深圳市浮思特科技有限公司文章

• SemiQ 1200V SiC MOSFET Module說(shuō)明介紹2024-05-16 11:16

  

  SiCMOSFET模塊是一種基于碳化硅(SiC)材料的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了MOSFET(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的高效開關(guān)特性和SiC材料的優(yōu)異性能。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，SiCMOSFET模塊具有更高的工作溫度、更低的導(dǎo)通電阻、更快的開關(guān)速度和更好的熱導(dǎo)率，SiCMOSFET模塊的引入有助于提高系統(tǒng)效率，減小系統(tǒng)尺寸和重量，是現(xiàn)代電力

  Module MOSFET 半導(dǎo)體 1164瀏覽量

• 我國(guó)力促芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程，預(yù)計(jì)2027年實(shí)現(xiàn)整車芯片完全國(guó)產(chǎn)化2024-05-15 11:21

  

  國(guó)內(nèi)消息源透露，中國(guó)工信部已經(jīng)設(shè)定了宏大的目標(biāo)，計(jì)劃在明年將芯片的國(guó)產(chǎn)化率提升至25%，并采用積分方式來(lái)驅(qū)動(dòng)國(guó)家對(duì)國(guó)產(chǎn)芯片研發(fā)的資金支持。特別是在電動(dòng)車領(lǐng)域，預(yù)計(jì)到2027年，整車所需的芯片將完全實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。國(guó)內(nèi)驅(qū)動(dòng)IC(集成電路)企業(yè)分析認(rèn)為，雖然此舉非強(qiáng)制性質(zhì)，但無(wú)疑將對(duì)臺(tái)灣企業(yè)帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。不過(guò)，由于IC設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和車用芯片的長(zhǎng)驗(yàn)證周期，臺(tái)廠仍有一席

  電動(dòng)車 芯片 驅(qū)動(dòng)IC 3836瀏覽量

• SemiQ用于電動(dòng)汽車快速充電的碳化硅2024-05-15 11:20

  

  SemiQ的各種碳化硅(SiC)二極管、模塊和MOSFET能夠滿足高效率電動(dòng)汽車快速充電設(shè)計(jì)的需求，具有一流的可靠性、質(zhì)量和性能。SiC模塊和分立封裝中的1200V二極管具有一系列電壓和電流，可為300kW及以上的直流快速充電系統(tǒng)提供最終的效率增益。SemiQSiC在電動(dòng)汽車快速充電中的優(yōu)勢(shì)：高效率降低工作溫度長(zhǎng)期可靠性與Si相比，設(shè)計(jì)復(fù)雜性降低超過(guò)5400

  MOSFET 電動(dòng)汽車 碳化硅 904瀏覽量

• 國(guó)內(nèi)外汽車巨頭積極布局，新能源汽車行業(yè)迎來(lái)智能化升級(jí)浪潮2024-05-14 10:51

  

  在激烈的內(nèi)卷和向國(guó)際市場(chǎng)進(jìn)軍的背景下，國(guó)內(nèi)電動(dòng)車行業(yè)正經(jīng)歷著從制造到智能駕駛的升級(jí)。然而，面對(duì)產(chǎn)業(yè)淘汰賽的殘酷現(xiàn)實(shí)，多數(shù)新創(chuàng)車廠因盈利不佳和資金緊張，急需外部資金支持。在這樣的背景下，主流車廠如大眾汽車和Stellantis，通過(guò)購(gòu)并和持股新創(chuàng)車廠，試圖在未來(lái)汽車領(lǐng)域取得更進(jìn)一步的地位。這種跨界合作主要出于兩個(gè)目的：一是為了更貼近國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的制造成本和消費(fèi)者喜

  新能源汽車 汽車 特斯拉 528瀏覽量

• SemiQ汽車用SiC MOSFET 介紹2024-05-14 10:48

  

  EVDC-DC轉(zhuǎn)換器SemiQ的SiC產(chǎn)品為汽車應(yīng)用提供一流的可靠性、質(zhì)量和性能。我們提供模塊和分立封裝形式的1200VMOSFET，旨在最大限度地提高效率。DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)于維護(hù)電動(dòng)汽車的電氣系統(tǒng)至關(guān)重要。它們確保所有子系統(tǒng)都能獲得運(yùn)行所需的適當(dāng)電壓水平，同時(shí)最大限度地提高能源效率和安全性。這有助于現(xiàn)代電動(dòng)汽車中高壓組件與低壓系統(tǒng)的無(wú)縫集成。SemiQS

  MOSFET SiC 轉(zhuǎn)換器 740瀏覽量

• SemiQ 推出高頻、高功率 SiC MOSFET 模塊2024-05-13 11:04

  

  SemiQ在其碳化硅(SiC)N溝道MOSFET產(chǎn)品組合中添加了一組全波H橋模塊。這些部件專為需要高電壓、高速和高功率部件的三重威脅應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它們針對(duì)超低開關(guān)損耗進(jìn)行了優(yōu)化，從而提高了效率并降低了功耗。高效率、高結(jié)溫耐受性和陶瓷封裝可減少散熱并提高機(jī)械布局靈活性。陶瓷封裝可將散熱器直接安裝在隔離導(dǎo)熱墊上。電氣引腳觸點(diǎn)為通孔壓接連接，零件總占地面積為62.8

  MOSFET SiC 碳化硅 1187瀏覽量

• 廠商紛紛推新2000V SiC MOSFET產(chǎn)品，光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域迎來(lái)突破2024-05-10 10:57

  

  隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件——硅碳化物(SiC)成為了行業(yè)新寵。這一趨勢(shì)不僅在汽車產(chǎn)業(yè)得到了證實(shí)，SiCMOSFET更是開始在光伏逆變器和工業(yè)電源等多個(gè)領(lǐng)域大放異彩。近期，光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)的操作電壓水平不斷攀升，推動(dòng)了2000VSiCMOSFET作為行業(yè)新熱點(diǎn)的崛起。面對(duì)這一

  MOSFET SiC 光伏 1447瀏覽量

• 一季度我國(guó)集成電路產(chǎn)量激增40%2024-05-09 10:45

  

  近日，中國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布了2024年第一季度電子信息制造業(yè)的運(yùn)行情況報(bào)告，數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)在這一時(shí)期內(nèi)電子信息制造業(yè)整體表現(xiàn)強(qiáng)勁，尤其是集成電路產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)量達(dá)到了驚人的981億塊，同比增長(zhǎng)高達(dá)40%，這一成績(jī)?cè)诋?dāng)前全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)下尤為亮眼。在微型計(jì)算機(jī)設(shè)備方面，一季度產(chǎn)量為7404萬(wàn)臺(tái)，雖然同比下降了0.8%，但考慮到全球供應(yīng)鏈的波動(dòng)和市場(chǎng)需求的變化，這一小幅

  電子信息 集成電路 739瀏覽量

• 改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時(shí)間2024-05-09 10:43

  

  在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，即短路耐受時(shí)間 (SCWT)。

  GaN HEMT 功率器件 2201瀏覽量

• 中國(guó)SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展2024-05-08 10:49

  

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢的數(shù)據(jù)報(bào)告顯示，中國(guó)在SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)領(lǐng)先地位，特別是在功率元件業(yè)務(wù)中達(dá)到了42.4%的高占比。這一領(lǐng)域涵蓋了Fabless、IDM以及Foundry等多個(gè)子行業(yè)。此外，中國(guó)在SiC襯底和外延材料制造方面也日益受到國(guó)際市場(chǎng)的認(rèn)可，逐漸在全球供應(yīng)鏈中占據(jù)重要地位。盡管如此，國(guó)內(nèi)廠商在晶體厚度和一致性方面仍需加強(qiáng)技術(shù)積累

  SiC 功率半導(dǎo)體 電驅(qū)系統(tǒng) 1259瀏覽量