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韓國(guó)籌劃622萬(wàn)億韓元半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃,吸引國(guó)內(nèi)外中小企業(yè)強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)生態(tài)2024-05-24 11:46
據(jù)悉,韓國(guó)政府正積極籌劃一項(xiàng)半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃,旨在面對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)加劇的背景下,培育和吸引國(guó)內(nèi)外中小企業(yè)加入其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)。該計(jì)劃補(bǔ)貼預(yù)計(jì)622萬(wàn)億韓元,對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群目標(biāo)所采取的重要舉措。韓國(guó),作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要參與者,近年來(lái)一直努力加強(qiáng)其在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中的地位。此次半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃的提出,標(biāo)志著韓國(guó)政府在應(yīng)對(duì)全球產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)方面邁出了重要步伐。根據(jù)韓國(guó)政府的計(jì)劃,補(bǔ)貼將針對(duì)有潛力的中半導(dǎo)體 783瀏覽量 -
適用于集成存儲(chǔ)和電動(dòng)汽車充電的光伏系統(tǒng)的 SiC MOSFET 模塊2024-05-24 11:45
因?yàn)槭褂没剂蠋?lái)的問(wèn)題,世界正面臨各種氣候挑戰(zhàn),所以很多能源部門正轉(zhuǎn)型以應(yīng)對(duì),不僅電力生產(chǎn)轉(zhuǎn)向更多可再生能源,住宅部門也在改變用電方式,如電動(dòng)汽車的普及和熱泵取暖。這些變化導(dǎo)致電力需求增加和住宅用電成本上升,進(jìn)而推動(dòng)了太陽(yáng)能光伏、家庭電力存儲(chǔ)和電動(dòng)汽車充電設(shè)備的普及。這篇文章將討論SiCMOSFET如何通過(guò)創(chuàng)新封裝技術(shù),有效整合這些電力需求,推動(dòng)電力電子 -
Nexperia(安世)發(fā)布高性能碳化硅MOSFET,滿足工業(yè)應(yīng)用增長(zhǎng)需求2024-05-23 10:57
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基于 GaN 的 MOSFET 如何實(shí)現(xiàn)高性能電機(jī)逆變器2024-05-23 10:56
推動(dòng)更高效的能源利用、更嚴(yán)格的監(jiān)管要求以及研發(fā)了冷卻操作的技術(shù)都能夠?qū)崿F(xiàn)減少電動(dòng)機(jī)的功耗,雖然硅MOSFET等開(kāi)關(guān)技術(shù)已得到廣泛應(yīng)用,但它們通常無(wú)法滿足關(guān)鍵逆變器應(yīng)用更苛刻的性能和效率目標(biāo)。相反,設(shè)計(jì)人員可以使用氮化鎵(GaN)來(lái)實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo),氮化鎵是一種寬帶隙(WBG)FET器件技術(shù),在成本、性能、可靠性和易用性方面都得到了改進(jìn)和進(jìn)步。GaN器件是主流,已 -
聊聊幾種常見(jiàn)的單片機(jī)通信方式2024-05-22 12:28
在這個(gè)數(shù)字化和智能化的時(shí)代,單片機(jī)(MicrocontrollerUnits,MCUs)已經(jīng)成為現(xiàn)代電子設(shè)備中不可或缺的核心組件。從簡(jiǎn)單的家用電器如微波爐和洗衣機(jī),到復(fù)雜的工業(yè)控制系統(tǒng),甚至是高科技的自動(dòng)駕駛汽車,單片機(jī)都扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅負(fù)責(zé)執(zhí)行基本的控制任務(wù),還處理數(shù)據(jù)、管理用戶界面,并與其他設(shè)備進(jìn)行通信,今天,我們就來(lái)深入了解一下單片機(jī)的幾 -
碳化硅(SiC)引領(lǐng)電力電子革命,成本優(yōu)勢(shì)顯著2024-05-21 11:11
近期,市場(chǎng)對(duì)碳化硅(SiC)在高電流需求應(yīng)用中的應(yīng)用越來(lái)越感興趣,各大集成器件制造商正加速擴(kuò)大SiC的產(chǎn)能投資,并推出多款新產(chǎn)品,以滿足數(shù)據(jù)中心、電力基礎(chǔ)設(shè)施和電動(dòng)車等領(lǐng)域的需求。SiC的滲透率上升,顯著降低了系統(tǒng)成本,成為推動(dòng)市場(chǎng)接受度提高的重要因素。在最近的第三類半導(dǎo)體論壇上,SiC領(lǐng)軍企業(yè)Wolfspeed指出,SiC的應(yīng)用顯著降低了系統(tǒng)成本,不僅節(jié)省 -
浮思特自研(SiC Module)碳化硅功率模塊特性技術(shù)應(yīng)用2024-05-21 11:09
SiCModule,即碳化硅功率模塊,是一種利用碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料制造的電力電子器件。與傳統(tǒng)的硅基功率模塊相比,SiC模塊具有更高的熱導(dǎo)率、更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度和更低的導(dǎo)通電阻,這使得它們能夠在更高的溫度、頻率和電壓下工作,同時(shí)減少能量損耗。這些特性使得SiC模塊在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域中具有顯著的優(yōu)勢(shì),推動(dòng)了電子技術(shù)的發(fā)展。MPRA1C65-S61模塊經(jīng) -
敦泰(FocalTech)觸控芯片F(xiàn)T6000系列說(shuō)明2024-05-20 11:35
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SemiQ 600V SiC Diode Modules說(shuō)明介紹2024-05-17 11:01
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2024顯示驅(qū)動(dòng)芯片市場(chǎng)回暖,智能手機(jī)需求強(qiáng)勁推動(dòng)增長(zhǎng)2024-05-16 11:18
據(jù)群智咨詢數(shù)據(jù)顯示,隨著下游需求的逐步恢復(fù),顯示驅(qū)動(dòng)芯片(DisplayDriverIC)預(yù)計(jì)將迎來(lái)筑底回升。預(yù)計(jì)到2024年,全球顯示驅(qū)動(dòng)芯片的營(yíng)收將達(dá)到約111.3億美元,同比增長(zhǎng)約0.8%。同時(shí),2024年全年DDIC的供需比約為34.0%,整體供應(yīng)相對(duì)寬松。然而,預(yù)計(jì)全球主要晶圓廠的高壓制程產(chǎn)能利用率將達(dá)到約80.2%,同比增長(zhǎng)8.3個(gè)百分點(diǎn)。圖片來(lái)