本內(nèi)容主要介紹了硅襯底LED芯片主要制造工藝，介紹了什么是led襯底，led襯底材料等方面的制作工藝知識
2011-11-03 17:45:13
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LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當前LED芯片研究的焦點。
2014-05-13 17:40:075184 近年來，LED制造工藝的不斷進步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進展。##近年來，LED制造工藝的不斷進步和新材料（氮化物晶體和熒光粉）的開發(fā)和應(yīng)用，各種顏色的超高亮度LED取得了突破性進展。
2015-08-17 16:16:0024039 大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底組成。該架構(gòu)運行良好，并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而，該架構(gòu)確實存在一些缺點，這些缺點促使芯片制造商尋求其他選擇。
2019-01-17 08:21:0012376 
應(yīng)用放射性示蹤技術(shù)研究了金屬雜質(zhì)(如鋇、銫、鋅和錳)從化學放大光刻膠中遷移和吸附到硅基底層襯底上的行為。評估了兩個重要的工藝參數(shù)，即烘烤溫度和襯底類型(如裸硅、多晶硅、氧化物和氮化物)。結(jié)果表明
2021-12-13 10:02:321785 
氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩(wěn)定性，已成為短波長發(fā)射器（發(fā)光二極管和二極管激光器）和探測器等許多光電應(yīng)用的誘人半導(dǎo)體，以及高功率和高溫電子器件。對于實現(xiàn)先進的氮化鎵器件，如激光二極管或高功率燈，對低線程位錯密度(<106cm-2)的高質(zhì)量氮化鎵襯底有很強的需求。
2022-02-08 15:26:134403 
本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產(chǎn)生高頻蒸汽蝕刻劑的實現(xiàn)方法，描述了一種通過將氮氣通過高頻水溶液而引入高頻蒸汽的系統(tǒng)。
2022-04-11 16:41:191961 
本文介紹了在緩沖氧化物腐蝕(BOE)溶液中溫度對氮化物和氧化物層腐蝕速率的影響。明確的框架結(jié)構(gòu)和減少的蝕刻時間將提高制造過程的生產(chǎn)率，該方法從圖案化氮化硅開始，以研究在BOE工藝之后形成的框架結(jié)構(gòu)
2022-05-05 14:00:502014 
由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項危害在正常工作的電路中是很小的，因為柵極受片內(nèi)齊納二極管保護，它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:36:042285 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）2023年底，清華大學與中國北京凝聚態(tài)物理國家實驗室宣布，研究團隊通過使用獨立式氮化鎵襯底 （freestanding gallium nitride
2024-02-04 00:07:0011073 高效能、高電壓的射頻基礎(chǔ)設(shè)施。幾年后，即2008年，氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)場效晶體（MOSFET）（在硅襯底上形成）得到推廣，但由于電路復(fù)雜和缺乏高頻生態(tài)系統(tǒng)組件，使用率較低。
2023-06-15 15:50:54
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導(dǎo)體材料，具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點，應(yīng)用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
半導(dǎo)體在光電子器件中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用,例如制作液晶顯示器、紫外光探測器都要用到p型寬帶隙氧化物半導(dǎo)體。目前這類氧化物研究主要包括P型ZnO[1]與P型銅鐵礦結(jié)構(gòu)氧化物[2]-[8]。在這類氧化物中,CuCrO2除了具有P型透明導(dǎo)電性以外,最近又報道了它的高溫熱電特全文下載
2010-04-24 09:00:59
襯底而引起了人們對大功率應(yīng)用的廣泛關(guān)注。但其性能仍低于氮化鎵襯底上的垂直氮化鎵器件。關(guān)鍵問題是在硅襯底上實現(xiàn)低位錯密度和連續(xù)厚氮化鎵層具有挑戰(zhàn)性。會上，北京大學馮玉霞博士結(jié)合具體的研究實踐，分享了Si
2018-11-05 09:51:35
，3000多種產(chǎn)品，應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋無線、光纖、雷達、有線通信及軍事通信等領(lǐng)域，2016年營收達到了5.443億美元。氮化鎵是目前MACOM重點投入的方向，與很多公司的氮化鎵采用碳化硅（SiC）做襯底
2017-09-04 15:02:41
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
解決的問題，以開發(fā)適用于 III 族氮化物外延的 GaN 襯底的表面處理。 1. 介紹 單晶體 GaN 襯底是最有希望替代藍寶石襯底的候選者之一，藍寶石襯底常用于 III 族氮化物器件，如發(fā)光二極管 (LED
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業(yè)宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
% 化學物及能源損耗，此外還能，再加上節(jié)省超過 50% 的包裝材料，那氮化鎵的環(huán)保優(yōu)勢，將遠遠大于傳統(tǒng)慢速比低速硅材料。
2023-06-15 15:47:44
%。另外，以上研究結(jié)果都是建立在實驗室基礎(chǔ)之上的，今后仍有很大的發(fā)展空間。圖4：利用“Na Flux（鈉助溶）法”和“Point Seed（點籽晶）法”可制作出高質(zhì)量、大尺寸的氮化硅襯底。利用“Na
2023-02-23 15:46:22
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導(dǎo)體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
請大佬詳細介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
AN - 2000-055564 [05]11 48/66 - (C) WPI / DERWENT AN - 1999-363504 [31]【申請?zhí)枴?02802023 【發(fā)明名稱】 獲得整體單晶性含鎵氮化物的方法及裝置【申請?zhí)枴?200410002946 【 發(fā)明名稱】 制造第三族氮化物襯底的方法
2009-10-19 14:57:15
對LINIO2、LIMN2I4、LINIXCO1AXO2、V2O5也有較多的研究；固體電解質(zhì)膜方面以對LIPON膜的研究為主；陽極膜方面以對鋰金屬替代物的研究為主，比如錫和氮化物、氧化物以及非晶硅膜，研究多集中在循環(huán)交通的提高。在薄膜鋰電池結(jié)構(gòu)方面，三維結(jié)構(gòu)將是今后研究的一個重要方向。
2011-03-11 15:44:52
目前日本日亞公司壟斷了藍寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個熱點。南昌大學
2010-06-07 11:27:281907 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:255117 目前市場上LED用到的襯底材料有藍寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍寶石，而就全球範圍來看，藍寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:543324 LED外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，本文詳細介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:148712 廈門大學的一個研究小組通過在高鋁組分氮化物深紫外線發(fā)光二極管表面覆蓋一層超薄的鋁膜，破解了制約這一發(fā)光器件得以更廣泛應(yīng)用的“光抽取效率”關(guān)鍵難題，為未來此類器件在
2013-01-16 09:55:331744 白光LED正朝著更高光效、更好光色品質(zhì)、更高封裝密度和更高信賴性方向發(fā)展。其中的氮化物紅色熒光粉的性能直接影響到白光LED的光效、色溫、顯色指數(shù)以及使用壽命，特別是其抗高溫高濕性能的優(yōu)劣對于中高功率
2016-04-12 11:01:183869 南昌大學江風益團隊成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國成為世界上繼日美之后第三個掌握藍光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。這項高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎，硅襯底時代隨即到來。
2016-05-11 16:38:437408 芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:158606 當代LED大部分是由一個組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產(chǎn)品，建筑也有一些缺點，鼓勵芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:39
4 研究人員以極限條件（即弱光、極低溫、強磁場）下的光電實驗物理為主要研究方向，設(shè)計以LED（發(fā)光二極管）為光源的弱光光電導(dǎo)測量系統(tǒng)。
2017-10-13 18:27:208300 
和堅持的結(jié)果。 赤崎和天野的研究小組，就在GaN類藍色LED的開發(fā)中做出了重要貢獻。赤崎在2001年獲得了應(yīng)用物理學會成就獎，獲獎理由中有這樣一段話：在GaN類氮化物半導(dǎo)體材料和元器件的研發(fā)中，赤崎及其研究小組的研究是所有研究的出發(fā)點。通過開發(fā)低
2017-10-16 13:04:4216 氮化鎵單晶材料生長難度非常大，蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一。真正的實現(xiàn)了“中國造”的氮化鎵襯底晶片。氮化物半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常快，同樣也是氮化物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展不可或缺的要素。
2018-01-30 13:48:018710 氮化物寬禁帶半導(dǎo)體在微波功率器件和電力電子器件方面已經(jīng)展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，而AlGaN溝道HEMT器件是一種適宜更高電壓應(yīng)用的新型氮化物電力電子器件。但是，材料結(jié)晶質(zhì)量差和電學性能低，是限制
2018-07-26 09:09:001153 
10月16日，日亞化學宣布，其與西鐵城電子、三菱化學、日本國立研究開發(fā)法人物質(zhì)與材料研究機構(gòu)（NIMS）所共有的氮化物系紅色熒光體LED相關(guān)技術(shù)，近日已在美國獲準專利權(quán)。
2018-10-17 14:50:002575 典型的GaN射頻器件的加工工藝主要包括如下環(huán)節(jié)：外延生長-器件隔離-歐姆接觸（制作源極、漏極）-氮化物鈍化-柵極制作-場板制作-襯底減薄-襯底通孔等環(huán)節(jié)。
2018-10-26 17:33:0611886 氮化鎵太赫茲HEMT研究中，短溝道效應(yīng)導(dǎo)致的跨導(dǎo)降低，將直接影響器件頻率特性。盡管高鋁組分與超薄勢壘外延結(jié)構(gòu)可以緩解短溝道效應(yīng)帶來的問題，但同時也引起了歐姆接觸難以制備的問題。選區(qū)再生長n+GaN源
2018-11-06 14:59:467048 美國羅徹斯特理工學院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高Micro LED顯示器的效率。
2019-03-15 11:22:414827 LED襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，其決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。目前，能作為LED襯底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最廣泛的是Al2O3、SiC
2019-07-30 15:14:034226 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當前LED芯片研究的焦點。
2019-10-04 17:35:001641 
目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計，使用硅襯底制作大尺寸藍光氮化鎵LED的制造成本將比藍寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管，相關(guān)研究成果在國際權(quán)威期刊《Advanced Optical Materials》上發(fā)表。
2019-12-03 14:56:111192 12月3日消息，西安電子科技大學微電子學院郝躍院士團隊揭示了可剝離襯底上氮化物的成核機制，創(chuàng)新性開發(fā)出柔性高亮度紫光發(fā)光二極管，相關(guān)研究成果在國際權(quán)威期刊《Advanced Optical Materials》上發(fā)表。
2020-01-30 16:41:004770 
據(jù)韓國消息報道，韓國科學技術(shù)研究院（KIST）于日前宣布，一個KIST團隊已經(jīng)成功開發(fā)出一種新的化合物，可以取代氮化鎵來生產(chǎn)藍光LED。
2020-03-09 16:49:224413 。III族氮化物化合物半導(dǎo)體具有帶隙可調(diào)的優(yōu)點，響應(yīng)波段范圍可覆蓋可見-紫外波段。GaN紫外傳感器具有體積小、靈敏度高、噪聲低、抗可見光干擾能力強、功耗低、壽命長等優(yōu)點。（以下為系列中部分產(chǎn)品）
2020-07-13 10:54:582256 據(jù)報道，武漢大學的研究團隊近期公布了采用PSSA（patterned sapphire with silica array）襯底來降低氮化鎵接合邊界失配問題的方法，提出PSSA襯底可提高銦氮化鎵、氮化鎵（InGaN/GaN）倒裝芯片可見光LED的效率。
2020-12-09 17:00:231183 研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預(yù)計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。 據(jù)蘇州納米城消息，該公司實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù)，成為國內(nèi)唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導(dǎo)
2021-01-28 09:19:342947 圖形化藍寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M的半導(dǎo)體仿真設(shè)計平臺，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:281116 
據(jù)其介紹，目前公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），廣泛應(yīng)用于氮化鎵基LED芯片制造。公司建立了廣東省半導(dǎo)體襯底工程技術(shù)研究中心，圍繞下一代氮化鎵器件技術(shù)進行襯底與外延一體化研發(fā)，持續(xù)拓展藍寶石襯底技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域。
2021-04-01 11:01:183187 
介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院（EPFL）教授Tobias Kippenberg團隊開發(fā)出一種采用氮化硅襯底制造集成光子電路（光子芯片）技術(shù)，得到了創(chuàng)紀錄的低光學損耗，且芯片尺寸小。相關(guān)研究在《自然—通訊》上發(fā)表。
2021-05-24 10:43:386263 第三族氮化物已成為短波長發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測器和場發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因為它們具有異常高的鍵能。綜述了近年來針對這些材料發(fā)展起來的濕法刻蝕方法。提出了通過
2022-02-23 16:20:243269 
區(qū)域上方形成厚度小于存在于第二區(qū)域中的含氮化物層的厚度的含氮化物層。在第一多個柵極結(jié)構(gòu)和第二多個柵極結(jié)構(gòu)上由含氮化物層形成介電間隔物。 背景 本公開涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和器件。更具體地，本公開涉及在半導(dǎo)體器件的制造中采
2022-02-24 13:44:382380 
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學和納米帶晶體管，利用了氮化鎵的一些
2022-03-23 14:15:082074 
氮化鋁(AlN)是一種六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的共價鍵化合物，晶格參數(shù)為a=3.114，c=4.986。純氮化鋁呈藍白色，通常為灰色或灰白色，是典型的III-Ⅴ族寬禁帶半導(dǎo)體材料。
2022-03-23 14:27:463366 本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻溶液；(b)從硅源向等離子體提供硅；以及(c
2022-04-24 14:58:511655 
Micro LED被譽為新時代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421759 制造大直徑GaN襯底的要點（鈉熔劑法） 豐田合成表示，6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 12:33:263244 研究機構(gòu)Yole Intelligence日前發(fā)布對化合物半導(dǎo)體襯底市場的預(yù)測，認為在功率和光學應(yīng)用驅(qū)動下，到2027年市場規(guī)模將達到24億美元，2021-2027年間復(fù)合年增長率為16%。 該機
2022-11-21 10:31:392028 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337276 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導(dǎo)體技術(shù)，硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 16:44:264975 
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體， 氮化鎵主要還是用于LED（發(fā)光二極管），微電子（微波功率和電力電子器件），場效電晶體（MOSFET）。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。
2023-02-06 17:38:136685 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
氮化鎵根據(jù)襯底不同可分為硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵：碳化硅基氮化鎵射頻器件具有高導(dǎo)熱性能和大功率射頻輸出優(yōu)勢，適用于5G基站、衛(wèi)星、雷達等領(lǐng)域；硅基氮化鎵功率器件主要應(yīng)用于電力電子器件領(lǐng)域。雖然
2023-02-10 10:52:524735 
氮化鎵是一種無機化合物，它是一種稀有的金屬氮化物，具有高熔點、高硬度和良好的電學性能。它可以用于制造電子元件、電子器件和電子零件，也可以用于制造磁性材料、磁性薄膜和磁性線圈。
2023-02-14 13:56:1910382 硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 在碳化硅(SiC)上開發(fā)了更薄的III族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實現(xiàn)高功率和高性能高頻薄高電子遷移率晶體管和其他器件。新結(jié)構(gòu)使用
高質(zhì)量的60納米無晶界氮化鋁成核層來避免大面積的擴展缺陷，而不是1-2米厚的氮化鎵緩沖層(圖1)。成核層允許在0.2 m內(nèi)生
長高質(zhì)量的氮化鎵。
2023-02-15 15:34:524 氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導(dǎo)體材料，在半導(dǎo)體行業(yè)是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以
及最近的電力電子。新的研究領(lǐng)域還包括自旋電子學和納米帶晶體管，利用了氮化鎵
2023-02-21 14:57:374 研究采用電感耦合等離子體刻
蝕法對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進行干法刻蝕，刻蝕氣體為氯氣，添加氣體為三氯化硼。研究了刻蝕氣體流量、電感耦合等離
子體功率、射頻功率和室壓等關(guān)鍵工藝參數(shù)對氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)刻蝕性
2023-02-22 15:45:411 郝躍院士長期從事新型寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件、微納米半導(dǎo)體器件與高可靠集成電路等方面的科學研究與人才培養(yǎng)。在氮化鎵∕碳化硅第三代(寬禁帶)半導(dǎo)體功能材料和微波器件、半導(dǎo)體短波長光電材料與器件研究和推廣、微納米CMOS器件可靠性與失效機理研究等方面取得了系統(tǒng)的創(chuàng)新成果。
2023-04-26 10:21:321473 由靜電荷積累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的靜電電壓帶來的危害可能擊穿柵極與襯底之間起絕緣作用的氧化物(或氮化物)薄層。這項危害在正常工作的電路中是很小的，因為柵極受片內(nèi)齊納二極管保護，它可使電荷損耗至安全水平。
2023-05-08 09:37:07827 
摘要：為了系統(tǒng)地了解氮化硼在填充聚合物導(dǎo)熱復(fù)合材料中的應(yīng)用研究現(xiàn)狀，介紹了聚合物／氮化硼復(fù)合材料的導(dǎo)熱機理，綜述了氮化硼的粒徑、含量、表面改性以及與其他填料雜化復(fù)合等因素對聚合物復(fù)合材料導(dǎo)熱性
2022-11-17 17:40:567645 
基于具有規(guī)則六邊形孔的納米圖案化氮化鋁AlN/藍寶石模板，藍寶石氮化預(yù)處理和解理面的有序橫向生長，保證了離散的氮化鋁AlN柱，以均勻的面外和面內(nèi)取向結(jié)合，有效地抑制了凝聚過程中穿透位錯threading dislocations的再生。
2023-06-25 16:26:111515 
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 eV連續(xù)可調(diào)，是制備藍綠光波段光電器件的優(yōu)選材料。
2023-08-04 11:47:572103 
GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
氮化鎵襯底是一種用于制造氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件的基板材料。GaN是一種III-V族化合物半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和高頻特性，適用于高功率、高頻率和高溫應(yīng)用。
使用氮化鎵襯底可以在上面
2023-08-22 15:17:315816 近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（AlN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
2023-08-29 14:37:292540 硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)規(guī)模商用?；诠?b class="flag-6" style="color: red">襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311829 
由于其獨特的材料特性，III族氮化物半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于電力、高頻電子和固態(tài)照明等領(lǐng)域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關(guān)蝕刻已經(jīng)被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷，并縮小垂直結(jié)構(gòu)。
2023-11-30 09:01:581043 
GaN和InGaN基化合物半導(dǎo)體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的情況下，在GaN和InGaN基材料上的濕法蝕刻是困難的，并且導(dǎo)致低的蝕刻速率和各向同性的蝕刻輪廓。
2023-12-05 14:00:221303 
GaN性能優(yōu)異，在光電子、微電子器件應(yīng)用廣泛，發(fā)展?jié)摿薮?；進一步發(fā)展，需提升材料質(zhì)量，制備高質(zhì)量氮化鎵同質(zhì)襯底。
2023-12-09 10:24:572079 三五族氮化物半導(dǎo)體材料，包括氮化鎵，氮化鋁，氮化銦及其它們的合金，以其獨特的直接帶隙半導(dǎo)體特性和從0.6eV到6.2eV連續(xù)可調(diào)禁帶寬度特點，非常適用于光電材料與器件的應(yīng)用開發(fā)和研究。
2023-12-21 09:46:331720 
來了解一下氮化鎵開關(guān)管的基本結(jié)構(gòu)。它由氮化鎵（GaN）和鋁鎵氮化物（AlGaN）等半導(dǎo)體材料組成，這些材料具有優(yōu)異的電特性，能夠?qū)崿F(xiàn)高電壓、高頻率和高功率的開關(guān)操作。而四個電極則起到了不同的作用。 首先是柵極（G）：柵極是氮化鎵開關(guān)管的控制電極，通過
2023-12-27 14:39:182374 III族氮化物半導(dǎo)體可用于固態(tài)照明、電源和射頻設(shè)備的節(jié)能。
2023-12-28 09:15:062283 
晶體管）結(jié)構(gòu)。GaN HEMT由以下主要部分組成： 襯底：氮化鎵功率器件的襯底采用高熱導(dǎo)率的材料，如氮化硅（Si3N4），以提高器件的熱擴散率和散熱能力。 二維電子氣層：氮化鎵襯底上生長一層氮化鎵，形成二維電子氣層。GaN材料的禁帶寬度大，由于
2024-01-09 18:06:416141 當前，人們正在致力于研發(fā)氮化鎵和其他III族氮化物的高功率、高頻率器件。
2024-01-11 09:50:461989 
近日，中國臺灣和遼寧省分別傳來好消息，兩家新的SiC（碳化硅）襯底工廠正式落成或正在積極推進中，合計年產(chǎn)能將達到7.2萬片。
在中國臺灣，SiC新玩家格棋化合物半導(dǎo)體于10月23日舉行
2024-10-25 11:20:281364 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場景中嶄露頭角，成為推動行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 
在當今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學與光學性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測量的準確性卻常常受到一個隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測量的精準度卻時刻面臨著一個來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強勁增長態(tài)勢。將這一材料體系擴展至更高電壓等級需要器件設(shè)計和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)了臺灣研究團隊在工程襯底上開發(fā)1500V擊穿
2025-05-28 11:38:15674 
8英寸碳化硅襯底工廠。 ? 得益于最早在電動汽車主驅(qū)逆變器上的大規(guī)模應(yīng)用，根據(jù)Yole的數(shù)據(jù)，ST是2022年全球碳化硅器件市場上份額最高的企業(yè)。而三安光電是國內(nèi)化合物半導(dǎo)體IDM龍頭，在LED業(yè)務(wù)之外，還在砷化鎵、氮化鎵、碳化硅等領(lǐng)域
2023-06-09 09:14:436410
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