向欣電子文章

• AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是：CoWoS封裝散熱2025-12-24 09:21

  

  摘要：由于半導(dǎo)體行業(yè)體系龐大，理論知識(shí)繁雜，我們將通過(guò)多個(gè)期次和專題進(jìn)行全面整理講解。本專題主要從AI芯片發(fā)展關(guān)鍵痛點(diǎn)就是：CoWoS封裝散熱進(jìn)行講解，讓大家更準(zhǔn)確和全面的認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體地整個(gè)行業(yè)體系。我們分為半導(dǎo)體知識(shí)、半導(dǎo)體“芯”聞幾個(gè)模塊，歡迎各位大佬交流學(xué)習(xí)。英偉達(dá)算力芯片功率持續(xù)上升，對(duì)散熱提出更高要求根據(jù)Nvidia、KAIST、tomshardwa

  AI芯片 CoWoS 封裝散熱 728瀏覽量

• SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析：失效的本質(zhì)、缺陷控制手段、失效率測(cè)試兩種方法2025-12-19 08:00

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)EE」知識(shí)星球-關(guān)于SiC功率半導(dǎo)體可靠性全面解析-「SysPro電力電子」知識(shí)星球節(jié)選-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：英飛凌，網(wǎng)絡(luò)-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會(huì)在知識(shí)星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語(yǔ)：隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導(dǎo)體材料，因其更高的效率和更好的熱性能，正逐漸成為功率器件領(lǐng)域的明星。然而，與

  SiC 功率半導(dǎo)體 測(cè)試 416瀏覽量

• 800V快充電機(jī)絕緣散熱材料新方案 | 二維氮化硼PI散熱膜2025-12-11 07:20

  

  摘要隨著電動(dòng)汽車向800V高壓平臺(tái)的快速發(fā)展，電機(jī)功率密度顯著提升至60千瓦/升，比傳統(tǒng)400V系統(tǒng)高出35%。然而，這一技術(shù)進(jìn)步給電機(jī)絕緣膜帶來(lái)了前所未有的散熱挑戰(zhàn)。本文系統(tǒng)分析了800V快充電動(dòng)汽車電機(jī)絕緣膜面臨的多重散熱難題，包括絕緣材料的導(dǎo)熱與絕緣性能天然矛盾、扁線Hairpin工藝的熱傳導(dǎo)瓶頸、冷卻系統(tǒng)適配性不足、絕緣厚度與槽滿率的權(quán)衡制約以及熱循

  散熱材料 氮化硼 845瀏覽量

• SiC 碳化硅半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)熱絕緣材料特性研究 | 二維氮化硼熱管理材料材料2025-12-08 07:20

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率高達(dá)4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優(yōu)異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  SiC 功率器件 材料 碳化硅 634瀏覽量

• 從 PMSM 到軸向磁通：PMSM、感應(yīng)電機(jī)、SRM、BLDC、軸向磁通怎么選？2025-12-06 12:21

  

  -關(guān)于5類驅(qū)動(dòng)電機(jī)設(shè)計(jì)選型白皮書(shū)-文字原創(chuàng)，素材來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選，完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布-1600+最新電動(dòng)汽車前瞻技術(shù)報(bào)告與解析已上傳知識(shí)星球，歡迎學(xué)習(xí)交流導(dǎo)語(yǔ)：為何部分新能源汽車能實(shí)現(xiàn)“彈射起步”與超長(zhǎng)續(xù)航，而部分車型卻動(dòng)力孱弱、續(xù)航焦慮？答案隱藏在驅(qū)動(dòng)電機(jī)的技術(shù)基因中。作為新能源汽車的“動(dòng)力心臟”，驅(qū)動(dòng)電機(jī)的類型、設(shè)計(jì)與材料選擇直

  BLDC PMSM SRM 感應(yīng)電機(jī) 4071瀏覽量

• 比亞迪30000轉(zhuǎn)電機(jī)12個(gè)核心秘密2025-12-02 09:01

  

  關(guān)于最新比亞迪超級(jí)e平臺(tái)的技術(shù)方案深度揭秘

  比亞迪 505瀏覽量

• 電機(jī)定子與線圈絕緣散熱的核心選擇 | 氮化硼PI散熱膜2025-12-01 07:22

  

  在電機(jī)運(yùn)行過(guò)程中，定子作為核心部件，其與線圈的絕緣性能和散熱效率直接決定了電機(jī)的可靠性、使用壽命與運(yùn)行效率。氮化硼PI散熱膜憑借氮化硼（BN）優(yōu)異的導(dǎo)熱性能與聚酰亞胺（PI）卓越的絕緣特性，成為電機(jī)定子與線圈插入環(huán)節(jié)的關(guān)鍵絕緣散熱材料，有效破解了電機(jī)內(nèi)部“絕緣”與“散熱”的雙重難題。氮化硼PI散熱膜的核心特性：絕緣與散熱的雙重賦能氮化硼PI散熱膜是將納米級(jí)氮

  散熱 電機(jī)定子 線圈 643瀏覽量

• 800V 快充電動(dòng)汽車電機(jī)用絕緣膜材料要求 | 二維氮化硼熱管理材料2025-11-26 06:32

  

  1.800V快充電動(dòng)汽車電機(jī)絕緣膜材技術(shù)要求1.1電氣性能要求800V快充電動(dòng)汽車電機(jī)絕緣膜材的電氣性能要求遠(yuǎn)超傳統(tǒng)400V系統(tǒng)，主要體現(xiàn)在耐壓強(qiáng)度、局部放電起始電壓（PDIV）、介電性能等關(guān)鍵指標(biāo)的大幅提升。耐壓強(qiáng)度要求方面，800V平臺(tái)要求骨架主絕緣耐壓從傳統(tǒng)400V系統(tǒng)的≥3kVAC提升至≥6kVAC（IEC60664-1標(biāo)準(zhǔn)），部分關(guān)鍵區(qū)域（如電池包

  材料 電動(dòng)汽車 電機(jī) 1357瀏覽量

• IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣材料2025-11-21 12:21

  

  文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開(kāi)增長(zhǎng)空間天花板·新能源汽車市場(chǎng)成為IGBT增長(zhǎng)最充足動(dòng)力·新能源發(fā)電前景廣闊驅(qū)動(dòng)IGBT增長(zhǎng)·工業(yè)控制平穩(wěn)發(fā)展支撐IGBT行業(yè)需求國(guó)產(chǎn)IGBT崛起有望重塑海外寡頭壟斷格局·行業(yè)壁壘成為IGBT集中度高的內(nèi)在因素·海外龍頭主導(dǎo)

  IGBT 氮化硼 絕緣材料 2682瀏覽量

• 第三代半導(dǎo)體碳化硅 IGBT/MOSFET導(dǎo)熱散熱絕緣材料 | 二維氮化硼導(dǎo)熱絕緣墊片2025-11-19 07:30

  

  引言1.1研究背景與意義碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)硅基材料具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。SiC材料的禁帶寬度為3.26eV，是硅的近3倍；擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)3MV/cm，是硅的10倍；熱導(dǎo)率高達(dá)4.9W/cm?K，是硅的3.3倍。這些優(yōu)異特性使得SiCIGBT能夠在更高的溫度、電壓和頻率下工作，功率密度可提升3倍以上。然而，SiCIGBT的高性能也帶

  IGBT MOSFET 半導(dǎo)體 碳化硅 1780瀏覽量