深圳市浮思特科技有限公司文章

• 工信部《2024年汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》：強(qiáng)化汽車(chē)芯片標(biāo)準(zhǔn)供給2024-06-24 11:25

  

  近日，工信部在其官方網(wǎng)站上公布了《2024年汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)化工作要點(diǎn)》，該文件明確指出將加強(qiáng)汽車(chē)芯片領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)化工作，以確保國(guó)內(nèi)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)在新一輪的轉(zhuǎn)型升級(jí)中穩(wěn)健發(fā)展。根據(jù)文件內(nèi)容，工信部將加快汽車(chē)芯片環(huán)境及可靠性、電動(dòng)汽車(chē)芯片環(huán)境及可靠性、汽車(chē)芯片信息安全等關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)的研制工作，旨在為汽車(chē)芯片產(chǎn)業(yè)提供堅(jiān)實(shí)的技術(shù)支撐。此外，還將推動(dòng)制定智能駕駛計(jì)算芯片、汽車(chē)ETC芯片

  汽車(chē)芯片 電動(dòng)汽車(chē) 驅(qū)動(dòng) 2116瀏覽量

• TRINNO特瑞諾1200V太陽(yáng)能逆變器專(zhuān)用IGBT助力光伏發(fā)電2024-06-24 11:24

  

  在當(dāng)今快速發(fā)展的可再生能源領(lǐng)域，太陽(yáng)能作為一種清潔、無(wú)限的能源，正受到越來(lái)越多人的關(guān)注和利用。為了最大化太陽(yáng)能的轉(zhuǎn)換效率，選擇一款高性能的逆變器IGBT至關(guān)重要。TRINNO特瑞諾，作為作為追求創(chuàng)新的電力半導(dǎo)體的開(kāi)發(fā)多年的品牌，推出了一款專(zhuān)為太陽(yáng)能逆變器設(shè)計(jì)的IGBT——TGHP75N120FDR，其卓越的性能和穩(wěn)定性，為太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)提供了強(qiáng)有力的支持。T

  IGBT 光伏發(fā)電 太陽(yáng)能逆變器 1248瀏覽量

• 中國(guó)晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)2024年將同比增長(zhǎng)超13%2024-06-21 11:08

  

  隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變革，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正迎來(lái)快速發(fā)展的黃金時(shí)期。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)在2024年1月發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)在2023年已成為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備消費(fèi)國(guó)，投入金額超過(guò)360億美元。這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)將在2024年持續(xù)，中國(guó)晶圓產(chǎn)能有望實(shí)現(xiàn)同比超過(guò)13%的增長(zhǎng)。SEMI的報(bào)告顯示，在政府資金和其他激勵(lì)措施的推動(dòng)下，中國(guó)正

  半導(dǎo)體 晶圓 芯片 1073瀏覽量

• 特瑞諾(TRINNO)采用最新技術(shù)的1350V高頻IGBT器件2024-06-21 11:08

  

  隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，IGBT的設(shè)計(jì)和制造也在持續(xù)優(yōu)化?，F(xiàn)代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性，還減小了尺寸和重量，這對(duì)于空間受限的應(yīng)用尤為重要。此外，通過(guò)集成智能控制和保護(hù)功能，IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統(tǒng)，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。隨著全球?qū)Ω咝茉蠢煤蜏p少碳排放的需求日益增長(zhǎng)，IGBT技術(shù)的發(fā)展將繼續(xù)扮演關(guān)鍵角色，推動(dòng)電力電子技術(shù)向更高效、更環(huán)保的方

  IGBT 封裝 開(kāi)關(guān)器件 1438瀏覽量

• 晶豐明源(BPS)終止可轉(zhuǎn)債發(fā)行，聚焦電源管理芯片領(lǐng)域長(zhǎng)期發(fā)展2024-06-20 11:29

  

  近日，知名電源管理芯片制造商晶豐明源(BPS)發(fā)布公告，宣布終止本次向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券，并撤回相關(guān)申請(qǐng)文件。這一決策引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注與討論。晶豐明源此次擬發(fā)行的可轉(zhuǎn)換公司債券原計(jì)劃募資不超過(guò)7.09億元，這筆資金原本將用于高端電源管理芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。這些項(xiàng)目旨在進(jìn)一步拓展公司的業(yè)務(wù)規(guī)模，鞏固并提升其在電源管理

  BPS 電源管理 管理芯片 1011瀏覽量

• 特瑞諾TRINNO高性能IGBT說(shuō)明介紹2024-06-20 11:24

  

  今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅(jiān)固耐用、性能卓越的IGBT，這款I(lǐng)GBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V，具有快速恢復(fù)反并聯(lián)二極管，漏電流極低，在高結(jié)溫和低結(jié)溫下也表現(xiàn)出出色的傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先進(jìn)的細(xì)溝槽柵極場(chǎng)截止(FS)技術(shù)，可確保整個(gè)器件的電場(chǎng)分布一致。該技術(shù)使IGBT能夠承受更高的擊穿電壓，

  IGBT 二極管 額定電壓 1503瀏覽量

• 半導(dǎo)體行業(yè)供需分化，晶圓代工產(chǎn)能激增引價(jià)格上漲2024-06-19 11:15

  

  在全球宏觀經(jīng)濟(jì)形勢(shì)的波動(dòng)背景下，半導(dǎo)體市場(chǎng)下游需求展現(xiàn)出明顯的分化趨勢(shì)。傳統(tǒng)消費(fèi)終端如顯示、PC、手機(jī)等領(lǐng)域的需求持續(xù)低迷，而新興領(lǐng)域如AI服務(wù)器、物聯(lián)網(wǎng)、新能源車(chē)等則呈現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。這一變化不僅重塑了半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)格局，也推動(dòng)了晶圓代工廠產(chǎn)能利用率的顯著提升。根據(jù)行業(yè)觀察，自今年第二季度開(kāi)始，晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)出現(xiàn)了明顯的回升。不少?gòu)S商已接

  半導(dǎo)體 新能源車(chē) 晶圓 1167瀏覽量

• 用碳化硅(SiC)重新思考軟開(kāi)關(guān)效率2024-06-19 11:13

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術(shù)比硅(Si)具有優(yōu)勢(shì)，這使得它看起來(lái)可以作為電力電子中現(xiàn)有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關(guān)注該技術(shù)與硅的不同之處，以及如何優(yōu)化電路技術(shù)(例如軟開(kāi)關(guān))，超越硅的實(shí)際應(yīng)用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導(dǎo)通電阻。與硅相比，SiC的開(kāi)關(guān)速度

  MOSFET SiC 電阻 碳化硅 1855瀏覽量

• 深圳集成電路進(jìn)口額穩(wěn)健增長(zhǎng)，前五月增幅達(dá)21.1%2024-06-18 11:13

  

  在全球集成電路市場(chǎng)持續(xù)發(fā)展的背景下，深圳作為中國(guó)重要的經(jīng)濟(jì)特區(qū)，其集成電路進(jìn)口額展現(xiàn)出強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭。據(jù)深圳海關(guān)最新數(shù)據(jù)，今年前五月，深圳集成電路進(jìn)口額同比增長(zhǎng)了21.1%，這一顯著增長(zhǎng)不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿(mào)易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的持續(xù)繁榮。從數(shù)據(jù)上看，今年前五個(gè)月，深圳集成電路進(jìn)口額達(dá)到2668.5億元，同比增長(zhǎng)21.1%。

  電子信息 集成電路 839瀏覽量

• 氧化鎵器件，高壓電力電子的未來(lái)之星2024-06-18 11:12

  

  超寬帶隙(UWBG)半導(dǎo)體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優(yōu)越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現(xiàn)出其在高壓電力電子領(lǐng)域的未來(lái)應(yīng)用潛力。本文總結(jié)了氧化鎵材料的一些固有特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進(jìn)展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評(píng)估UWBG材料選擇的關(guān)鍵候選。多個(gè)因素促成了這一點(diǎn)。表1列出了

  SiC 半導(dǎo)體 電力器件 1823瀏覽量