的具體作用以及需求。 介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（ 芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化
2026-01-05 14:15:31
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LM134/LM234/LM334：三端可調(diào)電流源的全方位解析 作為電子工程師，在電路設(shè)計(jì)的過(guò)程中，我們常常需要精準(zhǔn)且性能優(yōu)良的電流源。今天要和大家分享的是ST公司的LM134/LM
2025-12-31 16:10:0390 質(zhì)量的可靠性。這些領(lǐng)域往往要求界面結(jié)合強(qiáng)度達(dá)到特定標(biāo)準(zhǔn)，而拉力測(cè)試無(wú)法提供這樣的準(zhǔn)確評(píng)估。
失效分析與故障診斷
當(dāng)產(chǎn)品出現(xiàn)鍵合相關(guān)的質(zhì)量問(wèn)題時(shí)，剪切測(cè)試能夠幫助工程師準(zhǔn)確定位失效原因。通過(guò)分析剪切
2025-12-31 09:09:40
離子污染是導(dǎo)致PCB漏電、腐蝕等失效的關(guān)鍵“隱形殺手”，目前行業(yè)主流是通過(guò)ROSE、局部離子測(cè)試和離子色譜（IC）結(jié)合SIR/CAF試驗(yàn)來(lái)實(shí)現(xiàn)“從含量到可靠性”的量化評(píng)估體系。一、離子污染如何導(dǎo)致
2025-12-30 11:22:3975 
LM134/LM234/LM334：三端可調(diào)電流源的特性與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，電流源是一種基礎(chǔ)且關(guān)鍵的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。德州儀器（TI）的LM134/LM234/LM334三端可調(diào)
2025-12-29 15:55:19127 一、讀寫(xiě)均衡失效引發(fā)的核心問(wèn)題 讀寫(xiě)均衡（磨損均衡，Wear Leveling）是SD卡固件通過(guò)算法將數(shù)據(jù)均勻分配到閃存芯片各單元，避免局部單元過(guò)度擦寫(xiě)的關(guān)鍵機(jī)制。瀚海微SD卡出現(xiàn)讀寫(xiě)均衡失效后，會(huì)
2025-12-29 15:08:0798 
深入剖析LM134/LM234/LM334 3 - 終端可調(diào)電流源 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，可調(diào)電流源是一種非常重要的基礎(chǔ)元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們就來(lái)詳細(xì)探討一下德州儀器（TI）的LM
2025-12-26 17:15:02444 發(fā)光二極管（LED）作為現(xiàn)代照明和顯示技術(shù)的核心元件，其可靠性直接關(guān)系到最終產(chǎn)品的性能與壽命。與所有半導(dǎo)體器件相似，LED在早期使用階段可能出現(xiàn)失效現(xiàn)象，對(duì)這些失效案例進(jìn)行科學(xué)分析，不僅能夠定位
2025-12-24 11:59:35172 
CW32時(shí)鐘運(yùn)行中失效檢測(cè)的流程是什么？CW32時(shí)鐘運(yùn)行中失效檢測(cè)注意事項(xiàng)有哪些？
2025-12-10 07:22:58
聚焦離子束技術(shù)聚焦離子束（FocusedIonBeam,FIB）技術(shù)作為現(xiàn)代半導(dǎo)體失效分析的核心手段之一，通常與掃描電子顯微鏡（ScanningElectronMicroscope,SEM）集成
2025-12-04 14:09:25368 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問(wèn)出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-03 08:35:54482 
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（Vector Network Analyzer, VNA）作為射頻微波領(lǐng)域的核心測(cè)試設(shè)備，憑借其對(duì)電磁波幅度、相位及傳輸特性的高精度測(cè)量能力，在通信系統(tǒng)研發(fā)、微波器件制造、材料特性
2025-12-01 16:36:33544 
于新能源汽車(chē)、工業(yè)控制及商業(yè)航天等高端領(lǐng)域。本文針對(duì)該芯片在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)的三類(lèi)典型失效案例，采用"外觀檢查-電性能測(cè)試-無(wú)損檢測(cè)-物理開(kāi)封-材料分析"的階梯式失效分析流程，結(jié)合SEM、XRD及溫度場(chǎng)仿真等技術(shù)手段，系統(tǒng)揭示了過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致VDMOS鍵合絲熔斷、溫度梯度引發(fā)焊盤(pán)
2025-11-30 09:33:111389 的LM-79、LM-80測(cè)試服務(wù)，包括LED光通量、光效，確保每一項(xiàng)測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，LED光效可細(xì)分為瞬態(tài)光效與穩(wěn)態(tài)光效，二者在物理意義及應(yīng)用
2025-11-28 15:22:111500 
2025年11月，水晶光電失效分析與材料研究實(shí)驗(yàn)室憑硬核實(shí)力，順利通過(guò)中國(guó)合格評(píng)定國(guó)家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）嚴(yán)苛審核，正式獲頒CNAS認(rèn)可證書(shū)。這標(biāo)志著實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)能力與服務(wù)質(zhì)量已接軌國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，彰顯了企業(yè)核心技術(shù)創(chuàng)新力與綜合競(jìng)爭(zhēng)力，為深耕國(guó)際市場(chǎng)筑牢品質(zhì)根基”。
2025-11-28 15:18:30591 能力使其在金屬測(cè)試領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用價(jià)值，為金屬材料的性能評(píng)估、工藝優(yōu)化和失效分析提供了關(guān)鍵的數(shù)據(jù)支撐。1、金屬熱穩(wěn)定性與氧化行為研究金屬材料在高溫環(huán)境中易發(fā)生氧
2025-11-27 10:54:50164 
79M05 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-26 17:00:36
0 79M09 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 18:18:380 79M06 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:54:090 79M08 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:53:280 79M12 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:52:480 79M15 TO-252三端穩(wěn)壓IC
2025-11-25 17:51:550 LM35輸出10mV每℃，設(shè)計(jì)一個(gè)4到20mA電流，檢測(cè)溫度范圍0~100℃。100℃時(shí)，輸出電壓為1V，電阻為62.5歐，電流為16mA，這里還差4mA的電流。這里LM35輸出電流最大也就10mA
2025-11-20 22:35:55
79L15 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:38:370 79L09 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:20:360 79L08 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:19:010 79L06 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:18:030 79L05 SOT-89三端穩(wěn)壓IC
2025-11-17 17:17:190 一、PCBA應(yīng)變測(cè)試可以對(duì)SMT封裝在PCBA組裝、操作和測(cè)試中受到的應(yīng)變和應(yīng)變率水平進(jìn)行客觀分析。過(guò)大的應(yīng)變都會(huì)導(dǎo)致各種模式的失效。這些失效包括焊料球開(kāi)裂、線路損傷、層壓板相關(guān)的粘合失效（焊盤(pán)翹起
2025-11-05 17:04:42802 
的失效機(jī)理。
#芯片分析 #熱成像 #失效分析 #漏電測(cè)試 #紅外顯微鏡 #MOS管#iv曲線
致晟光電每一次定位、每一張熱像，
都在推動(dòng)失效分析往更精準(zhǔn)、更科學(xué)的方向邁進(jìn)
2025-10-31 16:08:331256 
電子元器件封裝中的引線鍵合工藝，是實(shí)現(xiàn)芯片與外部世界連接的關(guān)鍵技術(shù)。其中，金鋁鍵合因其應(yīng)用廣泛、工藝簡(jiǎn)單和成本低廉等優(yōu)勢(shì)，成為集成電路產(chǎn)品中常見(jiàn)的鍵合形式。金鋁鍵合失效這種現(xiàn)象雖不為人所熟知，卻是
2025-10-24 12:20:57444 
個(gè)微小的鍵合點(diǎn)失效，就可能導(dǎo)致整個(gè)模塊功能異常甚至徹底報(bào)廢。因此，對(duì)鍵合點(diǎn)進(jìn)行精準(zhǔn)的強(qiáng)度測(cè)試，是半導(dǎo)體封裝與失效分析領(lǐng)域中不可或缺的一環(huán)。 本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將圍繞Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)這一核心設(shè)備，深入淺出地
2025-10-21 17:52:43701 
電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常，甚至整機(jī)損毀，耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”，進(jìn)一步增加了問(wèn)題定位的難度。電阻器失效1.開(kāi)路失效：最常見(jiàn)故障。由過(guò)電流沖擊導(dǎo)致
2025-10-17 17:38:52900 
失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室作為一家專(zhuān)注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-10-14 12:09:44242 
高壓起弧試驗(yàn)機(jī)的測(cè)試價(jià)值，不僅在于完成對(duì)被測(cè)試件的“考核”，更在于其產(chǎn)生的海量測(cè)試數(shù)據(jù) —— 從電弧留下的細(xì)微痕跡，到材料最終的失效狀態(tài)，每一項(xiàng)數(shù)據(jù)都是破解被測(cè)試件性能短板、優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計(jì)的關(guān)鍵線索
2025-10-14 09:18:54275 在本文中，我們將討論開(kāi)環(huán)音頻測(cè)試的一些挑戰(zhàn)，并介紹APx500軟件中可用于簡(jiǎn)化這些測(cè)試的資源。閉環(huán)測(cè)試與開(kāi)環(huán)測(cè)試首先，一些定義：我們使用“閉環(huán)”這一術(shù)語(yǔ)來(lái)指代一種經(jīng)典的音頻測(cè)試方法，即由音頻分析
2025-10-13 09:07:40396 
溫度循環(huán)測(cè)試后的數(shù)據(jù)記錄和分析是驗(yàn)證電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置精度穩(wěn)定性、功能完整性、硬件可靠性的核心環(huán)節(jié)，需圍繞 “數(shù)據(jù)溯源可查、分析邏輯閉環(huán)、結(jié)論依據(jù)充分” 展開(kāi)，結(jié)合測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)（IEC
2025-09-26 14:22:50403 隨著封裝技術(shù)向小型化、薄型化、輕量化演進(jìn)，封裝缺陷對(duì)可靠性的影響愈發(fā)凸顯，為提升封裝質(zhì)量需深入探究失效機(jī)理與分析方法。
2025-09-22 10:52:43807 
分享一個(gè)在熱發(fā)射顯微鏡下（Thermal EMMI) 芯片失效分析案例，展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^(guò) IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像，快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
2025-09-19 14:33:022288 
若您發(fā)現(xiàn)測(cè)試版本存在嚴(yán)重問(wèn)題、或者已完成測(cè)試，可以在“版本列表”頁(yè)面手動(dòng)停止測(cè)試。測(cè)試版本停止測(cè)試后，狀態(tài)會(huì)立即變?yōu)椤耙?b class="flag-6" style="color: red">失效”。測(cè)試版本失效后，新用戶(hù)將不再能下載安裝測(cè)試版本已安裝的用戶(hù)仍然可以繼續(xù)使用，直到安裝時(shí)間超過(guò)90天，90天后應(yīng)用將無(wú)法啟動(dòng)。
本文主要從參考引用自HarmonyOS官方文檔
2025-09-19 10:12:39
近年來(lái)，隨著LED照明市場(chǎng)的快速擴(kuò)張，越來(lái)越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后，卻隱藏著一個(gè)令人擔(dān)憂的現(xiàn)象：由于從業(yè)企業(yè)技術(shù)實(shí)力參差不齊，LED驅(qū)動(dòng)電路質(zhì)量差異巨大，導(dǎo)致燈具失效事故
2025-09-16 16:14:52836 
LED壽命雖被標(biāo)稱(chēng)5萬(wàn)小時(shí)，但那只是25℃下的理論值。高溫、高濕、粉塵、電流沖擊等現(xiàn)場(chǎng)條件會(huì)迅速放大缺陷，使產(chǎn)品提前失效。統(tǒng)計(jì)表明，現(xiàn)場(chǎng)失效多集中在投運(yùn)前三年，且呈批次性，直接推高售后成本。把常見(jiàn)
2025-09-12 14:36:55641 
安全通訊中的失效率量化評(píng)估寫(xiě)在前面：在評(píng)估硬件隨機(jī)失效對(duì)安全目標(biāo)的違反分析過(guò)程中，功能安全的分析通常集中于各個(gè)ECU子系統(tǒng)的PMHF（安全目標(biāo)違反的潛在失效概率）計(jì)算。通過(guò)對(duì)ECU所有子系統(tǒng)
2025-09-05 16:19:135719 
現(xiàn)開(kāi)路、短路或參數(shù)漂移等問(wèn)題。其中，開(kāi)路失效是一種較為典型的失效模式，對(duì)電路功能影響很大。作為FAE，在現(xiàn)場(chǎng)支持客戶(hù)時(shí)，常常需要針對(duì)這種現(xiàn)象進(jìn)行分析和解答。一、什么是
2025-08-28 09:39:37555 
利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀對(duì)微波器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍將影響被測(cè)微波器件（DUT）的測(cè)量范圍、測(cè)量精度和測(cè)量速度。只有矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的測(cè)試動(dòng)態(tài)范圍大于被測(cè)微波器件的動(dòng)態(tài)范圍時(shí)，才能獲得
2025-08-27 17:33:331330 
，系統(tǒng)分析風(fēng)華貼片電感的典型失效模式，并提出針對(duì)性預(yù)防措施。 ?一、典型失效模式分析 1.? 磁路破損類(lèi)失效 磁路破損是貼片電感的核心失效模式之一，具體表現(xiàn)為磁芯裂紋、磁導(dǎo)率偏差及結(jié)構(gòu)斷裂。此類(lèi)失效通常源于以下原
2025-08-27 16:38:26658 電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下，喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段，不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行，還可能引發(fā)系統(tǒng)級(jí)故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣，可系統(tǒng)性地歸納
2025-08-21 14:09:32983 
短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類(lèi)了，但就具體工作中而言，我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的，失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過(guò)高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況，但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:544039 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，電氣過(guò)應(yīng)力（EOS）和靜電放電（ESD）是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素，約占現(xiàn)場(chǎng)失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞，還會(huì)引發(fā)長(zhǎng)期性能衰退和可靠性問(wèn)題，對(duì)生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成嚴(yán)重威脅。
2025-08-21 09:23:051497 有限元仿真技術(shù)，建立了CBGA焊點(diǎn)失效分析的完整方法體系。通過(guò)系統(tǒng)的力學(xué)性能測(cè)試與多物理場(chǎng)耦合仿真，揭示了溫度循環(huán)載荷下CBGA焊點(diǎn)的失效演化規(guī)律，為高可靠性電子封裝設(shè)計(jì)與工藝優(yōu)化提供了理論依據(jù)和技術(shù)支持。 一、CBGA焊點(diǎn)失效原理 1、 失效機(jī)理 CBGA焊
2025-08-15 15:14:14576 
在半導(dǎo)體器件研發(fā)與制造領(lǐng)域，失效分析已成為不可或缺的環(huán)節(jié)，F(xiàn)IB（聚焦離子束）截面分析，作為失效分析的利器，在微觀世界里大顯身手。它運(yùn)用離子束精準(zhǔn)切割樣品，巧妙結(jié)合電子束成像技術(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)樣品內(nèi)部結(jié)構(gòu)
2025-08-15 14:03:37865 
限制，PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效，引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問(wèn)題并明確責(zé)任，失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效
2025-08-15 13:59:15630 
的正常運(yùn)行和使用壽命有著重要影響。美能超景深顯微鏡可對(duì)軸承磨損的進(jìn)行亞微米級(jí)的測(cè)量與分析，為軸承磨損的研究提供了精準(zhǔn)的數(shù)據(jù)支持。#軸承磨損失效的主要模式.01磨粒磨損
2025-08-05 17:52:39995 
PCIe協(xié)議分析儀能測(cè)試多種依賴(lài)PCIe總線進(jìn)行高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)脑O(shè)備，其測(cè)試范圍覆蓋計(jì)算、存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)及異構(gòu)計(jì)算等多個(gè)領(lǐng)域，具體設(shè)備類(lèi)型及測(cè)試場(chǎng)景如下：一、核心計(jì)算設(shè)備
GPU（圖形處理器）
測(cè)試
2025-07-25 14:09:01
測(cè)試協(xié)議分析儀的實(shí)時(shí)響應(yīng)效率需從硬件性能、軟件處理能力、協(xié)議解析精度和實(shí)際場(chǎng)景模擬四個(gè)維度綜合評(píng)估。以下是具體測(cè)試方法及步驟，結(jié)合工具與場(chǎng)景設(shè)計(jì)，幫助量化分析儀的實(shí)時(shí)性表現(xiàn)：一、硬件性能測(cè)試：驗(yàn)證
2025-07-24 14:19:26
FIB介紹聚焦離子束（FIB）技術(shù)作為一種高精度的微觀加工和分析工具，在半導(dǎo)體失效分析與微納加工領(lǐng)域，雙束聚焦離子束（FIB）因其“穩(wěn)、準(zhǔn)、狠、短、平、快”的技術(shù)特征，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為“微創(chuàng)手術(shù)刀”。它
2025-07-24 11:34:48769 
工程師需要系統(tǒng)性地排查各種可能原因，從外圍電路到生產(chǎn)工藝，甚至需要原廠支持進(jìn)行剖片分析。 本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將詳細(xì)介紹芯片失效分析的原理、標(biāo)準(zhǔn)、常用設(shè)備（如Beta S100推拉力測(cè)試機(jī)）以及標(biāo)準(zhǔn)流程，幫助工程師更好地理
2025-07-14 11:15:50748 
行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在眾多質(zhì)量檢測(cè)方法中，非破壞鍵合拉力試驗(yàn)因其高效、準(zhǔn)確且不損傷產(chǎn)品的特點(diǎn)，成為確保鍵合可靠性的關(guān)鍵手段。 本文科準(zhǔn)測(cè)控小編將系統(tǒng)介紹引線鍵合工藝原理、質(zhì)量控制標(biāo)準(zhǔn)，重點(diǎn)分析Alpha W260推拉力測(cè)試機(jī)在
2025-07-14 09:12:351247 
芯片失效分析的主要步驟芯片開(kāi)封：去除IC封膠，同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損，保持die，bondpads，bondwires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152706 
，為了弄清楚各類(lèi)異常所導(dǎo)致的失效根本原因，IC失效分析也同樣在行業(yè)內(nèi)扮演著越來(lái)越重要的角色。一塊芯片上集成的器件可達(dá)幾千萬(wàn)，因此進(jìn)行集成電路失效分析必須具備先進(jìn)、準(zhǔn)確的技術(shù)和設(shè)備，并由具有相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識(shí)的半導(dǎo)體分析人員開(kāi)展分析工作。
2025-07-10 11:14:34591 
Texas Instruments INA79xEVM評(píng)估模塊支持用戶(hù)評(píng)估INA790x和INA791x電流檢測(cè)放大器。該器件是雙向、超精密電流檢測(cè)放大器，采用75A EZShunt? 技術(shù)，電壓范圍為-4V至110V。TI INA79xEVM提供了一個(gè)支持增益和基準(zhǔn)電壓配置的平臺(tái)。
2025-07-09 09:51:08522 
在電子封裝領(lǐng)域，各類(lèi)材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同，失效模式和分析檢測(cè)方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52999 本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象：金線偏移、芯片開(kāi)裂、界面開(kāi)裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361505 一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中，芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降（Vf）增大的現(xiàn)象，在電測(cè)過(guò)程中，隨著正向電壓的增加，樣品仍能發(fā)光，這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561 
芯片失效和封裝失效的原因，并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專(zhuān)注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu)，致力于改善LED品質(zhì)，服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié)，使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765 
近期，小編收到不少客戶(hù)關(guān)于焊球推力測(cè)試設(shè)備選型的咨詢(xún)。針對(duì)這一市場(chǎng)需求，我們特別撰文介紹專(zhuān)門(mén)的測(cè)試解決方案。 在現(xiàn)代微電子封裝領(lǐng)域，低溫共燒陶瓷(LTCC)基板因其優(yōu)異的電氣性能、熱穩(wěn)定性和高集成度
2025-07-04 11:17:48564 連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過(guò)電氣、機(jī)械、外觀和功能測(cè)試，可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新，保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654 中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍?zhuān)潆娮訕尠l(fā)射電流大、穩(wěn)定性好，以及對(duì)真空度要求不高，使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像，從而提高了檢測(cè)效率
2025-06-17 15:02:09
一、前言： 一塊PCB電路板變成PCBA需要經(jīng)過(guò)很多制程，不管是手動(dòng)的還是自動(dòng)化產(chǎn)線上對(duì)設(shè)備的制造都需要一環(huán)一環(huán)的緊密測(cè)量。 二、背景介紹： PCB印刷電路板在生產(chǎn)測(cè)試流程中會(huì)受到不同程度的應(yīng)力
2025-06-10 16:33:49753 
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測(cè)試后， 通過(guò)對(duì)SRAM芯片的深入研究，對(duì)測(cè)試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶(hù)直觀地看到失效點(diǎn)分布位置。 通過(guò)多個(gè)失效芯片圖像的疊加，客戶(hù)可以看到多個(gè)芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45862 
部分IGBT模塊廠商失效報(bào)告作假的根本原因及其對(duì)中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的深遠(yuǎn)影響，可以從技術(shù)、商業(yè)、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)等多維度分析，并結(jié)合中國(guó)功率模塊市場(chǎng)的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行綜合評(píng)估： 一、失效報(bào)告作假的根本原因 技術(shù)
2025-05-23 08:37:56801 
在電子系統(tǒng)中，MDD穩(wěn)壓二極管（ZenerDiode）憑借其在反向擊穿區(qū)域的穩(wěn)定電壓特性，被廣泛應(yīng)用于電壓參考、過(guò)壓保護(hù)和穩(wěn)壓電路中。然而在實(shí)際應(yīng)用中，穩(wěn)壓管并非“永不失手”。其失效往往會(huì)直接影響
2025-05-16 09:56:081095 
芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察，需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置，而后再采用光學(xué)顯微鏡（OM Optical Microscopy）或者掃描電子顯微（SEM Scanning Electron Microscopy）進(jìn)行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657 
測(cè)試電纜和連接器是射頻網(wǎng)絡(luò)分析儀（VNA）測(cè)量鏈路中的關(guān)鍵組件，其性能直接影響測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。以下從信號(hào)損耗、相位穩(wěn)定性、阻抗匹配、重復(fù)性四個(gè)維度，系統(tǒng)分析它們對(duì)VNA測(cè)試的影響及應(yīng)對(duì)
2025-05-09 15:11:53
失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過(guò)程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式，例如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等；而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910 
無(wú)需封裝：熱阻低，允許施加更高溫度和大電流密度而不引入新失效機(jī)理；實(shí)時(shí)反饋：與工藝開(kāi)發(fā)流程深度融合，工藝調(diào)整后可立即通過(guò)測(cè)試反饋評(píng)估可靠性影響；行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化：主流廠商均發(fā)布WLR技術(shù)報(bào)告，推動(dòng)其成為工藝
2025-05-07 20:34:21
元器件失效之推拉力測(cè)試在當(dāng)代電子設(shè)備的生產(chǎn)與使用過(guò)程中，組件的故障不僅可能降低產(chǎn)品的性能，還可能導(dǎo)致產(chǎn)品徹底失效，給用戶(hù)帶來(lái)麻煩和經(jīng)濟(jì)損失，同時(shí)對(duì)制造商的聲譽(yù)和成本也會(huì)造成負(fù)面影響。為什么要做推拉
2025-04-29 17:26:44679 
分析方面面臨諸多挑戰(zhàn)，尤其是在化學(xué)開(kāi)封、X-Ray和聲掃等測(cè)試環(huán)節(jié)，國(guó)內(nèi)技術(shù)尚不成熟?；诖耍瑥V電計(jì)量集成電路測(cè)試與分析研究所推出了先進(jìn)封裝SiC功率模組失效分析技
2025-04-25 13:41:41747 
伺服電機(jī)的測(cè)試流程是確保電機(jī)正常工作的關(guān)鍵步驟。以下是對(duì)伺服電機(jī)測(cè)試流程的詳細(xì)分析。 ?一、初步檢查與準(zhǔn)備 1. 外觀檢查：首先，對(duì)伺服電機(jī)進(jìn)行外觀檢查，確保電機(jī)完好無(wú)損，沒(méi)有明顯的物理?yè)p傷或變形
2025-04-23 17:56:301247 使用環(huán)境導(dǎo)致失效，常見(jiàn)的失效模式主要包括過(guò)熱失效和短路失效。1.過(guò)熱失效及其規(guī)避措施過(guò)熱失效通常是由于功率損耗過(guò)大、散熱不良或工作環(huán)境溫度過(guò)高導(dǎo)致的。主要成因包括：正向
2025-04-11 09:52:17685 
本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇，主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇，主要介紹了九類(lèi)元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類(lèi)
2025-04-10 17:43:54
LM80測(cè)試簡(jiǎn)介LM80測(cè)試是由北美照明工程協(xié)會(huì)（IESNA）與美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)學(xué)會(huì)（ANSI）聯(lián)合發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)，主要用于評(píng)估LED器件的流明維持率和顏色維持性能。這一標(biāo)準(zhǔn)為L(zhǎng)ED產(chǎn)品的壽命和性能評(píng)估
2025-03-27 10:26:011493 
半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外，還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371791 
高密度互聯(lián)（HDI）板的激光盲孔技術(shù)是5G、AI芯片的關(guān)鍵工藝，但孔底開(kāi)路失效卻讓無(wú)數(shù)工程師頭疼！SGS微電子實(shí)驗(yàn)室憑借在失效分析領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，總結(jié)了一些失效分析經(jīng)典案例，旨在為工程師提供更優(yōu)
2025-03-24 10:45:391271 
LM79LXXAC 系列 3 端子負(fù)穩(wěn)壓器具有 ?5V、?12V 和 ?15V 的固定輸出電壓，輸出電流能力超過(guò) 100mA。這些器件采用最新的計(jì)算機(jī)技術(shù)設(shè)計(jì)，用于優(yōu)化封裝 IC 的熱/電性能
2025-03-19 10:37:00728 
LM79XX 系列 3 端子穩(wěn)壓器可提供 ?5V、?12V 和 ?15V 的固定輸出電壓。這些器件只需要一個(gè)外部元件 — 輸出端的補(bǔ)償電容器。LM79XX 系列采用 TO-220 功率封裝，能夠提供
2025-03-18 14:19:46916 
問(wèn)題。為了確保PCB的質(zhì)量和可靠性，失效分析技術(shù)顯得尤為重要。外觀檢查外觀檢查是失效分析的第一步，通過(guò)目測(cè)或借助簡(jiǎn)單儀器（如立體顯微鏡、金相顯微鏡或放大鏡）對(duì)PC
2025-03-17 16:30:54935 
請(qǐng)大佬看一下我這個(gè)LM5112驅(qū)動(dòng)碳化硅MOS GC3M0065090D電路。負(fù)載電壓60V，電路4A以下時(shí)開(kāi)關(guān)沒(méi)有問(wèn)題，電流升至5A時(shí)芯片失效，驅(qū)動(dòng)輸出電壓為0。
有點(diǎn)無(wú)法理解，如果電流過(guò)大為什么會(huì)影響驅(qū)動(dòng)芯片的性能呢？
請(qǐng)多指教，謝謝！
2025-03-17 09:33:06
本文首先介紹了器件失效的定義、分類(lèi)和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì)，然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411819 
太誘電容的失效分析，特別是針對(duì)裂紋與短路問(wèn)題，需要從多個(gè)角度進(jìn)行深入探討。以下是對(duì)這兩個(gè)問(wèn)題的詳細(xì)分析： 一、裂紋問(wèn)題 裂紋成因 ： 熱膨脹系數(shù)差異 ：電容器的各個(gè)組成部分(如陶瓷介質(zhì)、端電極
2025-03-12 15:40:021222 
高密度封裝技術(shù)在近些年迅猛發(fā)展，同時(shí)也給失效分析過(guò)程帶來(lái)新的挑戰(zhàn)。常規(guī)的失效分析手段難以滿足結(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬微小的高密度封裝分析需求，需要針對(duì)具體分析對(duì)象對(duì)分析手法進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。
2025-03-05 11:07:531289 
LM2621的輸入為兩節(jié)干電池3.0V，輸出3.3V，負(fù)載電流10.5mA，測(cè)試LM2621工作電流12mA左右，LM2621的電路采用的使用手冊(cè)中的推薦電路，如下圖。工作電流大應(yīng)該怎么解決？
2025-02-27 08:27:54
? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程，舉例了典型失效案例流程，總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對(duì)策，并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片失效分析是一個(gè)系統(tǒng)性工程，需要結(jié)合電學(xué)測(cè)試
2025-02-19 09:44:162908 在電子與電氣工程領(lǐng)域，雪崩失效與過(guò)壓擊穿是兩種常見(jiàn)的器件失效模式，它們對(duì)電路的穩(wěn)定性和可靠性構(gòu)成了嚴(yán)重威脅。盡管這兩種失效模式在本質(zhì)上是不同的，但它們之間存在一定的聯(lián)系和相互影響。本文將深入探討雪崩失效與過(guò)壓擊穿的發(fā)生順序、機(jī)制、影響因素及預(yù)防措施，為技術(shù)人員提供全面、準(zhǔn)確的技術(shù)指導(dǎo)。
2025-01-30 15:53:001271 PCB失效分析：步驟與技術(shù)作為各種元器件的載體與電路信號(hào)傳輸?shù)臉屑~PCB（PrintedCircuitBoard，印刷電路板）已經(jīng)成為電子信息產(chǎn)品的最為重要而關(guān)鍵的部分，其質(zhì)量的好壞與可靠性水平?jīng)Q定
2025-01-20 17:47:011696 
整流二極管失效分析方法主要包括對(duì)失效原因的分析以及具體的檢測(cè)方法。 一、失效原因分析 防雷、過(guò)電壓保護(hù)措施不力 ： 整流裝置未設(shè)置防雷、過(guò)電壓保護(hù)裝置，或保護(hù)裝置工作不可靠，可能因雷擊或過(guò)電壓而損壞
2025-01-15 09:16:581589 光熱分布檢測(cè)意義在LED失效分析領(lǐng)域，光熱分布檢測(cè)技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。LED作為一種高效的照明技術(shù)，其性能和壽命受到多種因素的影響，其中光和熱的分布情況尤為關(guān)鍵。光熱分布不均可能導(dǎo)致芯片界面
2025-01-14 12:01:24738 
失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過(guò)程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂、環(huán)境應(yīng)力開(kāi)裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類(lèi)型。深入剖析失效機(jī)理，有助于工程師
2025-01-09 11:01:46996 
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