Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1436 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 本文介紹了兩種精簡電路，它們均使用單個高電壓LT8315轉(zhuǎn)換器，可由30V至400V的寬輸入電壓范圍產(chǎn)生±12V輸出。一個電路是隔離型反激式拓?fù)?/b>，另一個則是非隔離型降壓拓?fù)?/b>。
2020-02-04 11:42:002833 
日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43%，降低壓降并減小傳導(dǎo)損耗，從而實現(xiàn)更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141177 汽車級MOSFET導(dǎo)通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %，比前代解決方案低31 %，占位面積減小50 %，有助于降低導(dǎo)通功耗，節(jié)省能源，同時增加功率密度提高輸出。
2021-04-07 10:34:073575 Diodes 公司推出通用的 AC 高電壓輸入非隔離式脫機切換器 IC，可進(jìn)一步強化其電源產(chǎn)品組合。
2022-03-03 11:07:291393 
。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣
2023-09-06 14:18:432171 
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護(hù)典型值達(dá)
2019-07-09 17:30:39
，表明MOSFET溝道導(dǎo)通。當(dāng)Vgs進(jìn)一步增加，Rdson下降比較來緩，因為溝道完全導(dǎo)通，MOSFET導(dǎo)通電阻由其它的電阻組成部分決定。當(dāng)器件縮小到更小的尺寸，RS , RCH也減小，因為更多的單個的單元
2016-10-10 10:58:30
通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
的功率MOSFET的G極、S極加上正向電壓后，在G極的下面的P型體區(qū)，就會形成一個非常薄的反型層N型，這樣D極的N、反型層N、S極的N，就會形成導(dǎo)通的路徑。圖1：N溝道(左）、P溝道MOSFET結(jié)構(gòu)P
2016-12-07 11:36:11
非隔離DC-DC拓?fù)?/b>介紹 Buck型拓?fù)?/b>變換器 Buck型變換器的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)如圖所示，Buck型變換器也稱降壓型電源拓?fù)?/b>。在開關(guān)管S導(dǎo)通時，二極管VD負(fù)極電壓高于正極反偏截止，此時電流
2023-03-22 15:55:15
員所需要的。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor簡稱FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
及實際應(yīng)用 · AN-1059 –DirectFET MOSFET 的熱模型和特性 此外設(shè)計人員還可以訪問IR的DirectFET網(wǎng)上搜索中心，進(jìn)一步了解如何利用DirectFET器件的獨特優(yōu)點及其如何增強電氣和熱性能的信息。 :
2018-11-26 16:09:23
十分敏感，抑制能力差。雷擊浪涌，這種電壓是瞬間高壓，高達(dá)幾千伏，時間很短，能量極強，這個電壓進(jìn)入電源，對于非隔離BUCK電路，會瞬間傳達(dá)到輸出，擊壞恒流檢測環(huán)，或是進(jìn)一步擊壞芯片，造成300v直通，而
2015-11-19 20:47:05
采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計，配合GaN高頻特性，進(jìn)一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway
2025-10-22 09:09:58
的設(shè)計而言，它大幅降低了MOSFET導(dǎo)通電阻，并保持了出色的開關(guān)性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進(jìn)一步改進(jìn)了設(shè)計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術(shù)。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
型號：SLN30N03T電壓：30V 電流：30A封裝：DFN3*3-8種類：絕緣柵(MOSFET)SLN30N03T 原裝，SLN30N03T庫存現(xiàn)貨熱銷售后服務(wù)：公司免費提供樣品，并提供產(chǎn)品運用的技術(shù)支持。阿里店鋪
2021-04-07 14:57:10
先進(jìn)器件的利器。寬VDD范圍(4.5-30V)、高抗噪性（-5V耐壓, 1V遲滯）、獨立使能控制及車規(guī)級AEC-Q100認(rèn)證，確保了其在汽車、工業(yè)和能源等嚴(yán)苛應(yīng)用中的卓越表現(xiàn)。SOT23-6封裝進(jìn)一步
2025-08-09 09:18:36
一、概述： SiLM8260ABCS-DG是一款雙通道隔離柵極驅(qū)動器，專為高功率應(yīng)用設(shè)計，具備10A/10A的峰值輸出電流和高達(dá)30V的輸出驅(qū)動電源電壓。該芯片采用先進(jìn)的隔離技術(shù)，提供
2025-11-28 08:14:38
什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實現(xiàn)高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)，無論是隔離還是非隔離。 ADP1621通過測量n溝道MOSFET導(dǎo)通電阻上的壓降，無需使用電流檢測功率電阻
2019-05-30 09:08:12
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-04-12 11:07:51
，它們的優(yōu)值系數(shù)（FOM）大為改善，可以實現(xiàn)高頻開關(guān)。CoolGaN? IPS技術(shù)在緊湊型封裝中集成了柵極驅(qū)動器并可支持高工作頻率，特別適用于有源鉗位反激式（ACF）、混合反激式（HFB）和LLC轉(zhuǎn)換器，因而有助于進(jìn)一步提高充電器和適配器設(shè)計的功率密度。
2022-06-14 10:14:18
的FDMF8811是業(yè)界首款100 V橋式功率級模塊，優(yōu)化用于全橋和半橋拓?fù)?/b>。FDMF8811以高能效和高可靠性水平提供更高的功率密度。與分立方案相比，F(xiàn)DMF8811可減少一個典型的全橋方案約三分之一的PCB
2018-10-24 08:59:37
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
簡介：這款電源非常簡單，很適合剛剛學(xué)習(xí)開關(guān)電源的人員參考，電源采用常用的反激拓?fù)?/b>，開關(guān)電源一般最重要的設(shè)計變壓器（后面簡介分享下變壓器參數(shù)設(shè)計）。背景： 前段時間因需要所以自制的一款輸出為30V隔離
2021-12-30 06:12:37
電路，即可實現(xiàn) 6.5~30V 輸入電壓、多種輸出電壓、輸出功率高達(dá) 15W 的隔離電源。VPS8703 內(nèi)部集成兩個 N 溝道功率 MOSFET 和兩個 P 溝道功率 MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片
2022-11-11 14:44:13
從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
實際應(yīng)用中的開關(guān)頻率。這些問題都阻礙了高功率密度、小體積電源適配器的進(jìn)一步發(fā)展。 有源鉗位反激（ACF）是一種新型諧振拓?fù)?/b>，克服了上述問題。不像QR，ACF能夠吸收利用漏感能量實現(xiàn)軟開關(guān)，臨界模式
2023-03-03 16:24:56
檢測環(huán)，或是進(jìn)一步擊壞芯片，造成300v直通，而燒掉整條燈管。事實上就是指非隔離電源，在批量出貨時，返修率高于隔離LED驅(qū)動電源，大都是因為炸壞。而隔離電源炸壞的機率要小不少，非隔離的一般在2%至3
2015-11-10 00:23:46
概述VPS8701B 是一款適用于全橋拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)的 DCDC 隔離型開關(guān)電源集成控制器，橋式驅(qū)動方式的變壓器繞組少，成本低。滿足6V~30V 的應(yīng)用，兼容性強。電流過大時鉗位限制功率管電流，既保證了
2023-03-21 15:24:12
開發(fā)人員來說，功率密度是一個始終存在的挑戰(zhàn)，對各種電壓下更高電流的需求（通常遠(yuǎn)低于系統(tǒng)總線）帶來了對更小的降壓穩(wěn)壓器的需求，這樣的穩(wěn)壓器可通過一個單極里的多個放大器，將電壓從高達(dá)48 V降至1 V，使其
2020-10-28 09:10:17
30V N溝道增強型MOSFET管
30V N溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:41:00
20 30V P 溝道增強型MOSFET管
30V P 溝道增強型MOSFET管簡介
2010-04-08 17:42:0929 Vishay推出第三代TrenchFET功率MOSFET，采用TurboFET技術(shù)
日前，Vishay Intertechnology推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率MOSFET 系列。這些器件首次采用 T
2008-12-08 11:55:09883 
Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件
2010-04-10 10:32:52729 安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。
NTMFS4897
2010-04-12 10:23:161310 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步
2011-09-13 08:33:16897 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 飛兆半導(dǎo)體公司和英飛凌科技宣布進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
2012-02-09 09:18:221087 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:131025 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出其新一代TrenchFET? Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN
2012-05-08 11:09:191026 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541791 e絡(luò)盟日前宣布新增來自全球半導(dǎo)體和系統(tǒng)解決方案領(lǐng)先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)充其功率MOSFET產(chǎn)品組合。
2015-03-02 17:37:381775 賓夕法尼亞、MALVERN — 2017 年 4 月25 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發(fā)布新的30V N溝道
2017-04-25 15:58:551806
意法半導(dǎo)體新款的MDmesh? MOSFET內(nèi)置快速恢復(fù)二極管
提升高能效轉(zhuǎn)換器的功率密度
2017-09-21 16:31:256599 東芝宣布推出新一代超結(jié)功率MOSFET，新器件進(jìn)一步提高電源效率。在這個連小學(xué)生做作業(yè)都講求高效率的年代，還有什么是高效率不能解決的呢？
2018-09-13 15:54:155921 我最近收集了一份開關(guān)電源隔離式與非隔離式（即反激式）的資料，許多應(yīng)用中都需要輸入/輸出隔離。隔離可切斷無用信號的傳播路徑，優(yōu)勢如下：保護(hù)人員、設(shè)備免遭感應(yīng)在隔離另一端的危險瞬態(tài)電壓損害 ；去除隔離
2020-10-27 08:00:0082 基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)
2021-03-12 09:46:343467 
Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
新型 30 V n 溝道 TrenchFET?第五代功率 MOSFET，提升隔離和非隔離拓?fù)?/b>結(jié)構(gòu)功率密度和能效。 Vishay Siliconix?SiSS52DN?采用熱增強型 3.3 mm x
2021-05-28 17:25:573908 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工業(yè)應(yīng)用功率密度、能效和板級可靠性。
2022-02-07 15:37:081783 
隨著科技的不斷革新發(fā)展，MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過技術(shù)的迭代升級有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時進(jìn)一步降低器件的自身損耗依舊是亟待解決的問題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線，推出
2022-08-26 11:01:071847 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN5R4-30QL
2023-02-16 20:49:260 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN4R7-30QL
2023-02-16 20:49:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN018-30QL
2023-02-17 18:48:160 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN9R0-30QL
2023-02-17 18:48:350 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN8R3-30QL
2023-02-17 19:14:141 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN6R7-30QL
2023-02-17 19:14:460 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN017-30QL
2023-02-17 19:15:190 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PXN010-30QL
2023-02-17 19:15:340 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV25ENEA
2023-02-17 19:16:270 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-山毛櫸4D60-30
2023-02-17 19:56:410 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D72-30E
2023-02-20 19:57:140 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D38-30E
2023-02-20 20:01:040 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D22-30E
2023-02-20 20:02:250 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB20ZH
2023-02-21 19:17:400 30 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN30UN
2023-02-27 19:13:540 30V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV50ENEA
2023-03-03 19:33:590 。 ASDM30N40AE 采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，以出色的RDS(ON)性能脫穎而出。其低RDS(ON)值為您的應(yīng)用帶來更低的功耗和更高的能效，實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)化的最佳效率。不論是在負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用還是功率管理方面，ASDM30N40AE都能穩(wěn)定、高效地滿足您的需求。 此外，ASDM30N40AE 還具有低門電荷特
2023-06-05 11:45:281652 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。
2023-06-16 09:03:30802 
全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。
2023-10-13 16:25:121705 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:101320 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N溝道溝槽MOSFET PMF250XNE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:48:470 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V，雙N溝道溝槽MOSFET PMGD175XNE數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
2024-02-05 09:47:310 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計算機、消費電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強熱性能。
2024-02-22 17:11:081686 
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:141480 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-22 14:11:230 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道 FemtoFET? MOSFET CSD17483F4數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-04-02 11:25:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2RO-30YLE n溝道30V 2 mQ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-01-23 16:33:410 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN1RO-30YLC N溝道30V 1.15 mΩ邏輯電平MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-13 14:16:450 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMH550UNEA 30V N溝道溝槽MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費下載
2025-02-20 16:29:230 這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件：CSD17581Q3A 30V N 溝道
2025-04-16 11:25:34775 
圣邦微電子推出 SGMNQ36430，一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、功率負(fù)載開關(guān)以及筆記本電池管理等領(lǐng)域。
2025-05-09 16:57:26971 
圣邦微電子推出 SGMNL12330，一款 30V、TDFN 封裝、單 N 溝道功率 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 PWM 應(yīng)用、電源負(fù)載開關(guān)、電池管理和無線充電器。
2025-07-10 17:21:522291 
新潔能研發(fā)團(tuán)隊溝槽型工藝平臺推出耐壓30V 1mΩ級別增強型N溝道MOSFET 系列產(chǎn)品。
2025-08-22 18:02:351530 
仁懋電子（MOT）推出的MOT100N03MC是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、100A大電流承載能力及優(yōu)異的開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如
2025-11-06 15:44:22308 
仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03D是一款面向30V低壓大電流開關(guān)場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通損耗、50A大電流承載能力及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用（如DC-DC
2025-11-11 09:18:36255 選型手冊：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無鉛封裝特性，適用于
2025-11-18 16:08:14326 仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N
2025-11-20 16:22:54305
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