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銀膠剝離失效分析

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2025-12-31 09:09:40

SD卡讀寫均衡失效問題分析

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2025-12-15 13:20:31201

可返修有機(jī)硅灌封_維修成本大幅降低的電子灌封解決方案 | 鉻銳特實(shí)業(yè)

可返修有機(jī)硅灌封兼顧防護(hù)與易維修,加熱即可完整剝離,單次返修省60%-80%工時(shí),適合新能源汽車、工業(yè)驅(qū)動(dòng)、通信電源等高價(jià)值設(shè)備,大幅降低全生命周期維護(hù)成本。 | 鉻銳特實(shí)業(yè)
2025-12-11 00:52:31269

聚焦離子束(FIB)技術(shù)在芯片失效分析中的應(yīng)用詳解

聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束(FocusedIonBeam,FIB)技術(shù)作為現(xiàn)代半導(dǎo)體失效分析的核心手段之一,通常與掃描電子顯微鏡(ScanningElectronMicroscope,SEM)集成
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焊材導(dǎo)致的功率器件焊接失效的“破局指南”

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2025-11-26 17:08:31553

定制灌封_特殊場(chǎng)景灌封定制化服務(wù)流程與案例

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2025-11-25 01:21:53212

電源行業(yè)用方案:破解行業(yè)核心痛點(diǎn),實(shí)現(xiàn)精密防護(hù)與長效運(yùn)行

在電源設(shè)備可靠性研究中,防護(hù)材料的失效已成為影響產(chǎn)品生命周期的重要因子。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,在高溫、高濕、強(qiáng)振動(dòng)工況下,超過60%的電源故障與防護(hù)材料性能不足直接相關(guān)。電源作為電子系統(tǒng)的核心動(dòng)力來源,其用
2025-11-13 16:03:39636

關(guān)于NTC熱敏芯片的遷移現(xiàn)象

目前,市面上常用的NTC熱敏芯片為電極NTC熱敏芯片,其電極層所使用到的導(dǎo)電漿,因其性價(jià)比高成為最早被使用的導(dǎo)電漿料之一。導(dǎo)電漿其作為一種功能性導(dǎo)電材料被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中,與導(dǎo)電碳漿、導(dǎo)電銅漿相比,因其具有更良好的導(dǎo)電性能而備受關(guān)注及青睞。
2025-11-05 11:09:09297

電子元器件失效分析之金鋁鍵合

電子元器件封裝中的引線鍵合工藝,是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中,金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)勢(shì),成為集成電路產(chǎn)品中常見的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知,卻是
2025-10-24 12:20:57444

探秘鍵合點(diǎn)失效:推拉力測(cè)試機(jī)在半導(dǎo)體失效分析中的核心應(yīng)用

個(gè)微小的鍵合點(diǎn)失效,就可能導(dǎo)致整個(gè)模塊功能異常甚至徹底報(bào)廢。因此,對(duì)鍵合點(diǎn)進(jìn)行精準(zhǔn)的強(qiáng)度測(cè)試,是半導(dǎo)體封裝與失效分析領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。 本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)這一核心設(shè)備,深入淺出地
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MSD失效的“爆米花”效應(yīng)

在電子制造領(lǐng)域,潮濕敏感器件(MSD)的失效已成為影響產(chǎn)品最終質(zhì)量與長期可靠性的關(guān)鍵挑戰(zhàn)之一。隨著電子產(chǎn)品不斷向輕薄化、高密度化方向發(fā)展,MSD在使用與存儲(chǔ)過程中因吸濕導(dǎo)致的界面剝離、裂紋擴(kuò)展乃至
2025-10-20 15:29:39415

常見的電子元器件失效分析匯總

電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常,甚至整機(jī)損毀,耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進(jìn)一步增加了問題定位的難度。電阻器失效1.開路失效:最常見故障。由過電流沖擊導(dǎo)致
2025-10-17 17:38:52900

vs漿:一字之差,卻是電子焊接的“兩種技術(shù)路線”!

漿是差異顯著的材料:是“銀粉+樹脂”的粘結(jié)型材料,靠低溫固化實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電與固定,適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場(chǎng)景,設(shè)備簡(jiǎn)單(點(diǎn)膠機(jī)+烘箱),成本中等;導(dǎo)電漿是“銀粉+樹脂+溶劑
2025-10-17 16:35:141582

深度解析LED芯片與封裝失效機(jī)理

失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-10-14 12:09:44242

錫膏與錫的技術(shù)和應(yīng)用差異解析

本文從焊料應(yīng)用工程師視角,解析了錫膏與錫的核心差異:成分上,錫膏以金屬合金粉為核心,助焊劑輔助焊接;錫含熱固樹脂,兼顧焊接與補(bǔ)強(qiáng)。性能上,錫膏導(dǎo)電導(dǎo)熱更優(yōu),耐受高溫;錫低溫固化,殘留物絕緣性好。應(yīng)用場(chǎng)景上,錫膏適配手機(jī)主板、汽車VCU等量產(chǎn)高精度產(chǎn)品;錫用于折疊屏、醫(yī)療傳感器等特種場(chǎng)景。
2025-10-10 11:06:36585

鉅合新材推出Mini LED芯片粘接導(dǎo)電SECrosslink 6264R7,耐高溫性能和導(dǎo)熱性能卓越

隨著Mini LED市場(chǎng)需求爆發(fā),一款解決散熱難題的高性能導(dǎo)電正從中國實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化前沿。 當(dāng)今電子設(shè)備正向更高性能、更小體積發(fā)展,Mini LED作為新一代顯示技術(shù),因其高亮度、高對(duì)比度
2025-10-09 18:16:24690

為什么無壓燒結(jié)膏在銅基板容易有樹脂析出?

/點(diǎn)性能和暫時(shí)的粘接力。 在燒結(jié)過程中,熱量會(huì)使有機(jī)載體揮發(fā)或分解。理想情況下,這些有機(jī)物應(yīng)該均勻地、緩慢地通過膏層向上方(空氣側(cè))逸出。然而,當(dāng)膏被夾在兩個(gè)界面之間時(shí)(例如上方的芯片和下方的基板
2025-10-05 13:29:24

氮化鎵芯片無壓燒結(jié)膏的脫泡手段有哪些?

壓力遠(yuǎn)大于外部環(huán)境,會(huì)迅速膨脹并遷移至表面破裂。 方法: 膏體真空處理 :將裝有膏的注射器放入真空箱中脫泡后再進(jìn)行點(diǎn)或印刷。 基板真空處理:在絲網(wǎng)印刷或點(diǎn)后,立即將整個(gè)基板放入真空箱中進(jìn)行短暫
2025-10-04 21:13:49

無壓燒結(jié)膏應(yīng)該怎樣脫泡,手段有哪些?

破裂。 方法: 膏體真空處理:將裝有膏的注射器放入真空箱中脫泡后再進(jìn)行點(diǎn)或印刷。 基板真空處理:在絲網(wǎng)印刷或點(diǎn)后,立即將整個(gè)基板放入真空箱中進(jìn)行短暫脫泡,以去除印刷過程中卷入的氣泡。 優(yōu)點(diǎn)
2025-10-04 21:11:19

什么是烘焙?

在芯片封裝生產(chǎn)的精細(xì)流程中,有一個(gè)看似簡(jiǎn)單卻至關(guān)重要的環(huán)節(jié)——烘焙。這道工序雖不像光刻或蝕刻那樣備受關(guān)注,卻直接決定著芯片的穩(wěn)定性和壽命。烘焙定義烘焙,專業(yè)術(shù)語稱為EpoxyCuring
2025-09-25 22:11:42494

集成電路制造中封裝失效的機(jī)理和分類

隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn),封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯,為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機(jī)理與分析方法。
2025-09-22 10:52:43807

熱發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問題!

分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
2025-09-19 14:33:022288

光刻剝離工藝

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邊聊安全 | 安全通訊中的失效率量化評(píng)估

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海伯森檢測(cè)應(yīng)用案例之--高檢測(cè)

高檢測(cè)在工業(yè)生產(chǎn)中,特別是在那些對(duì)精密密封、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度或外觀質(zhì)量有要求的領(lǐng)域非常重要。它就像是給產(chǎn)品關(guān)鍵部位上過程的“精密尺子”和“質(zhì)量檢察官”。高檢測(cè)的主要作用高檢測(cè)的核心價(jià)值在于確保點(diǎn)
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漢思新材料:底部填充可靠性不足如開裂脫落原因分析及解決方案

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如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析

在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域,失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié),F(xiàn)IB(聚焦離子束)截面分析,作為失效分析的利器,在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品,巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)
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怎么找出PCB光電元器件失效問題

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2025-07-25 17:46:481058

3秒固化,1秒剝離:易剝離UV如何顛覆傳統(tǒng)工藝

剝離UV以其3秒固化、1秒剝離的獨(dú)特性能,革新了電子制造、光學(xué)器件、半導(dǎo)體封裝等多個(gè)行業(yè)的生產(chǎn)工藝,提升了效率、降低了成本,并促進(jìn)了綠色制造的發(fā)展。
2025-07-25 17:17:32801

瞬間點(diǎn)加工:閥漏問題的解決之道

在瞬間點(diǎn)加工過程中,閥漏是一個(gè)常見且棘手的問題。它不僅會(huì)導(dǎo)致膠水浪費(fèi),增加生產(chǎn)成本,還會(huì)污染產(chǎn)品和設(shè)備,影響產(chǎn)品的粘接質(zhì)量和外觀,嚴(yán)重時(shí)甚至?xí)斐缮a(chǎn)中斷。不過,只要找到漏的根源,就能采取
2025-07-21 09:50:31920

芯片失效步驟及其失效難題分析!

芯片失效分析的主要步驟芯片開封:去除IC封,同時(shí)保持芯片功能的完整無損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152706

針對(duì)芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

,為了弄清楚各類異常所導(dǎo)致的失效根本原因,IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達(dá)幾千萬,因此進(jìn)行集成電路失效分析必須具備先進(jìn)、準(zhǔn)確的技術(shù)和設(shè)備,并由具有相關(guān)專業(yè)知識(shí)的半導(dǎo)體分析人員開展分析工作。
2025-07-10 11:14:34591

淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同,失效模式和分析檢測(cè)方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52999

LED失效的典型機(jī)理分析

一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中,芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降(Vf)增大的現(xiàn)象,在電測(cè)過程中,隨著正向電壓的增加,樣品仍能發(fā)光,這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561

LED芯片失效和封裝失效的原因分析

芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765

工業(yè)級(jí)TOPCon電池的低量絲網(wǎng)印刷金屬化技術(shù),實(shí)現(xiàn)降80%

本文提出了一種含量低的絲網(wǎng)印刷金屬化設(shè)計(jì),通過在TOPCon太陽能電池中使用點(diǎn)陣和含量低的浮動(dòng)指狀結(jié)構(gòu),顯著減少了的使用量,同時(shí)保持了高效率。通過光致發(fā)光(PL)成像等先進(jìn)診斷表征界面質(zhì)量
2025-07-02 09:04:37787

連接器會(huì)失效情況分析?

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過電氣、機(jī)械、外觀和功能測(cè)試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新,保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654

銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離失效原因:鍍銀層結(jié)合力差VS銀線鍵合工藝待優(yōu)化!

,請(qǐng)分析死燈真實(shí)原因。檢測(cè)結(jié)論燈珠死燈失效死燈現(xiàn)象為支架鍍銀層脫落導(dǎo)致是由二焊引線鍵合工藝造成。焊點(diǎn)剝離的過程相當(dāng)于一次“百格試驗(yàn)”,如果切口邊緣有剝落的鍍銀層,證
2025-06-25 15:43:48742

針對(duì)晶圓上芯片工藝的光刻剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻剝離方法,并探討白光
2025-06-25 10:19:48815

金屬低蝕刻率光刻剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體及微納制造領(lǐng)域,光刻剝離工藝對(duì)金屬結(jié)構(gòu)的保護(hù)至關(guān)重要。傳統(tǒng)剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝質(zhì)量的關(guān)鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻剝離液組合
2025-06-24 10:58:22565

漢思新材料:底部填充返修難題分析與解決方案

底部填充返修難題分析與解決方案底部填充(Underfill)在電子封裝中(特別是BGA、CSP等封裝)應(yīng)用廣泛,主要作用是提高焊點(diǎn)的機(jī)械強(qiáng)度和可靠性,尤其是在應(yīng)對(duì)熱循環(huán)、機(jī)械沖擊和振動(dòng)時(shí)。然而
2025-06-20 10:12:37951

用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用,但傳統(tǒng)光刻剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693

SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對(duì)真空度要求不高,使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測(cè)效率
2025-06-17 15:02:09

低含量 NMF 光刻剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造過程中,光刻剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻剝離方面表現(xiàn)出色,但因其高含量使用帶來的成本、環(huán)保等問題備受關(guān)注。同時(shí),光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678

金屬低刻蝕的光刻剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對(duì)金屬層產(chǎn)生過度刻蝕,影響器件性能。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量也是確保制造質(zhì)量的關(guān)鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻剝離液及其應(yīng)用,并
2025-06-16 09:31:51586

減少光刻剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

? ? 引言 ? 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,光刻剝離工藝是關(guān)鍵環(huán)節(jié),但其可能對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響。同時(shí),光刻圖形的精確測(cè)量對(duì)于保證芯片制造質(zhì)量至關(guān)重要。本文將探討減少光刻剝離工藝影響的方法,并介紹白光
2025-06-14 09:42:56736

用硅膠封裝、導(dǎo)電膠粘貼的垂直倒裝芯片易出現(xiàn)漏電現(xiàn)象

失效現(xiàn)象剖析這是因?yàn)椋枘z具有吸水透氣的物理特性,易使導(dǎo)電受潮,水分子侵入后在含導(dǎo)體表面電解形成氫離子和氫氧根離子,中的在直流電場(chǎng)及氫氧根離子的作用下被離子化后產(chǎn)生正價(jià)銀離子。同時(shí),又
2025-06-09 22:48:35872

自動(dòng)包機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案

和管理方式難以滿足企業(yè)對(duì)設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)實(shí)時(shí)掌握、故障快速響應(yīng)以及生產(chǎn)效率提升的要求。因此,構(gòu)建一套自動(dòng)包機(jī)遠(yuǎn)程監(jiān)控物聯(lián)網(wǎng)解決方案成為必然趨勢(shì)。 痛點(diǎn)分析 1、客戶現(xiàn)場(chǎng)的包機(jī)分布廣泛,依賴人工巡檢導(dǎo)致響應(yīng)滯后
2025-06-07 14:02:11637

光刻剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測(cè)量

引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域,光刻剝離液是光刻剝離環(huán)節(jié)的核心材料,其性能優(yōu)劣直接影響光刻去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí),精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大,白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531108

光洋股份擬收購球科技

近日,光洋股份發(fā)布公告,公司正在籌劃發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式購買寧波球科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“球科技”)100%股權(quán),并募集配套資金。
2025-05-28 11:49:271011

從SiC模塊到AI芯片,低溫?zé)Y(jié)卡位半導(dǎo)體黃金賽道

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 所謂低溫?zé)Y(jié)是一種以銀粉為主要成分、通過低溫?zé)Y(jié)工藝實(shí)現(xiàn)芯片與基板高強(qiáng)度連接的高性能封裝材料。其核心成分為納米級(jí)與微米級(jí)銀粉復(fù)配體系,結(jié)合燒結(jié)助劑和前體,在150-200
2025-05-26 07:38:002051

LED解決方案之LED導(dǎo)電來料檢驗(yàn)

導(dǎo)電是由銀粉填充入基體樹脂形成的具有導(dǎo)熱、導(dǎo)電及粘結(jié)性能的復(fù)合材料。基體樹脂固化后作為導(dǎo)電的分子骨架,決定了導(dǎo)電的力學(xué)性能和粘接性能。銀粉在基體樹脂中形成連結(jié)網(wǎng)絡(luò)從而導(dǎo)電、導(dǎo)熱,但同時(shí)也
2025-05-23 14:21:07868

超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)漿立大功

過程中的損耗和干擾也顯著減少。 以手機(jī)指紋識(shí)別為例,使用低溫納米燒結(jié)漿AS9120BL3的指紋模組,在用戶觸摸屏幕的瞬間,就能迅速將指紋信號(hào)傳輸?shù)绞謾C(jī)的處理器中進(jìn)行分析和驗(yàn)證,解鎖速度明顯加快,大大提升了用戶
2025-05-22 10:26:27

離子研磨在芯片失效分析中的應(yīng)用

芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察,需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置,而后再采用光學(xué)顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進(jìn)行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910

光刻的類型及特性

光刻類型及特性光刻(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻類型和光刻特性。
2025-04-29 13:59:337831

破局SiC封裝瓶頸 | 攻克模組失效分析全流程問題

分析方面面臨諸多挑戰(zhàn),尤其是在化學(xué)開封、X-Ray和聲掃等測(cè)試環(huán)節(jié),國內(nèi)技術(shù)尚不成熟?;诖?,廣電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析
2025-04-25 13:41:41746

MDD超快恢復(fù)二極管的典型失效模式分析:如何避免過熱與短路?

使用環(huán)境導(dǎo)致失效,常見的失效模式主要包括過熱失效和短路失效。1.過熱失效及其規(guī)避措施過熱失效通常是由于功率損耗過大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過高導(dǎo)致的。主要成因包括:正向
2025-04-11 09:52:17685

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

深圳市傲牛科技有限公司-深圳市傲牛科技有限公司

、助焊劑、清洗液、微納米、導(dǎo)電、絕緣等,廣泛用于光通訊、LEDs、汽車電子、醫(yī)療電子、消費(fèi)電子、光伏等行業(yè)半導(dǎo)體封裝。公司研發(fā)實(shí)力雄厚,配備了失效分析和可
2025-04-07 17:32:44

芯片底部填充填充不飽滿或滲透困難原因分析及解決方案

芯片底部填充(Underfill)在封裝工藝中若出現(xiàn)填充不飽滿或滲透困難的問題,可能導(dǎo)致芯片可靠性下降(如熱應(yīng)力失效、焊點(diǎn)開裂等)。以下是系統(tǒng)性原因分析與解決方案:一、原因分析1.材料特性問題膠水
2025-04-03 16:11:271290

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371791

機(jī)轉(zhuǎn)速對(duì)微流控芯片精度的影響

微流控芯片制造過程中,勻是關(guān)鍵步驟之一,而勻機(jī)轉(zhuǎn)速會(huì)在多個(gè)方面對(duì)微流控芯片的精度產(chǎn)生影響: 對(duì)光刻厚度的影響 勻機(jī)轉(zhuǎn)速與光刻厚度成反比關(guān)系。旋轉(zhuǎn)速度影響勻時(shí)的離心力,轉(zhuǎn)速越大,角速度越大
2025-03-24 14:57:16750

HDI板激光盲孔底部開路失效原因分析

高密度互聯(lián)(HDI)板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝,但孔底開路失效卻讓無數(shù)工程師頭疼!SGS微電子實(shí)驗(yàn)室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn),總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例,旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271

集團(tuán)將收購Ampere Computing

近日,軟集團(tuán)公司(TSE:9984,“軟集團(tuán)”)宣布,將以 65 億美元的全現(xiàn)金交易方式收購領(lǐng)先的獨(dú)立芯片設(shè)計(jì)公司 Ampere Computing。根據(jù)協(xié)議條款,Ampere 將作為軟集團(tuán)
2025-03-20 17:55:171091

PCB失效分析技術(shù):保障電子信息產(chǎn)品可靠性

問題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性,失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步,通過目測(cè)或借助簡(jiǎn)單儀器(如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡)對(duì)PC
2025-03-17 16:30:54935

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411819

太誘電容的失效分析:裂紋與短路問題

太誘電容的失效分析,特別是針對(duì)裂紋與短路問題,需要從多個(gè)角度進(jìn)行深入探討。以下是對(duì)這兩個(gè)問題的詳細(xì)分析: 一、裂紋問題 裂紋成因 : 熱膨脹系數(shù)差異 :電容器的各個(gè)組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:021222

微流控勻過程簡(jiǎn)述

機(jī)的基本原理和工作方式 勻機(jī)是一種利用離心力原理,將液均勻涂覆在基片上的設(shè)備。其基本工作原理是通過程序調(diào)控旋轉(zhuǎn)速度來改變離心力大小,并利用滴裝置控制液流量,從而確保制備出的薄膜具有
2025-03-06 13:34:21677

高密度封裝失效分析關(guān)鍵技術(shù)和方法

高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展,同時(shí)也給失效分析過程帶來新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求,需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531289

燒結(jié)的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電優(yōu)勢(shì)有哪些???

燒結(jié)的導(dǎo)電性能比其他導(dǎo)電優(yōu)勢(shì)有哪些???
2025-02-27 21:41:15623

150℃無壓燒結(jié)最簡(jiǎn)單三個(gè)步驟

150℃無壓燒結(jié)最簡(jiǎn)單三個(gè)步驟 作為燒結(jié)的全球領(lǐng)航者,SHAREX善仁新材持續(xù)創(chuàng)新,不斷超越自我,最近開發(fā)出150℃無壓燒結(jié)AS9378TB,以其獨(dú)特的低溫處理優(yōu)勢(shì),成為了眾多研究與應(yīng)用中
2025-02-23 16:31:42

哪家底部填充廠家比較好?漢思底填優(yōu)勢(shì)有哪些?

哪家底部填充廠家比較好?漢思底填優(yōu)勢(shì)有哪些?漢思底部填充作為電子封裝領(lǐng)域的重要材料供應(yīng)商,憑借其技術(shù)創(chuàng)新和多樣化的產(chǎn)品線,在行業(yè)中具有顯著優(yōu)勢(shì)。以下是其核心特點(diǎn)及市場(chǎng)表現(xiàn)的詳細(xì)分析:一、核心
2025-02-20 09:55:591170

芯片失效分析的方法和流程

? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對(duì)策,并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片失效分析是一個(gè)系統(tǒng)性工程,需要結(jié)合電學(xué)測(cè)試
2025-02-19 09:44:162908

集成電路為什么要封?

集成電路為什么要封?漢思新材料:集成電路為什么要封集成電路封的主要原因在于提供多重保護(hù)和增強(qiáng)性能,具體來說包括以下幾個(gè)方面:防止環(huán)境因素?fù)p害:集成電路在工作過程中可能會(huì)受到靜電、濕氣、灰塵等
2025-02-14 10:28:36957

化技術(shù)路徑解析:從漿低固含到銅電鍍的技術(shù)突破,推動(dòng)行業(yè)邁向零耗時(shí)代

光伏行業(yè)對(duì)的需求增長隨著高效n型電池(如TOPCon、HJT、XBC)的快速發(fā)展,光伏用需求激增。2023年光伏用占全球白銀需求的16.2%,預(yù)計(jì)2024年將突破7000噸,占比達(dá)到19%。
2025-02-14 09:04:381813

Wilkon 環(huán)形線定子灌封 電主軸灌封 動(dòng)磁電機(jī)灌封 磁懸浮電機(jī)灌封 無框電機(jī)灌封 潛水泵灌封

環(huán)形線定子電機(jī)灌封 動(dòng)磁電機(jī)灌封 磁懸浮電機(jī)灌封新能源電車IGBT灌封 高壓接觸器灌封 新能源無線充電灌封盤式電機(jī)灌封 扁平電機(jī)灌封 無框力矩電機(jī)灌封 人形機(jī)器人關(guān)節(jié)手臂
2025-02-05 16:39:00

Wilkon 無框電機(jī)灌封 盤式電機(jī)灌封 扁平電機(jī)灌封 人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)灌封 屏蔽泵灌封

盤式電機(jī)灌封 扁平電機(jī)灌封 無框力矩電機(jī)灌封 人形機(jī)器人關(guān)節(jié)手臂電機(jī)環(huán)形線定子電機(jī)灌封 動(dòng)磁電機(jī)灌封 磁懸浮電機(jī)灌封新能源電車IGBT灌封 高壓接觸器灌封 新能源無線充電
2025-02-05 16:25:52

基于LIBS技術(shù)的合金分類及定量分析研究

合金廢料進(jìn)行識(shí)別。在LIBS應(yīng)用于金屬的研究多集中于定量分析合金或礦石中非主量元素的含量,對(duì)其進(jìn)行分類分析以及定量分析合金中Ag元素的研究較少。所以將對(duì)LIBS技術(shù)用于合金的分類識(shí)別及定量分析進(jìn)行研究。 二、實(shí)
2025-01-21 14:12:11811

PCB及PCBA失效分析的流程與方法

PCB失效分析:步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB(PrintedCircuitBoard,印刷電路板)已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分,其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:011696

整流二極管失效分析方法

整流二極管失效分析方法主要包括對(duì)失效原因的分析以及具體的檢測(cè)方法。 一、失效原因分析 防雷、過電壓保護(hù)措施不力 : 整流裝置未設(shè)置防雷、過電壓保護(hù)裝置,或保護(hù)裝置工作不可靠,可能因雷擊或過電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589

LED失效分析重要手段——光熱分布檢測(cè)

光熱分布檢測(cè)意義在LED失效分析領(lǐng)域,光熱分布檢測(cè)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù),其性能和壽命受到多種因素的影響,其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738

如何有效地開展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開裂、環(huán)境應(yīng)力開裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996

微流控中的烘技術(shù)

一、烘技術(shù)在微流控中的作用 提高光刻穩(wěn)定性 在 微流控芯片 制作過程中,光刻經(jīng)過顯影后,進(jìn)行烘(堅(jiān)膜)能使光刻膠結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。例如在后續(xù)進(jìn)行干法刻蝕、濕法刻蝕或者LIGA等工藝時(shí),烘可以讓
2025-01-07 15:18:06824

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