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面向AI/數(shù)據(jù)中心與EV驅(qū)動的芯片嵌入式面板級封裝技術(shù)路線的深度解析2026-02-06 10:42
以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-面向AI與汽車的芯片嵌入式面板級功率封裝技術(shù)路線深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選,非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng),素材來源:AOI,APEC,ECT,IMAPS-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:這個系列我會把AI/數(shù)據(jù)中心和車端牽引逆變器/DC-DC放一起來聊聊,原 -
熱設(shè)計培訓(xùn)教材(部分)2026-02-05 09:41
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功率芯片PCB嵌入式封裝技術(shù) · 從晶圓到系統(tǒng)級應(yīng)用的全路徑解析2026-02-04 07:21
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未來高頻市場低介電材料介紹 | TPI熱塑性聚酰亞胺2026-02-01 12:19
高頻市場低介電材料以低Dk、低Df、頻率穩(wěn)定性為核心,主流包括PTFE、LCP、PPO/PPE、碳?xì)錁渲?、BCB、改性PI與特種玻璃等,適配5G/6G、毫米波雷達(dá)、高速服務(wù)器、先進(jìn)封裝等場景。核心材料速覽(@10GHz,典型值)聚四氟乙烯(PTFE/特氟龍):Dk≈2.1-2.2,Df≈0.0002-0.001,耐高溫260℃,化學(xué)穩(wěn)定;可陶瓷/玻纖填充改性材料 300瀏覽量 -
IGBT死區(qū)時間設(shè)定指南:死區(qū)計算方法、對逆變器的影響、死區(qū)優(yōu)化策略 v2.02026-01-31 08:15
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于IGBT死區(qū)時間的定義和應(yīng)用解讀-文字原創(chuàng),素材來源:Infineon等廠商-在保證原文內(nèi)容邏輯的基礎(chǔ)上,對結(jié)構(gòu)進(jìn)行了調(diào)整、進(jìn)行了補(bǔ)充說明,便于理解與應(yīng)用-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:電機(jī)控制器標(biāo)定中,功率開關(guān)死區(qū)時間的設(shè)定至關(guān)重要。死區(qū)存在的第一任務(wù):防止因信號產(chǎn)生干擾, -
中國算力芯片的拐點時刻2026-01-31 07:00
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突破密度極限!40通道磁吸可拆卸光連接器助力CPO技術(shù)革新2026-01-29 08:01
1、背景需求:CPO技術(shù)的關(guān)鍵瓶頸隨著數(shù)據(jù)中心向400G/800G高速互聯(lián)演進(jìn),共封裝光學(xué)(CPO)因能顯著降低功耗和延遲成為關(guān)鍵技術(shù)。然而,傳統(tǒng)光連接器存在兩大痛點:密度限制:12通道連接器僅實現(xiàn)1.2通道/mm的“邊緣通道密度”工藝兼容性:需承受260℃回流焊溫度且支持光纖可拆卸2、技術(shù)突破:40通道磁吸式非接觸連接器古河電工團(tuán)隊指出“為避免光纖處理的復(fù) -
特斯拉Cybertruck PCS 2.0平臺單級拓?fù)銸BC DCDC一體化方案全景解析2026-01-29 07:39
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2025PCIM前瞻技術(shù)觀察:5大嵌埋技術(shù)流派縱覽2026-01-25 10:20
以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-《PCIM2025觀察:芯片內(nèi)嵌式PCB功率封裝技術(shù)》系列-文字原創(chuàng),素材來源:PCIM現(xiàn)場記錄、網(wǎng)絡(luò)-本篇為節(jié)選,完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布,歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語:25年9月,有幸參加了上海浦東舉辦的PCIMAsiaShanghai國際研討會,作為全球電力電子領(lǐng)域最具影響力的產(chǎn)業(yè)研討盛會之一,本屆大會以"創(chuàng)新 -
CPO模塊電光同步貼裝新方案——京瓷高精度無源對準(zhǔn)技術(shù)解析2026-01-24 07:47