惠普在倫敦發(fā)布會(huì)上正式揭曉了名為“The Machine”的新型計(jì)算機(jī)原型機(jī)，并宣布在制造新型計(jì)算機(jī)的征途上邁出了里程碑式的一步。
2016-12-06 17:03:04
2679 為了實(shí)現(xiàn) 對(duì)非易失內(nèi)存的管理與利用、對(duì)文件數(shù)據(jù)緩存的管理與訪問，本文設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了面向非易失內(nèi)存的MPI-IO接口優(yōu)化（NVMPI-IO）。本文的工作主要包括：
2022-10-09 10:53:102366 NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:322839 
并非所有非易失性或閃存 FPGA 器件都是一樣的。本文探討了真正的非易失性FPGA的優(yōu)勢 - 包括顯著降低功耗、更快的響應(yīng)時(shí)間、無與倫比的可靠性和不折不扣的安全性 - 是無法復(fù)制的。
2022-11-14 15:34:192378 
計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、電信、汽車、工業(yè)系統(tǒng)以及無數(shù)電子設(shè)備和系統(tǒng)都依賴于各種形式的固態(tài)存儲(chǔ)器進(jìn)行操作。設(shè)計(jì)人員需要了解易失性和非易失性存儲(chǔ)器件的各種選項(xiàng)，以優(yōu)化系統(tǒng)性能。
2023-09-14 16:06:263492 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和OUM(Ovshinsky電統(tǒng)一隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)，三者科技內(nèi)涵各有所長,市場預(yù)測尚難預(yù)料。本篇文章Everspin MRAM代理商宇芯電子要介紹的是關(guān)于非易失性MRAM的單元結(jié)構(gòu)
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-16 07:21:39
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
宇芯電子本篇文章提供智能電表或智能電子式電表的概述，并且說明在智能電子式電表的設(shè)計(jì)中用非易失性串行FRAM而不是使用EEPROM的優(yōu)勢。圖1顯示的是智能電子式電表的簡化框圖。非易失性存儲(chǔ)器是一個(gè)電表
2021-07-12 07:26:45
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內(nèi)核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應(yīng)用程序中，我們需要將安全數(shù)據(jù)（例如密鑰）存儲(chǔ)在安全非易失性存儲(chǔ) (SNVS) 區(qū)域
2023-04-14 07:38:45
數(shù)字電位器存儲(chǔ)類型標(biāo)注具有“易失性”，他的意思是不是說，假設(shè)當(dāng)前已經(jīng)調(diào)節(jié)好電位器處于3.5kΩ這個(gè)位置，那么斷電再上電后，電位器就回到初始狀態(tài)位置，不再是3.5kΩ這個(gè)位置了?！?b class="flag-6" style="color: red">非易失性”就是斷電再上電后還是3.5KΩ這個(gè)位置。是這個(gè)意思嗎
2024-11-21 07:15:57
太厲害了，終于有人能把IGBT講得明明白白資料分享來自網(wǎng)絡(luò)資源
2020-09-22 22:14:36
親愛;我有Spartan?-3AN非易失性FPGA入門套件，我編寫了VHDL程序，用于地址分配到與FPGA芯片接口的兩個(gè)外部ROM。程序有（16位輸入端口）和（16位輸出端口），問題是：如何使用該套件在FPGA芯片上下載程序？如何確定哪個(gè)輸入引腳和哪個(gè)是輸出引腳？最好的祝福
2019-08-22 10:31:44
保護(hù)您的嵌入式軟件免受內(nèi)存損壞本文的目的是提供一種軟件方法，解釋如何處理存儲(chǔ)在非易失性設(shè)備（如小型 EEPROM 或閃存）中的內(nèi)存數(shù)據(jù)集損壞。在微型嵌入式系統(tǒng)中看到這些數(shù)據(jù)集是很常見的，這些系統(tǒng)存儲(chǔ)
2021-12-24 07:27:45
我應(yīng)該用什么API來存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)？我使用CYW43907，手冊(cè)上說它支持外部閃存。我想知道我是否應(yīng)該使用WiDeDssFlash寫來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，或者我是否可以使用WiDeEddCTyWrand保存
2018-11-13 15:19:09
到的 Perl 腳本獲得的 CMAC 相比）。簡而言之，我無法使用 CSEC_KEY_7、CSEC_KEY_10 等非易失性密鑰成功調(diào)用 generateMAC 函數(shù)。我想使用 CSE_KEY_7 而不是
2023-04-10 06:34:32
`這個(gè)厲害了 【快充方案】QC2.0 12W 快充（CR5244+CR6621B）測試報(bào)告輸入、輸出規(guī)格：AC90V~264V Input；5V2.4A/9V1.3A/12V1A Output
2017-08-21 11:50:17
Xicro公司生產(chǎn)的X25Fxx 系列非易失性快速擦寫串行 RAM 具有功耗低, 擦寫速度快的特點(diǎn) ,它采用 SPI 三總線接口,可與各種單片機(jī)連接,且具有很完善的數(shù)據(jù)保護(hù)功能。本文從應(yīng)用角度出發(fā)
2009-04-25 16:01:35
18 英特矽爾Intersil推出小型非易失性按鈕式數(shù)控電位器ISL22511/12
Intersil公司近日宣布推出全球最小的非易失性按鈕式數(shù)控電位器（DCP）ISL22511和ISL22512。Intersil
2008-08-05 09:23:551350 摘要：本文討論如何使用安全數(shù)字(SD)媒體格式擴(kuò)展MAXQ2000的非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。 低功耗、低噪聲的MAXQ2000微控制器適合于多種應(yīng)用。MAXQ2000在閃存中存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，
2009-04-23 16:25:251387 
充分利用MAXQ®處理器的非易失存儲(chǔ)服務(wù)
摘要：需要非易失數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用通常都需要使用外部串行EEPROM。這篇文章介紹了僅使用MAXQ微控制器中已有的閃存提供非易失
2009-05-02 09:28:541079 
MAX16067 6通道、閃存可配置系統(tǒng)管理器，提供非易失故障寄存器
概述
The MAX16067 flash-configurable system manager monitors and sequences multiple system volt
2009-11-26 09:36:041089 
MAX16068 6通道、閃存可配置系統(tǒng)管理器，提供非易失故障寄存器
概述
The MAX16068 flash-configurable system manager monitors and manage
2009-11-26 09:39:151016 
相變內(nèi)存（Phase Change Memory，PCM）是一項(xiàng)以Intel、Numonys和三星等廠商為先驅(qū)的新型非易失性技術(shù)，可以成為取代閃存的一種低成本、更可靠、更快速和更好的技術(shù)。
一些
2010-07-17 11:10:14803 概述
可編程邏輯器件已經(jīng)越來越多地用于汽車電子應(yīng)用，以替代ASIC和ASSP器件。Actel FPGA基于非易失性技術(shù)(快閃和反熔絲)，不易發(fā)生由中子引發(fā)的固件錯(cuò)誤，
2010-08-26 10:52:38669 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬
2010-09-28 08:58:301444 
DS1220Y 16k非易失SRAM為16,384位、全靜態(tài)非易失RAM，按照8位、2048字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路
2010-10-20 09:04:421402 DS1350 4096k非易失(NV) SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)NV SRAM，
2010-10-21 09:01:271211 DS1350W 3.3V、4096k非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-21 09:03:591214 DS1647為512k x 8非易失性靜態(tài)RAM，包括一個(gè)完備的實(shí)時(shí)時(shí)鐘，兩者均以字節(jié)寬度格式訪問。非易失性時(shí)間保持RAM功能等
2010-10-22 08:52:091601 
DS1646是一個(gè)128K的× 8非易失性與全功能實(shí)時(shí)時(shí)鐘，都在一個(gè)字節(jié)寬的格式訪問靜態(tài)RAM。非易失性RAM是計(jì)時(shí)功能等同于
2010-10-22 08:55:091169 
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，
2010-10-22 08:58:381165 
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電
2010-10-22 09:00:581904 
DS1225Y 64K非易失SRAM為65,536位、全靜態(tài)非易失RAM，按照
2010-11-03 09:26:232299 DS1265W 8Mb非易失(NV) SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)NV SRAM，按
2010-11-07 09:37:51992 
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態(tài)非易失(NV) SRAM，按照
2010-11-10 09:36:271689 
這款新Qorivva微控制器(MCU)系列基于Power Architecture ·技術(shù)，采用獨(dú)特的55納米(nm)非易失性內(nèi)存(NVM)構(gòu)建而成，旨在
2010-11-11 18:05:131307 DS1245W 3.3V 1024k非易失SRAM為1,048,576位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個(gè)NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路
2010-11-24 09:47:281161 
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM為262,144位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個(gè)NV SRAM自帶鋰電池及控制電路，控
2010-11-24 09:53:312113 
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個(gè)完整的NV SRAM均自帶鋰電池及
2010-12-07 10:18:011741 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲(chǔ)密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲(chǔ)密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計(jì)者提供了充
2011-01-26 16:45:37876 DS3911是一款四，10位Δ-Σ輸出，非易失(NV)控制器，具有片上溫度傳感器和相關(guān)的模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)
2011-06-30 10:05:021915 
DS1243Y 64K非易失SRAM，帶有隱含時(shí)鐘是一個(gè)內(nèi)置的實(shí)時(shí)時(shí)鐘(8192字由8位)是由完全靜態(tài)非易失性內(nèi)存 。
2012-01-04 10:53:261584 
自旋晶體管不僅可使晶體管實(shí)現(xiàn)非易失化，還可以削減開關(guān)能量。估計(jì)2020年以后會(huì)實(shí)用化。
2012-01-05 09:59:201900 
DS1314非易失控制器，帶有電池監(jiān)視器是一個(gè)CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:21:121865 
DS1312電池監(jiān)視器非易失控制器是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:26:371109 
DS1210非易失控制器芯片是CMOS電路，解決了轉(zhuǎn)換成非易失性內(nèi)存的CMOS RAM中的應(yīng)用問題。
2012-07-19 14:30:074121 
下一代內(nèi)存的讀取速度會(huì)比現(xiàn)在快多少?來自美國斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。
2016-08-18 10:39:061305 使用賽道存儲(chǔ)單元的近閾值非易失SRAM_孫憶南
2017-01-07 21:45:571 近日，英特爾宣稱即將推出的Optane非易失性內(nèi)存將在今年第二季度以16GB和32GB M.2擴(kuò)展卡形式發(fā)售。
2017-01-09 17:14:421451 魅族Flyme系統(tǒng)一直以簡潔大方為主題而設(shè)計(jì)，隨著版本的迭代已經(jīng)到了Flyme6，在Flyme6上一改以往風(fēng)格，大膽采用了多彩的設(shè)計(jì)，得到了許多網(wǎng)友的喜愛。
2017-01-17 16:01:053238 非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的相變機(jī)制
2017-01-19 21:22:5414 大型廠商的產(chǎn)品導(dǎo)入、存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）的新興應(yīng)用以及五大邏輯代工廠的涉足將推動(dòng)非易失性存儲(chǔ)市場的增長。 新興非易失性存儲(chǔ)（NON-VOLATILE MEMORY, NVM）有利的市場環(huán)境 相變存儲(chǔ)
2018-07-04 11:55:007915 
為適應(yīng)底層存儲(chǔ)架構(gòu)的變化，上層數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)已經(jīng)經(jīng)歷了多輪的演化與變革．在大數(shù)據(jù)環(huán)境下，以非易失、大容量、低延遲、按字節(jié)尋址等為特征的新型非易失存儲(chǔ)器件（NVM）的出現(xiàn)，勢必對(duì)數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)帶來重大
2018-01-02 19:04:400 /O操作的方式將數(shù)據(jù)庫的更新操作同步回外存，有極大的性能開銷．此外，這類數(shù)據(jù)庫即便直接部署在新型非易失性內(nèi)存（non-volatile memory，簡稱NVM）中，也因?yàn)槿狈?b class="flag-6" style="color: red">內(nèi)存中的持久化機(jī)制而不能脫離外存，針對(duì)現(xiàn)有內(nèi)存數(shù)據(jù)庫的不足，提出
2018-01-04 13:42:221 近日，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了具有顛覆性的二維半導(dǎo)體準(zhǔn)非易失存儲(chǔ)原型器件，開創(chuàng)了第三類存儲(chǔ)技術(shù)，寫入速度比目前U盤快一萬倍，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)時(shí)間也可自行決定。這解決了國際半導(dǎo)體電荷存儲(chǔ)技術(shù)中“寫入速度”與“非易失性”難以兼得的難題。
2018-04-13 10:05:095898 
一年有365天，一天有24個(gè)小時(shí)。那么問題來了，530萬個(gè)小時(shí)是多久？厲害了我的Mouser，網(wǎng)站瀏覽時(shí)長600年！這些數(shù)字你都知道嗎？
2018-06-05 13:45:005608 首先想要給燒友們介紹下什么是非易失性內(nèi)存？是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM
2018-06-25 14:11:274108 Intel、美光聯(lián)合研發(fā)的3DX Point非易失性存儲(chǔ)技術(shù)正在逐步普及，雙方都發(fā)布了一些SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品（Intel的叫傲騰），現(xiàn)在兩家紛紛將其帶到了內(nèi)存領(lǐng)域。
2018-11-01 16:02:531477 的長達(dá)8個(gè)月的紀(jì)錄，這是該榜單首次出現(xiàn)中國科技公司。斯坦福大學(xué)DAWNBench是人工智能領(lǐng)域最權(quán)威的競賽之一，它要求參賽機(jī)構(gòu)的計(jì)算平臺(tái)對(duì)50000張圖片進(jìn)行精準(zhǔn)識(shí)別并分類。測試結(jié)果顯示，阿里云識(shí)別圖片的速度比亞馬遜快2.36倍，比谷歌快5.28倍。 阿里云人工智能推理
2018-12-27 12:51:01375 事實(shí)上，除了這些傳統(tǒng)要求，在前兩代非易失FPGA產(chǎn)品的經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上，萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor）公司還認(rèn)識(shí)到需要靈活的片上非易失存儲(chǔ)器，以及作為非易失FPGA新要求的用于現(xiàn)場邏輯更新的全面解決方案。
2019-06-16 09:48:472069 在DARPA 2019 年電子復(fù)興計(jì)劃峰會(huì)上，英特爾發(fā)布了“ Pohoiki Beach ”神經(jīng)擬態(tài)系統(tǒng)，該系統(tǒng)主要由64 顆 Loihi 神經(jīng)擬態(tài)芯片構(gòu)成，集成了 1320 億個(gè)晶體管，總面積 3840 平方毫米，可處理深度學(xué)習(xí)任務(wù)，速度比CPU快1000倍，效率高10000倍，耗電量小100倍。
2019-07-21 10:16:544892 非易失性FPGA以其低功耗、高性價(jià)比的特點(diǎn)在低成本FPGA市場中展露潛力。據(jù)Altera公司產(chǎn)品營銷資深總監(jiān)Patrick Dorsey介紹，全球FPGA一年的市場規(guī)模為50億美元，其中
2020-01-16 10:12:004030 易失性VS非易失性。內(nèi)存，例如隨機(jī)存取內(nèi)存(RAM)，是具有易失性的。這意味著當(dāng)系統(tǒng)斷電時(shí)，數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。與之相反，外部存儲(chǔ)是非易失性的，因此即使沒有電源，它也能保存數(shù)據(jù)。
2020-01-16 17:30:003770 ROHM確立了非易失性邏輯IC技術(shù)的可靠性，已經(jīng)開始進(jìn)行批量生產(chǎn)階段。此次采用了非易失性邏輯CMOS同步式的技術(shù)開發(fā)了4 Pin非易失性邏輯計(jì)算IC“BU70013TL”。這個(gè)產(chǎn)品于2009年6月
2020-08-30 08:28:00917 。本文存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子先帶大家認(rèn)識(shí)一下非易失性NV-SRAM。 NV-SRAM簡介 在現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，存在大量內(nèi)存。其中大多數(shù)是名稱不合時(shí)宜的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）。這個(gè)名稱意義不大，因?yàn)楫?dāng)今所有內(nèi)存都是隨機(jī)訪問的。當(dāng)工程
2020-09-11 16:09:322230 數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)的內(nèi)存占用叫做計(jì)算內(nèi)存，例如用C寫個(gè)程序，分配一塊1MB的內(nèi)存，這部分內(nèi)存不管其中數(shù)據(jù)是否有意義，硬盤上沒有文件對(duì)應(yīng)，叫做計(jì)算內(nèi)存。 以上所謂硬盤上有無對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)的前提是：計(jì)算內(nèi)存、非計(jì)算內(nèi)存是操作系統(tǒng)的分類，所以操作系統(tǒng)知
2020-11-04 11:38:512716 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《非易失性NVSRAM存儲(chǔ)器的詳細(xì)講解.pdf》資料免費(fèi)下載
2020-11-25 11:12:0026 機(jī)工程技術(shù)研究中心合作，成功研制出量子計(jì)算原型機(jī)九章，其處理特定問題的速度比目前最快的超級(jí)計(jì)算機(jī)快一百萬億倍。 這一成果使我國成功實(shí)現(xiàn)了量子計(jì)算研究的第一個(gè)里程碑量子計(jì)算優(yōu)越性，相關(guān)論文今天（4日）會(huì)在國際學(xué)
2020-12-04 16:31:292902 存儲(chǔ)器概況 存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。 非易失性存儲(chǔ)器 非易失存儲(chǔ)器是指在系統(tǒng)停止供電的時(shí)候仍然
2020-12-07 14:26:136411 
內(nèi)存耐久度指定為存儲(chǔ)單元可以寫入或擦除的次數(shù)。對(duì)于盡管嚴(yán)格和廣泛使用仍需要高數(shù)據(jù)完整性的應(yīng)用程序，內(nèi)存耐用性是關(guān)鍵的系統(tǒng)性能特征和設(shè)計(jì)考慮因素之一。鐵電RAM或FRAM是一種快速，非易失性和低功耗
2020-12-22 15:20:05794 
我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。 Intel創(chuàng)造了Optane傲騰持久內(nèi)存，做到了非易失性，也兼容DDR DIMM，但僅用于數(shù)據(jù)中心
2021-02-19 10:04:022325 我們知道，傳統(tǒng)的DDR DIMM內(nèi)存是易失性的，也就是必須維持通電才能保持?jǐn)?shù)據(jù)，一旦斷電就都沒了。
2021-02-19 10:18:332198 
ADM1166：帶余量控制和非易失性故障記錄的超級(jí)序列器
2021-04-24 12:29:412 現(xiàn)有非易失性內(nèi)存文件系統(tǒng)都以DRAM模擬非易失性內(nèi)存（Non- Volatile memory，NVM）進(jìn)行測試，而沒有充分考慮兩者間的寫時(shí)延和寫磨損特性差異，使得測試結(jié)果無法準(zhǔn)確反映文件系統(tǒng)在
2021-05-07 11:05:2013 文章介紹一些應(yīng)用在血液透析機(jī)上的非易失性MRAM. 血液透析機(jī)使用Everspin 4Mb和16Mb MRAM產(chǎn)品是因?yàn)镸RAM固有的非易失性、不需要電池或電容器、無限的非易失性寫入耐久性和非易失性寫入周期和讀取周期的高速。這些獨(dú)特的MRAM屬性提高了
2021-11-11 16:26:49793 VDRF128M16XS54XX2V90是一種128Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為8M x 16位。
2022-06-08 11:02:482 VDRF64M16XS54XX1V90是64Mbit高密度同時(shí)讀/寫非易失性閃存內(nèi)存模塊組織為4M×16位。
2022-06-08 10:57:401 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FM18W08非易失性SRAM FRAM適配器.zip》資料免費(fèi)下載
2022-07-12 10:20:410 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:582187 作為使用PAL、GAL或CPLD器件實(shí)現(xiàn)非易失性門控功能的替代方案，這些電路使用串行接口控制的數(shù)字電位器（MAX5427或MAX5527）存儲(chǔ)門控信號(hào)（模塊或發(fā)送）。
2023-01-12 11:30:521731 
英尚微提供的Netsol的Parallel MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。對(duì)于需要快速存儲(chǔ)和搜索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序來說，這是最理想的內(nèi)存。適用于工業(yè)設(shè)備中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份和工作存儲(chǔ)器。可替代NOR?Flash、FeRAM、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。
2023-02-23 14:52:55585 因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲(chǔ)芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢包括:與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無需電容器；寫入速度快；近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。
2023-03-22 14:41:071090 系統(tǒng)的優(yōu)勢是顯而易見的，值得電源廠家關(guān)注。 一、電源自動(dòng)測試系統(tǒng)相比傳統(tǒng)測試，不僅測試速度快、效率高，所測試的數(shù)據(jù)相較傳統(tǒng)測試更加準(zhǔn)確。 電源產(chǎn)品所要測試的項(xiàng)目很多，在過去傳統(tǒng)測試手段下，測試的速度、效率都非常低，
2023-03-24 17:06:101388 
其數(shù)據(jù)始終是非易失性的，可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM，并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性，它適用于工業(yè)設(shè)計(jì)中的代碼存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲(chǔ)器和工作存儲(chǔ)器。
2023-05-12 16:31:39882 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用XOD訪問ESP32非易失性存儲(chǔ).zip》資料免費(fèi)下載
2023-06-15 14:35:410
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