K4T51163Q（三星DDR2）停產(chǎn)了怎么辦？

不少工程師發(fā)現(xiàn)，公司產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)突然采購(gòu)告知所用SD RAM缺貨或停產(chǎn)了，讓工程師重新找一個(gè)替代的型號(hào)，輕則找一個(gè)PIN TO PIN兼容的就完事了，重則需要重新改PCB或修改程序。從而增加了產(chǎn)品研發(fā)周期和費(fèi)用。因?yàn)樵趦?nèi)存行業(yè)里，因?yàn)槌杀镜膲毫?，快則7～8個(gè)月，慢則1年時(shí)間就會(huì)改版，縮小芯片die以降低成本。正因?yàn)檫@種快速的更新?lián)Q代，給工程師與采購(gòu)帶來了不少的麻煩。本文結(jié)合電子稱行業(yè)的應(yīng)用需求，下面給大家介紹一款長(zhǎng)壽命的Bordison SDRAM。

最近我的一個(gè)客戶也遇到了這樣的問題，在正常生產(chǎn)并且還要持續(xù)至少5年時(shí)間的老項(xiàng)目，在用的三星 DDR2市場(chǎng)上已經(jīng)買不到貨了，非常緊缺。。。幸好有英國(guó)班得斯記憶體有限公司的產(chǎn)品可以替換，Bordison以其不停產(chǎn)、長(zhǎng)壽命、交期短這一特色優(yōu)勢(shì)立足于內(nèi)存產(chǎn)業(yè)。提供給特殊行業(yè)客戶需要的長(zhǎng)生命周期、高兼容性的內(nèi)存產(chǎn)品。解決了因?yàn)轭l繁地對(duì)元器件進(jìn)行升級(jí)改版，而給工程設(shè)計(jì)人員造成大量設(shè)計(jì)工作的問題。班得斯（BORDISON）主要面向工業(yè)控制類客戶，廣泛用于通信設(shè)備、航天軍工、汽車電子、醫(yī)療器械、工業(yè)控制、儀器儀表、電力設(shè)備等領(lǐng)域。產(chǎn)品有SDRAM、DDR SDRAM、DDRII SDRAM、DDRIII SDRAM

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SDRAM(57363) SDRAM(57363)
三星電子(182956) 三星電子(182956)
DDR2(42350) DDR2(42350)

評(píng)論

DDR4價(jià)格瘋漲！現(xiàn)貨市場(chǎng)狂飆！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）前段時(shí)間，三星、SK海力士、美光等DRAM大廠已計(jì)劃陸續(xù)退出部分DDR4市場(chǎng)，將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM。由此引發(fā)DDR4供應(yīng)鏈波動(dòng)，同時(shí)在供給不足的擔(dān)憂

2025-06-19 00:54:00

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三星DDR5低調(diào)突破：原生速率突破7200Mbps

了三星自DDR2時(shí)代延續(xù)的命名傳統(tǒng)，不再以“K4”為前綴。這一變化背后，折射出三星在DDR5技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)中的新戰(zhàn)略布局

2026-01-02 05:53:00

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三星陶瓷電容的電壓系數(shù)對(duì)性能有何影響？

三星陶瓷電容的電壓系數(shù)對(duì)其性能有顯著影響，主要體現(xiàn)在電容值穩(wěn)定性、電路性能、可靠性及設(shè)計(jì)適配性等方面，具體分析如下：一、電壓系數(shù)對(duì)電容值穩(wěn)定性的影響三星陶瓷電容的電壓系數(shù)描述了其電容值隨外加電壓

2025-12-29 16:18:32

三星發(fā)布Exynos 2600，全球首款2nm SoC，NPU性能提升113%

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)

2025-12-25 08:56:00

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探索IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器

探索IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，擁有高性能且穩(wěn)定的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas的IDT74SSTUBF32866B就是

2025-12-24 16:30:09

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Renesas IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器詳解

Renesas IDT74SSTUBF32866B：DDR2的25位可配置寄存器緩沖器詳解在DDR2內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)中，一款合適的寄存器緩沖器至關(guān)重要。Renesas

2025-12-23 15:55:06

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三星美光缺貨怎么辦｜紫光國(guó)芯國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨供應(yīng)替代方案

如果你現(xiàn)在正面臨三星、美光存儲(chǔ)芯片缺貨的問題,不妨考慮下紫光國(guó)芯的產(chǎn)品。我們可以提供樣品測(cè)試、技術(shù)支持、批量供貨的全流程服務(wù)。具體產(chǎn)品選型、價(jià)格報(bào)價(jià)、交期確認(rèn),歡迎聯(lián)系咨詢貞光科技。海外大廠為什么會(huì)

2025-12-16 14:34:16

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安森美NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊深度解析

在電力電子領(lǐng)域，高效、可靠的功率模塊一直是工程師們追求的目標(biāo)。安森美（onsemi）的NXH400N100H4Q2F2系列三電平NPC Q2Pack模塊，憑借其卓越的性能和先進(jìn)的技術(shù)，成為了眾多應(yīng)用中的理想選擇。今天，我們就來深入剖析這款模塊，看看它究竟有何獨(dú)特之處。

2025-12-08 16:00:10

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onsemi三電平ANPC Q2Pack模塊：NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G與NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G的詳細(xì)解析

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率模塊對(duì)于設(shè)計(jì)的成功至關(guān)重要。今天，我們就來深入探討一下onsemi推出的三電平ANPC Q2Pack模塊——NXH800A100L4Q2F2S1G/P1G和NXH800A100L4Q2F2S2G/P2G，看看它們有哪些獨(dú)特的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-12-04 15:51:49

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探索 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊的卓越性能

在電子工程領(lǐng)域，功率模塊的性能直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 推出的 NXH80T120L2Q0S2G/S2TG, NXH80T120L2Q0P2G 功率模塊，看看它有哪些獨(dú)特之處。

2025-12-04 10:35:53

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三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold

2025年12月2日，三星電子正式發(fā)布Galaxy Z TriFold，進(jìn)一步鞏固了三星在移動(dòng)AI時(shí)代中針對(duì)形態(tài)創(chuàng)新的行業(yè)優(yōu)勢(shì)。

2025-12-03 17:46:22

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使用AXI4接口IP核進(jìn)行DDR讀寫測(cè)試

本章的實(shí)驗(yàn)任務(wù)是在 PL 端自定義一個(gè) AXI4 接口的 IP 核，通過 AXI_HP 接口對(duì) PS 端 DDR3 進(jìn)行讀寫測(cè)試，讀寫的內(nèi)存大小是 4K 字節(jié)。

2025-11-24 09:19:42

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?基于NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊的技術(shù)解析

安森美 (onsemi) NXH600N65L4Q2F2 IGBT三電平NPC逆變器模塊是一款功率模塊，其中包含一個(gè)I型中性點(diǎn)鉗位三電平逆變器。集成式場(chǎng)截止溝槽型IGBT和FRD可降低開關(guān)損耗和導(dǎo)

2025-11-21 14:31:46

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三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)

三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。

2025-11-19 15:34:34

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0201三星貼片電容的優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用

三星0201貼片電容憑借0.50mm×0.25mm的極致尺寸(部分批次為0.6mm×0.3mm)，在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)高性能集成，成為推動(dòng)電子設(shè)備小型化與功能升級(jí)的關(guān)鍵元件。 0201三星貼片電容的優(yōu)勢(shì)

2025-11-12 15:10:23

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利用蜂鳥E203搭建SoC【4】——DDR200T內(nèi)存擴(kuò)展

對(duì)應(yīng)的DDR3型號(hào)。注意：此處不可隨便選，DDR3型號(hào)不對(duì)應(yīng)無法工作！Nuclei DDR200T FPGA開發(fā)板使用的是MT41K128M16JT-125K，配置如下： 3. Input Clock

2025-10-29 07:16:34

DDR200T中DDR的使用與時(shí)序介紹

DDR使用在我們的項(xiàng)目中，我們使用的是芯來科技的DDR200T開發(fā)板，我們通過調(diào)用板上的DDR3 IP核完成如下表的配置，配置完成后例化該DDR3，然后利用DMA和VDMA作為數(shù)據(jù)的緩沖模塊，將

2025-10-28 07:24:01

三星出擊！首款XR頭顯Galaxy XR登場(chǎng)，AI智能眼鏡蓄勢(shì)待發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）近日，三星推出首款混合現(xiàn)實(shí)頭顯——Galaxy XR，由此正式進(jìn)軍XR（擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)）市場(chǎng)。該設(shè)備售價(jià)1800美元（約合12,820元人民幣），已在韓國(guó)和美國(guó)市場(chǎng)發(fā)售。三星

2025-10-23 09:15:13

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DDR200T中的DDR3的使用配置

蜂鳥DDR200T中DDR3的ip配置案列，提供DDR3引腳配置。具體參數(shù)可更具項(xiàng)目實(shí)際更改。這里選用的axi接口在賽靈思的IP配置中沒有MT41K28M6JT-125K內(nèi)存的信息，因此選用

2025-10-21 11:19:08

三星正式啟動(dòng)DDR4模組停產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，PC廠商加速轉(zhuǎn)向DDR5，供應(yīng)鏈掀搶貨潮

三星近期已向全球 OEM 客戶發(fā)出正式函件，明確旗下 DDR4 模組將于 2025 年底進(jìn)入產(chǎn)品壽命結(jié)束（EOL）階段，最后訂購(gòu)日期定于 6 月上旬，最后出貨日期則為 12 月 10 日。此次停產(chǎn)

2025-10-14 17:11:37

1033

回收DDR內(nèi)存芯片收購(gòu)DDR全新拆機(jī)帶板

回收DDR2，回收DDR3，收購(gòu)DDR2，收購(gòu)DDR3 DDR4 DDR5長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR，回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2

2025-10-09 14:15:34

?TPS51200A-Q1 器件技術(shù)文檔總結(jié)

20 μF。該器件支持遙感功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線端接的所有電源要求。

2025-09-09 14:28:07

713

今日看點(diǎn)丨三星美國(guó)廠2nm產(chǎn)線運(yùn)作；《人工智能生成合成內(nèi)容標(biāo)識(shí)辦法》正式生效

三星美國(guó)廠2nm 產(chǎn)線運(yùn)作美國(guó)2nm晶圓代工廠近期再添生力軍，在特斯拉高階主管親自赴廠區(qū)督軍下，原本暫緩的三星美國(guó)德州新廠2nm產(chǎn)線近期傳出繼續(xù)運(yùn)作，業(yè)界已傳出力拼明年2026年內(nèi)量產(chǎn)目標(biāo)。臺(tái)積電

2025-09-02 11:26:51

1510

傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證，量產(chǎn)在即

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)報(bào)道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個(gè)月向英偉達(dá)提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測(cè)試，將于本月底進(jìn)入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達(dá)最后的驗(yàn)證步驟，最早可能在11月或12月

2025-08-23 00:28:00

7162

三星最新消息：三星將在美國(guó)工廠為蘋果生產(chǎn)芯片三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅

給大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">三星的最新消息：三星將在美國(guó)工廠為蘋果生產(chǎn)芯片據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息，在新聞稿中

2025-08-07 16:24:08

1288

曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單

我們來看看三星的最新消息：曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測(cè)試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High

2025-07-31 19:47:07

1591

三星第四代無線充電器能充三星手表s4嗎?

三星第四代無線充電器兼容性存疑，需搭配特定功率充電，替代方案如Trio充電器更優(yōu)。

2025-07-29 08:40:00

1049

預(yù)定破百萬！三星推出史上最輕薄折疊手機(jī)，破解市場(chǎng)放緩魔咒

7月9日，三星正式發(fā)布了新一代折疊屏旗艦手機(jī)Galaxy Z Fold7、Galaxy Z Flip7同步亮相的還有面向大眾市場(chǎng)的Galaxy Z Flip7 FE。相比上一代產(chǎn)品，Galaxy

2025-07-23 09:38:07

8892

K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4數(shù)據(jù)手冊(cè)

三星 K4F6E3S4HM-MGCJ LPDDR4

2025-07-21 14:47:09

Cadence擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作

楷登電子（美國(guó) Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作，包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議，在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)

2025-07-10 16:44:04

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三星Q2凈利潤(rùn)暴跌56%：代工遇冷，HBM業(yè)務(wù)受挫

（電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道文/章鷹） 7月8日，三星電子發(fā)布初步業(yè)績(jī)預(yù)測(cè)，由于芯片業(yè)務(wù)低迷和智能手機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)激烈，第二季度凈利潤(rùn)下滑56%，達(dá)到4.59萬億韓元（34億美元），這是2023年以來首次出現(xiàn)

2025-07-09 00:19:00

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看點(diǎn)：三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 星動(dòng)紀(jì)元宣布完成近5億元A輪融資

給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊：三星電子Q2利潤(rùn)預(yù)計(jì)重挫39% 由于三星向英偉達(dá)供應(yīng)先進(jìn)存儲(chǔ)芯片延遲，三星預(yù)計(jì)將公布4-6月營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6.3萬億韓元（約46.2億美元；三星電子打算在周二公布初步的業(yè)績(jī)數(shù)據(jù)

2025-07-07 14:55:29

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購(gòu)買三星車規(guī)電容(MLCC)，為什么選擇代理商貞光科技？

作為三星MLCC授權(quán)代理商，我們貞光科技深耕汽車電子領(lǐng)域多年，見證了新能源汽車市場(chǎng)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。車規(guī)級(jí)MLCC需求激增，選擇專業(yè)可靠的代理商變得至關(guān)重要。三星車規(guī)MLCC——貞光科技核心代理產(chǎn)品技術(shù)

2025-07-01 15:53:42

738

漲價(jià)！部分DDR4與DDR5價(jià)差已達(dá)一倍！

，近期同樣規(guī)格的16Gb產(chǎn)品中，DDR4 16Gb（1GX16）與DDR5 16G（2Gx8）的價(jià)格差距已達(dá)到1倍。 ? CFM閃存市場(chǎng)表示，去年三

2025-06-27 00:27:00

4539

請(qǐng)問STM32U5不支持ST-LINK v2怎么辦？

STM32U5不支持ST-LINK v2怎么辦？

2025-06-09 07:59:41

回收三星S21指紋排線適用于三星系列指紋模組

深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購(gòu)適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購(gòu)三星指紋排線，全國(guó)高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購(gòu)指紋排線。回收三星S系列指紋排線，回收指紋模組，回收三星

2025-05-19 10:05:30

詳細(xì)解讀三星的先進(jìn)封裝技術(shù)

集成電路產(chǎn)業(yè)通常被分為芯片設(shè)計(jì)、芯片制造、封裝測(cè)試三大領(lǐng)域。其中，芯片制造是集成電路產(chǎn)業(yè)門檻最高的行業(yè)，目前在高端芯片的制造上也只剩下臺(tái)積電（TSMC）、三星（SAMSUNG）和英特爾（Intel）三家了。

2025-05-15 16:50:18

1526

看點(diǎn)：三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20% 華為與優(yōu)必選全面合作具身智能

給大家?guī)硪恍I(yè)界資訊：三星DDR4內(nèi)存漲價(jià)20%? 存儲(chǔ)器價(jià)格跌勢(shì)結(jié)束，在2025年一季度和第二季度，價(jià)格開始企穩(wěn)反彈。據(jù)TrendForce報(bào)道稱，三星公司DDR4內(nèi)存開始漲價(jià)，在本月初三星

2025-05-13 15:20:11

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DDR4漲價(jià)20%，DDR5上調(diào)5%！

最新消息，三星電子本月初與主要客戶就提高DRAM芯片售價(jià)達(dá)成一致。DDR4 DRAM價(jià)格平均上漲兩位數(shù)百分比；DDR5價(jià)格上漲個(gè)位數(shù)百分比。據(jù)稱 DDR4 上調(diào) 20%，DDR5 上調(diào)約 5

2025-05-13 01:09:00

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三星貼片電容的選型指南與應(yīng)用場(chǎng)景

電路或系統(tǒng)對(duì)電容的具體要求，包括電容值、額定電壓、工作溫度和頻率等。電容值決定了電容的存儲(chǔ)電荷能力，而額定電壓則決定了電容在正常工作條件下能夠承受的最大電壓。選擇封裝尺寸：三星貼片電容按照行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)，提供了

2025-05-07 14:24:43

650

三星電子Q1營(yíng)業(yè)利潤(rùn)小幅增長(zhǎng) 但人工智能芯片同比下降達(dá)到42%

此前分析師預(yù)測(cè)的6.4萬億韓元。據(jù)三星電子在4月30日公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，三星電子在2025年第一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)和營(yíng)收均超分析師此前的預(yù)期，三星電子在2025年第一季度達(dá)到營(yíng)收79.1萬億韓元，同比增長(zhǎng)10%，高于分析師此前預(yù)測(cè)的78.1萬億韓元。三星電子Q1營(yíng)

2025-04-30 15:34:33

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LP2996-N 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器，帶 DDR2 關(guān)斷引腳數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2996-N 和 LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 終止規(guī)范。該器件還支持 DDR2，而 LP2996A 支持 DDR3 和 DDR

2025-04-29 18:11:05

834

TPS51116 完整的DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉

2025-04-29 16:38:02

1031

DDR模塊的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在高速PCB設(shè)計(jì)中，DDR模塊是絕對(duì)繞不過去的一關(guān)。無論你用的是DDR、DDR2還是DDR3，只要設(shè)計(jì)不規(guī)范，后果就是——信號(hào)反射、時(shí)序混亂、系統(tǒng)頻繁死機(jī)。

2025-04-29 13:51:03

2491

TPS51200-Q1 汽車目錄灌電流/拉電流 DDR 端接穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

只需要 20 μF 的最小輸出電容。TPS51200-Q1 器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。

2025-04-28 16:21:07

852

TPS59116 完整的 DDR、DDR2 和 DDR3 存儲(chǔ)器電源解決方案，用于嵌入式計(jì)算的同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS59116 為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18 和 DDR3 內(nèi)存提供完整的電源系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 3A 灌電流/拉電流跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩沖低噪聲基準(zhǔn)集成在一起

2025-04-28 13:54:45

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TPS51216 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器、2A LDO、緩沖基準(zhǔn)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51216 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器（VDDQ）與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT）和緩

2025-04-28 11:09:05

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TPS51916 DDR2/3/3L/4 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51916 器件以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它集成了同步降壓穩(wěn)壓控制器（VDDQ），具有 2A 灌電流和 2A 源跟蹤 LDO （VTT）和緩沖低噪聲基準(zhǔn) （VTTREF）。

2025-04-28 10:58:44

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TPS51116-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品 DDR1、DDR2、DDR3 切換器和 LDO數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51116為 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、和 LPDDR3 內(nèi)存系統(tǒng)。它將同步降壓控制器與 1A 灌電流/拉電流集成在一起跟蹤線性穩(wěn)壓器和緩

2025-04-27 13:35:32

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TPS51716 完整的 DDR2/3/3L/4 存儲(chǔ)器電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51716為 DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 提供完整的電源以最低的總成本和最小空間實(shí)現(xiàn)內(nèi)存系統(tǒng)。它集成了一個(gè)同步降壓具有 2A 灌電流/拉電流跟蹤 LDO

2025-04-27 11:36:05

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FPGA的Jtag接口燒了，怎么辦？

在展開今天的文章前，先來討論一個(gè)問題：FPGA的jtag接口燒了怎么辦？JTAG接口的輸入引腳通常設(shè)計(jì)為高阻抗，這使得它們對(duì)靜電電荷積累非常敏感，由于JTAG接口需要頻繁連接調(diào)試器、下載線纜等外

2025-04-27 11:01:56

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LP2998-Q1 用于汽車應(yīng)用的 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2998 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 和 JEDEC SSTL-18 標(biāo)準(zhǔn) DDR-SDRAM 和 DDR2 內(nèi)存終止的規(guī)范。該器件還支持 DDR3 和 DDR3L VTT

2025-04-27 09:40:04

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LP2996A 1.5A DDR 終端穩(wěn)壓器，帶關(guān)斷引腳，用于 DDR2/3/3L數(shù)據(jù)手冊(cè)

LP2996A 線性穩(wěn)壓器旨在滿足 JEDEC SSTL-2 規(guī)范 DDR-SDRAM 終止。該器件還支持 DDR2、DDR3 和 DDR3L VTT 總線端接，帶 V~DDQ~最小為 1.35V

2025-04-26 15:02:50

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TPS51216-EP 增強(qiáng)型產(chǎn)品完整的 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS51216-EP 以最低的總成本和最小的空間為 DDR2、DDR3 和 DDR3L 內(nèi)存系統(tǒng)提供完整的電源。它將同步降壓穩(wěn)壓控制器（VDDQ）與 2A 灌/拉跟蹤 LDO （VTT）和緩

2025-04-26 11:12:30

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TPS51200-EP 灌電流/拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

只需要最小輸出電容為 20 μF。TPS51200-EP 支持遙感功能和所有功率要求用于 DDR、DDR2、DDR3、低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端。

2025-04-26 10:26:35

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TPS51200A-Q1 灌電流和拉電流 DDR 終端穩(wěn)壓器數(shù)據(jù)手冊(cè)

的最小輸出電容。該器件支持遠(yuǎn)程感應(yīng)功能以及 DDR、DDR2、DDR3 以及低功耗 DDR3 和 DDR4 VTT 總線終端的所有電源要求。

2025-04-25 10:07:15

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今日看點(diǎn)丨美國(guó)宣布：征收高達(dá)3403%關(guān)稅??；傳三星停產(chǎn)DDR4

改進(jìn)EUV光刻制造技術(shù)。與此同時(shí)，三星還獲得了High-NA EUV光刻設(shè)備技術(shù)的優(yōu)先權(quán)。 ? 據(jù)外媒報(bào)道，ASML現(xiàn)在似乎放棄了與三星的合作建設(shè)半導(dǎo)體芯片研究設(shè)施，開始將早期購(gòu)買的土地出售。據(jù)了解，ASML在去年購(gòu)入了6塊土地，總面積達(dá)到了約19000平方米，其中2塊已

2025-04-22 11:06:00

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三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測(cè)試良率

三星電子在 HBM3 時(shí)期遭遇了重大挫折，將 70% 的 HBM 內(nèi)存市場(chǎng)份額拱手送給主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 SK 海力士，更是近年來首度讓出了第一大 DRAM 原廠的寶座。這迫使三星在 HBM4 上采用

2025-04-18 10:52:53

三星辟謠晶圓廠暫停中國(guó)業(yè)務(wù)

對(duì)于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國(guó)業(yè)務(wù)，三星下場(chǎng)辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號(hào)發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國(guó)部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，三星仍在正常開展與這些公司的合作。而且有媒體報(bào)道稱瑞芯微公司等合作客戶也表示與三星的相關(guān)工作在正常推進(jìn)。

2025-04-10 18:55:33

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DDR3 SDRAM配置教程

DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate ThreeSynchronous Dynamic Random Access Memory)是DDR SDRAM的第三代產(chǎn)品，相較于DDR2，DDR3有更高的運(yùn)行性能與更低的電壓。

2025-04-10 09:42:53

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三星以生態(tài)之力，共筑AI未來

在日前舉行的2025年博鰲亞洲論壇年會(huì)上，人工智能議題再度成為關(guān)注的熱點(diǎn)。在這場(chǎng)關(guān)乎未來競(jìng)爭(zhēng)力的探討中，三星憑借科技實(shí)力，在人工智能領(lǐng)域前瞻布局，通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新，展現(xiàn)了其在推動(dòng)AI發(fā)展方面的堅(jiān)定

2025-03-28 15:43:46

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2025三星家電新品發(fā)布會(huì)成功舉行

近日，2025三星家電新品發(fā)布會(huì)成功舉行，煥新推出2025 Neo QLED 8K/4K、OLED與新款The Frame畫壁藝術(shù)電視，以及AI神系列生活家電、顯示器旗艦新品等全系生態(tài)產(chǎn)品。三星以

2025-03-25 14:42:28

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千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝

次公開了?SF1.4（1.4nm?級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì)?2027?年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4?將納米片的數(shù)量從?3?個(gè)增加到?4?個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星

2025-03-23 11:17:40

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千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?

次公開了 SF1.4（1.4nm 級(jí)別）工藝，原預(yù)計(jì) 2027 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。按照三星當(dāng)時(shí)的說法，SF1.4 將納米片的數(shù)量從 3 個(gè)增加到 4 個(gè)，有望顯著改善芯片在性能和功耗方面的表現(xiàn)。? ? 三星

2025-03-22 00:02:00

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三星貼片電容封裝與體積大小對(duì)照詳解

在現(xiàn)代電子制造業(yè)中，貼片電容作為電子元件的重要組成部分，其封裝形式與體積大小對(duì)于電路板的布局、性能及生產(chǎn)效率具有重要影響。三星作為全球知名的電子元器件供應(yīng)商，其貼片電容產(chǎn)品系列豐富，封裝多樣，滿足了

2025-03-20 15:44:59

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三星電容的MLCC技術(shù)有哪些優(yōu)勢(shì)？

三星電容的MLCC(多層陶瓷電容器)技術(shù)具有顯著優(yōu)勢(shì)，這些優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：一、介質(zhì)材料技術(shù)的突破高介電常數(shù)陶瓷材料：三星采用具有高介電常數(shù)的陶瓷材料，如BaTiO?、Pb(Zr,Ti

2025-03-13 15:09:06

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曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片

據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝

2025-03-12 16:07:17

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DDR內(nèi)存控制器的架構(gòu)解析

DDR內(nèi)存控制器是一個(gè)高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計(jì)的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。

2025-03-05 13:47:40

3573

三星電容的耐壓與容量，如何滿足不同電路需求？

所能承受的最大直流電壓，就是電容的耐壓，也叫做電容的直流工作電壓。在交流電路中，所加的交流電壓最大值不能超過電容的直流工作電壓值。 2、耐壓值的表示方法：直接標(biāo)注：三星電容上可能直接標(biāo)注耐壓值，如“50V”表示電容的

2025-03-03 15:12:57

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DLP Discovery 4100的DDR2存儲(chǔ)器的疑問求解

我看了一下所購(gòu)買的評(píng)估開發(fā)板，上面帶有DDR2的接口，我想使用DDR2來進(jìn)行存儲(chǔ)，但是沒有找到接口相關(guān)的引腳文件，ucf文件中也沒有DDR2相關(guān)的引腳

2025-02-28 08:42:16

三星推出抗量子芯片正在準(zhǔn)備發(fā)貨

三星半導(dǎo)體部門宣布已成功開發(fā)出名為S3SSE2A的抗量子芯片，目前正積極準(zhǔn)備樣品發(fā)貨。這一創(chuàng)新的芯片專門設(shè)計(jì)用以保護(hù)移動(dòng)設(shè)備中的關(guān)鍵數(shù)據(jù)，用以抵御量子計(jì)算可能帶來的安全威脅。據(jù)悉，三星

2025-02-26 15:23:28

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DDR4或年內(nèi)停產(chǎn)，三大廠商引發(fā)內(nèi)存市場(chǎng)變局

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，日前，日媒報(bào)道由于DRAM內(nèi)存芯片價(jià)格持續(xù)下滑，全球三大原廠三星、SK海力士和美光計(jì)劃在2025年停產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片。 ? 數(shù)據(jù)顯示，2025年1月，DDR4 8Gb顆粒

2025-02-21 00:10:00

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面向未來三星構(gòu)建移動(dòng)安全防護(hù)體系

近期，三星全新上市的Galaxy S25系列，在數(shù)據(jù)安全與隱私保護(hù)領(lǐng)域進(jìn)行了深入的創(chuàng)新實(shí)踐。通過硬件級(jí)安全架構(gòu)與創(chuàng)新加密技術(shù)的深度融合，三星構(gòu)建了面向未來的移動(dòng)安全防護(hù)體系，不僅重新定義了智能手機(jī)

2025-02-20 16:08:11

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三星電視連續(xù)19年銷量奪冠

三星公司于2月18日正式宣布，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omida的最新數(shù)據(jù)，三星再次穩(wěn)居全球電視品牌銷量榜首，這一輝煌成就已經(jīng)連續(xù)保持了19年。數(shù)據(jù)顯示，2024年三星在全球電視市場(chǎng)中的份額高達(dá)28.3

2025-02-19 11:43:56

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三大內(nèi)存原廠或?qū)⒂?025年停產(chǎn)DDR3/DDR4

據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級(jí)平臺(tái)的更新?lián)Q代

2025-02-19 11:11:51

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三星與英偉達(dá)高層會(huì)晤，商討HBM3E供應(yīng)

近期，三星電子設(shè)備解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人兼副董事長(zhǎng)全永鉉(Jun Young-hyun)與英偉達(dá)公司CEO黃仁勛，在加利福尼亞州桑尼維爾的英偉達(dá)總部舉行了一次重要會(huì)議。此次會(huì)議聚焦于三星電子改進(jìn)

2025-02-18 11:00:38

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三星調(diào)整1cnm DRAM設(shè)計(jì)，力保HBM4量產(chǎn)

據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子正面臨其第六代1cnm DRAM的良品率挑戰(zhàn)，為確保HBM4內(nèi)存的順利量產(chǎn)，公司決定對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大調(diào)整。

2025-02-13 16:42:51

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三星Galaxy S25系列中國(guó)市場(chǎng)正式發(fā)布

以及三星Galaxy S25，旨在滿足不同消費(fèi)者對(duì)高端智能手機(jī)的需求。作為三星Galaxy系列的最新力作，S25系列搭載了升級(jí)的Galaxy AI1，這一創(chuàng)新技術(shù)讓智能手機(jī)成為了用戶貼心的AI伙伴

2025-02-12 11:18:22

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三星中國(guó)公司高層調(diào)整，李大成接任新帥

近日，三星(中國(guó))投資有限公司發(fā)生了一系列工商變更，其中最為引人注目的是公司法定代表人、董事長(zhǎng)及經(jīng)理職務(wù)的變動(dòng)。據(jù)官方消息，崔勝植已正式卸任上述職務(wù)，由李大成接任，這一變動(dòng)標(biāo)志著三星中國(guó)公司進(jìn)入了一

2025-02-10 13:48:43

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三星宣布大規(guī)模汽車召回計(jì)劃

近日，三星宣布了一項(xiàng)大規(guī)模的汽車召回計(jì)劃，此次召回涉及福特、奧迪以及Stellantis旗下的共計(jì)180,196輛汽車。這些車輛因搭載了存在故障風(fēng)險(xiǎn)的三星高壓電池組，有可能導(dǎo)致火災(zāi)事故的發(fā)生，因此被

2025-02-10 09:32:13

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三星進(jìn)軍玻璃基板市場(chǎng)，尋求供應(yīng)鏈合作

近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即進(jìn)軍半導(dǎo)體玻璃基板市場(chǎng)。據(jù)悉，三星電子正在積極與多家材料、零部件、設(shè)備（特別是中小型設(shè)備）公司尋求合作，以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體玻璃基板的商業(yè)化生產(chǎn)。

2025-02-08 14:32:03

930

三星電子第四季度凈利潤(rùn)超預(yù)期

近日，三星電子發(fā)布了其2024年第四季度的財(cái)務(wù)報(bào)告。數(shù)據(jù)顯示，該季度三星電子的銷售額達(dá)到了75.79萬億韓元，表現(xiàn)強(qiáng)勁。同時(shí)，其凈利潤(rùn)也達(dá)到了7.58萬億韓元，這一數(shù)字超出了市場(chǎng)此前的預(yù)估

2025-02-05 14:56:10

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三星電子與谷歌聯(lián)手研發(fā)AR眼鏡

近日，三星電子在美國(guó)加州圣何塞成功舉辦了其一年一度的“Galaxy Unpacked”發(fā)布會(huì)。會(huì)上，三星電子不僅推出了備受期待的新旗艦“Galaxy S25”系列手機(jī)，還展示了與谷歌共同研發(fā)

2025-01-24 10:22:43

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三星大幅削減2025年晶圓代工投資

近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策，將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露，與上一年相比，此次削減幅度將超過一半。具體來說，三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬億韓元

2025-01-23 14:36:19

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三星2025年晶圓代工投資減半

近日，據(jù)最新報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元，削減幅度高達(dá)50%。此次投資削減主要集中在韓國(guó)的兩大工廠：平澤P2

2025-01-23 11:32:15

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三星否認(rèn)重新設(shè)計(jì)1b DRAM

據(jù)DigiTimes報(bào)道，三星電子對(duì)重新設(shè)計(jì)其第五代10nm級(jí)DRAM（1b DRAM）的報(bào)道予以否認(rèn)。此前，ETNews曾有報(bào)道稱，三星電子內(nèi)部為解決12nm級(jí)DRAM內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能

2025-01-23 10:04:15

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三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期

據(jù)韓媒MoneyToday報(bào)道，三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時(shí)間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動(dòng)可能對(duì)三星在HBM4

2025-01-22 14:27:24

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三星SF4X先進(jìn)制程獲IP生態(tài)關(guān)鍵助力

半導(dǎo)體互聯(lián)IP企業(yè)Blue Cheetah于美國(guó)加州當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月21日宣布，其新一代BlueLynx D2D裸晶對(duì)裸晶互聯(lián)PHY物理層芯片在三星Foundry的SF4X先進(jìn)制程上成功流片。三星

2025-01-22 11:30:15

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三星貼片電容的最小包裝探討

包裝，以幫助用戶更好地了解這一產(chǎn)品。三星貼片電容提供多種封裝尺寸供選擇，如0201、0402、0603、0805、1206等。這些封裝尺寸決定了電容的物理大小和安裝方式，通常以英寸或毫米為單位表示。例如，1206封裝尺寸的電容，其長(zhǎng)度約為

2025-01-21 16:02:26

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臺(tái)積電拒絕為三星代工Exynos芯片

與臺(tái)積電合作，以提升其Exynos芯片的生產(chǎn)質(zhì)量和產(chǎn)量。然而，就在昨日，Jukanlosreve更新了這一事件的最新進(jìn)展。據(jù)其透露，臺(tái)積電已經(jīng)正式拒絕了三星的代工請(qǐng)求，不會(huì)為三星生產(chǎn)Exynos處理器。這一決定無疑給三星的芯片生產(chǎn)計(jì)劃帶來了不小的挑戰(zhàn)。臺(tái)積電作為全球領(lǐng)先的

2025-01-17 14:15:52

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諾基亞與三星正式達(dá)成多年專利許可合作

近日，諾基亞宣布了一項(xiàng)與三星達(dá)成的多年專利許可協(xié)議。該協(xié)議標(biāo)志著兩家科技巨頭在專利交叉授權(quán)領(lǐng)域的新一輪合作，特別是針對(duì)電視視頻技術(shù)的使用。據(jù)諾基亞于1月15日發(fā)布的聲明顯示，三星將在其電視產(chǎn)品中

2025-01-17 09:50:18

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三星2025年二季度將量產(chǎn)三折疊手機(jī)

近日，韓媒The Elec發(fā)布了一篇博文，披露了三星在智能手機(jī)領(lǐng)域的一項(xiàng)新動(dòng)向。據(jù)該報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年第2季度正式量產(chǎn)其首款三折疊手機(jī)，這一創(chuàng)新產(chǎn)品預(yù)計(jì)將在市場(chǎng)上引發(fā)廣泛關(guān)注。報(bào)道進(jìn)一步

2025-01-15 15:42:50

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三星推出全新無線充電芯片S2MIW06，支持最高50W無線快充

備反向無線充電功能，為用戶提供了更高效便捷的無線充電解決方案。作為無線充電技術(shù)領(lǐng)域的又一重要里程碑，三星S2MIW06芯片將無線充電功率提升至最高50W，這將使充電

2025-01-15 11:06:00

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三星發(fā)布Vision AI，打造個(gè)性化AI屏幕體驗(yàn)

定制化的屏幕內(nèi)容和交互體驗(yàn)。與此同時(shí)，三星還發(fā)布了最新旗艦款Neo QLED 8K QN950F，并在

2025-01-14 14:58:57

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三星電子削減NAND閃存產(chǎn)量

價(jià)格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下，三星電子面臨著巨大的壓力，難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。據(jù)報(bào)道，SK海力士正在積極增加NAND閃存的供應(yīng)規(guī)模，這無疑加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。面對(duì)如此激烈的競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境，三星電子不得不重新審視自身的生產(chǎn)策略

2025-01-14 14:21:24

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三星發(fā)布Vision AI等多項(xiàng)創(chuàng)新

近日，三星在美國(guó)舉辦的2025 年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES 2025）“First Look”活動(dòng)上，發(fā)布了三星Vision AI，旨在為用戶的日常生活帶來個(gè)性化的 AI屏幕體驗(yàn)。

2025-01-14 11:47:56

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2024年全球智能手機(jī)銷量回暖，三星蘋果領(lǐng)跑市場(chǎng)

2024年，全球智能手機(jī)銷量實(shí)現(xiàn)了4%的同比增長(zhǎng)，成功扭轉(zhuǎn)了連續(xù)兩年的下滑趨勢(shì)，標(biāo)志著智能手機(jī)行業(yè)正式走出低谷，迎來復(fù)蘇。盡管市場(chǎng)環(huán)境有所改善，但全球智能手機(jī)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)格局并未發(fā)生顯著變化。三星

2025-01-14 10:09:56

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如何識(shí)別三星貼片電容包裝上的條碼？

在電子元件領(lǐng)域，三星貼片電容以其高品質(zhì)和穩(wěn)定性著稱。然而，在采購(gòu)和使用這些元件時(shí)，正確識(shí)別其包裝上的條碼信息至關(guān)重要。條碼不僅包含了產(chǎn)品的基本信息，還是追溯產(chǎn)品質(zhì)量、生產(chǎn)日期以及批次的重要依據(jù)。本文

2025-01-08 14:48:51

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三星電子Q4利潤(rùn)增長(zhǎng)預(yù)計(jì)放緩，受英偉達(dá)AI芯片需求影響

據(jù)外媒最新報(bào)道，三星電子預(yù)計(jì)其第四季度的利潤(rùn)增長(zhǎng)將呈現(xiàn)放緩趨勢(shì)，主要原因在于難以滿足英偉達(dá)對(duì)人工智能(AI)芯片的強(qiáng)勁市場(chǎng)需求。三星電子已發(fā)布預(yù)測(cè)，其截至12月的季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將達(dá)到8.2萬億韓元

2025-01-08 14:33:07

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