了全球 EUV 光刻設(shè)備市場(chǎng)，成為各國(guó)晶圓廠邁向 7nm、5nm 乃至更先進(jìn)制程繞不開(kāi)的 “守門人”。然而，近日俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所公布的一份國(guó)產(chǎn) EUV 光刻設(shè)備長(zhǎng)期路線圖，引發(fā)了業(yè)界的廣泛關(guān)注與討論 —— 俄羅斯，正在試圖挑戰(zhàn) ASML 的霸權(quán)。 ?
2025-10-04 03:18:00
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工作，并計(jì)劃啟動(dòng)大規(guī)模量產(chǎn)。蘋(píng)果的A20 芯片也將采用臺(tái)積電 2nm 工藝。 ? ? 從FinFET到GA
2025-09-19 09:40:2011706 
7月16日，全球三大光刻巨頭之一的日本尼康公司宣布，正式推出全球首款專為半導(dǎo)體后道工藝設(shè)計(jì)的無(wú)掩模光刻系統(tǒng)——DSP-100，這款設(shè)備為先進(jìn)封裝量身定制，可以容納600mm大基板，并提供1.0μm
2025-07-24 09:29:397816 
度亙核芯通過(guò)技術(shù)攻關(guān)與工藝優(yōu)化，突破了多項(xiàng)核心關(guān)鍵技術(shù)，成功研發(fā)出用于EDFA的980nm高功率雙芯半導(dǎo)體激光泵浦源，關(guān)鍵性能指標(biāo)優(yōu)于國(guó)際同類產(chǎn)品水平，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)同類產(chǎn)品市場(chǎng)的空白。應(yīng)用背景
2026-01-04 08:36:54263 
實(shí)現(xiàn)0.2nm工藝節(jié)點(diǎn)。 ? 而隨著芯片工藝節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，芯片供電面臨越來(lái)越多問(wèn)題，所以近年英特爾、臺(tái)積電、三星等廠商相繼推出背面供電技術(shù)，旨在解決工藝節(jié)點(diǎn)不斷推進(jìn)下，芯片面臨的供電困境。 ? 正面供電面臨物理極限 ? 在半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展的歷程中
2026-01-03 05:58:003952 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，三星電子正式發(fā)布其手機(jī)芯片Exynos 2600。這款芯片意義非凡，它不僅是三星首款2nm芯片，更是全球首款采用2納米（2nm）全環(huán)繞柵極（GAA）工藝制造的智能手機(jī)系統(tǒng)
2025-12-25 08:56:008274 
5CEFA4F23C8NQS現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）芯片5CEFA4F23C8NQS是 Intel（原 Altera）Cyclone? V E 系列的一款 FPGA 器件，采用先進(jìn)的 28 nm
2025-12-25 08:53:29
和 950nm 之間的多種“短”波長(zhǎng)提供支持，該范圍內(nèi)的波長(zhǎng)在聚合后適合高帶寬的應(yīng)用。而OM3和OM4的設(shè)計(jì)則主要為了支持 850nm 的單一波長(zhǎng)。 OM5多模光纖的特點(diǎn) 1.更少的光纖支持更高帶寬
2025-12-24 10:00:55124 和強(qiáng)大的計(jì)算能力，成為4G智能模塊領(lǐng)域的性能標(biāo)桿。MT6789安卓核心板的亮點(diǎn)在于其采用了臺(tái)積電6nm工藝，這種先進(jìn)的制程技術(shù)相比傳統(tǒng)12nm或7nm工藝顯著優(yōu)化了
2025-12-23 20:18:31143 
的2025 AI Day上，也首次公布了自研自動(dòng)駕駛大模型，以及自研的5nm定制芯片，同時(shí)還明確了激光雷達(dá)是其下一代自動(dòng)駕駛系統(tǒng)的核心傳感器之一。 ? 5nm芯片、高速互連、全新神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)引擎 ? 作為一家美國(guó)新勢(shì)力車企，Rivian多年前就被視為特斯拉的挑戰(zhàn)者，
2025-12-22 08:02:0010172 
在光通信與傳感領(lǐng)域，850nm波段作為多模光纖的主要工作窗口，在數(shù)據(jù)中心短距離互聯(lián)、局域網(wǎng)布線系統(tǒng)中占據(jù)著不可替代的地位。然而，長(zhǎng)期以來(lái)，適用于這一波段的精密測(cè)試設(shè)備卻相對(duì)缺失。武漢昊衡科技突破
2025-12-19 17:31:111969 
OptiMOS? 5 Linear FET 2, 100 V IPT017N10NM5LF2 MOSFET深度解析 作為電子工程師，我們?cè)谠O(shè)計(jì)中常常需要挑選合適的MOSFET來(lái)滿足特定的應(yīng)用需求
2025-12-19 09:35:06504 ）正式發(fā)布三款自主研發(fā)的空間計(jì)算芯片——極智G-X100、極眸G-VX100與極顏G-EB100。 ? 其中，旗艦產(chǎn)品極智G-X100作為中國(guó)首顆5nm制程全功能空間計(jì)算MR芯片，填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高端空間計(jì)算芯片的空白，更以多項(xiàng)性能指標(biāo)超越行業(yè)標(biāo)桿，例如彩色透視端到端延遲可低至9ms。 ?
2025-12-01 00:53:005987 ，極智G-X100采用5nm工藝，chiplet架構(gòu)。彩色透視端到端延遲僅為9毫秒，創(chuàng)下全球最低延遲紀(jì)錄。
2025-11-29 10:59:592522 
脈銳光電1064nm單頻窄線寬光纖激光器采用光纖DFB激光腔結(jié)構(gòu)，輸出波長(zhǎng)1064nm波段的單縱模窄線寬連續(xù)激光，光譜線寬小于20kHz，輸出光譜邊模抑制比超過(guò)60dB。該激光器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單，易于實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期穩(wěn)定的單頻單縱模輸出，具有更高的可靠性。是精密測(cè)量、超分辨成像等應(yīng)用的理想激光源。
2025-11-28 16:35:17875 
在精密制造與前沿科研的賽道上，對(duì)核心加工工具的性能要求日益嚴(yán)苛。更高功率、更優(yōu)光束、更穩(wěn)性能，已成為推動(dòng)技術(shù)突破的關(guān)鍵所在。致力于高端激光技術(shù)創(chuàng)新的晶眾光電，推出的1030nm與515nm兩款高功率飛秒激光器，以覆蓋工業(yè)與科研多重場(chǎng)景的強(qiáng)勁性能，為精微加工與科學(xué)研究提供可靠的核心光源解決方案。
2025-11-28 11:45:10674 在工業(yè)制造與科研探索不斷邁向精微極致的今天，單一波長(zhǎng)的激光解決方案已難以滿足多元化的應(yīng)用需求。晶眾光電，作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的激光技術(shù)解決方案提供商，正式推出一款1064nm 532nm雙波長(zhǎng)固體激光器
2025-11-28 11:42:16623 為進(jìn)一步滿足市場(chǎng)對(duì)850nm波段光器件精準(zhǔn)測(cè)量的需求，昊衡科技FLA系列光纖鏈路分析儀拓展850nm測(cè)量新波段，為多模光纖鏈路、850nm光器件及芯片級(jí)樣品提供一套更高效、更全面的檢測(cè)解決方案
2025-11-27 17:30:441777 最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
2025-11-19 15:34:341115 ，對(duì)算力和穩(wěn)定性要求極高。而車規(guī)芯片要通過(guò) - 40℃~125℃的極端環(huán)境測(cè)試，7nm 工藝的低功耗、高可靠性剛好匹配需求。目前我國(guó)汽車芯片對(duì)外依賴度超 90%，高端計(jì)算芯片國(guó)產(chǎn)化率不足 20%，中芯
2025-10-28 20:46:33
最近行業(yè)都在說(shuō)“算力是AI的命門”，但國(guó)產(chǎn)芯片真的能接住這波需求嗎？
前陣子接觸到海思昇騰910B，實(shí)測(cè)下來(lái)有點(diǎn)超出預(yù)期——7nm工藝下算力直接拉到256 TFLOPS，比上一代提升了40%，但功耗
2025-10-27 13:12:41
訂單量，全球硅光芯片領(lǐng)導(dǎo)者美國(guó)博通（Broadcom）和美國(guó)美滿電子（Marvell）憑借其先進(jìn)的7nm和5nm封裝工藝裸die芯片，持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)潮流。然而，行業(yè)
2025-10-24 10:01:41666 
LIGHTHOUSE低噪聲高穩(wěn)定532nm DPSS連續(xù)激光器Sprout-C?LIGHTHOUSE低噪聲高穩(wěn)定532nm DPSS連續(xù)激光器Sprout-C是一種緊湊的模塊化二極管泵浦固態(tài)
2025-10-23 14:20:14
266nm單縱模深紫外連續(xù)激光器單頻CW激光器?DPSS 266nm單縱模深紫外連續(xù)激光器單頻CW激光器配有諧振頻率轉(zhuǎn)換級(jí)，發(fā)射固定波長(zhǎng)為266 nm。激光頭裝在密封的鋁制外殼內(nèi)，可在各種環(huán)境條件下工作
2025-10-23 14:15:14
以及 5nm 先進(jìn)制程的研發(fā)支撐。 示波器作為一種關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在電子信息、半導(dǎo)體、集成電路等技術(shù)密集型行業(yè)的發(fā)展中扮演著至關(guān)重要的角色，是研發(fā)、生產(chǎn)、檢測(cè)等環(huán)節(jié)不可或缺的工具。然而，長(zhǎng)期以來(lái)，我國(guó)高端示波器市場(chǎng)一直被是德、泰克、力科等
2025-10-15 18:38:491708 
企業(yè)通過(guò)自主研發(fā)實(shí)現(xiàn)技術(shù)躍遷，不僅填補(bǔ)了多項(xiàng)空白，更推動(dòng)著醫(yī)療健康、智能制造、低空經(jīng)濟(jì)等新興產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)。 ? 不同波長(zhǎng)的激光因其與物質(zhì)相互作用特性的差異，在各領(lǐng)域展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。 ? 1470nm激光被廣泛應(yīng)用于生物醫(yī)療、激光裝備、科研、工
2025-10-13 03:14:005691 
溫度系數(shù)TCR調(diào)控：Al夾層使TCR隨tAl增加呈現(xiàn)“先降后升”趨勢(shì)，在tAl=7.5nm時(shí)達(dá)到最低值-6.61ppm/K（tNiCr=10nm，400℃退火）。退火工藝的界
2025-09-29 13:44:10600 
浸沒(méi)式光刻（Immersion Lithography）通過(guò)在投影透鏡與晶圓之間填充高折射率液體（如超純水，n≈1.44），突破傳統(tǒng)干法光刻的分辨率極限，廣泛應(yīng)用于 45nm 至 7nm 節(jié)點(diǎn)芯片制造。
2025-09-20 11:12:50841 EUV（極紫外）光刻技術(shù)憑借 13.5nm 的短波長(zhǎng)，成為 7nm 及以下節(jié)點(diǎn)集成電路制造的核心工藝，其光刻后形成的三維圖形（如鰭片、柵極、接觸孔等）尺寸通常在 5-50nm 范圍，高度 50-500nm。
2025-09-20 09:16:09592 AMD 7nm Versal系列器件引入了可編程片上網(wǎng)絡(luò)（NoC, Network on Chip），這是一個(gè)硬化的、高帶寬、低延遲互連結(jié)構(gòu)，旨在實(shí)現(xiàn)可編程邏輯（PL）、處理系統(tǒng)（PS）、AI引擎（AIE）、DDR控制器（DDRMC）、CPM（PCIe/CXL）等模塊之間的高效數(shù)據(jù)交換。
2025-09-19 15:15:212366 
MOSFET 的最大漏源電壓（V_DS）為 650V，最大漏電流（I_D）為 10A，適用于高效電力控制和開(kāi)關(guān)電源等場(chǎng)合。STP8NM60FP-VB 采用了 Planna
2025-09-18 16:24:06
的導(dǎo)通電阻（RDS(ON) = 830mΩ@VGS=10V），使其能夠在高電壓和大電流的工作環(huán)境中高效運(yùn)行。STP7NM60N-VB 使用 Plannar 技術(shù)制造
2025-09-18 16:08:03
### 1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**STF7NM60N-VB** 是一款采用TO220F封裝的單N通道MOSFET，基于Plannar技術(shù)制造，具有650V的漏極-源極耐壓（VDS），能夠支持高電壓應(yīng)用。該
2025-09-18 13:58:53
### STF7NM50N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介STF7NM50N-VB 是一款 **單極 N 型功率 MOSFET**，采用 **TO220F** 封裝，專為中等電壓和電流應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于多種電源轉(zhuǎn)換
2025-09-18 13:56:49
### 一、STF10NM60N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介STF10NM60N-VB 是一款采用 TO220F 封裝的單 N 溝道功率 MOSFET，適用于高電壓和高電流應(yīng)用。它具有 650V 的漏源耐壓
2025-09-18 10:46:29
### STF10NM50N-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介STF10NM50N-VB 是一款采用 Plannar 技術(shù)的 N-溝道功率 MOSFET，封裝為 TO220F，具有較高的性能和可靠性。它的漏源電壓
2025-09-18 10:44:45
%。至少將GAA納米片提升幾個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)。
2、晶背供電技術(shù)
3、EUV光刻機(jī)與其他競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)
光刻技術(shù)是制造3nm、5nm等工藝節(jié)點(diǎn)的高端半導(dǎo)體芯片的關(guān)鍵技術(shù)。是將設(shè)計(jì)好的芯片版圖圖形轉(zhuǎn)移到硅晶圓上的一種精細(xì)
2025-09-15 14:50:58
BCM56771A0KFSBG性能密度：?jiǎn)涡酒?12.8Tbps + 32×400G 端口，降低設(shè)備數(shù)量與 TCO。技術(shù)前瞻：PAM4 調(diào)制 + 7nm 工藝，平滑演進(jìn)至 800G 時(shí)代。能效比
2025-09-09 10:41:47
工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)入5nm、3nm，這些連接用的金屬線的間距也在縮小，這就會(huì)導(dǎo)致金屬表面散射和晶界散射等效應(yīng)，并使金屬的電阻率顯著增加。
為確保更低的直流電壓降，便提出了使用晶背供電技術(shù)的新型芯片電源供電
2025-09-06 10:37:21
據(jù)外媒韓國(guó)媒體 ETNews 在9 月 2 日發(fā)文報(bào)道稱全球首款2nm芯片被曝準(zhǔn)備量產(chǎn)；三星公司已確認(rèn) Exynos 2600 將成為全球首款采用 2nm 工藝的移動(dòng) SoC 芯片，目前該芯片完成
2025-09-04 17:52:152149 （2330）長(zhǎng)期規(guī)劃美國(guó)新廠后續(xù)將導(dǎo)入2nm與更先進(jìn)制程，三星加入戰(zhàn)局加上英特爾獲得奧援，2nm以下制程競(jìng)爭(zhēng)在美國(guó)更加白熱化。 ? 韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo)，市場(chǎng)傳出三星電子計(jì)劃從9月開(kāi)始部署人員，在德州泰勒廠建立2nm生產(chǎn)線。工程師將分9月與11月兩階段部署，
2025-09-02 11:26:511510 一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性1.高亮度，低衰減，耗能小，壽命長(zhǎng)；2.光色性好；3.LED貼片壽命：＞5萬(wàn)小時(shí)；4.光衰低，壽命長(zhǎng)；5.質(zhì)量保障，常規(guī)都有庫(kù)存，交貨及時(shí)。二、實(shí)物展示三、規(guī)格參數(shù)產(chǎn)品名稱
2025-08-27 12:29:53
的擁有830nm單模系列產(chǎn)品全流程設(shè)計(jì)與制造能力的企業(yè)！基于度亙核芯在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域深厚的技術(shù)積淀與高端IDM制造工藝，實(shí)現(xiàn)了功率≥300mW、線寬≤0.5nm、高
2025-08-26 13:08:361308 10CX150YF672E5G 是Intel（原 Altera）推出的 Cyclone? 10 GX 系列高性能、低功耗 FPGA 芯片，選用 20nm 工藝技術(shù)，具備 150,000 個(gè)邏輯單元
2025-08-21 09:15:02
過(guò)去幾十年，摩爾定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力，芯片上晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍，性能隨之大幅提升。但近年來(lái)這一定律明顯放緩，芯片制程向7nm、5nm甚至3nm推進(jìn)時(shí)，技術(shù)難度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，研發(fā)成本飆升，且物理極限日益逼近，傳統(tǒng)通過(guò)提升制程提高性能的路徑愈發(fā)艱難。
2025-08-16 15:37:383695 
珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司實(shí)現(xiàn)新突破！我司基于40HV（40nm 1.1V / 8V / 32V high voltage process）工藝制程的一次性可編程存儲(chǔ)IP核已在國(guó)內(nèi)兩家頭部晶圓代工廠經(jīng)過(guò)
2025-08-14 17:20:531311 度亙核芯推出1470nm和1550nm兩大波長(zhǎng)系列芯片，其額定輸出功率達(dá)到7.5W，創(chuàng)業(yè)界新高！基于度亙核芯強(qiáng)大的平臺(tái)化技術(shù)優(yōu)勢(shì)，形成了5.5W、6.5W、7.5W等系列產(chǎn)品。在芯片開(kāi)發(fā)的基礎(chǔ)上
2025-08-12 12:03:541334 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明） 隨著芯片制程工藝向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，如從7nm邁向5nm，再到3nm，物理層面的技術(shù)瓶頸愈發(fā)凸顯，這使得行業(yè)在?2025?年中期將目光更多地投向先進(jìn)封裝技術(shù)，以維持芯片
2025-08-06 08:22:007515 深圳市銀月光科技推出655nm VCSEL+460nm LED二合一光源，融合高效光束與殺菌抑炎功能，助力高端生發(fā)設(shè)備，提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。
2025-08-05 18:12:24839 研發(fā)到量產(chǎn)的跨越，65nm產(chǎn)品已開(kāi)始送樣驗(yàn)證。 ? 掩模版也稱光罩，是集成電路制造過(guò)程中的圖形轉(zhuǎn)移工具或者母板，載著圖形信息和工藝技術(shù)信息，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、平板顯示、電路板、觸控屏等領(lǐng)域。掩模版的作用是將承載的電路圖形通過(guò)曝光的方式轉(zhuǎn)移到硅
2025-07-30 09:19:5010523 
在構(gòu)建高效穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)時(shí)，10G SFP+ 光模塊 120km 版本以其獨(dú)特亮點(diǎn)脫穎而出，成為遠(yuǎn)距離通信領(lǐng)域的得力助手。對(duì)此，易天光通信推出10G SFP+ 1550nm 120km雙纖光模塊，該
2025-07-25 17:55:53827 面對(duì)近來(lái)全球大廠陸續(xù)停產(chǎn)LPDDR4/4X以及DDR4內(nèi)存顆粒所帶來(lái)的巨大供應(yīng)短缺，芯動(dòng)科技憑借行業(yè)首屈一指的內(nèi)存接口開(kāi)發(fā)能力，服務(wù)客戶痛點(diǎn)，率先在全球多個(gè)主流28nm和22nm工藝節(jié)點(diǎn)上，系統(tǒng)布局
2025-07-08 14:41:101158 1. 蔚來(lái)自研全球首顆車規(guī)5nm 芯片！將對(duì)全行業(yè)開(kāi)放 ? 據(jù)了解，李斌在直播中介紹了蔚來(lái)自研神璣NX9031芯片，他表示：“這是全球首顆車規(guī)5nm的智駕芯片，這個(gè)應(yīng)該說(shuō)是量產(chǎn)非常不容易的，要能支持
2025-07-08 10:50:512027 在全球半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子的戰(zhàn)略動(dòng)向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務(wù)在制程技術(shù)推進(jìn)方面做出重大調(diào)整，原本計(jì)劃于2027年量產(chǎn)的1.4nm制程工藝，將推遲至2029年。而在
2025-07-03 15:56:40690 1. 曝iPhone 18 系列升級(jí)2nm 芯片：蘋(píng)果邁入2nm 時(shí)代 ? 7月2日消息，今年9月蘋(píng)果將推出iPhone 17系列，最新消息顯示，iPhone 17將是蘋(píng)果最后使用3nm芯片的數(shù)字
2025-07-03 11:02:351297 度亙核芯基于自主開(kāi)發(fā)的高功率、高效率、高可靠性的單模808nm半導(dǎo)體激光芯片，推出國(guó)際領(lǐng)先的高性能蝶形光纖耦合模塊，率先在國(guó)內(nèi)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白。應(yīng)用背景單模高性能808nm泵浦光，為
2025-07-01 08:11:361281 Versal是AMD 7nm的SoC高端器件，不僅擁有比16nm性能更強(qiáng)的邏輯性能，并且其PS系統(tǒng)中的CPM PCIe也較上一代MPSoC PS硬核PCIe單元強(qiáng)大得多。本節(jié)將基于AMD官方開(kāi)發(fā)板展示如何快速部署PCIe5x8及DMA功能。
2025-06-19 09:44:291617 
現(xiàn)有的晶體管都是基于 PN 結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)而構(gòu)建的。在未來(lái)的幾年里，隨著CMOS制造技術(shù)的進(jìn)步，器件的溝道長(zhǎng)度將小于 10nm。在這么短的距離內(nèi)，為使器件能夠工作，將采用非常高的摻雜濃度梯度。
2025-06-18 11:43:221011 
國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲(chǔ)NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)，為客戶定制開(kāi)發(fā)的EEPROM IP，已順利通過(guò)客戶全流程的PVT測(cè)試
2025-06-12 17:42:071062 當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，臺(tái)積電2nm芯片良品率已突破 90%，實(shí)現(xiàn)重大技術(shù)飛躍！
2025-06-04 15:20:211051 一個(gè)TEC控制器。開(kāi)放式框架或集成式版本可選。 10引腳蝶形DFB版本 – 我們所有的驅(qū)動(dòng)器都與這些10引腳外形尺寸兼容 1064nm半導(dǎo)體激光管可以在納秒脈沖模式中達(dá)到高輸出功率，最高可達(dá)2W。大多數(shù) “交鑰匙 “的激光管+驅(qū)動(dòng)器解決方案均針對(duì)單發(fā)到CW性能進(jìn)行了優(yōu)
2025-06-04 09:41:38997 
近日，珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司宣布，其自主研發(fā)的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工藝 OTP IP（一次性可編程存儲(chǔ)IP核） 已在一家
2025-05-30 11:31:131170 超窄帶低波數(shù)拉曼濾光片的新升級(jí)from360nmto3000nm超窄帶陷波濾光片（BraggNotchFilter，簡(jiǎn)稱BNF）和帶通濾光片（BraggBandpassFilter,簡(jiǎn)稱BPF
2025-05-28 11:13:582248 
分析。 一、技術(shù)參數(shù)對(duì)比 芯片型號(hào) 制造商 制程工藝 CPU算力（DMIPS） GPU算力（GFLOPS） NPU算力（TOPS） 存儲(chǔ)帶寬（GB/s） 車規(guī)認(rèn)證 高通SA8295P 高通 5nm
2025-05-23 15:33:105251 Ultra，小米首款SUV小米yu7 等。 雷軍還透露，小米玄戒O1，采用第二代3nm工藝制程，力爭(zhēng)躋身第一梯隊(duì)旗艦體驗(yàn)。此次小米發(fā)布會(huì)的最大亮點(diǎn)之一肯定是小米自研手機(jī)SoC芯片「玄戒O1」，這標(biāo)志著小米在芯片領(lǐng)域的自主研發(fā)能力邁入新階段。從澎湃S1到玄戒O1，小米11年造芯
2025-05-19 16:52:591155 天津見(jiàn)合八方光電科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“見(jiàn)合八方”)發(fā)布850nm波段系列產(chǎn)品；包括850nm SLD，850nm RSOA，同時(shí)，850nm SOA也在測(cè)試驗(yàn)證階段，即將發(fā)布。
2025-05-17 11:15:33882 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在半導(dǎo)體行業(yè)邁向3nm及以下節(jié)點(diǎn)的今天，光刻工藝的精度與效率已成為決定芯片性能與成本的核心要素。光刻掩模作為光刻技術(shù)的“底片”，其設(shè)計(jì)質(zhì)量直接決定了晶體管結(jié)構(gòu)的精準(zhǔn)度
2025-05-16 09:36:475598 
ASE中心波長(zhǎng)λASE25℃, If=400mA 1070 nm工作波長(zhǎng)λ25℃, Pin=0dBm 1060 nm-3dB
2025-04-29 09:01:59
G、機(jī)器人等高增長(zhǎng)領(lǐng)域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技術(shù)，提供高帶寬、低延遲的互聯(lián)能力。能效優(yōu)化：通過(guò)先進(jìn)制程（如10nm SuperFin）和架構(gòu)創(chuàng)新，降低功耗并提升集成度
2025-04-25 10:19:09
在半導(dǎo)體制造中，清洗工藝貫穿于光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵流程，并在單晶硅片制備階段發(fā)揮著重要作用。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片制程已推進(jìn)至28nm、14nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)。
2025-04-24 14:27:32715 期，從領(lǐng)先的臺(tái)積電到快速發(fā)展的中芯國(guó)際，晶圓廠建設(shè)熱潮持續(xù)。主要制造商紛紛投入巨資擴(kuò)充產(chǎn)能，從先進(jìn)的3nm、5nm工藝到成熟的28nm、40nm節(jié)點(diǎn)不等，單個(gè)項(xiàng)目
2025-04-22 15:38:361573 
較為激進(jìn)的技術(shù)路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當(dāng)?shù)貢r(shí)間 16 日?qǐng)?bào)道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測(cè)試生產(chǎn)中取得了40% 的良率，這高于
2025-04-18 10:52:53
我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標(biāo)準(zhǔn)封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實(shí)現(xiàn)首次流片成功。這一里程碑彰顯了我們持續(xù)提供高性能車規(guī)級(jí) IP 解決方案?的承諾，可滿足新一代汽車電子和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
2025-04-16 10:17:15843 
隨著防偽檢測(cè)、食品、紡織等領(lǐng)域?qū)ψ贤夤庠葱枨蟮奶嵘?65nm紫光燈方案憑借其高純度UVA波段輸出等特性，成為替代傳統(tǒng)檢測(cè)方式操作復(fù)雜、運(yùn)維成本高的理想選擇。本文將分享納祥科技便攜小巧型365nm
2025-04-11 15:34:581738 
超窄帶陷波濾光片（Bragg Notch Filter，簡(jiǎn)稱BNF）和帶通濾光片（Bragg Bandpass Filter,簡(jiǎn)稱BPF）是目前實(shí)現(xiàn)超低波數(shù)拉曼光譜(通常50cm-1以下才稱為超低波數(shù)拉曼)測(cè)量常用的方法。設(shè)計(jì)波長(zhǎng)覆蓋350-3000nm波段，超低波數(shù)拉曼信號(hào)可低至10cm-1.
2025-04-09 16:54:15726 
TB2000已正式通過(guò)廠內(nèi)驗(yàn)證，將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)（T0-117）現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40nm節(jié)點(diǎn)后，天準(zhǔn)在高端檢測(cè)裝備國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的又一里程碑。 核心技術(shù)自主研發(fā) TB2000采用全自主研
2025-03-26 14:40:33682 ，較三個(gè)月前技術(shù)驗(yàn)證階段實(shí)現(xiàn)顯著提升（此前驗(yàn)證階段的良率已經(jīng)可以到60%），預(yù)計(jì)年內(nèi)即可達(dá)成量產(chǎn)準(zhǔn)備。 值得關(guān)注的是，蘋(píng)果作為臺(tái)積電戰(zhàn)略合作伙伴，或?qū)⒙氏炔捎眠@一尖端制程。盡管廣發(fā)證券分析師Jeff Pu曾預(yù)測(cè)iPhone 18系列搭載的A20處理器仍將延續(xù)3nm工藝，但其最
2025-03-24 18:25:091240 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道?據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在?“Samsung?Foundry?Forum?2022”?上首
2025-03-23 11:17:401827 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 據(jù)多方消息來(lái)源推測(cè)，三星電子可能取消原計(jì)劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm（FS1.4）晶圓代工工藝。三星在 “Samsung Foundry Forum 2022” 上首
2025-03-22 00:02:002462 是色散預(yù)補(bǔ)償。這也可以從圖5給出的眼圖中看出。這些結(jié)果與文獻(xiàn)[2][3]中的結(jié)果完全一致。
圖4:Q因子與2.5和10 Gbps比特率下的信號(hào)功率之比，用于前、后和對(duì)稱色散補(bǔ)償
圖5：前、后和對(duì)稱
2025-03-20 18:20:10
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，2nm工藝制程的手機(jī)處理器已有多家手機(jī)處理器廠商密切規(guī)劃中，無(wú)論是臺(tái)積電還是三星都在積極布局，或?qū)⒂袛?shù)款芯片成為2nm工藝制程的首發(fā)產(chǎn)品。 ? 蘋(píng)果A19 或A20 芯片采用臺(tái)
2025-03-14 00:14:002486 據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來(lái)，每年都在改進(jìn)技術(shù)。三星現(xiàn)在使用的是其最新的第四代4nm工藝節(jié)點(diǎn)（SF4X）進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。第四代4nm工藝
2025-03-12 16:07:1713207 A股上市，獲中國(guó)移動(dòng)、紅杉資本等投資，技術(shù)應(yīng)用于大模型訓(xùn)練與圖形渲染。
4. 昆侖芯（Kunlunxin） *領(lǐng)域 ：AI芯片
亮點(diǎn) ：前身為百度智能芯片部門，7nm工藝的昆侖芯2代已量產(chǎn)，性能較前
2025-03-05 19:37:43
您好！請(qǐng)問(wèn)DLP650LNIR用于800nm，35fs，1KHZ的損傷閾值是多少? 能否承受0.1GW/cm2量級(jí)的功率密度?
2025-02-26 06:16:47
請(qǐng)問(wèn)：我現(xiàn)在要設(shè)計(jì)CH氣體檢測(cè)設(shè)備應(yīng)用的激光源波長(zhǎng)為3370nm，請(qǐng)問(wèn)貴司的DMD微鏡的反射波長(zhǎng)是多少？我們的要求能滿足嗎？
2025-02-24 08:08:31
我想知道該型號(hào)關(guān)于370-420nm波長(zhǎng)的反射率以及紫外波段不同區(qū)間能承受的最大光功率值是多少？
2025-02-21 07:05:14
DLP9500UV在355nm納秒激光器應(yīng)用的損傷閾值是多少，480mW/cm2能否使用，有沒(méi)有在355nm下的客戶應(yīng)用案例？
這個(gè)是激光器的參數(shù)：355nm，脈寬5ns，單脈沖能量60uJ，照射面積0.37cm^2，
2025-02-20 08:42:33
請(qǐng)問(wèn)在波長(zhǎng)為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
范圍：600 至 1700 nm應(yīng)用光纖：9/125 微米 50/125 微米，62.5/125 微米1523 nm 處的近動(dòng)態(tài)范圍：37 dB（±0.1 nm 峰
2025-02-19 14:36:55
使用一個(gè)由5個(gè)提供41個(gè)客戶端的多核PC組成的網(wǎng)絡(luò)，模擬時(shí)間可以減少到大約4小時(shí)（與之前的大約43小時(shí)相比）。
模擬任務(wù)
入射耦合
周期：380 nm；光柵脊寬度：190 nm；高度：100 nm
2025-02-19 08:51:05
我嘗試使用脈沖激光照射具有調(diào)制圖案的DMD反射鏡（DLP9500），我想知道DMD是否能夠承受以下參數(shù)的激光：
激光器：532nm
脈沖能量：3mJ
脈沖寬度：5ns
重復(fù)頻率：2kHz
照明面積：1cm2
2025-02-18 06:05:30
的關(guān)鍵設(shè)備。本文將探討365nm紫外點(diǎn)光源固化燈的工作原理、應(yīng)用優(yōu)勢(shì)以及如何選擇適合的固化設(shè)備，幫助企業(yè)更好地理解這一技術(shù)并作出合理選擇。 1. 365nm紫外點(diǎn)光源固化燈的工作原理 紫外點(diǎn)光源固化燈通常由高強(qiáng)度紫外燈管和適配的光
2025-02-13 15:44:392483 據(jù)最新消息，臺(tái)積電正計(jì)劃加大對(duì)美國(guó)亞利桑那州工廠的投資力度，旨在推廣“美國(guó)制造”理念并擴(kuò)展其生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，此次投資將著重于擴(kuò)大生產(chǎn)線規(guī)模，為未來(lái)的3nm和2nm等先進(jìn)工藝做準(zhǔn)備。
2025-02-12 17:04:04995 近日，全球知名的EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）大廠Cadence宣布了一項(xiàng)重要合作成果：聯(lián)發(fā)科（MediaTek）已選擇采用其人工智能驅(qū)動(dòng)的Cadence Virtuoso Studio和Spectre X Simulator工具，在英偉達(dá)（NVIDIA）的加速計(jì)算平臺(tái)上進(jìn)行2nm芯片的開(kāi)發(fā)工作。
2025-02-05 15:22:381069 據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開(kāi)發(fā)的良率里程碑時(shí)間推遲了半年。原本，三星計(jì)劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，以達(dá)到結(jié)束開(kāi)發(fā)工作、順利進(jìn)入量產(chǎn)階段的要求。然而，實(shí)際情況并未如愿。
2025-01-22 15:54:191001 (High Bandwidth Memory 4)內(nèi)存規(guī)劃方面產(chǎn)生影響。 原本，三星電子計(jì)劃在2024年12月前將1c nm制程DRAM的良率提升至70%，這是結(jié)束開(kāi)發(fā)工作并進(jìn)入量產(chǎn)階段所必需的水平
2025-01-22 14:27:241107 nm DRAM。 這一新版DRAM工藝項(xiàng)目被命名為D1B-P，其重點(diǎn)將放在提升能效和散熱性能上。這一命名邏輯與三星此前推出的第六代V-NAND改進(jìn)版制程V6P相似，顯示出三星在半導(dǎo)體工藝研發(fā)上的持續(xù)創(chuàng)新與投入。 據(jù)了解，在決定啟動(dòng)D1B-P項(xiàng)目時(shí)，三星現(xiàn)有的12nm級(jí)DRAM工藝良率
2025-01-22 14:04:071408 高達(dá)14億美元，不僅將超越當(dāng)前正在研發(fā)的2nm工藝技術(shù)，更將覆蓋從1nm至7A(即0.7nm)的尖端工藝領(lǐng)域。NanoIC試驗(yàn)線的啟動(dòng)，標(biāo)志著歐洲在半導(dǎo)
2025-01-21 13:50:441023 一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯（CFX）今日宣布，其反熔絲一次性可編程（OTP）技術(shù)繼 2021年在國(guó)內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后，2024 年在國(guó)內(nèi)多家代工廠關(guān)于 90nm BCD 工藝上也
2025-01-20 17:27:471647
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