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電子發(fā)燒友網(wǎng)>接口/總線/驅(qū)動(dòng)> 三星和諾基亞等廠商正在推動(dòng)NAND Flash應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)UFS的規(guī)格統(tǒng)一

三星和諾基亞等廠商正在推動(dòng)NAND Flash應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)UFS的規(guī)格統(tǒng)一

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干貨!文看懂3D NAND Flash

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六大NAND FLASH廠商產(chǎn)業(yè)營收詳情匯總

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2021-05-24 14:23:471488

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2024-04-03 12:05:59

NAND Flash的儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)與接口設(shè)計(jì)

Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash接口控制設(shè)計(jì)。NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)大多數(shù)的NAND Flash都大同小異,所不同的只是該NAND Flash芯片的容量大小和讀寫速度基本特性。塊
2020-11-05 09:18:33

nand flash 接口切換

請(qǐng)問有沒有 使用過 nand flash的,遇到個(gè)問題找不到原因。最開始 nand flash 默認(rèn)接口 是 SDR 模式,我將 nand flash 接口配置成 DDR timing mode
2020-10-04 13:30:42

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三星Note II低配版的配置說明

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三星布陣Asian Edge 第島鏈再成科技最前線

對(duì)DRAM價(jià)格帶來不利的影響。三星打什么算盤頗堪玩味,而更多人擔(dān)心,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)也許在未來幾年會(huì)有個(gè)大的翻轉(zhuǎn),已經(jīng)主導(dǎo)需求超過30年的DRAM、Flash組成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),會(huì)不會(huì)在MRAM新技術(shù)出現(xiàn)后
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三星電子行業(yè)巨頭成長史

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請(qǐng)教下各位大神,2A的整流橋用快恢復(fù)管來做,是否EMI會(huì)很好呢?三星的手機(jī)充電器 在用。
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三星醞釀2013年更換品牌標(biāo)識(shí)

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Flash,F(xiàn)ocus 2。如果按照三星官方所言,其中原生以及升級(jí)至Windows Phone 7.5版本的機(jī)型都將升級(jí)至7.8版本。不過最終更新機(jī)型都將以三星推送結(jié)果為準(zhǔn),微軟在其中也會(huì)起到
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三星麻煩了 英特爾將為蘋果iPhone供給ARM芯片

據(jù)國外媒體報(bào)道,據(jù)硅谷的知情人士透露,蘋果和英特爾目前正在就聯(lián)合生產(chǎn)用于移動(dòng)設(shè)備的ARM處理器進(jìn)行談判。如果這個(gè)新的傳言是可信的,英特爾與蘋果建立的新的聯(lián)盟對(duì)于三星來說可能是個(gè)大麻煩。雖然沒有證據(jù)
2013-03-12 11:40:10

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諾基亞,三星手機(jī)原廠圖紙和PCB分析(整套),絕對(duì)經(jīng)典!!

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AM3354更換三星nand flash后,出現(xiàn)nand ECC 錯(cuò)誤,這是為什么?如何解決?

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DRAM技術(shù)或迎大轉(zhuǎn)彎,三星、海力士擱置擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目

步伐。據(jù)韓媒Kinews報(bào)導(dǎo),三星2018年下半原計(jì)劃對(duì)DRAM及NAND Flash進(jìn)行新投資,傳出將延至2019年,取而代之的是對(duì)現(xiàn)有產(chǎn)線進(jìn)行補(bǔ)強(qiáng)投資,期望獲利維持定水平。同時(shí),另家半導(dǎo)體大廠
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JTAG接口標(biāo)準(zhǔn)是什么?JTAG系統(tǒng)內(nèi)部構(gòu)造是怎樣的?
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[原創(chuàng)]《恒龍科技通訊城》專門銷售;諾基亞,索愛,三星,摩托羅拉,多普達(dá),天語,各品

《恒龍科技通訊城》專門銷售;諾基亞,索愛,三星,摩托羅拉,多普達(dá),天語,各品牌手機(jī)諾基亞5800XM    &
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【半導(dǎo)體存儲(chǔ)】關(guān)于NAND Flash些小知識(shí)

NAND只需要提高堆棧層數(shù),目前多種工藝架構(gòu)并存。從2013年三星推出了第款24層SLC/MLC 3D V-NAND,到現(xiàn)在層數(shù)已經(jīng)邁進(jìn)200+層,并即將進(jìn)入300+層階段。目前,三星/西部數(shù)據(jù)
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2021-04-06 18:09:48

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充電器接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一

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華為三星蘋果高通的差異買IP做集成不宜包裝為掌握核心科技
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是深圳市友堅(jiān)恒興科技有限公司基于三星平板方案設(shè)計(jì)的經(jīng)驗(yàn),結(jié)合廣泛調(diào)開設(shè)計(jì)的款S5P4418處理器開發(fā)板。該方案基于三星代28nm從CortexA9四核CPU的開發(fā)平臺(tái)。整合了目前工業(yè)、消費(fèi)、車載行業(yè)
2016-07-01 14:04:09

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2021-08-20 19:11:25

國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場,但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

時(shí)間回到2018年第季度,三星、東芝、美光公司的NAND芯片利潤率是40%,但是第季度過后NAND價(jià)格就開始暴降,據(jù)統(tǒng)計(jì)去年上半年NAND閃存價(jià)格下跌了至少50%,而根據(jù)分析師表示,未來每年
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多媒體接口標(biāo)準(zhǔn)

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我們正在調(diào)試基于三星4412的MFC(視頻硬解碼)但是移植調(diào)試不出來如果哪位大俠成功調(diào)試過類似的產(chǎn)品(210或4412) 可以起探討
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2018-11-13 16:11:08

蘋果無線充電與三星差異化明顯,手機(jī)行業(yè)下個(gè)爆點(diǎn)已來

三星莫屬,三星從S5開始,每代旗艦機(jī)也都標(biāo)配無線充電。同時(shí)在三星持續(xù)的推動(dòng)下,無線充電產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)相當(dāng)成熟?! 《鳛樾袠I(yè)標(biāo)桿,新代iPhone將搭載無線充電技術(shù),勢必會(huì)加速無線充電在消費(fèi)電子領(lǐng)域
2017-09-06 15:49:44

解析uMCP的由來,eMCP將成為過去式?

eMMC和移動(dòng)DRAM分開采購的價(jià)格要低,對(duì)于中低端手機(jī)而言有利于降低成本,尤其是在前2年NAND Flash和DRAM漲價(jià)的時(shí)期,更有利交易和議價(jià)。不過,eMCP僅三星、SK海力士、美光具有穩(wěn)定的貨源
2019-12-25 14:38:44

請(qǐng)問DNW只能用三星的ARM芯片嗎?

DNW軟件只能用于三星的ARM芯片嗎?
2019-08-05 22:52:59

貼片式tf卡 Nand flash芯片試用體驗(yàn)

有多種結(jié)構(gòu),例如NAND Flash 是K9F1208,下面內(nèi)容針對(duì)三星的K9F1208U0M),每頁528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area)),每
2024-06-05 17:57:26

lvds接口標(biāo)準(zhǔn)

lvds接口標(biāo)準(zhǔn): LVDS接口是LCD Panel通用的接口標(biāo)準(zhǔn),以8-bit Panel為例,包括5組傳輸線,其中4組是數(shù)據(jù)線,代表Tx0+/Tx0-... Tx3+/Tx3-。還有組是時(shí)鐘信號(hào),代表TxC+/TxC-。相應(yīng)的在Pan
2008-07-01 13:51:0932315

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC? SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝使用。 S
2008-07-17 10:07:272102

NAND Flash的驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)方案

NAND Flash的驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)方案 以三星公司K9F2808UOB為例,設(shè)計(jì)了NAND Flash與S3C2410的接口電路,介紹了NAND Flash在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)
2009-03-29 15:07:301786

AES/EBU接口標(biāo)準(zhǔn)

AES/EBU接口標(biāo)準(zhǔn)  AES和EBU起開發(fā)的數(shù)字音頻傳輸接口標(biāo)準(zhǔn):AES/EBU標(biāo)準(zhǔn),即AES3-1992,ANSI S4.40-1992,或IEC-958標(biāo)準(zhǔn)。它是傳輸和
2009-08-01 08:15:5416145

串行通信接口標(biāo)準(zhǔn)

串行通信接口標(biāo)準(zhǔn) RS232接口芯片??
2009-09-16 12:47:204071

蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向

蘋果NAND Flash減單 三星、新帝策略轉(zhuǎn)向 由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單,加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限,12月供應(yīng)量控制亦開始
2009-11-28 15:59:33568

工信部明確手機(jī)側(cè)充電器接口標(biāo)準(zhǔn) 接口

工信部明確手機(jī)側(cè)充電器接口標(biāo)準(zhǔn) 接口  近日,工業(yè)和信息化部發(fā)布了125項(xiàng)推薦性通信行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),明確將手機(jī)與充電器的連接變成段式結(jié)構(gòu),在手機(jī)側(cè)規(guī)定了
2010-01-11 10:26:191743

三星或準(zhǔn)備收購諾基亞

 據(jù)國外媒體報(bào)道,近日市場傳出三星電子可能正在為收購芬蘭手機(jī)廠商諾基亞做準(zhǔn)備的傳聞,但三星電子拒絕對(duì)此發(fā)表意見
2011-06-10 08:52:50600

關(guān)于統(tǒng)一閃存(UFS)標(biāo)準(zhǔn)的重要更新

全球微電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)日前發(fā)布對(duì)其統(tǒng)一閃存(UFS標(biāo)準(zhǔn)的重要更新。專為需要高性能與低功耗的移動(dòng)應(yīng)用與計(jì)算系統(tǒng)而量身定制的UFS 1.1版新標(biāo)準(zhǔn)是根據(jù)業(yè)
2012-07-02 11:46:062634

為確保行業(yè)優(yōu)勢 三星今年內(nèi)量產(chǎn)64層NAND

上周東芝及西部數(shù)據(jù)宣布,已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程,并將于2017年上半年開始量產(chǎn),不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430

DVI接口標(biāo)準(zhǔn)介紹

DVI接口標(biāo)準(zhǔn)介紹,可以了解DVI接口些知識(shí),適合初級(jí)人員查看。
2016-09-06 16:03:4763

避免閃存門發(fā)酵 三星美國官網(wǎng)撤銷UFS 2.1閃存描述

近日閃存門可謂是愈演愈烈,而現(xiàn)在有網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機(jī)閃存描述,也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當(dāng)然之前三星之前就在閃存描述下面指出,“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經(jīng)過網(wǎng)友的驗(yàn)證,部分美版的Galaxy S8/S8+手機(jī)使用的是東芝生產(chǎn)的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54820

三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D

三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635

emmc和ufs的區(qū)別_ufs和emmc使用差別

無論是eMMC還是UFS都是在NAND存儲(chǔ)芯片的基礎(chǔ)上,再加上了控制芯片,接入標(biāo)準(zhǔn)接口,進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)封裝,形成個(gè)高度集成的儲(chǔ)存模塊。手機(jī)閃存的設(shè)計(jì)概念,就是為了簡化手機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)器的使用,將NAND
2017-12-01 11:46:5849478

三星電子速轉(zhuǎn)向3D NAND 正在向半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司靠攏

三星電子內(nèi)存解決方案的需求,隨著內(nèi)存的增加而飆升。目前三星正迅速轉(zhuǎn)向3D NAND,尤其是TLC 3D NAND,于三星半導(dǎo)體是拉動(dòng)三星營收和利潤的關(guān)鍵,三星正在轉(zhuǎn)向家半導(dǎo)體和系統(tǒng)公司。
2018-02-07 14:41:521318

中國閃存廠商與蘋果合作:蘋果采用后者生產(chǎn)的NAND flash芯片

NAND flash廠商三星從中獲益最多,依靠NAND flash和DRAM存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)其芯片業(yè)務(wù)營收在2017年舉超越Intel成為全球最大的半導(dǎo)體企業(yè),此前Intel霸占全球半導(dǎo)體老大的位置長達(dá)20多年。
2018-05-31 12:10:001612

三星意圖拉大與對(duì)手間的差距,2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元

韓國業(yè)界最近指出,三星電子2019年的NAND Flash資本支出將達(dá)90億美元,預(yù)計(jì)將以韓國平澤、中國西安為主,擴(kuò)大高容量3D NAND生產(chǎn)規(guī)模,期望拉大與其它競爭對(duì)手間的差距。
2018-08-05 11:53:421631

三星采取保守策略,DRAM投資大減,NAND閃存持續(xù)增投

據(jù)日媒指出,三星2019年針對(duì)存儲(chǔ)器的投資總體會(huì)減少,但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中,在DRAM部分,三星將大減20%資本支出;而在NAND Flash部分,三星的投資仍將持續(xù)增加。
2018-10-10 16:13:443814

三星、美光3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,隨著下半年各家原廠最新64層堆棧的3D-NAND Flash產(chǎn)能開出,在三星及美光領(lǐng)頭羊帶領(lǐng)下,預(yù)估第季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450

3D NAND flash大戰(zhàn)開打 三星獨(dú)霸局面打破

記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND三星電子獨(dú)家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294

三星在手機(jī)市場遭遇定挫折 卻在NAND Flash市場成為大贏家

三星在手機(jī)市場遭遇定挫折,不過由于全球手機(jī)的出貨量成長以及對(duì)更大容量的內(nèi)存和存儲(chǔ)的需求卻讓它在NAND Flash市場成為大贏家,據(jù)TrendForce的數(shù)據(jù)顯示營收同比增長20.6%,市占率提升到36.6%創(chuàng)下新高。
2018-12-29 14:47:391184

三星諾基亞國際廠商正在積極推動(dòng)NAND Flash應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格統(tǒng)一

)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)國際大廠,近期正在積極推動(dòng)新的NAND Flash應(yīng)用接口標(biāo)準(zhǔn)UFS(universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。
2019-03-05 15:11:241493

三星出手,NAND Flash價(jià)格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后,NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:554026

三星、海力士評(píng)估最快或于7月底開始減產(chǎn),理由為何?

三星電子與SK海力士正在評(píng)估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。
2019-07-11 16:01:293197

SK 海力士將推出新NAND Flash 產(chǎn)品

目前,兩大韓系NAND Flash 廠商──三星及SK 海力士在之前就已經(jīng)公布了新NAND Flash 產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136 層堆疊的第6 代V-NAND Flash 之外,SK
2019-08-15 09:05:123089

NAND Flash價(jià)格明顯止跌 NAND輪軍備競賽又將開始

的減緩生產(chǎn)速度——少切點(diǎn)晶圓,慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價(jià)格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光原廠又再次掀起了新輪的軍備競賽,些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運(yùn)營,這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化?又是否是中國的機(jī)遇?
2019-10-12 10:01:221136

季度全球NAND Flash營收三星排名第

今天,集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)發(fā)布了第季度的全球NAND Flash品牌廠商最新營收排名出爐,三星排名第,鎧俠第二。
2019-11-25 15:05:492954

三星支持統(tǒng)一推送標(biāo)準(zhǔn)后,手機(jī)待機(jī)功耗降低了30%

近日,統(tǒng)一推送聯(lián)盟已收到三星(中國)投資有限公司的測試申請(qǐng),按照聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)《T-UPA0002-2019統(tǒng)一推送接口層規(guī)范》對(duì)三星手機(jī)系統(tǒng)推送服務(wù)進(jìn)行測試。
2019-11-28 17:36:324117

閃存的接口協(xié)議的介紹和不同協(xié)議之間有什么區(qū)別

首先,閃存是分為很多標(biāo)準(zhǔn)的。其中,以英特爾、美光、海力士為首的NAND廠商所主打制定的閃存接口標(biāo)準(zhǔn)為“ONFI”,而以三星和東芝陣營為首的NAND廠商當(dāng)前所主打的則是“Toggle DDR”。
2020-04-02 08:00:000

NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:085421

Nand Flash主要廠商及產(chǎn)品

統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù): 對(duì)目前市場主要的Nand Flash廠商及其產(chǎn)品進(jìn)行梳理,以下是具體內(nèi)容: 三星 1、三星SSD 980 PRO 三星電子推出首款消費(fèi)類PCIe 4.0 NVMe SSD:三星SSD 980
2020-11-04 14:17:5917671

三星UFS4.0閃存芯片預(yù)計(jì)第季度正式量產(chǎn)

三星UFS4.0閃存芯片采用全新第7代V-NAND技術(shù),傳輸帶寬每通道達(dá)到23.2Gbps,相較UFS3.1提升倍,順序讀取速度可以達(dá)到4200MB/s,同時(shí)順序?qū)懭胨俣纫蔡嵘?800MB/s
2022-05-05 10:45:274463

三星公布全新UFS 4.0存儲(chǔ)解決方案

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))三星公布了自己的UFS 4.0存儲(chǔ)解決方案,并宣稱已經(jīng)通過JEDEC董事會(huì)的許可。而早在2月,鎧俠也宣布了提供首款支持MIPI M-PHY v5.0的UFS樣品,但
2022-05-07 11:07:162671

NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上

三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低,計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:371879

三星NAND季季漲價(jià)20% 幅度超預(yù)期有利群聯(lián)、威剛運(yùn)營

 據(jù)多名半導(dǎo)體業(yè)界消息人士稱,三星繼本季度將nand閃存價(jià)格上調(diào)10至20%后,決定明年第季度和第二季度也分別上調(diào)20%。三星電子正在努力穩(wěn)定nand閃存價(jià)格,試圖在明年上半年逆轉(zhuǎn)市場。
2023-11-02 10:35:011214

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星和鎧俠持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新

AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展正以前所未有的速度推動(dòng)著存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的飛躍,其中,海量數(shù)據(jù)的激增對(duì)存儲(chǔ)容量與性能提出了更高要求,使得NAND Flash技術(shù)的重要性日益凸顯。在此背景下,全球存儲(chǔ)巨頭如三星和鎧俠,在深耕DRAM市場的同時(shí),也持續(xù)加大對(duì)NAND Flash技術(shù)的投入與創(chuàng)新。
2024-07-05 15:39:371592

打開NAND Flash接口規(guī)范

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《打開NAND Flash接口規(guī)范.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-21 12:21:190

三星調(diào)整晶圓代工策略,聚焦NAND Flash與HBM

三星電子近期調(diào)整了其晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃,決定暫緩平澤P4工廠的進(jìn)步擴(kuò)建,轉(zhuǎn)而將重心放在NAND Flash與高頻寬存儲(chǔ)器(HBM)的生產(chǎn)上。這戰(zhàn)略調(diào)整反映了三星對(duì)當(dāng)前市場需求的精準(zhǔn)把握與未來技術(shù)趨勢的深刻洞察。
2024-09-19 17:23:331652

三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

近日,三星電子已做出決定,將減少其位于中國西安工廠的NAND閃存產(chǎn)量。這舉措被視為三星電子為保護(hù)自身盈利能力而采取的重要措施。 當(dāng)前,全球NAND閃存市場面臨供過于求的局面,預(yù)計(jì)今年NAND閃存
2025-01-14 14:21:24867

減產(chǎn)有成效,Q4三星NAND Flash要漲價(jià)10%,加速存儲(chǔ)市場反彈

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/梁浩斌)近日有消息稱,三星計(jì)劃在今年第四季度將NAND Flash產(chǎn)品的價(jià)格提高10%以上,預(yù)計(jì)最快會(huì)從10月開始漲價(jià)。與此同時(shí),為了加速去庫存以配合漲價(jià),三星自今年以來就
2023-10-08 09:01:373853

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