電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）芯片，一直被譽為 人類智慧、工程協(xié)作與精密制造的集大成者 ，而制造芯片的重要設(shè)備光刻機就是 雕刻這個結(jié)晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠，還需要光刻膠、掩膜版以及
2025-10-28 08:53:35
6234 ，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團隊在中紅外光譜合束光柵研究方面取得新進展，相關(guān)研究成果以“Robust volcano-shaped gold-coated
2025-12-24 06:38:3830 
、5G網(wǎng)絡(luò)、衛(wèi)星通信、激光雷達等領(lǐng)域。近期，蘇州納米所納米加工平臺基于在InP材料外延、器件設(shè)計、器件制備等方面的積累在InP基半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域取得了重要進展。 進展1：低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優(yōu)勢已成為光纖
2025-12-23 06:50:0529 
從協(xié)議到實踐——EtherNet/IP與NetStaX的最新進展
2025-12-19 15:26:55990 
2025年半導(dǎo)體芯片技術(shù)多領(lǐng)域創(chuàng)新突破，應(yīng)用前景無限 概述 近期，半導(dǎo)體芯片技術(shù)在硬件與軟件優(yōu)化、量子計算、設(shè)計工具、汽車與消費電子應(yīng)用等多個關(guān)鍵領(lǐng)域取得顯著進展。臺積電等領(lǐng)軍企業(yè)技術(shù)突破，以及AI
2025-12-17 11:18:42887 收購湖北三峽實驗室重大科技成果“光刻膠用光引發(fā)劑制備專有技術(shù)及實驗設(shè)備所有權(quán)”，標志著我國在這一關(guān)鍵材料領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破性進展。 ? “這不僅是一項技術(shù)成果的市場轉(zhuǎn)化，更是我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進程中的重要突破?！睒I(yè)內(nèi)專家
2025-12-17 09:16:275950 在半導(dǎo)體制造過程中，晶圓去膠工藝之后確實需要進行清洗和干燥步驟。以下是具體介紹：一、清洗的必要性去除殘留物光刻膠碎片：盡管去膠工藝旨在完全去除光刻膠，但在實際操作中，可能會有一些微小的光刻膠顆粒殘留
2025-12-16 11:22:10110 
在Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2025) 上，Soitec 的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計經(jīng)理 Eric Guiot 代表 Soitec 分享了我們在碳化硅（SiC）技術(shù)方面的最新進展。
2025-12-13 15:50:181689 11月26日，立訊精密在最新的投資者關(guān)系活動記錄中披露了在人形機器人領(lǐng)域的最新進展。
2025-12-03 14:50:35817 在芯片制造這場微觀世界的雕刻盛宴中，光刻膠（PR）如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫筆，在硅片這片“晶圓畫布”上勾勒出億萬個晶體管組成的復(fù)雜電路。然而，這支“畫筆”卻成了中國芯片產(chǎn)業(yè)最難突破的瓶頸之一：
2025-11-29 09:31:004623 
晶圓邊緣曝光（WEE）作為半導(dǎo)體制造關(guān)鍵精密工藝，核心是通過光刻膠光化學反應(yīng)去除晶圓邊緣多余膠層，從源頭減少污染、提升產(chǎn)品良率。文章聚焦其四階段工作流程、核心參數(shù)要求及光機電協(xié)同等技術(shù)難點。友思特
2025-11-27 23:40:39243 
Labs（芯科科技）亞太區(qū)業(yè)務(wù)副總裁王祿銘、中國大陸區(qū)總經(jīng)理周巍及臺灣區(qū)總經(jīng)理寶陸格就公司技術(shù)路線、產(chǎn)品策略及市場趨勢回答了媒體提問。三位高管圍繞安全認證、無線連接、邊緣計算等議題，介紹了公司在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的最新進展。
2025-11-13 10:48:13946 如有雷同或是不當之處，還請大家海涵。當前在各網(wǎng)絡(luò)平臺上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學習！ 在半導(dǎo)體行業(yè)，光刻（Photo）工藝技術(shù)就像一位技藝高超的藝術(shù)家，負責將復(fù)雜的電路圖案從掩模轉(zhuǎn)印到光滑的半導(dǎo)體晶圓上。作為制造過
2025-11-10 09:27:481749 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）2025年10月27日，VESA（視頻電子標準協(xié)會）在深圳益田威斯汀酒店舉辦新聞發(fā)布會，詳細介紹了DisplayPort汽車擴展標準（DP AE）的最新進展，同時分享了
2025-11-08 10:43:0110205 
近日，上揚軟件與其長期合作伙伴新進半導(dǎo)體再度達成深度合作共識，將為其在宜興建設(shè)的全新6英寸產(chǎn)線提供CIM解決方案，涵蓋MES（制造執(zhí)行系統(tǒng)）、EAP（設(shè)備自動化程序）、RMS（配方管理系統(tǒng)）等核心
2025-11-07 13:47:17576 科技，涵蓋 光通信、光學、半導(dǎo)體、激光、量子、紅外及傳感 等領(lǐng)域。本屆展會將匯聚全球領(lǐng)先企業(yè)與創(chuàng)新力量，通過技術(shù)展覽、商貿(mào)對接、高端論壇等多元場景，深度呈現(xiàn)光電技術(shù)在半導(dǎo)體、量子技術(shù)、先進制造、生物醫(yī)療、消費電子等關(guān)鍵領(lǐng)域的創(chuàng)新成果與應(yīng)用前景
2025-11-07 10:42:44422 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來重大突破。北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046178 
近日，深圳穩(wěn)頂聚芯技術(shù)有限公司（簡稱“穩(wěn)頂聚芯”）宣布，其自主研發(fā)的首臺國產(chǎn)高精度步進式光刻機已成功出廠，標志著我國在半導(dǎo)體核心裝備領(lǐng)域取得新進展。 此次穩(wěn)頂聚芯出廠的步進式光刻機屬于WS180i
2025-10-10 17:36:33929 意法半導(dǎo)體（簡稱ST）公布了其位于法國圖爾的試點生產(chǎn)線開發(fā)下一代面板級包裝（PLP）技術(shù)的最新進展。該生產(chǎn)線預(yù)計將于2026年第三季度投入運營。
2025-10-10 09:39:42608 清洗策略半導(dǎo)體制造過程中產(chǎn)生的污染物可分為四類：顆粒物（灰塵/碎屑）、有機殘留（光刻膠/油污）、金屬離子污染、氧化層。針對不同類型需采用差異化的解決方案：顆粒物清除
2025-10-09 13:40:46705 
半導(dǎo)體腐蝕清洗機是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其作用貫穿晶圓加工的多個核心環(huán)節(jié)，具體體現(xiàn)在以下幾個方面：一、精準去除表面污染物與殘留物在半導(dǎo)體工藝中，光刻、刻蝕、離子注入等步驟會留下多種
2025-09-25 13:56:46497 
摩矽半導(dǎo)體：專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動半導(dǎo)體國產(chǎn)化進展！
2025-09-24 09:52:052102 
、金屬屑），優(yōu)先選擇物理作用強的超聲波或兆聲波模塊；針對有機殘留（光刻膠、樹脂）、油污等，則需化學溶解能力強的噴淋系統(tǒng)配合溶劑（如丙酮、NMP）。對于金屬離子污染，
2025-09-22 11:04:05463 
圖1 肘形圖形為目標圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學院上海光學精密機械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團隊在全息光刻研究方面取得進展。相關(guān)成果以
2025-09-19 09:19:56443 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點：濕法剝離技術(shù)有機溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
%。至少將GAA納米片提升幾個工藝節(jié)點。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機與其他競爭技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細
2025-09-15 14:50:58
近日，來自中國的晶眾光電科技有限公司（以下簡稱“晶眾”）自主研發(fā)的InAs/GaSb II型超晶格SESAM技術(shù)，在國際頂尖光學期刊《Optics Letters》上再次獲得關(guān)注，這一成就標志著中國在高端光電技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破。
2025-09-11 15:06:30913 提高光刻膠殘留清洗效率需要結(jié)合工藝優(yōu)化、設(shè)備升級和材料創(chuàng)新等多方面策略，以下是具體方法及技術(shù)要點：1.工藝參數(shù)精準控制動態(tài)調(diào)整化學配方根據(jù)殘留類型（正膠/負膠、厚膜/薄膜）實時匹配最佳溶劑組合。例如
2025-09-09 11:29:06627 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 ?三安半導(dǎo)體在近期發(fā)布的中報里公開了不少關(guān)于碳化硅業(yè)務(wù)的新進展，包括器件產(chǎn)品、客戶導(dǎo)入、產(chǎn)能等信息。 ? 在產(chǎn)能方面，湖南三安在職員工1560人，已經(jīng)擁有6英寸碳化硅配套產(chǎn)能
2025-09-09 07:31:001630 引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20648 
在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點，為光刻膠厚度監(jiān)測提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
這一突破的核心力量。 ? 然而，EUV光刻的廣泛應(yīng)用并非坦途，其光源本身存在反射損耗大、亮度低等固有缺陷，這對配套的光刻膠材料提出了前所未有的嚴苛要求——不僅需要具備高效的EUV吸收能力，還要在反應(yīng)機制的穩(wěn)定性、缺陷控制的精準度等方面實
2025-08-17 00:03:004219 電子束光刻（EBL）是一種無需掩模的直接寫入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進行納米級圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
當您尋找可靠的國產(chǎn)半導(dǎo)體材料供應(yīng)商時，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導(dǎo)體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381160 半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù)，用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機制的詳細說明：化學溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機制有機溶劑體系：針對正性光刻膠
2025-08-12 11:02:511505 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，八億時空宣布其KrF光刻膠萬噸級半導(dǎo)體制程高自動化研發(fā)/量產(chǎn)雙產(chǎn)線順利建成，標志著我國在中高端光刻膠領(lǐng)域的自主化進程邁出關(guān)鍵一步。 ? 此次建成的KrF光刻膠產(chǎn)線采用
2025-08-10 03:26:009090 圖1 實驗原理示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所超強激光科學與技術(shù)全國重點實驗室賓建輝研究員團隊在激光驅(qū)動離子加速方面取得新進展。相關(guān)研究成果分別以“Enhanced proton
2025-08-06 09:36:46517 
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對準精度的控制要求達納米級，傳統(tǒng)檢測手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
浸泡的方式，用去離子水（DIWater）或其他溶劑清除晶圓表面的殘留物（如光刻膠碎片、蝕刻劑副產(chǎn)物、顆粒污染物等）。主要作用：確保前一道工序后的有害物質(zhì)被徹底去除
2025-08-04 14:53:231078 
于：光刻工藝后清洗：去除光刻膠殘留及顯影液副產(chǎn)物?？涛g后清潔：清除蝕刻副產(chǎn)物及側(cè)壁顆粒。先進封裝：TSV（硅通孔）、Bumping（凸點）等3D結(jié)構(gòu)的窄縫污染物清除。
2025-07-23 15:06:54
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011621 
圖1 激光燒蝕曲面元件示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部魏朝陽研究員團隊，在激光燒蝕曲面元件理論研究中取得新進展。研究首次闡明激光燒蝕過程中曲面元件對形貌
2025-07-15 09:58:24462 
污染物。 方法：濕法化學清洗（如SC-1溶液）或超聲波清洗。 硅片拋光后清洗 目的：清除拋光液殘留（如氧化層、納米顆粒），避免影響后續(xù)光刻精度。 方法：DHF（氫氟酸）腐蝕+去離子水沖洗。 2. 光刻工序 光刻膠涂覆前清洗 目的：去除硅
2025-07-14 14:10:021016 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗證，從樹脂國產(chǎn)化到EUV原料突破，一場靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國際28nm產(chǎn)線驗證，開創(chuàng)了國內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 光刻膠，又稱光致抗蝕劑，是一種關(guān)鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下，溶解度會發(fā)生變化，主要應(yīng)用于顯示面板、集成電路和半導(dǎo)體分立器件等細微圖形加工作業(yè)。由于
2025-07-11 15:53:24430 
上半年，東風汽車堅定高質(zhì)量發(fā)展步伐，整體銷量逐月回升，經(jīng)營質(zhì)量持續(xù)改善，自主品牌和新能源滲透率和收益性進一步提升，半年累計終端銷售汽車111.6萬輛，轉(zhuǎn)型突破取得新進展。
2025-07-10 15:29:16810 一、涂膠顯影設(shè)備：光刻工藝的“幕后守護者” 在半導(dǎo)體制造的光刻環(huán)節(jié)里，涂膠顯影設(shè)備與光刻機需協(xié)同作業(yè)，共同實現(xiàn)精密的光刻工藝。曝光工序前，涂膠機會在晶圓表面均勻涂覆光刻膠；曝光完成后，顯影設(shè)備則對晶
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測量中
2025-06-30 15:24:55739 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形的垂直度對器件的電學性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準控制光刻圖形垂直度是保障先進制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 、蝕刻、薄膜沉積等工序，每個環(huán)節(jié)均需準確溫控。以下以典型場景為例，闡述半導(dǎo)體直冷機Chiller的技術(shù)需求與解決方案：1、光刻工藝中的溫度穩(wěn)定性保障光刻膠涂布與曝
2025-06-26 15:39:09820 
引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝對金屬結(jié)構(gòu)的保護至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565 引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精準測量對確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 半導(dǎo)體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準分配、混合和回收高純化學試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
一、產(chǎn)品概述全自動Mask掩膜板清洗機是半導(dǎo)體光刻工藝中用于清潔光罩（Reticle/Mask）表面的核心設(shè)備，主要去除光刻膠殘留、顆粒污染、金屬有機物沉積及蝕刻副產(chǎn)物。其技術(shù)覆蓋濕法化學清洗、兆
2025-06-17 11:06:03
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時，光刻圖形的精準
2025-06-17 10:01:01678 近日，瑞豐光電受邀亮相DVN（東京）國際汽車照明研討會。本次研討會，瑞豐光電在現(xiàn)場展示了多項前沿技術(shù)并發(fā)表主題演講，詳細介紹了在車載光學領(lǐng)域的技術(shù)應(yīng)用實踐，以及在車內(nèi)外顯示交互的最新進展。
2025-06-16 17:17:42957 通過使用光掩膜和光刻膠在基板上復(fù)制流體圖案的過程?；鍖⑼扛补瓒趸瘜咏^緣層和光刻膠。光刻膠在被紫外光照射后可以容易地用顯影劑溶解，然后在腐蝕后，流體圖案將留在基板上。無塵室(Cleanroom)排除掉空間范圍內(nèi)空氣中的微
2025-06-16 14:36:251070 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用，并
2025-06-16 09:31:51586 ? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，光刻膠剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié)，但其可能對器件性能產(chǎn)生負面影響。同時，光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方法，并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736 一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，是現(xiàn)代半導(dǎo)體、微電子、信息產(chǎn)業(yè)
2025-06-09 15:51:162127 如果說最終制造出來的芯片是一道美食，那么光刻膠就是最初的重要原材料之一，而且是那種看起來可能不起眼，但卻能決定一道菜味道的關(guān)鍵輔料。 光刻膠（photoresist），在業(yè)內(nèi)又被稱為光阻或光阻劑
2025-06-04 13:22:51992 引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108 
優(yōu)勢，為光刻圖形測量提供了可靠手段。 ? Micro OLED 陽極像素定義層制備方法 ? 傳統(tǒng)光刻工藝 ? 傳統(tǒng) Micro OLED 陽極像素定義層制備常采用光刻剝離工藝。首先在基板上沉積金屬層作為陽極材料，接著旋涂光刻膠，通過掩模版曝光使光刻膠發(fā)生光化學反應(yīng)，隨后
2025-05-23 09:39:17628 圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、高靈活度的優(yōu)勢。但干涉光刻加工的光柵尺寸在
2025-05-22 09:30:59570 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）FMCW激光雷達有了新進展。近日FMCW激光雷達廠商Aeva宣布，通過與SICK?AG和LMI等工業(yè)自動化領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者合作，其應(yīng)用于工業(yè)自動化的高精度傳感器Eve?1系列
2025-05-18 00:02:005783 近日，在2025英特爾代工大會上，英特爾展示了多代核心制程和先進封裝技術(shù)的最新進展，這些突破不僅體現(xiàn)了英特爾在技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也面向客戶需求提供了更高效、更靈活的解決方案。 在制程技術(shù)方面
2025-05-09 11:42:16626 
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
近日，我們在武漢舉辦了Create2025百度AI開發(fā)者大會，與全球各地的5000多名開發(fā)者，分享了百度在AI領(lǐng)域的新進展。
2025-04-30 10:14:101219 光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337829 
及應(yīng)用的詳細介紹： 一、技術(shù)原理 化學反應(yīng)機制 氨水（NH?OH）：提供堿性環(huán)境，腐蝕硅片表面的自然氧化層（SiO?），使附著的顆粒脫離晶圓表面。 過氧化氫（H?O?）：作為強氧化劑，分解有機物（如光刻膠殘留）并氧化硅片表面，形成新的親水性
2025-04-28 17:22:334238 刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與光刻機和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備?？涛g的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層，具體而言，是通過物理及化學
2025-04-27 10:42:452200 
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機馬達和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進展。
2025-04-27 09:31:571008 高精度超表面逆向設(shè)計方法及透射/反射雙功能的寬頻段聚焦渦旋光產(chǎn)生器示意圖 近日，中國科學院西安光機所超快光科學與技術(shù)全國重點實驗室在太赫茲頻段超表面逆向設(shè)計領(lǐng)域取得新進展，相關(guān)研究成果以《High
2025-04-22 06:12:21676 
——薄膜制作(Layer)、圖形光刻(Pattern)、刻蝕和摻雜，再到測試封裝，一目了然。 全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖
2025-04-15 13:52:11
體驗的 Live API 的最新進展，以及正式面向開發(fā)者開放的高質(zhì)量視頻生成工具 Veo 2。近期，我們面向在 Google AI Studio 中使用 Gemini API 的開發(fā)者推出了許多不容錯過的重要更新，一起來看看吧。
2025-04-12 16:10:431534 近日，華為公司常務(wù)董事、華為云計算CEO張平安在華為云生態(tài)大會2025上公布了AI基礎(chǔ)設(shè)施架構(gòu)突破性新進展——推出基于新型高速總線架構(gòu)的CloudMatrix 384超節(jié)點集群，并宣布已在蕪湖數(shù)據(jù)中心規(guī)模上線。
2025-04-12 15:09:031836 數(shù)據(jù)中介的示意圖。
光刻膠
正性光刻膠中感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉，未感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解；復(fù)姓光刻膠的感光部分的光刻膠不能被腐蝕溶解，未感光部分的光刻膠可以被腐蝕溶解掉。如下圖所示
2025-04-02 15:59:44
在智能電動汽車的時代浪潮中，每一次技術(shù)的突破都可能重塑未來的出行方式。2025年3月27日，備受矚目的中國智能電動汽車科技與供應(yīng)鏈展覽會（CIES）于重慶國際博覽中心盛大開幕。在為期3天的展會中，東芝半導(dǎo)體攜豐富的車載相關(guān)產(chǎn)品及解決方案亮相會場，展示了公司在車載領(lǐng)域的尖端技術(shù)與最新進展。
2025-03-28 09:10:201985 
，三合一工藝平臺，CMOS圖像傳感器工藝平臺，微電機系統(tǒng)工藝平臺。 光掩模版:基板，不透光材料 光刻膠:感光樹脂，增感劑，溶劑。 正性和負性。 光刻工藝: 涂光刻膠。掩模版向下曝光。定影和后烘固化蝕刻
2025-03-27 16:38:20
微流控芯片制造過程中，勻膠是關(guān)鍵步驟之一，而勻膠機轉(zhuǎn)速會在多個方面對微流控芯片的精度產(chǎn)生影響： 對光刻膠厚度的影響 勻膠機轉(zhuǎn)速與光刻膠厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻膠時的離心力，轉(zhuǎn)速越大，角速度越大
2025-03-24 14:57:16750 體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導(dǎo)體材料在表面加工時，若采用適當?shù)挠羞x擇性的光刻膠，可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類
2025-03-18 13:59:533005 
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效率器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 用的有機溶劑包括以下幾種： 丙酮 性質(zhì)與特點：丙酮是一種無色、具有特殊氣味的液體，它具有良好的溶解性，能溶解多種有機物，如油脂、樹脂等。在半導(dǎo)體清洗中，可有效去除晶圓表面的有機污染物，對于去除光刻膠等有機材料也有較好的
2025-02-24 17:19:571828 汽車結(jié)構(gòu)件焊接技術(shù)的最新進展、應(yīng)用現(xiàn)狀以及未來發(fā)展趨勢三個方面進行探討。
### 汽車結(jié)構(gòu)件焊接技術(shù)的最新進展
近年來，隨著輕量化設(shè)計要求的提高，高強度鋼、鋁合金
2025-02-20 08:45:27844 過去兩年中，氮化鎵雖然發(fā)展迅速，但似乎已經(jīng)遇到了瓶頸。與此同時，不少垂直氮化鎵的初創(chuàng)企業(yè)倒閉或者賣盤，這引發(fā)大家對垂直氮化鎵未來的擔憂。為此，在本文中，我們先對氮化鎵未來的發(fā)展進行分析，并討論了垂直氮化鎵器件開發(fā)的最新進展以及相關(guān)的可靠性挑戰(zhàn)。
2025-02-17 14:27:362014 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
2025-02-17 09:13:241340 圖1 多物理場耦合模型示意圖 近期，中國科學院上海光學精密機械研究所高功率激光元件技術(shù)與工程部研究團隊在在激光燒蝕波紋的調(diào)制機理研究中取得新進展。研究揭示了激光燒蝕波紋對光學元件損傷閾值的影響。相關(guān)
2025-02-14 06:22:37677 
半導(dǎo)體設(shè)備光刻機防震基座的安裝涉及多個關(guān)鍵步驟和考慮因素，以確保光刻機的穩(wěn)定運行和產(chǎn)品質(zhì)量。首先，選擇合適的防震基座需要考慮適應(yīng)工作環(huán)境。由于半導(dǎo)體設(shè)備通常在潔凈的環(huán)境下運行，因此選擇的搬運工具如
2025-02-05 16:48:451240 
機和光刻膠： ? 光掩膜：如同芯片的藍圖，上面印有每一層結(jié)構(gòu)的圖案。 ? ? ?光刻機：像一把精確的畫筆，能夠引導(dǎo)光線在光刻膠上刻畫出圖案。 ? 光刻膠：一種特殊的感光材料，通過光刻過程在光刻膠上形成圖案，進而構(gòu)建出三維結(jié)構(gòu)。
2025-01-28 16:36:003591 
隨著汽車照明技術(shù)的快速發(fā)展，新型光電子半導(dǎo)體器件不斷涌現(xiàn)，為汽車行業(yè)帶來革新。為保證駕駛安全，AEC Q102標準作為國際公認的規(guī)范，為車載光電子半導(dǎo)體器件的質(zhì)量和可靠性設(shè)立了嚴格的要求，對推動整個汽車行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。
2025-01-16 09:22:52973 
供應(yīng)商保持著長期合作關(guān)系。近日，Qorvo資深產(chǎn)品行銷經(jīng)理陳慶鴻（Footmark Chen）與Qorvo亞太區(qū)無線連接事業(yè)部高級行銷經(jīng)理林健富（Jeff Lin）接受了DigiTimes的專訪，深入探討了Qorvo在手機RF和Wi-Fi 7技術(shù)上的最新進展及市場策略，以下是根據(jù)此次專訪整理的報告。
2025-01-15 14:45:531187 上期介紹了TGV技術(shù)的國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，今天小編繼續(xù)為大家介紹TGV關(guān)鍵技術(shù)新進展。TGV工藝流程中，成孔技術(shù)，填充工藝為兩大核心難度較高。? 成孔技術(shù) TGV成孔技術(shù)需兼顧成本、速度及質(zhì)量要求，制約
2025-01-09 15:11:432809 
用先進材料項目等。 恒坤新材成立于2004年12月，是中國境內(nèi)少數(shù)具備12英寸集成電路晶圓制造關(guān)鍵材料研發(fā)和量產(chǎn)能力的創(chuàng)新企業(yè)之一。據(jù)其股東廈門市產(chǎn)業(yè)投資基金披露，恒坤新材是國內(nèi)12英寸晶圓制造先進制程上出貨量最大的光刻膠企業(yè)。 根據(jù)弗若斯特沙利文市
2025-01-07 17:38:55843 一、烘膠技術(shù)在微流控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 微流控芯片 制作過程中，光刻膠經(jīng)過顯影后，進行烘膠（堅膜）能使光刻膠結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。例如在后續(xù)進行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時，烘膠可以讓
2025-01-07 15:18:06824 泊蘇 Type C 系列防震基座在半導(dǎo)體光刻加工電子束光刻設(shè)備的應(yīng)用案例-江蘇泊蘇系統(tǒng)集成有限公司一、企業(yè)背景與光刻加工電子束光刻設(shè)備挑戰(zhàn)某大型半導(dǎo)體制造企業(yè)專注于高端芯片的研發(fā)與生產(chǎn)
2025-01-07 15:13:21
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