扇出型晶圓級(jí)封裝（FOWLP）的概念最早由德國(guó)英飛凌提出，自2016 年以來(lái)，業(yè)界一直致力于FOWLP 技術(shù)的發(fā)展。
2026-01-04 14:40:30
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博捷芯劃片機(jī)針對(duì)射頻芯片制造中高精度切割的需求，提供了專(zhuān)業(yè)的解決方案，尤其在處理射頻芯片常用的化合物半導(dǎo)體等特殊材料方面表現(xiàn)突出。劃片機(jī)解決方案的核心優(yōu)勢(shì)：切割精度與控制實(shí)現(xiàn)微米級(jí)定位精度，崩邊尺寸
2025-12-03 16:37:39259 
晶圓制造是現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié)，其工藝過(guò)程中對(duì)靜電控制、微電流檢測(cè)及高精度參數(shù)測(cè)量有著嚴(yán)苛要求。Keithley靜電計(jì)6514憑借超高靈敏度、低噪聲特性及多功能接口，在晶圓級(jí)測(cè)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用
2025-11-13 12:01:06169 
在超高純度晶圓制造過(guò)程中，盡管晶圓本身需達(dá)到11個(gè)9（99.999999999%）以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性，但為實(shí)現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建，必須通過(guò)摻雜工藝在硅襯底表面局部引入特定雜質(zhì)。
2025-10-29 14:21:31620 
在晶圓級(jí)封裝（WLP）中，Bump 凸點(diǎn)是芯片與基板互連的關(guān)鍵，主流實(shí)現(xiàn)方式有電鍍法、焊料印刷法、蒸發(fā) / 濺射法、球放置法四類(lèi)，差異顯著。選型需結(jié)合凸點(diǎn)密度、成本預(yù)算與應(yīng)用特性，平衡性能與經(jīng)濟(jì)性。
2025-10-23 14:49:141703 
微電子技術(shù)的演進(jìn)始終圍繞微型化、高效性、集成度與低成本四大核心驅(qū)動(dòng)力展開(kāi)，封裝技術(shù)亦隨之從傳統(tǒng)TSOP、CSP、WLP逐步邁向系統(tǒng)級(jí)集成的PoP、SiP及3D IC方向，最終目標(biāo)是在最小面積內(nèi)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)功能的最大化。
2025-10-21 17:38:281749 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133873 
在當(dāng)今數(shù)字化時(shí)代，顯示屏無(wú)處不在。然而，隨著設(shè)備小型化、高性能化的需求不斷增加，如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)大的顯示功能，成為了一個(gè)亟待解決的問(wèn)題。力芯微LCD驅(qū)動(dòng)IC：高集成度“芯”優(yōu)勢(shì)讓顯示更簡(jiǎn)單
2025-10-15 16:08:59405 
一、引言
隨著半導(dǎo)體技術(shù)向小型化、高性能化發(fā)展，3D 集成封裝技術(shù)憑借其能有效提高芯片集成度、縮短信號(hào)傳輸距離等優(yōu)勢(shì)，成為行業(yè)發(fā)展的重要方向 。玻璃晶圓因其良好的光學(xué)透明性、化學(xué)穩(wěn)定性及機(jī)械強(qiáng)度
2025-10-14 15:24:56316 
恭喜昂瑞微二反掛網(wǎng)，這是射頻前端行業(yè)的重大事件！筆者曾有幸與昂瑞微團(tuán)隊(duì)有過(guò)接觸與交流，今天也來(lái)說(shuō)說(shuō)對(duì)昂瑞微和射頻前端這個(gè)賽道的認(rèn)識(shí)。 ? ? 射頻前端在通信技術(shù)領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，其既是實(shí)現(xiàn)
2025-10-13 15:49:491455 晶圓級(jí)封裝（WLP）與多芯片組件（MCM）作為先進(jìn)封裝的“雙引擎”，前者在晶圓未切割時(shí)即完成再布線與凸點(diǎn)制作，以“封裝即制造”實(shí)現(xiàn)芯片級(jí)尺寸、70 μm以下超細(xì)間距與電熱性能躍升；后者把多顆已驗(yàn)證
2025-10-13 10:36:412088 
。 在射頻前端國(guó)產(chǎn)替代的浪潮中，不少企業(yè)憑借分立器件切入市場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)了初步的規(guī)模擴(kuò)張。然而，真正的競(jìng)爭(zhēng)高地始終在于中高端模組市場(chǎng)——這里技術(shù)壁壘高、附加值大，也是國(guó)際廠商長(zhǎng)期壟斷的領(lǐng)域。 昂瑞微則選擇了一條更難走
2025-10-12 15:03:08427 、物聯(lián)網(wǎng)、衛(wèi)星通信等關(guān)鍵領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)從“跟跑”到“并跑”乃至“領(lǐng)跑”的跨越，為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體突圍提供了可復(fù)制的創(chuàng)新范本。 技術(shù)突破：5G高集成度模組打破國(guó)際壟斷 在5G時(shí)代，射頻前端芯片是智能手機(jī)等移動(dòng)終端的核心組件，其性能直接決定了通信
2025-10-11 09:49:36874 度射頻前端模組領(lǐng)域實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，成為國(guó)內(nèi)少數(shù)打破國(guó)際廠商壟斷格局的企業(yè)之一。此次IPO，昂瑞微擬公開(kāi)發(fā)行不超過(guò)2,488.29萬(wàn)股，募集資金約20.67億元，主要用于5G射頻前端芯片及模組的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化、射頻SoC芯片研發(fā)等核心項(xiàng)目。 核心看點(diǎn)一：
2025-10-09 18:22:504011 正加速資本化進(jìn)程。其中，深耕射頻前端芯片領(lǐng)域的昂瑞微備受市場(chǎng)關(guān)注。作為國(guó)內(nèi)少數(shù)突破5G高端模組技術(shù)并實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)的廠商，昂瑞微的IPO進(jìn)程標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)射頻前端行業(yè)進(jìn)入新一輪價(jià)值重估周期。 一、 技術(shù)底蘊(yùn)：從分立器件到高端模組的十年
2025-10-03 19:51:026011 2025年3月28日，北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“昂瑞微”）科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲上交所受理。作為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新重點(diǎn)“小巨人”企業(yè)，昂瑞微在射頻前端芯片領(lǐng)域取得了突破性進(jìn)展，其5G高集成
2025-09-29 16:13:382131 WD4000晶圓BOW值彎曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-09-18 14:03:57
近日，廣立微自主研發(fā)的首臺(tái)專(zhuān)為碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率器件設(shè)計(jì)的晶圓級(jí)老化測(cè)試系統(tǒng)——WLBI B5260M正式出廠。該設(shè)備的成功推出，將為產(chǎn)業(yè)鏈提供了高效、精準(zhǔn)的晶圓級(jí)可靠性篩選解決方案，助推化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成熟與發(fā)展。
2025-09-17 11:51:44740 
WD4000晶圓三維形貌膜厚測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓
2025-09-11 16:41:24
景的方方面面；其射頻前端模組，則通過(guò)全集成設(shè)計(jì)、尖端材料應(yīng)用和系統(tǒng)級(jí)封裝優(yōu)化，使之更加適合智能時(shí)代的應(yīng)用需求，更好地支撐用戶體驗(yàn)。
2025-09-11 15:33:30757 全新EVG?40 D2W套刻精度計(jì)量系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)每顆芯片100%測(cè)量，吞吐量達(dá)行業(yè)基準(zhǔn)15倍 2025年9月8日，奧地利圣弗洛里安 ——全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體工藝解決方案與技術(shù)提供商EV 集團(tuán)（EVG
2025-09-11 15:22:57708 起來(lái)，催生出了卓勝微、唯捷創(chuàng)芯、昂瑞微、飛驤科技、銳石創(chuàng)芯和慧智微等多家優(yōu)秀的射頻前端廠商。2023年，隨著國(guó)內(nèi)頭部手機(jī)廠商突破制裁，成功量產(chǎn)基于全國(guó)產(chǎn)芯片的旗艦機(jī)，國(guó)產(chǎn)射頻前端廠家也借機(jī)突破了包括難度最高的sub3G L-PAMiD模組在
2025-09-11 12:49:33624 本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求攀升的當(dāng)下，其封裝技術(shù)正加速向晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝演進(jìn)——通過(guò)縮小體積、提升集成效率，滿足設(shè)備小型化與高性能的雙重需求。
2025-09-05 09:45:403095 
MEMS晶圓級(jí)電鍍是一種在微機(jī)電系統(tǒng)制造過(guò)程中，整個(gè)硅晶圓表面通過(guò)電化學(xué)方法選擇性沉積金屬微結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。該技術(shù)的核心在于其晶圓級(jí)和圖形化特性：它能在同一時(shí)間對(duì)晶圓上的成千上萬(wàn)個(gè)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行批量加工，極大地提高了生產(chǎn)效率和一致性，是實(shí)現(xiàn)MEMS器件低成本、批量化制造的核心技術(shù)之一。
2025-09-01 16:07:282073 
近期隨著卓勝微和唯捷創(chuàng)芯半年報(bào)公布，兩家頭部射頻前端公司扣非后凈利潤(rùn)都出現(xiàn)不同程度的虧損，一時(shí)間關(guān)于射頻前端內(nèi)卷和關(guān)于射頻卷到“血流成河”的文章不斷爆出，筆者采訪了多位未上市或者在上市準(zhǔn)備階段的射頻
2025-08-29 10:39:01574 晶圓處理前端模塊是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造裝備中的重要組成部分，承擔(dān)著在超凈環(huán)境中安全傳輸晶圓的關(guān)鍵任務(wù)。這類(lèi)設(shè)備不僅要維持極高的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，還必須實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)可靠的晶圓轉(zhuǎn)移，以滿足現(xiàn)代半導(dǎo)體制造對(duì)工藝精度和生產(chǎn)
2025-08-26 09:57:53391 EFEM（設(shè)備前端模塊）晶圓搬運(yùn)系統(tǒng)是半導(dǎo)體制造過(guò)程中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備，其主要作用是在超凈環(huán)境下實(shí)現(xiàn)晶圓的安全、精準(zhǔn)傳輸。這類(lèi)系統(tǒng)不僅需要維持極高的潔凈度標(biāo)準(zhǔn)，還必須確保晶圓傳輸?shù)木_性和穩(wěn)定性
2025-08-26 09:57:19813 WD4000晶圓厚度翹曲度測(cè)量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
景無(wú)線通訊：作為驅(qū)動(dòng)放大器，提高通信基站、中繼器等設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸距離與質(zhì)量。衛(wèi)星通信：在C 波段 VSAT 系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高頻信號(hào)放大，支持寬帶數(shù)據(jù)傳輸。機(jī)載雷達(dá)：為雷達(dá)發(fā)射機(jī)提供高功率、高效率的射頻信號(hào)，增強(qiáng)探測(cè)能力。無(wú)線電設(shè)備：用于高頻無(wú)線通訊收發(fā)器，實(shí)現(xiàn)信號(hào)調(diào)制與解調(diào)的關(guān)鍵功能。
2025-08-25 10:06:43
簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，Die（發(fā)音為/da?/，中文常稱(chēng)為裸片、裸晶、晶?；蚓┦侵笍囊徽瑘A形硅晶圓（Wafer）上，通過(guò)精密切割（Dicing）工藝分離下來(lái)的、單個(gè)含有完整集成電路（IC）功能的小方塊。
2025-08-21 10:46:543214 芯碁微裝直寫(xiě)光刻設(shè)備批量導(dǎo)入國(guó)內(nèi)多家封測(cè)龍頭 ? 8月19日，芯碁微裝宣布，其面向中道領(lǐng)域的晶圓級(jí)及板級(jí)直寫(xiě)光刻設(shè)備系列已獲得重大市場(chǎng)突破。公司已與多家國(guó)內(nèi)頭部封測(cè)企業(yè)簽訂采購(gòu)訂單，產(chǎn)品主要應(yīng)用于
2025-08-21 10:33:001560 WD4000晶圓顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓顯微
2025-08-20 11:26:59
WD4000晶圓膜厚測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。WD4000晶圓膜厚測(cè)量
2025-08-12 15:47:19
本文主要講述TSV工藝中的硅晶圓減薄與銅平坦化。 硅晶圓減薄與銅平坦化作為 TSV 三維集成技術(shù)的核心環(huán)節(jié)，主要應(yīng)用于含銅 TSV 互連的減薄芯片制造流程，為該技術(shù)實(shí)現(xiàn)短互連長(zhǎng)度、小尺寸、高集成度等特性提供了重要支撐。
2025-08-12 10:35:001543 
半導(dǎo)體制造國(guó)產(chǎn)化浪潮中，晶圓傳輸效率直接制約產(chǎn)線吞吐量。傳統(tǒng)機(jī)械臂傳輸存在振動(dòng)大、精度低的缺陷，而直線電機(jī)驅(qū)動(dòng)的EFEM（設(shè)備前端模塊）憑借高速平滑運(yùn)動(dòng)，將晶圓交接時(shí)間縮短至0.8秒內(nèi)，同時(shí)定位精度提升至微米級(jí)，成為12英寸晶圓廠優(yōu)選方案。
2025-08-06 14:43:38697 近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體行業(yè)受到的關(guān)注度和注入的資金不斷提升，國(guó)內(nèi)射頻前端廠商也發(fā)展迅速，催生出如卓勝微、唯捷創(chuàng)芯、昂瑞微、飛驤、銳石創(chuàng)芯和慧智微等優(yōu)秀廠商。這些企業(yè)崛起到一定規(guī)模后，資金實(shí)力逐漸雄厚
2025-08-05 15:28:01799 
層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。WD4000晶圓三維顯微形貌測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量
2025-08-04 13:59:53
退火工藝是晶圓制造中的關(guān)鍵步驟，通過(guò)控制加熱和冷卻過(guò)程，退火能夠緩解應(yīng)力、修復(fù)晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學(xué)和機(jī)械性質(zhì)。這些改進(jìn)對(duì)于確保晶圓在后續(xù)加工和最終應(yīng)用中的性能和可靠性至關(guān)重要。退火工藝在晶圓制造過(guò)程中扮演著至關(guān)重要的角色。
2025-08-01 09:35:232024 
、藥物篩選、微流控、細(xì)胞分析等應(yīng)用的微型器件。以下是劃片機(jī)在生物晶圓芯片高精度切割中的應(yīng)用和關(guān)鍵考慮因素：1.核心應(yīng)用：芯片單體化：將包含成百上千個(gè)獨(dú)立生物芯片單元
2025-07-28 16:10:29709 
層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV)及分析反映表面質(zhì)量的2D、3D參數(shù)。WD4000晶圓THK膜厚厚度測(cè)量系統(tǒng)通過(guò)非接觸
2025-07-25 10:53:07
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過(guò)程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類(lèi) 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 Wafer Acceptance Test (WAT) 是晶圓制造中確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性的關(guān)鍵步驟。它通過(guò)對(duì)晶圓上關(guān)鍵參數(shù)的測(cè)量和分析，幫助識(shí)別工藝中的問(wèn)題，并為良率提升提供數(shù)據(jù)支持。在芯片項(xiàng)目的量產(chǎn)管理中，WAT是您保持產(chǎn)線穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量的重要工具。
2025-07-17 11:43:312774 WD4000晶圓厚度THK幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
On Wafer WLS無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)將傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:37:30
TC Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)通過(guò)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將耐高溫的熱電偶傳感器鑲嵌在晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵
2025-06-27 10:16:41
RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到 晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:12:00
RTD Wafer 晶圓測(cè)溫系統(tǒng)利用自主研發(fā)的核心技術(shù)將 RTD 傳感器集成到晶圓表面，實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄晶圓在制程過(guò)程中的溫度變化數(shù)據(jù)，為半導(dǎo)體 制造過(guò)程提供一種高效可靠的方式來(lái)監(jiān)測(cè)和優(yōu)化關(guān)鍵的工藝
2025-06-27 10:08:43
TCWafer晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是一種革命性的溫度監(jiān)測(cè)解決方案，專(zhuān)為半導(dǎo)體制造工藝中晶圓溫度的精確測(cè)量而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過(guò)將微型熱電偶傳感器（Thermocouple）直接鑲嵌于晶圓表面，實(shí)現(xiàn)了對(duì)晶圓溫度
2025-06-27 10:03:141396 
并購(gòu)重組審核委員會(huì)審議通過(guò)，后續(xù)尚需取得中國(guó)證監(jiān)會(huì)同意注冊(cè)的決定后方可實(shí)施。 芯聯(lián)集成是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，根據(jù)ChipInsights發(fā)布的《2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工排行榜》，芯聯(lián)集成躋身2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工榜單前十，中
2025-06-25 18:11:401062 
高反射率的物體表面，從納米到微米級(jí)別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同
2025-06-16 15:08:07
，首先介紹了 Ga2O3在射頻器件領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和面臨的挑戰(zhàn)，然后綜述了近年來(lái) Ga2O3射頻器件在體摻雜溝道、AlGaO/Ga2O3調(diào)制 摻雜異質(zhì)結(jié)以及與高導(dǎo)熱襯底異質(zhì)集成方面取得的進(jìn)展，并對(duì)研究結(jié)果進(jìn)行了討論，最后展望了未來(lái) Ga2O3射頻器 件的發(fā)展前景。
2025-06-11 14:30:062163 
晶圓級(jí)扇出封裝（FO-WLP）通過(guò)環(huán)氧樹(shù)脂模塑料（EMC）擴(kuò)展芯片有效面積，突破了扇入型封裝的I/O密度限制，但其技術(shù)復(fù)雜度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。
2025-06-05 16:25:572143 
本文介紹了在射頻前端模塊（RF-FEM）中使用的集成無(wú)源元件（IPD）技術(shù)。
2025-06-03 18:26:511266 
在微電子行業(yè)飛速發(fā)展的背景下，封裝技術(shù)已成為連接芯片創(chuàng)新與系統(tǒng)應(yīng)用的核心紐帶。其核心價(jià)值不僅體現(xiàn)于物理防護(hù)與電氣/光學(xué)互聯(lián)等基礎(chǔ)功能，更在于應(yīng)對(duì)多元化市場(chǎng)需求的適應(yīng)性突破，本文著力介紹晶圓級(jí)扇入封裝，分述如下。
2025-06-03 18:22:201054 
反應(yīng)表面形貌的參數(shù)。可實(shí)現(xiàn)砷化鎵、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍(lán)寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質(zhì)晶圓的量測(cè)。兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、
2025-05-30 11:03:11
測(cè)應(yīng)用。
（1）搭配中圖全自主研發(fā)的EFEM系統(tǒng)，可以適配loadport、smifport、carrier等多種形式，實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)上下料，實(shí)現(xiàn)在單系統(tǒng)內(nèi)完成晶圓厚度、平坦度、粗糙度、膜厚等面型參數(shù)的高精度
2025-05-28 16:12:46
波濾波電路。其單芯片設(shè)計(jì)顯著簡(jiǎn)化了外圍電路，適合對(duì)尺寸和功耗敏感的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如Zigbee、智能家居和工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)。 CMOS工藝優(yōu)勢(shì)?： 低成本?：相比傳統(tǒng)砷化鎵（GaAs）工藝，CMOS更適合大規(guī)模量產(chǎn)，降低芯片成本。 高集成度?：可與其他數(shù)字電路（如微控制器）
2025-05-27 15:00:011773 
WD4000系列Wafer晶圓厚度量測(cè)系統(tǒng)采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測(cè)量雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實(shí)現(xiàn)Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化
2025-05-27 13:54:33
、商業(yè)級(jí)：0℃ ~ +70℃、工業(yè)級(jí)：-40℃~+85℃；
適用于工業(yè)、AIoT、邊緣計(jì)算、智能移動(dòng)終端以及其他多種數(shù)字多媒體等場(chǎng)景。
米爾基于瑞芯微 RK3576 開(kāi)發(fā)板
總結(jié)：
米爾的多種系統(tǒng)方案
2025-05-23 16:07:10
相機(jī)與光學(xué)系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)缺陷檢測(cè)，提升半導(dǎo)體制造的良率和效率。SWIR相機(jī)晶圓隱裂檢測(cè)系統(tǒng)，使用紅外相機(jī)發(fā)揮波段長(zhǎng)穿透性強(qiáng)的特性進(jìn)行材質(zhì)透檢捕捉內(nèi)部隱裂缺陷
2025-05-23 16:03:17647 
WD4000晶圓Warp翹曲度量測(cè)系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-05-20 14:02:17
近日，極米Z6X Pro系列投影儀震撼登場(chǎng)，搭載北極芯微DTS6004模組芯片的傳感器，已成功導(dǎo)入該投影儀并推向市場(chǎng)。北極芯微dToF傳感器深度賦能，為投影儀注入“芯”動(dòng)力，攜手開(kāi)啟智能投影新體驗(yàn)。
2025-05-14 15:49:571117 我們看下一個(gè)先進(jìn)封裝的關(guān)鍵概念——晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Package，WLP）。
2025-05-14 10:32:301532 
在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過(guò)程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 圓片級(jí)封裝（WLP），也稱(chēng)為晶圓級(jí)封裝，是一種直接在晶圓上完成大部分或全部封裝測(cè)試程序，再進(jìn)行切割制成單顆組件的先進(jìn)封裝技術(shù) 。WLP自2000年左右問(wèn)世以來(lái)，已逐漸成為半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域的主流技術(shù)，深刻改變了傳統(tǒng)封裝的流程與模式。
2025-05-08 15:09:362067 
隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速
2025-05-07 20:34:21
AVS 無(wú)線校準(zhǔn)測(cè)量晶圓系統(tǒng)就像給晶圓運(yùn)輸過(guò)程裝上了"全天候監(jiān)護(hù)儀"，推動(dòng)先進(jìn)邏輯芯片制造、存儲(chǔ)器生產(chǎn)及化合物半導(dǎo)體加工等關(guān)鍵制程的智能化質(zhì)量管控，既保障價(jià)值百萬(wàn)的晶圓安全，又能讓價(jià)值數(shù)千萬(wàn)的設(shè)備發(fā)揮最大效能，實(shí)現(xiàn)降本增效。
2025-04-24 14:57:49866 
On Wafer WLS-WET無(wú)線晶圓測(cè)溫系統(tǒng)是半導(dǎo)體先進(jìn)制程監(jiān)控領(lǐng)域的重要?jiǎng)?chuàng)新成果。該系統(tǒng)通過(guò)自主研發(fā)的核心技術(shù)，將溫度傳感器嵌入晶圓集成，實(shí)現(xiàn)了晶圓本體與傳感單元的無(wú)縫融合。傳感器采用IC傳感器，具備±0.1℃的測(cè)量精度和10ms級(jí)快速響應(yīng)特性，可實(shí)時(shí)捕捉濕法工藝中瞬態(tài)溫度場(chǎng)分布。
2025-04-22 11:34:40670 
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測(cè)試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
WD4000晶圓表面形貌量測(cè)系統(tǒng)通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。
2025-04-11 11:11:00
在SEMICON China 2025展會(huì)期間，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”，股票代碼“688012.SH”）宣布其自主研發(fā)的12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo
2025-03-28 09:21:191192 隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升，可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級(jí)可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過(guò)直接在未封裝晶圓上施加加速應(yīng)力，實(shí)現(xiàn)快速、低成本的可靠性評(píng)估，成為工藝開(kāi)發(fā)的關(guān)鍵工具。
2025-03-26 09:50:161548 
方案提供服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)者EV集團(tuán)(EV Group,簡(jiǎn)稱(chēng)EVG)今日發(fā)布下一代GEMINI?自動(dòng)化晶圓鍵合系統(tǒng),專(zhuān)為300毫米(12英寸)晶圓量產(chǎn)設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)的核心升級(jí)為全新開(kāi)發(fā)的高精度強(qiáng)力鍵合模塊,在滿足全球
2025-03-20 09:07:58889 
WD4000系列晶圓微觀幾何輪廓測(cè)量系統(tǒng)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI
2025-03-19 17:36:45
2024年，國(guó)芯科技與戰(zhàn)略合作伙伴深圳美電科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“美電科技”）展開(kāi)了深度合作。雙方以國(guó)芯科技首顆端側(cè)AI芯片CCR4001S為核心，攜手推出AI傳感器模組，迅速且緊密地圍繞該模組開(kāi)展全方位、多維度的應(yīng)用開(kāi)發(fā)工作。如今，這款模組已成功實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。
2025-03-18 16:34:461008 
MEMS傳感器晶圓劃片機(jī)技術(shù)特點(diǎn)與應(yīng)用分析MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器晶圓劃片機(jī)是用于切割MEMS傳感器晶圓的關(guān)鍵設(shè)備，需滿足高精度、低損傷及工藝適配性等要求。以下是相關(guān)技術(shù)特點(diǎn)、工藝難點(diǎn)及國(guó)產(chǎn)化
2025-03-13 16:17:45859 
異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)（浙江寧波）點(diǎn)此報(bào)名添加文末微信，加先進(jìn)封裝群會(huì)議議程會(huì)議基本信息會(huì)議名稱(chēng)：2025勢(shì)銀異質(zhì)異構(gòu)集成封裝產(chǎn)業(yè)大會(huì)指導(dǎo)單位：鎮(zhèn)海區(qū)人民政府（擬）
2025-03-13 09:41:361269 
高精度晶圓劃片機(jī)切割解決方案為實(shí)現(xiàn)高精度晶圓切割，需從設(shè)備精度、工藝穩(wěn)定性、智能化控制等多維度優(yōu)化，以下為關(guān)鍵實(shí)現(xiàn)路徑及技術(shù)支撐：一、核心精度控制技術(shù)?雙軸協(xié)同與高精度運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)?雙工位同步切割技術(shù)
2025-03-11 17:27:52797 
CHA5659-98F/CHA5659-QXG是法國(guó)UMS公司推出的四級(jí)單片砷化鎵（GaAs）高功率放大器，專(zhuān)為36-43.5GHz毫米波頻段設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的0.15μm pHEMT工藝制造，在K波段衛(wèi)星通信和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電系統(tǒng)中展現(xiàn)卓越性能。
2025-03-07 16:24:081114 
WD4000晶圓翹曲度幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。儀器通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-03-07 16:19:24
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（WLP）作為先進(jìn)封裝技術(shù)的重要組成部分，正逐漸成為集成電路封裝的主流趨勢(shì)。在晶圓級(jí)封裝過(guò)程中，Bump工藝扮演著至關(guān)重要的角色。Bump，即凸塊，是晶圓級(jí)封裝中
2025-03-04 10:52:574978 
為一家專(zhuān)注于智能制造解決方案的高科技企業(yè)，通過(guò)技術(shù)創(chuàng)新與行業(yè)深耕，致力于為客戶提供高效、智能的制造系統(tǒng)，助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)數(shù)字化轉(zhuǎn)型。在SMT加工中，故障排除是一個(gè)復(fù)雜但系統(tǒng)的過(guò)程，需要從多個(gè)角度入手，快速
2025-02-14 12:48:00
WD4000高精度晶圓厚度幾何量測(cè)系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測(cè)量大翹曲wafer、測(cè)量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過(guò)非接觸測(cè)量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測(cè)量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-02-11 14:01:06
近日，晶合集成發(fā)布公告，宣布與十五家外部投資者就向全資子公司皖芯集成增資事宜簽署了增資協(xié)議，且協(xié)議條款保持一致。這一舉動(dòng)不僅彰顯了市場(chǎng)對(duì)晶合集成及其子公司皖芯集成的強(qiáng)烈信心，更預(yù)示著公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域
2025-01-22 16:54:511786 扇出型晶圓級(jí)中介層封裝（ FOWLP）以及封裝堆疊（Package-on-Package, PoP）設(shè)計(jì)在移動(dòng)應(yīng)用中具有許多優(yōu)勢(shì)，例如低功耗、短信號(hào)路徑、小外形尺寸以及多功能的異構(gòu)集成。此外，它還
2025-01-22 14:57:524507 
（Ga2O3）晶相異質(zhì)結(jié)（Phase Heterojunction）的新研究發(fā)表在《Advanced Materials》上。 論文第一作者為陸義博士 。文章首次在實(shí)驗(yàn)中展示了β相和κ相Ga2O3之間
2025-01-22 14:12:071133 
瑞芯微Android系統(tǒng)電源指示燈怎么將藍(lán)色的燈改成綠色的
2025-01-10 15:19:17
。在此之前，皖芯集成的注冊(cè)資本僅為5000.01萬(wàn)元。 本次增資完成后，晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%，仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營(yíng)收排名，晶合集成位居全球前九，是中國(guó)大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09778 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓級(jí)封裝（Wafer Level Packaging, WLP）作為一種先進(jìn)的封裝技術(shù)，正逐漸在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。晶圓級(jí)封裝技術(shù)以其高密度、高可靠性、小尺寸
2025-01-07 11:21:593190 
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