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電子發(fā)燒友網(wǎng)>嵌入式技術(shù)>嵌入式操作系統(tǒng)>4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

4大DRAM陣營(yíng)競(jìng)爭(zhēng)激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米

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存儲(chǔ)器廠商發(fā)力,10納米DRAM技術(shù)待攻克

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大牛談DRAM:誰(shuí)才是主要的競(jìng)爭(zhēng)者?

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2015-10-20 07:27:301261

狠甩SK海力士、!三星 10納米DRAM 量產(chǎn),記憶體脫離20納米世代

相較于 SK 海力士、光在 2015 年年中 20 奈米才導(dǎo)入量產(chǎn),加速 20 納米製程轉(zhuǎn)換,在 2016 年才要進(jìn)入 18/16 納米製程競(jìng)賽的同時(shí),早已搶先導(dǎo)入 20 奈米的叁星,現(xiàn)在直接丟出 10 納米 8 Gb DDR4 DRAM 量產(chǎn)的震撼彈,意圖大幅甩開對(duì)手糾纏。
2016-04-07 08:58:031898

計(jì)劃再投20億美元興建3D DRAM封測(cè)廠

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三星和SK海力士在DRAM生產(chǎn)導(dǎo)入EUV,不跟進(jìn)

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引領(lǐng)圖像傳感器市場(chǎng)

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DRAM、NAND Flash、NOR Flash、eMMC、PCM和SD卡等,從上游到下游一條鞭相當(dāng)齊全。光在全球DRAM市場(chǎng)市占率位居第4,與三哥達(dá)(Elpida)之間競(jìng)爭(zhēng)相當(dāng)激烈;而在
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Adams 表示 DRAM 市場(chǎng)的底部已經(jīng)浮現(xiàn),供需即將回歸均衡狀態(tài),許多競(jìng)爭(zhēng)者在財(cái)務(wù)上都面臨壓力。例如達(dá) (Elpida Memory Inc.)(6665-JP),本月時(shí)所公布之財(cái)報(bào)表現(xiàn)呈現(xiàn)了連
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NAND需求疲軟 東芝挫敗成就

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[轉(zhuǎn)帖][資訊] DRAM挺過(guò)7月 有望旺到后年

達(dá)(Elpida)陣營(yíng)的新增產(chǎn)能是否順利去化,將牽動(dòng)DRAM價(jià)格走勢(shì),是重要的觀察指標(biāo)。他說(shuō),達(dá)陣營(yíng)制程技術(shù)推進(jìn)至63奈米,7月產(chǎn)出將大量增加,加上陣營(yíng)的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米,下半年
2010-05-10 10:51:03

全球10大DRAM廠商排名

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2008-05-26 14:43:30

對(duì)內(nèi)存使用的疑惑

大家好,我做FPGA開發(fā),需要用到大的內(nèi)存,ise12只有光和現(xiàn)代的庫(kù),我對(duì)內(nèi)存使用有如下疑惑:2G內(nèi)存位寬16位,速率可達(dá)200M,4G內(nèi)存怎么才8位,速率還慢,才125M~150MHz.這樣的話,用更多的內(nèi)存反而降低性能?
2013-06-22 21:46:08

清華紫光與武漢新芯組最強(qiáng)CP 劍指

說(shuō),是彌補(bǔ)部分工藝制程落后的不足,同時(shí)挑戰(zhàn)三星10 納米8 Gb DDR4 DRAM的最佳時(shí)機(jī)。拿下,清華紫光將得到DRAM、儲(chǔ)存型(NAND)快閃記憶體與編碼型(NOR)快閃記憶體技術(shù),這將是中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展史上重要的紀(jì)事。這一切,或在后面的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)!`
2016-07-29 15:42:37

蘋果微軟AMD拋棄英特加入ARM陣營(yíng)

 隨著傳統(tǒng)PC市場(chǎng)的不斷衰落,智能終端市場(chǎng)跨越式的發(fā)展,處于其供應(yīng)鏈上的廠商競(jìng)爭(zhēng)也異常激烈。最近一直在業(yè)界備受青睞的英特近日接連傳出不好的消息,難道英特芯MAX3232EUE+T片將會(huì)徹底被拋棄
2012-11-06 16:41:09

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將建設(shè)美國(guó)史上最大半導(dǎo)體工廠,#芯片 #半導(dǎo)體 # #半導(dǎo)體 #DRAM 芯球崛起#硬聲創(chuàng)作季

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達(dá)恐由東芝托管

全球第三大DRAM達(dá)(Elpida)財(cái)務(wù)吃緊,傳日本政府將出面協(xié)調(diào)東芝托管達(dá),有助舒緩DRAM供過(guò)于求。
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東芝與達(dá)將合并內(nèi)存業(yè)務(wù)

今天內(nèi)存行業(yè)的橫向整合正在展開,內(nèi)存芯片制造商達(dá)(Elpida)和東芝正在洽談內(nèi)存業(yè)務(wù)合并事宜。
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南亞科技稱無(wú)意與達(dá)和美科技結(jié)盟

中國(guó)臺(tái)灣芯片制造商南亞科技今天否認(rèn)將參與日本達(dá)和美國(guó)美科技之間的任何聯(lián)盟。南亞科技董事長(zhǎng)吳嘉昭表示,他并不知道另外兩家公司之間的任何交易,目前也不準(zhǔn)備參與任
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(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺(tái)幣150億元)入股達(dá)(Elpida),最快2月定案,成為此波DRAM市況不振下,首樁業(yè)界整合案例。、達(dá)分別是南科、華亞科,以及力晶、瑞晶合
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全球第三大DRAM廠商達(dá)瀕臨破產(chǎn)

據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》消息,世界第三大DRAM廠商達(dá)(ELPIDA)因業(yè)績(jī)不佳和資金困難而陷入破產(chǎn)危機(jī)。
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DRAM產(chǎn)業(yè)的劇變:光合并達(dá)?

據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM市場(chǎng)研究簡(jiǎn)報(bào),美國(guó)美與日本達(dá)如果合并,可能導(dǎo)致DRAM產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生劇烈變化。
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日本達(dá)破產(chǎn) 新融資中遭遇困難

北京時(shí)間2月28日早間消息,日本DRAM存儲(chǔ)芯片廠商達(dá)周一申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。達(dá)在新融資的過(guò)程中也遭遇困難。
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達(dá)負(fù)債申請(qǐng)破產(chǎn) 韓企將壟斷DRAM芯片市場(chǎng)

2月27日,世界第三大DRAM芯片生產(chǎn)企業(yè),日本最大的電腦內(nèi)存芯片廠商達(dá)提出破產(chǎn)申請(qǐng),成為日本最近兩年來(lái)規(guī)模最大的破產(chǎn)案。截至去年三月底,達(dá)公司負(fù)債總額為4480億日元,
2012-02-29 10:23:10775

達(dá)破產(chǎn)分析:日本電子界的沒落

達(dá)的沒落也是日本電子業(yè)界近年面臨嚴(yán)峻局勢(shì)的一個(gè)縮影。,作為日本國(guó)內(nèi)惟一一家DRAM制造企業(yè),達(dá)的落幕顯示,在全球電子業(yè)洗牌大潮中,僅靠國(guó)家保駕護(hù)航并不能確保企業(yè)
2012-03-01 09:32:031584

達(dá)破產(chǎn):封測(cè)廠啟動(dòng)因應(yīng)機(jī)制,降低沖擊

日本DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)儲(chǔ)取記憶體)巨頭達(dá)27日無(wú)預(yù)警聲請(qǐng)破產(chǎn)! 不但引發(fā)市場(chǎng)嘩然,更撼動(dòng)全球DRAM業(yè)界。
2012-03-04 14:21:411040

達(dá)破產(chǎn)將牽動(dòng)全球內(nèi)存版圖

日本達(dá)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格2月28日大幅走高,主流DDR3(雙數(shù)據(jù)速率3)價(jià)格最高上漲13%。
2012-03-06 08:59:37957

達(dá)破產(chǎn)勢(shì)必推升DRAM價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入

日本達(dá)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),將有利于DRAM市場(chǎng)中剩余的其它廠商,因?yàn)榇伺e將導(dǎo)致今年下半年供應(yīng)減少、提振價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入。
2012-03-09 08:55:22789

達(dá)破產(chǎn)或推升今年DRAM價(jià)格瘋漲16%

  據(jù)IHS iSuppli公司的內(nèi)存與存儲(chǔ)研究報(bào)告,日本達(dá)本周申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù),將有利于DRAM市場(chǎng)中剩余的其它廠商,因?yàn)榇伺e將導(dǎo)致今年下半年供應(yīng)減少、提振價(jià)格和營(yíng)業(yè)收入。
2012-03-15 09:37:56764

達(dá)或?qū)⒅厣?傳5月選定援助企業(yè)

已申請(qǐng)適用日本公司更生法的全球第3大DRAM達(dá) ( Elpida )計(jì)劃于5月份以競(jìng)標(biāo)的方式敲定重整計(jì)畫中最重要的贊助企業(yè)(援助企業(yè))。報(bào)導(dǎo)指出,達(dá)計(jì)劃于本(3)月內(nèi)進(jìn)行第一次競(jìng)標(biāo)、
2012-03-20 09:05:35709

日本法院批準(zhǔn)達(dá)重組 8月21日前提交計(jì)劃

北京時(shí)間3月24日凌晨消息,日本東京地方法院周五已經(jīng)批準(zhǔn)了達(dá)的重組申請(qǐng),這為達(dá)未來(lái)的重組和和選擇外部投資者鋪平了道路。
2012-03-24 10:27:28631

達(dá)破產(chǎn)事件三大結(jié)局猜想:宣告破產(chǎn)價(jià)格飆升?

日本存儲(chǔ)器大廠達(dá)(Elpida)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)一個(gè)月后,DRAM產(chǎn)業(yè)開始傳出整并消息,達(dá)也企圖自保,藉由財(cái)務(wù)重整挹注資金來(lái)渡過(guò)難關(guān)。對(duì)此集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DR
2012-03-27 10:37:132093

達(dá)尷尬退場(chǎng):競(jìng)購(gòu)方僅看重與蘋果業(yè)務(wù)聯(lián)系

國(guó)外媒體今天刊文稱,日本內(nèi)存芯片廠商達(dá)在宣布破產(chǎn)之后吸引了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的關(guān)注。然而,這些企業(yè)并不關(guān)心達(dá)的債務(wù)、員工,甚至是業(yè)務(wù)的大部分領(lǐng)域,它們只希望獲得
2012-04-11 17:16:55636

欲挑戰(zhàn)韓國(guó),達(dá)DRAM輸給了日元升值?

  日本國(guó)內(nèi)唯一DRAM廠商達(dá)存儲(chǔ)器陷入破產(chǎn)狀態(tài)。雖然注入公共資金尋求重建,但該公司仍然落敗于價(jià)格下滑和日元升值。在厚望下扛起重建重任的鐵腕經(jīng)營(yíng)家是在哪里跌倒的?
2012-04-19 08:51:431322

達(dá) 出線機(jī)率大

日本NHK電視臺(tái)4日?qǐng)?bào)導(dǎo),科技(Micron)可能在達(dá)(Elpida)競(jìng)標(biāo)案中殺出重圍,取得這家已聲請(qǐng)破產(chǎn)的DRAM大廠經(jīng)營(yíng)權(quán)。 NHK引述消息來(lái)源報(bào)導(dǎo),光在4日截止的達(dá)最后一輪競(jìng)標(biāo)
2012-05-05 09:22:33787

日本媒體稱或成功競(jìng)購(gòu)達(dá)

  日本NHK周五報(bào)道稱,很可能在競(jìng)購(gòu)達(dá)的爭(zhēng)奪中最終勝出。
2012-05-07 08:29:40624

日本半導(dǎo)體巨頭達(dá)擬賦予優(yōu)先談判權(quán)

  據(jù)日本共同社5月7日消息,處于破產(chǎn)程序之中的日本半導(dǎo)體巨頭達(dá)在參與第二輪競(jìng)標(biāo)的2個(gè)外資陣營(yíng)中,決定賦予美國(guó)半導(dǎo)體巨頭(MicronTechnology)優(yōu)先談判權(quán)。據(jù)相關(guān)人士透
2012-05-08 08:32:37673

芯片商達(dá)證實(shí)正與洽談投資事宜

5月10日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,達(dá)周四證實(shí),公司正在與科技就投資達(dá)事宜進(jìn)行磋商。
2012-05-10 17:07:16723

蘋果紅利轉(zhuǎn)移效應(yīng):達(dá)獲大單 三星股價(jià)受傷

蘋果的小小舉動(dòng)都會(huì)引發(fā)依賴它而生的商業(yè)鏈的動(dòng)蕩。蘋果將大幅增加對(duì)達(dá)DRAM芯片訂購(gòu)。消息傳出,蘋果DRAM芯片主要供應(yīng)商三星(微博)本周三股票大跌,市值當(dāng)日蒸發(fā)100多億美元
2012-05-18 08:51:38686

達(dá)債權(quán)人放棄逾3千億債權(quán)

日本媒體時(shí)事通信社6月1日?qǐng)?bào)導(dǎo),已獲東京地方法院認(rèn)可成為DRAM大廠達(dá)(Elpida)重整援助企業(yè)的美國(guó)美(MicronTechnology)有意向金融機(jī)構(gòu)等達(dá)債權(quán)人提出「放棄債權(quán)」的要求,
2012-06-05 08:46:35719

DRAM今年跌幅約30%,較去年50%有所收斂

今年DRAM產(chǎn)業(yè)重大事件,莫過(guò)于日商達(dá)半導(dǎo)體以及美商半導(dǎo)體聯(lián)手宣布整并,研調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXchange預(yù)估2012年DRAM營(yíng)收與去年相較僅跌15%,位元出貨年增約30%,1Gb平均銷售價(jià)格約跌
2012-06-08 09:33:52668

將以25億美元收購(gòu)達(dá)

據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》(Nikkei)報(bào)道,美國(guó)內(nèi)存片制造商科技(Micron Technology Inc.)將以預(yù)估2000億日元(約合25億美元)收購(gòu)破產(chǎn)的日本芯片制造商達(dá)(Elpida Memory Inc.)。 這家日
2012-06-30 11:25:44835

25億美元收購(gòu)達(dá) 成第二大DRAM芯片商

科技公司 (NASDAQ: MU)周二宣布,已同意以大約600億日元(約合7.50億美元)現(xiàn)金收購(gòu)日本芯片制造商達(dá)存儲(chǔ)公司(Elpida Memory Inc)。
2012-07-03 08:48:181429

光收購(gòu)達(dá)成業(yè)界利好:緩解供過(guò)于求

美國(guó)半導(dǎo)體廠商科技周一宣布,將以25億美元收購(gòu)日本芯片制造商達(dá)。
2012-07-05 09:06:131033

科技收購(gòu)達(dá)起波瀾 債券人巨資注達(dá)

據(jù)消息人士透露,債券持有人正打算提供300億日元(3.83億美元)貸款,以幫助破產(chǎn)的芯片制造商達(dá)重組,旨在阻止科技收購(gòu)達(dá)
2012-08-14 17:18:16879

:達(dá)并購(gòu)案明年6月前完成

據(jù)日媒報(bào)道,美國(guó)記憶體大廠科技最高營(yíng)運(yùn)負(fù)責(zé)人Mark Duncan表示,科技預(yù)計(jì)將于明年上半年前(2013年6月底前)完成對(duì)達(dá)的并購(gòu)案。
2012-10-15 14:15:56891

科技鯨吞日本芯片廠商達(dá) 市占將高達(dá)21%

科技對(duì)破產(chǎn)的日本芯片廠商達(dá)的收購(gòu)有望在明年上半年完成,完成收購(gòu)后,科技在內(nèi)存市場(chǎng)的份額有望達(dá)到20%~21%。
2012-12-01 12:22:391490

插旗人工智能市場(chǎng) 英特與英偉達(dá)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈

英特(Intel)、NVIDIA于人工智能(AI)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)持續(xù)延燒,雙方紛紛于近期宣布人工智能相關(guān)布局計(jì)劃。英特發(fā)表一系列涵蓋范圍從網(wǎng)絡(luò)邊界(Edge)到數(shù)據(jù)中心的產(chǎn)品、技術(shù)及投資,以拓展AI在
2016-11-28 14:08:25711

英特今年底就將開始導(dǎo)入 7 納米晶圓制程

根據(jù)Computer World報(bào)導(dǎo),英特今年底就將開始導(dǎo)入 7 納米晶圓制程,時(shí)間提前于臺(tái)積電與三星等競(jìng)爭(zhēng)者,鞏固其半導(dǎo)體龍頭的位置。日前,英特在盈余電話會(huì)議上宣布,為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝
2017-02-05 01:11:44559

DDR4能否引領(lǐng)新一輪存儲(chǔ)變革?

臺(tái)灣的DRAM產(chǎn)業(yè)曾經(jīng)是臺(tái)灣科技界指標(biāo)性產(chǎn)業(yè),但近幾年DRAM的供需市場(chǎng)產(chǎn)生很大的變化。 2013年(Micron Technology Group)并購(gòu)日本內(nèi)存大廠達(dá)(Elpida)后
2017-02-09 03:03:11346

關(guān)于與英特NAND市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局分析?5張圖給你解釋

筆者認(rèn)為如果這些發(fā)生了的話,將會(huì)改變整個(gè)NAND 市場(chǎng)的格局,對(duì)將是巨大的威脅。英特和美都認(rèn)為3D XPoint最終將替代目前PC市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)的SSD和DRAM, 之后 英特可能更注重PC市場(chǎng),則是服務(wù)器市場(chǎng)。
2018-06-29 10:32:003400

與英特在3D XPoint存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)激烈,互不相讓

英特已經(jīng)推出了幾款3D XPoint產(chǎn)品,但是到目前為止,科技還沒有什么動(dòng)作。
2018-07-02 18:28:001543

10納米DRAM制程競(jìng)爭(zhēng)升溫,SK海力士、加速追趕三星

)制程DRAM,目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度,追趕三星,預(yù) ... 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)
2018-11-12 18:04:02533

聯(lián)電聲明反擊訴訟戰(zhàn)與設(shè)計(jì)架構(gòu)完全不同

為聲明全文: 聯(lián)華電子是國(guó)際公認(rèn)、中國(guó)***起家的半導(dǎo)體公司。38年來(lái),在全球的供應(yīng)鏈上,已經(jīng)成為不可或缺的一員,先進(jìn)量產(chǎn)技術(shù)達(dá)14納米。對(duì)比之下,公司爭(zhēng)執(zhí)所涉及的DRAM技術(shù),是32納米
2018-11-13 14:29:192874

計(jì)劃削減12.5億美元的資本支出,減少內(nèi)存及閃存芯片的產(chǎn)量

總裁、CEO Sanjay Mehrotra在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示,為了適應(yīng)當(dāng)前市場(chǎng)的狀況,將減少DRAM內(nèi)存及NAND閃存芯片的產(chǎn)量。根據(jù)的數(shù)據(jù),2019年他們預(yù)測(cè)DRAM內(nèi)存產(chǎn)量增加15%,低于此前預(yù)測(cè)的20%增長(zhǎng),而NAND閃存預(yù)計(jì)增長(zhǎng)35%,也低于之前預(yù)計(jì)的35-40%增長(zhǎng)率。
2018-12-21 11:15:054225

全球半導(dǎo)體業(yè)在連續(xù)高漲兩年之后開始回調(diào)

多年來(lái)全球存儲(chǔ)器業(yè)沒有一家新進(jìn)者,見到的是德國(guó)奇夢(mèng)達(dá)倒閉,及日本達(dá)兼并,反映全球存儲(chǔ)器業(yè)壟斷加劇及競(jìng)爭(zhēng)性太強(qiáng)。中國(guó)的存儲(chǔ)器制造,未來(lái)的專利糾紛及價(jià)格戰(zhàn)是不可避免,因此必須要認(rèn)真地提前作出預(yù)案。
2019-04-24 11:41:353319

多家DRAM廠商開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)

繼臺(tái)積電、三星晶圓代工、英特爾等國(guó)際大廠在先進(jìn)邏輯制程導(dǎo)入極紫外(EUV)微影技術(shù)后,同樣面臨制程微縮難度不斷增高的DRAM廠也開始評(píng)估采用EUV技術(shù)量產(chǎn)。三星電子今年第四季將開始利用EUV技術(shù)生產(chǎn)1z納米DRAM,SK海力士及預(yù)期會(huì)在1α納米或1β納米評(píng)估導(dǎo)入EUV技術(shù)。
2019-06-18 17:20:313118

DRAM大廠工藝推進(jìn)1z納米 導(dǎo)入EUV設(shè)備擴(kuò)大競(jìng)爭(zhēng)門檻

2019年上半DRAM價(jià)格下跌壓力沉重,盡管上游產(chǎn)能調(diào)節(jié)以及傳統(tǒng)旺季拉貨需求逐漸回升,預(yù)料將有望支撐跌價(jià)趨緩,為了提高生產(chǎn)效益及拉大競(jìng)爭(zhēng)差距,DRAM大廠競(jìng)相推進(jìn)下一代制程技術(shù)。
2019-06-21 16:43:142859

科技正式宣布將采用第3代10納米級(jí)制程生產(chǎn)新一代DRAM

根據(jù)國(guó)外科技媒體《Anandtech》的報(bào)導(dǎo)指出,日前系存儲(chǔ)器大廠科技(Micron)正式宣布,將采用第3代10納米級(jí)制程(1Znm)來(lái)生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來(lái)生
2019-08-19 15:45:223762

推出內(nèi)容量最高的單片式的LPDDR4X DRAM

科技股份有限公司推出業(yè)內(nèi)容量最高的單片式 16Gb 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率 4X (LPDDR4X) DRAM16Gb LPDDR4X 能夠在單個(gè)智能手機(jī)中提供高達(dá) 16GB1 的低功耗 DRAM (LPDRAM),顯示了為當(dāng)前和下一代移動(dòng)設(shè)備提供卓越內(nèi)存容量和性能的前沿地位。
2019-09-10 10:28:005101

消息稱桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應(yīng)

12 月 4 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,昨天下午,存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)解決方案提供商科技位于桃園的工廠發(fā)生無(wú)預(yù)警停電事件。業(yè)內(nèi)消息人士稱,桃園工廠停電可能影響全球 DRAM 供應(yīng),尤其是服務(wù)器部分
2020-12-04 15:21:322444

科技開始提速EUV DRAM開發(fā)速度

美國(guó)美科技開始提速EUV DRAM。加入到三星電子、SK海力士等全球第一、第二EUV廠商選擇的EUV陣營(yíng)后,后續(xù)EUV競(jìng)爭(zhēng)或?qū)⒏鼮?b class="flag-6" style="color: red">激烈。
2020-12-25 14:43:132324

推出 1α DRAM 制程技術(shù):內(nèi)存密度提升了 40% 節(jié)能 15%

均有重大突破。 ? 光表示,對(duì)比上一代的 1z DRAM 制程,1α 技術(shù)將內(nèi)存密度提升了 40%。 計(jì)劃于今年將 1α 節(jié)點(diǎn)全面導(dǎo)入DRAM 產(chǎn)品線,從而更好地支持廣泛的 DRAM 應(yīng)用領(lǐng)域——為包括移動(dòng)設(shè)備和智能車輛在內(nèi)的各種應(yīng)用提供更強(qiáng)的性能。 的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方
2021-01-27 13:56:032777

全球首創(chuàng)1αnm DRAM內(nèi)存芯片

今天宣布,已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片,這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝,可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513896

:市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求將有增無(wú)減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年

產(chǎn)品價(jià)格已上漲,市場(chǎng)對(duì)DRAM的需求程度將有增無(wú)減,供需緊張的情況將延續(xù)好幾年。 指出,光在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的DRAM廠已開始量產(chǎn)采用全球最先進(jìn)制程技術(shù)1α(1-alpha)生產(chǎn)的DRAM產(chǎn)品,首批產(chǎn)品是為著重運(yùn)算需求之客戶提供DDR4、和適用消費(fèi)性PC的Crucial DRAM產(chǎn)品,此一里程碑會(huì)更鞏
2021-01-28 15:54:452392

率先于業(yè)界推出1α DRAM制程技術(shù)

的 1α 技術(shù)節(jié)點(diǎn)使內(nèi)存解決方案更節(jié)能、更可靠,并為需要最佳低功耗 DRAM 產(chǎn)品的移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)運(yùn)行速度更快的 LPDDR5。
2021-01-28 17:28:081181

解密最新1α內(nèi)存工藝 存儲(chǔ)器技術(shù)的升級(jí)對(duì)現(xiàn)有工藝制程將是巨大挑戰(zhàn)

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或?qū)⒌采w所有類型的DRAM。 同時(shí),
2021-01-29 10:17:163024

DRAM芯片工藝可提升密度40%

本周二公布其用于DRAM的1α新工藝,該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%,功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存,未來(lái)或?qū)⒌采w所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442841

一年虧4宣布出售芯片工廠!

3D Xpoint技術(shù)是與英特共同開發(fā)的一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),比NAND閃存擁有更高的性能和耐用性,旨在填補(bǔ)DRAM和NAND閃存之間的存儲(chǔ)空白
2021-03-19 14:25:251570

科技推出全新DDR5服務(wù)器DRAM

合作伙伴推出 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺(tái)的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。全新
2022-07-07 14:45:573042

科技在日本廣島開始量產(chǎn)尖端存儲(chǔ)器DRAM

β”,與上代產(chǎn)品相比電力效率和記憶密度分別提升了約15%和約35%,主要面向智能手機(jī)出貨。廣島工廠是光在2013年收購(gòu)達(dá)時(shí)所獲,于2019年建設(shè)新廠房等,致力于尖端技術(shù)產(chǎn)品DRAM的生產(chǎn)。 當(dāng)日,科技同時(shí)宣布,為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)狀況,公司將內(nèi)存
2022-11-28 10:40:521736

英特已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納米

英特已大規(guī)模生產(chǎn)7納米芯片 4納米半芯片準(zhǔn)備中 并將導(dǎo)入3納米 英特期望能夠在2030年前成長(zhǎng)為全球第二大晶圓代工廠,為了能夠?qū)崿F(xiàn)這個(gè)預(yù)期目標(biāo),英特將投資800億美元在美國(guó)和德國(guó)建設(shè)新的芯片
2022-12-07 14:21:403677

12納米后,DRAM怎么辦?

挑戰(zhàn)都是重大的。特別是,ASML 報(bào)告說(shuō),當(dāng)中心到中心(center-to-center)值達(dá)到 40 nm 時(shí),即使對(duì)于 EUV ,也不推薦使用單一圖案化。在本文中,我們將展示對(duì)于 12 納米及更高節(jié)點(diǎn)的 DRAM 節(jié)點(diǎn),電容器中心到中心預(yù)計(jì)將低于 40 納米,因此需要多重圖案化。
2023-02-07 15:08:551019

科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會(huì)上,詳細(xì)闡述了其針對(duì)納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出,DRAM工藝的每一個(gè)節(jié)點(diǎn)以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得愈發(fā)復(fù)雜。
2024-03-05 16:18:241316

計(jì)劃部署納米印刷技術(shù),降低DRAM芯片生產(chǎn)成本

3 月 5 日消息,科技公司計(jì)劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù),從而進(jìn)一步降低生產(chǎn) DRAM 存儲(chǔ)芯片的單層成本。 公司近日舉辦了一場(chǎng)演講,介紹在將納米印刷技術(shù)應(yīng)用于 DRAM 生產(chǎn)的一些細(xì)節(jié)
2024-03-06 08:37:35838

消息稱英偉達(dá)計(jì)劃將GB200提早導(dǎo)入面板級(jí)扇出型封裝

為解決CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能緊張的問(wèn)題,英偉達(dá)正計(jì)劃將其GB200產(chǎn)品提前導(dǎo)入扇出面板級(jí)封裝(FOPLP)技術(shù),原計(jì)劃2026年的部署現(xiàn)提前至2025年。
2024-05-22 11:40:322042

科技將在日本廣島新建DRAM芯片工廠

近日,科技宣布,將在日本廣島縣建立一座新的DRAM芯片生產(chǎn)工廠,預(yù)計(jì)最早于2027年底正式投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目的總投資預(yù)估在6000億至8000億日元之間,體現(xiàn)了對(duì)于日本市場(chǎng)及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的堅(jiān)定信心。
2024-05-31 11:48:231570

日本廣島DRAM新廠預(yù)計(jì)2027年量產(chǎn)

全球知名的DRAM大廠,早在去年就已宣布了其在日本廣島的重大投資計(jì)劃。據(jù)悉,計(jì)劃斥資6,000至8,000億日元,在廣島興建一座全新的DRAM工廠。這一項(xiàng)目預(yù)計(jì)將在2026年初破土動(dòng)工,最快有望在2027年底前完成廠房建設(shè)、機(jī)臺(tái)設(shè)備安裝,并正式投入營(yíng)運(yùn)。
2024-06-14 09:53:101341

科技計(jì)劃大規(guī)模擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,科技預(yù)計(jì)今年將繼續(xù)積極擴(kuò)大其DRAM產(chǎn)能,與去年相似。得益于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,近期將具體落實(shí)對(duì)現(xiàn)有DRAM工廠進(jìn)行改造的投資計(jì)劃。   去年底,科技宣布將在
2025-01-07 17:08:561309

宣布 1γ DRAM 開始出貨:引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破,滿足未來(lái)計(jì)算需求

率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級(jí))DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于此前在 1α(1-alpha)和 1
2025-02-26 13:58:15533

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