深圳市浮思特科技有限公司文章

• 突破碳化硅(SiC)和超結電力技術的極限2024-06-11 10:49

  

  PowerMasterSemiconductor(PMS)是一家韓國半導體器件公司，團隊在電力半導體行業(yè)擁有超過二十年的經(jīng)驗，他們專注于開發(fā)和生產(chǎn)先進的碳化硅(SiC)二極管和MOSFET，以及超結(SJ)MOSFET，今天來聊聊他們創(chuàng)新的eMOSE7和eSiCMOSFET技術。eMOSE7超結技術提供了快速的開關性能，同時具有低開關噪音和過沖尖峰。這提高了

  MOS 半導體 碳化硅 1128瀏覽量

• 全球半導體產(chǎn)業(yè)加速布局，兩大巨頭投資數(shù)十億美元建設新工廠2024-06-07 11:19

  

  在全球半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)回暖的背景下，兩大半導體巨頭意法半導體(ST)和恩智浦半導體(NXP)近期分別宣布了重大投資計劃，以加速在碳化硅(SiC)和半導體晶圓制造領域的布局。5月31日，意法半導體在其官網(wǎng)上正式宣布，將于意大利卡塔尼亞建設全球首個一站式碳化硅產(chǎn)業(yè)園。該產(chǎn)業(yè)園將作為8英寸碳化硅功率器件和模塊的大規(guī)模制造及封測綜合基地，實現(xiàn)碳化硅制造的全面垂直整合。

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• 半導體基礎功率模塊與離散元件的比較2024-06-07 11:17

  

  半導體基礎功率模塊因其相對于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領域，選擇半導體基礎功率模塊與離散元件對效率、可靠性和整體系統(tǒng)性能有著顯著的影響。半導體基礎功率模塊的優(yōu)勢半導體基礎功率模塊將多個組件集成到單一封裝中，與離散元件相比設計更為緊湊。模塊可以輕松集成從改善開關行為的電容器到電流測量的分流器和減少雜散電感的組件。圖1：帶有集成

  分流器 功率模塊 半導體 1356瀏覽量

• 阿斯麥(ASML)與比利時微電子(IMEC)聯(lián)合打造的High-NA EUV光刻實驗室正式啟用2024-06-06 11:20

  

  近日，全球領先的半導體制造設備供應商阿斯麥(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)共同宣布，位于荷蘭費爾德霍芬的High-NAEUV光刻實驗室正式啟用。這一里程碑式的事件標志著雙方合作研發(fā)的高數(shù)值孔徑(HighNA)極紫外(EUV)光刻技術即將進入大批量生產(chǎn)階段，預計將在2025至2026年間實現(xiàn)廣泛應用。該實驗室的核心設備是一臺名為TWINSCANE

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• 使用碳化硅模塊的充電設備設計2024-06-06 11:19

  

  碳化硅(SiC)功率模塊因其高效能和可靠性，正在迅速成為現(xiàn)代電力電子設備中不可或缺的組件。MPRA1C65-S61是一款先進的SiC模塊，特別適用于各種充電設備的設計中。本文將探討使用MPRA1C65-S61SiC模塊設計充電設備的優(yōu)勢、設計注意事項和實際應用案例。碳化硅模塊的優(yōu)勢高效能和低損耗:SiC模塊相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基模塊，具有更低的導通電阻和更

  SiC 充電設備 碳化硅 1079瀏覽量

• 東芝大幅裁員聚焦功率半導體，中國市場成競爭新焦點2024-06-05 11:33

  

  在日益激烈的全球半導體市場競爭中，東芝公司近日宣布了一項重大戰(zhàn)略調整，將進行一場規(guī)模達5000人的裁員行動，并將重點聚焦在功率半導體等核心業(yè)務上，以應對行業(yè)變革和市場挑戰(zhàn)。

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• SiC模塊MPRA1C65-S61進行開關電源設計2024-06-05 11:28

  

  今天和大家分享一下我在使用MPRA1C65-S61這款SiC模塊進行開關電源設計時的一些實戰(zhàn)經(jīng)驗。這款模塊的反向重復峰值電壓為650V，連續(xù)正向電流為100A，非常適合用在開關電源設備上。為什么選擇SiC模塊?首先，大家可能會問，為什么要選擇SiC(碳化硅)模塊?相比傳統(tǒng)的硅基模塊，SiC模塊具有更高的效率、更低的開關損耗和更好的熱性能。這意味著在相同的設計

  SiC模塊 開關電源 設備 1100瀏覽量

• 中國新能源汽車產(chǎn)銷再創(chuàng)新高，本土車規(guī)MCU國產(chǎn)化率目標25%2024-06-04 11:56

  

  在新能源汽車領域，中國正展現(xiàn)出其強大的市場影響力和產(chǎn)業(yè)轉型能力。根據(jù)中國汽車工業(yè)協(xié)會發(fā)布的最新數(shù)據(jù)，2023年我國新能源車產(chǎn)銷量突破900萬輛大關，市場占有率超過30%，連續(xù)九年領跑全球，成為推動全球汽車產(chǎn)業(yè)綠色轉型的關鍵力量。在這一背景下，車規(guī)級芯片作為汽車產(chǎn)業(yè)的核心零部件，其國產(chǎn)化進程顯得尤為重要。隨著新能源汽車市場的蓬勃發(fā)展，單車芯片需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長

  新能源汽車 汽車 車規(guī)MCU 車規(guī)級芯片 1335瀏覽量

• 基于SiC Diode模塊在焊接切割設備中的技術優(yōu)勢2024-06-04 11:55

  

  焊接切割設備通?？梢酝ㄟ^功率模塊解決設計方案實現(xiàn)其高效、穩(wěn)定的輸出功率，從而幫助設備延長使用壽命和保持穩(wěn)定性。為了滿足高效、穩(wěn)定、耐用的焊接切割設備需求，MPRA1C65-S61SiCDiode模塊應運而生，這是一款基于碳化硅(SIC)技術的新型SICDIODE模塊。這篇文章將深入探討SICDIODE模塊的技術優(yōu)勢，以及它在焊接切割設備中的應用和性能提升。圖

  Diode 焊接 碳化硅 1319瀏覽量

• 中國碳化硅襯底行業(yè)產(chǎn)能激增，市場或將迎來價格戰(zhàn)2024-06-03 14:18

  

  從2023年起，中國碳化硅襯底行業(yè)迎來了前所未有的發(fā)展高潮。隨著新玩家的不斷加入和多個項目的全國落地，行業(yè)產(chǎn)能迅速擴張，達到了新的高度。根據(jù)最新行業(yè)數(shù)據(jù)，國內碳化硅襯底的折合6英寸銷量已突破百萬大關，多家廠商的產(chǎn)能增長速度顯著超過市場預期。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，中國2023年的6英寸碳化硅襯底產(chǎn)能已占據(jù)全球產(chǎn)能的42%，預計到2026年，這一比例將提升至50%左右

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