(chǔ)帶寬；其工作電壓為1.5V，保證相同頻率下功耗更低。
2019-06-25 15:49:232336 DDR3 SDRAM是DDR3的全稱，它針對(duì)Intel新型芯片的一代內(nèi)存技術(shù)（但目前主要用于顯卡內(nèi)存），頻率在800M以上。DDR3是在DDR2基礎(chǔ)上采用的新型設(shè)計(jì)，與DDR2 SDRAM相比具有功耗和發(fā)熱量較小、工作頻率更高、降低顯卡整體成本、通用性好的優(yōu)勢(shì)。
2019-10-29 08:00:000 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 從成本的角度來看，DDR3也許的確要比DDR4低一些，所以從這個(gè)角度可以講通。
2020-09-08 16:28:235268 /s）全通道16962A邏輯分析模塊，用于DDR3 BGA和DIMM器件的探針，以及一個(gè)DDR3兼容性和高性能軟件環(huán)境。
2020-08-30 10:06:011315 據(jù)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，美方祭出的新一輪制裁導(dǎo)致華為從9月15日起，將都無法取得含有美國技術(shù)成分的零組件供貨。眼看為期120天的“寬期限”到期在即，繼手機(jī)芯片之后，供應(yīng)鏈傳出華為正加大庫存儲(chǔ)備觸控驅(qū)動(dòng)IC力度，大舉向供應(yīng)商下急單拉貨，甚至主動(dòng)加幅一成拉貨。
2020-09-29 09:52:292372 背光芯片也傳出可望小幅調(diào)漲。 LED芯片廠晶電表示，第4季屬于LED產(chǎn)業(yè)傳統(tǒng)淡季，預(yù)計(jì)2021年農(nóng)歷年后整體終端市場(chǎng)應(yīng)用可望重啟拉貨，新產(chǎn)品出貨將配合客戶預(yù)定進(jìn)度。 據(jù)指出，華燦光電從11月起調(diào)整LED照明芯片價(jià)格，漲幅落在6~8%左右，主要受到近期材料成
2020-12-24 16:49:563534 多家芯片廠商漲價(jià)，DRAM現(xiàn)貨價(jià)格大漲三成 晶圓代工廠產(chǎn)能吃緊，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掀起漲價(jià)風(fēng)。在供給緊張之下，除了功率、觸控等芯片價(jià)格喊漲外，內(nèi)存方面，TrendForce預(yù)測(cè)，固態(tài)硬盤（SSD）控制芯片價(jià)格
2021-01-06 10:36:493260 2 月 1 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士表示，2021 年，DDR3 內(nèi)存價(jià)格預(yù)計(jì)將上漲 40%-50%，高于業(yè)內(nèi)人士此前估計(jì)的 30% 增幅。 DDR3 是一種電腦內(nèi)存規(guī)格，它屬于 SDRAM
2021-02-01 18:00:332959 2021年存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品確定要進(jìn)入牛市周期了，1月份的內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)全面開漲，漲幅在5%以上，現(xiàn)在也輪到閃存產(chǎn)品了，SSD價(jià)格也出現(xiàn)了急漲。
2021-02-03 10:00:178011 2021 年，DDR3內(nèi)存價(jià)格受缺貨影響預(yù)上漲 40%-50%，春節(jié)之后的價(jià)格就已經(jīng)上漲至3.3美元以上；三星2Gb DDR3價(jià)格再創(chuàng)歷史新高，從0.95美元漲至3美元左右。
2021-03-15 15:18:142890 用于 DDR 電源及終端的高效率、雙通道、±3A同步降壓型穩(wěn)壓器符合 DDR / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)
2021-03-19 08:44:5013 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價(jià)格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計(jì)劃。
2021-03-19 10:45:262143 這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)?，Vivado也提供了一個(gè)DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2021-05-02 09:05:004229 
芯片價(jià)格現(xiàn)在的發(fā)展態(tài)勢(shì)令人看不懂，從芯片缺貨到芯片買不起；居然芯片價(jià)格飆漲5倍？這個(gè)行業(yè)是咋個(gè)情況？ 據(jù)高盛發(fā)布到額研究數(shù)據(jù)我們看到居然有169個(gè)行業(yè)都存在芯片缺貨的情況；不光是汽車制造業(yè)，比如空調(diào)
2021-06-07 12:08:0712550 
動(dòng)態(tài)調(diào)整。 IC設(shè)計(jì)業(yè)者透露，今年上半年產(chǎn)品價(jià)格大約是一季漲一成左右，進(jìn)入下半年，各季漲幅應(yīng)當(dāng)也差不多。即使近期市場(chǎng)傳出些許雜音，但頂多是例如客戶原先要100顆，IC廠商卻只能供應(yīng)90顆，現(xiàn)在客戶需求降到95至97顆，貨依然不夠交，只
2021-08-17 16:56:51360 
，是指DDR3中的數(shù)據(jù)掉電無法保存，且需要周期性的刷新，才能保持?jǐn)?shù)據(jù);所謂隨機(jī)存取，即可以隨機(jī)操作任一地址的數(shù)據(jù);所謂double-data-rate，即時(shí)鐘的上升沿和下降沿都發(fā)生數(shù)據(jù)傳輸。
2022-02-21 17:51:455363 
帶來太大的影響。 三星對(duì)客戶通知2022年年終之前仍會(huì)繼續(xù)接受且在2023年年末之前完成DDR3內(nèi)存的訂單，并將停止1GB、2GB、4GB的DDR3內(nèi)存生產(chǎn)。繼三星之后，SK海力士、華邦電子等制造商也表示將停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)，不對(duì)客戶繼續(xù)提供DDR3內(nèi)存，不過三大芯片供應(yīng)商中的美光
2022-04-06 12:22:566223 ??這篇文章我們講一下Virtex7上DDR3的測(cè)試?yán)蹋琕ivado也提供了一個(gè)DDR的example，但卻是純Verilog代碼，比較復(fù)雜，這里我們把DDR3的MIG的IP Core掛在Microblaze下，用很簡單的程序就可以進(jìn)行DDR3的測(cè)試。
2022-08-16 10:28:583160 一、DDR3簡介 ? ? ? ? DDR3全稱double-data-rate 3 synchronous dynamic RAM，即第三代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂同步，是指DDR3數(shù)據(jù)
2022-12-21 18:30:055150 DDR3的速度較高，如果控制芯片封裝較大，則不同pin腳對(duì)應(yīng)的時(shí)延差異較大，必須進(jìn)行pin delay時(shí)序補(bǔ)償。
2023-07-04 09:25:38936 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PI2DDR3212和PI3DDR4212在DDR3/DDR4中應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-07-24 09:50:473 本文開源一個(gè)FPGA項(xiàng)目：基于AXI總線的DDR3讀寫。之前的一篇文章介紹了DDR3簡單用戶接口的讀寫方式：《DDR3讀寫測(cè)試》，如果在某些項(xiàng)目中，我們需要把DDR掛載到AXI總線上，那就要通過MIG IP核提供的AXI接口來讀寫DDR。
2023-09-01 16:20:377275 
本文介紹一個(gè)FPGA開源項(xiàng)目：DDR3讀寫。該工程基于MIG控制器IP核對(duì)FPGA DDR3實(shí)現(xiàn)讀寫操作。
2023-09-01 16:23:193353 
據(jù)媒體報(bào)道，近期已有下游廠商接到存儲(chǔ)原廠通知，第四季度將調(diào)漲合約價(jià)格，其中NAND閃存第四季度合約價(jià)可能漲一至二成，DRAM合約價(jià)漲幅約一成。
2023-09-25 17:11:001798 DDR3是2007年推出的，預(yù)計(jì)2022年DDR3的市場(chǎng)份額將降至8%或以下。但原理都是一樣的，DDR3的讀寫分離作為DDR最基本也是最常用的部分，本文主要闡述DDR3讀寫分離的方法。
2023-10-18 16:03:561889 
DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對(duì)兩者有了更多的關(guān)注。 DDR3
2023-10-30 09:22:0013842 近日，據(jù)外媒報(bào)道，SK海力士已宣布將其DDR5 DRAM芯片價(jià)格上調(diào)15%至20%，這一舉動(dòng)在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。供應(yīng)鏈內(nèi)部人士透露，此次漲價(jià)的主要原因在于HBM3/3E產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張，對(duì)DDR5的生產(chǎn)資源造成了明顯擠占。
2024-08-14 15:40:461516 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場(chǎng)上最常
2024-11-20 14:24:2211366 DDR3、DDR4、DDR5是計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型的不同階段，分別代表第三代、第四代和第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）。以下是它們之間的性能對(duì)比： 一、速度與帶寬 DDR3 ：速度
2024-11-29 15:08:2819722 ，DDR5內(nèi)存已成為市場(chǎng)主流，并逐步取代DDR4內(nèi)存。值得注意的是，消費(fèi)級(jí)平臺(tái)已不再支持DDR4，這使得DDR4內(nèi)存開始加速向DDR3目前所占據(jù)的利基市場(chǎng)轉(zhuǎn)移。 若三大內(nèi)存原廠真的決定停產(chǎn)DDR3和DDR4，這無疑將對(duì)內(nèi)存市場(chǎng)產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。一方面，這將促使現(xiàn)有DDR3和DDR4內(nèi)存庫存
2025-02-19 11:11:513468 的講解數(shù)據(jù)線等長設(shè)計(jì)。? ? ? 在另一個(gè)文件《AD設(shè)計(jì)DDR3時(shí)等長設(shè)計(jì)技巧-地址線T型等長》中著重講解使用AD設(shè)計(jì)DDR地址線走線T型走線等長處理的方法和技巧。
2025-07-28 16:33:124 近期，國際高端進(jìn)口芯片價(jià)格再度上漲5%-10%，引發(fā)半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的廣泛關(guān)注。自年初以來，人工智能與先進(jìn)封裝等領(lǐng)域所需的高端芯片價(jià)格漲幅已達(dá)10%-20%。行業(yè)普遍認(rèn)為，這一趨勢(shì)主要受美國關(guān)稅壁壘推
2025-10-15 17:23:40621 
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2025-11-05 17:04:014 
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