第三代半導體外延代工服務商南京百識電子科技有限公司（以下簡稱“百識電子”）日前宣布超募完成Pre-A輪融資，融資總額過億元人民幣。本輪融資仍由和利資本領(lǐng)投，臺達電等知名投資方跟投。融資主要將用于建廠及生產(chǎn)設(shè)備購入。

由于第三代半導體材料特性帶來的終端系統(tǒng)性能和成本優(yōu)勢,終端市場借由行動裝置電源適配器、5G基站PA、無人機微波應用、動車OBC及充電樁轉(zhuǎn)換以氮化鎵與碳化硅為基礎(chǔ)的器件開發(fā)與市場應用需求已非常明顯。繼特斯拉--美國電動汽車公司的領(lǐng)導者,開始在Model 3上使用碳化硅MOS作為其OBC解決方案,全球汽車市場也開始導入碳化硅電源器件產(chǎn)品驗證以取代傳統(tǒng)硅基IGBT。

百識電子成立于2019年8月，專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，包含GaN on Silicon、GaN on SiC以及SiC on SiC，針對高壓、高功率以及射頻微波等應用市場提供專業(yè)、高質(zhì)量的碳化硅及氮化鎵外延代工服務。核心團隊來自一家在寬禁帶(碳化硅、氮化鎵)材料/器件開發(fā)方面擁有10多年經(jīng)驗的主要供貨商，具備外延片物理規(guī)格與器件特性連結(jié)經(jīng)驗, 熟悉市場及客戶產(chǎn)品需求，產(chǎn)業(yè)上游供應鏈及下游客戶渠道暢通。憑借著團隊雄厚量產(chǎn)經(jīng)驗, 百識電子以高質(zhì)量制造能力，提供四吋、六吋碳化硅，以及六吋、八吋硅基氮化鎵專業(yè)外延代工服務, 以滿足新世代功率器件開發(fā)市場需求, 例如電動汽車OBC的SiC MOSFET 650V、逆變器的SiC MOSFET 1,200V等。除了標準規(guī)格外延，百識電子針對特殊應用市場需求，也提供客制化規(guī)格外延服務,強化外延片產(chǎn)品與客戶競爭力。

自2019年12月份獲得和利資本領(lǐng)投的天使輪5000萬融資之后，公司加快各項建設(shè)。無塵室工程已于2020年8月15日動工，預計今年年底工廠開始運轉(zhuǎn)。目標2021年第一季度完成6英寸SiC外延片開發(fā)送樣，并于2021年上半年完成GaN外延開發(fā)。

“百識非常感謝大家的支持。雖然目前建廠進度因疫情關(guān)系有些許推遲，但我們將努力依循原計劃向前推進?！卑僮R董事長李屏表示。

和利資本創(chuàng)始管理合伙人孔令國表示：“得益于材料特性, 第三代半導體是必然的趨勢, 外延片更是其中最關(guān)鍵的核心, 在這個重資產(chǎn)投入但潛力十足領(lǐng)域, 百識是具備規(guī)模化量產(chǎn)經(jīng)驗的核心團隊, 并整合產(chǎn)業(yè)資源賦能企業(yè)。百識團隊從天使輪至今, 腳踏實地往前推進, 穩(wěn)健又扎實, 我們對百識充滿信心。和利更將進一步在生態(tài)上布局, 加速第三代半導體落地。”

原文標題：第三代半導體外延代工服務商百識電子完成過億元Pre-A輪融資

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