格半導(dǎo)體現(xiàn)推出雙通道低噪聲運(yùn)算放大器ZGA2002/ZGA2012。其中，ZGA2002的失調(diào)電壓低至10μV，ZGA2012則在保持極低噪聲的同時(shí)提供更高性價(jià)比的選擇。該系列產(chǎn)品特
2025-12-30 17:16:41
927 
2025 年的半導(dǎo)體器件行業(yè)，尤其是 MCU芯片市場(chǎng)，正上演著一場(chǎng)沒有硝煙的“價(jià)格絞殺戰(zhàn)”。 ?國(guó)內(nèi)外MCU芯片廠商將這個(gè)曾被視為技術(shù)門檻的半導(dǎo)體器件硬生生拖入了“白菜價(jià)”的消費(fèi)電子賽道。 從傳統(tǒng)
2025-12-30 11:06:43120 
本文將聚焦半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)、核心摻雜工藝，以及半導(dǎo)體二極管的工作原理——這些是理解復(fù)雜半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)。
2025-12-26 15:05:13438 
傾佳電子（Changer Tech）銷售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35170 
12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬麗酒店隆重舉行。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-12-17 12:40:24342 的分立器件、復(fù)合器件及部分 IC 類產(chǎn)品的綜合測(cè)試平臺(tái)，覆蓋從研發(fā)驗(yàn)證到量產(chǎn)篩選的全流程需求。 一、廣泛適配的測(cè)試器件與參數(shù) STD2000X 支持多達(dá) 20 類常見半導(dǎo)體器件 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，包括
2025-11-21 11:16:03118 
隨著新能源汽車、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372314 
HP 4145B / Agilent 4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款獨(dú)立的儀器，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件和材料進(jìn)行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備，測(cè)量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21598 
精準(zhǔn)洞察，卓越測(cè)量---BW-4022A半導(dǎo)體分立器件綜合測(cè)試平臺(tái)
原創(chuàng) 一覺睡到童年 陜西博微電通科技
2025年09月25日 19:08 陜西
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮中，每一顆微小的半導(dǎo)體
2025-10-10 10:35:17
半導(dǎo)體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學(xué)過程去除各類污染物，同時(shí)避免對(duì)材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)路徑的詳細(xì)闡述：污染物分類與對(duì)應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
電阻率的測(cè)試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學(xué)特性選擇合適的測(cè)量方法。在低維半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測(cè)量對(duì)器件性能
2025-09-29 13:43:16580 
安世半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)先企業(yè)，提供離散元件、功率元件和邏輯集成電路，在質(zhì)量和可靠性方面享有盛譽(yù)。安世半導(dǎo)體矢志創(chuàng)新，不斷快速擴(kuò)展產(chǎn)品組合，尤其是功率 MOSFET、寬帶間隙半導(dǎo)體、IGBT 以及
2025-09-24 10:08:571930 摩矽半導(dǎo)體：專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
半導(dǎo)體芯片是現(xiàn)在世界的石油，它們推動(dòng)了經(jīng)歷、國(guó)防和整個(gè)科技行業(yè)。-------------帕特里克-基辛格。
AI的核心是一系列最先進(jìn)的半導(dǎo)體芯片。那么AI芯片最新技術(shù)以及創(chuàng)新有哪些呢。
本章節(jié)作者
2025-09-15 14:50:58
摘要功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiC高功率密度設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)和測(cè)試的基本技能，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率
2025-09-12 17:05:13772 
今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨頒獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導(dǎo)體憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場(chǎng)表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎(jiǎng)”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導(dǎo)體賽道的領(lǐng)先地位，更是對(duì)其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認(rèn)可。
2025-09-11 17:42:53879 作為 FOSAN 富捷科技集團(tuán)旗下專注半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心企業(yè)，安徽富信半導(dǎo)體科技有限公司憑借豐富的半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品線與場(chǎng)景化解決方案能力，深度滲透 BMS 電池管理、儲(chǔ)能電源、智能裝備、消費(fèi)
2025-09-08 14:45:28699 
五類網(wǎng)線接口(RJ45)可以插六類網(wǎng)線，但實(shí)際使用效果需結(jié)合具體場(chǎng)景和設(shè)備綜合判斷。以下是詳細(xì)分析： 一、物理兼容性：接口通用，但需注意細(xì)節(jié) RJ45接口標(biāo)準(zhǔn)統(tǒng)一 五類(Cat5)、超五類
2025-09-08 10:32:594446 我們知道，帶電離子穿透半導(dǎo)體材料的過程中，會(huì)與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運(yùn)動(dòng)軌跡生成電子 - 空穴對(duì)，這一物理過程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機(jī)理來看，半導(dǎo)體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個(gè)核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181143 
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例，摻入五價(jià)砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導(dǎo)體，直接影響導(dǎo)電
2025-08-27 14:58:20650 
“根據(jù)CINNO Research最新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2025年上半年，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)（含臺(tái)灣）總投資額為4,550億元，同比下滑9.8%，這一變化反映了全球半導(dǎo)體行業(yè)正處于周期性調(diào)整階段。且相比去年同比
2025-08-13 17:21:462097 
網(wǎng)線面板確實(shí)分五類和六類，這種分類主要基于其適配的網(wǎng)線類型及傳輸性能，以下是具體說明： 一、分類依據(jù) 適配網(wǎng)線類型 五類面板：專為五類網(wǎng)線(CAT5)設(shè)計(jì)，適用于百兆以太網(wǎng)(100Mbps)，傳輸
2025-08-08 09:46:043344 五類網(wǎng)線可以使用六類水晶頭，但需注意兼容性和實(shí)際效果，且通常不建議長(zhǎng)期或關(guān)鍵場(chǎng)景下這樣搭配。 以下是詳細(xì)分析： 一、五類網(wǎng)線與六類水晶頭的兼容性 物理結(jié)構(gòu)兼容性 線徑與排列：五類網(wǎng)線(Cat5
2025-08-06 10:29:107103 
近日，在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可，更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！
2025-08-05 17:58:091699 
7月26日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開。會(huì)議期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191756 7月25日至27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京圓滿落幕。在備受矚目的年度評(píng)選環(huán)節(jié)中，聞泰科技憑借其持續(xù)領(lǐng)先的市場(chǎng)表現(xiàn)與深厚扎實(shí)
2025-07-30 17:50:241182 A22-3分立半導(dǎo)體器件(MOS管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:57:0118515 
A22-2分立半導(dǎo)體器件(三極管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:55:23446 
A22-1分立半導(dǎo)體器件(二極管)知識(shí)與應(yīng)用專題
2025-07-30 09:46:5912891 
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會(huì)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體
2025-07-28 18:30:071313 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
半導(dǎo)體分立器件測(cè)試是對(duì)二極管、晶體管、晶閘管等獨(dú)立功能半導(dǎo)體器件的性能參數(shù)進(jìn)行系統(tǒng)性檢測(cè)的過程，旨在評(píng)估其電氣特性、可靠性和適用性。以下是主要測(cè)試內(nèi)容與方法的總結(jié)： 1. ? 測(cè)試對(duì)象與分類
2025-07-22 17:46:32825 
電子科技的快速發(fā)展離不開半導(dǎo)體，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技的核心驅(qū)動(dòng)力之一，其對(duì)于電子設(shè)備性能、功能拓展方面都起到關(guān)鍵的作用。熱重分析儀作為一款材料熱分析工具，能夠在半導(dǎo)體材料的研究、生產(chǎn)與應(yīng)用過
2025-07-21 11:31:09336 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
本文簡(jiǎn)單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識(shí)，基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。
2025-06-26 14:03:471346 
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
根據(jù)半導(dǎo)體分立器件的功能與結(jié)構(gòu)差異，可將其分為以下核心類別，各類型典型器件及應(yīng)用場(chǎng)景如下： ?一、基礎(chǔ)二極管類? ? ?類型? ?代表器件? ?核心功能? ?典型應(yīng)用? ?整流二極管? 1N4007
2025-06-23 12:28:34863 
的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導(dǎo)體材料光電效應(yīng)等物理機(jī)制，實(shí)現(xiàn)光信號(hào)與電信號(hào)相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當(dāng)光線照射半導(dǎo)體材料時(shí)，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比增長(zhǎng)10%至1171.4億美元， 這已經(jīng)是五年來第四度呈現(xiàn)增長(zhǎng)，年銷售額超越2022年的1076.4億美元**，創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。** 這一年，不管是前端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，還是后端設(shè)備領(lǐng)域都呈現(xiàn)了不同程度的增長(zhǎng)。 SEMI表示，2024年 全球前端半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)顯
2025-06-05 04:36:57873 
化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達(dá)8500cm2/V·s，本征電阻率達(dá)10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382337 
在科技飛速發(fā)展的當(dāng)下，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石，其重要性不言而喻。而半導(dǎo)體制造設(shè)備，更是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)力。步入 2025 年，半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)正站在一個(gè)充滿變數(shù)的十字路口，前景究竟是一片璀璨，還是會(huì)陷入風(fēng)云變幻的局面，引發(fā)了行業(yè)內(nèi)外的廣泛關(guān)注。
2025-05-22 15:01:361534 
與定義，他在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域堅(jiān)守了18年，也積累豐富實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)。工作角色轉(zhuǎn)變后，張大江開始更加注重以客戶需求為導(dǎo)向，從市場(chǎng)角度思考問題。想要在市場(chǎng)中脫穎而出，做好品牌宣傳是很關(guān)鍵的一步。在張大江的布局下
2025-05-19 10:16:02
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正迎來新一輪增長(zhǎng)周期。臺(tái)積電全球業(yè)務(wù)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)近日透露，在人工智能(AI)技術(shù)的強(qiáng)勁推動(dòng)下，2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)同比增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將超過10%。更值得關(guān)注的是，到2030年
2025-05-16 11:09:431177 
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
此前，4月27日至28日，2025西部半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展論壇暨陜西省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)成立20周年大會(huì)在西安盛大召開，龍騰半導(dǎo)體受邀參會(huì)。
2025-05-07 11:49:461149 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531705 
根據(jù)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部發(fā)布的最新數(shù)據(jù)顯示，今年第一季度，韓國(guó)對(duì)華出口總額達(dá)288億美元，其中半導(dǎo)體出口額為137.3億美元，占對(duì)華出口總額的47%。然而，令人關(guān)注的是，韓國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體出口額較去年
2025-04-24 11:33:22902 半 導(dǎo) 體一、 定義：導(dǎo)電性能介於導(dǎo)體與絕繃體之間二、 特性：1).熱敏特性；2).光敏特性；3).摻雜特性三、 種類：1. N型半導(dǎo)體→在帶電性的半導(dǎo)體材料中摻入少量的五價(jià)元素(正電)使其內(nèi)部多數(shù)
2025-04-22 15:17:19
。 第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導(dǎo)體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導(dǎo)體制造中的化學(xué)品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測(cè)量學(xué)和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
4月11日，華強(qiáng)電子網(wǎng)主辦的“2025半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)大會(huì)暨2024年度華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國(guó)產(chǎn)品牌頒獎(jiǎng)盛典”盛大舉辦。 高云半導(dǎo)體憑借其在國(guó)產(chǎn)FPGA行業(yè)十余年的深耕、突出
2025-04-14 09:06:011135 有機(jī)半導(dǎo)體材料是具有半導(dǎo)體性質(zhì)的有機(jī)材料，1986年第一個(gè)聚噻吩場(chǎng)效應(yīng)晶體管發(fā)明以來，有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機(jī)物作為半導(dǎo)體甚至是導(dǎo)體制備電子器件來代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機(jī)物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢(shì)，市場(chǎng)前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
電子模塊(IPEM)技術(shù)開始發(fā)展，它是當(dāng)今國(guó)際電力電子界亟待解決的新問題之一。
關(guān)注點(diǎn)一：功率半導(dǎo)體器件性能
1998年，Infineon公司推出冷MOS管，它采用“超級(jí)結(jié)
2025-04-09 15:02:01
在材料科學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)和藥物學(xué)等眾多領(lǐng)域，深入探究物質(zhì)的熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)性質(zhì)至關(guān)重要。半導(dǎo)體制冷差示掃描量熱儀（DSC）作為一款關(guān)鍵的分析儀器，在這一過程中發(fā)揮著不可替代的作用。?上海和晟
2025-03-31 10:28:22537 
2024年，芯途璀璨，創(chuàng)新不止。武漢芯源半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“武漢芯源半導(dǎo)體”）在21ic電子網(wǎng)主辦的2024年度榮耀獎(jiǎng)項(xiàng)評(píng)選中，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)，榮膺“年度創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)獎(jiǎng)”。這一
2025-03-13 14:21:54
日前，京東方華燦的氮化鎵研發(fā)總監(jiān)馬歡應(yīng)半導(dǎo)體在線邀請(qǐng)，分享了關(guān)于氮化鎵器件的最新進(jìn)展，引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注。隨著全球半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)Ω咝阅?、高效?b class="flag-6" style="color: red">器件的需求不斷加大，氮化鎵（GaN）技術(shù)逐漸成為新一代電子器件的熱點(diǎn)，其優(yōu)越的性能使其在電源轉(zhuǎn)換和射頻應(yīng)用中展現(xiàn)出巨大的潛力。
2025-03-13 11:44:261526 【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長(zhǎng)，同時(shí)人們對(duì)降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體材料備受關(guān)注。石墨烯、過渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061187 AEC-Q102是汽車電子領(lǐng)域針對(duì)分立光電半導(dǎo)體元器件的應(yīng)力測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)，由汽車電子委員會(huì)（AEC）制定。該標(biāo)準(zhǔn)于2017年3月首次發(fā)布，隨后在2020年4月更新為AEC-Q102REVA版本，成為目前
2025-03-07 15:35:151610 
RS-232接口及Ethernet接口，可實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程自動(dòng)控制。
可針對(duì)以下封裝的半導(dǎo)體器件進(jìn)行高精度自動(dòng)溫度實(shí)驗(yàn)測(cè)量
(1)石英晶體諧振器、振蕩器
(2)電阻、電容、電感
(3)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管
2025-03-06 10:48:56
北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
此前，2月24-28日，概倫電子2025年半導(dǎo)體器件特性測(cè)試系統(tǒng)代理商培訓(xùn)會(huì)議在山城重慶喜來登酒店隆重舉行。
2025-03-05 11:48:561202 2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)：功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng)，SiC在非汽車領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng)，GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域， 中國(guó)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級(jí)。
2025-03-04 09:33:412258 
半導(dǎo)體激光器陣列的應(yīng)用已基本覆蓋了整個(gè)光電子領(lǐng)域，成為當(dāng)今光電子科學(xué)的重要技術(shù)。本文介紹了半導(dǎo)體激光器陣列的發(fā)展及其應(yīng)用，著重闡述了半導(dǎo)體激光器陣列的封裝技術(shù)——熱沉材料的選擇及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化、熱沉與半導(dǎo)體激光器陣列之間的焊接技術(shù)、半導(dǎo)體激光器陣列的冷卻技術(shù)、與光纖的耦合技術(shù)等。
2025-03-03 14:56:191800 
氮化鎵(GaN)功率器件系列能夠設(shè)計(jì)出體積更小，成本更低，效率更高的電源系統(tǒng)，從而突破基于硅的傳統(tǒng)器件的限制。 這里我們給大家介紹一下GaNPX?和PDFN封裝器件的熱設(shè)計(jì)。 *附件：應(yīng)用筆
2025-02-26 18:28:471205 2月8日，全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)WSTS宣布，2024 年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到 6276 億美元，與 2023 年的 5268 億美元相比增長(zhǎng) 19.1%。2024年第四季度全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)到1709億美元，比2023年同期增長(zhǎng)17.1%。
2025-02-18 17:50:487421 
五類線、超五類線和六類線在多個(gè)方面存在顯著差異，以下是對(duì)它們的詳細(xì)比較和區(qū)分方法： 一、標(biāo)識(shí)與結(jié)構(gòu) 1. 五類線 標(biāo)識(shí)：外皮會(huì)標(biāo)注“CAT5”字樣。 結(jié)構(gòu)：無十字骨架，主要由PVC環(huán)保外被、4
2025-02-17 10:46:467123 成為行業(yè)內(nèi)的研究熱點(diǎn)。本文將重點(diǎn)探討第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的封裝技術(shù)及其應(yīng)用。二、第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件概述（一）定義與分類第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件是指以碳化
2025-02-15 11:15:301609 
2025年1月20日，海關(guān)統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)在線查詢平臺(tái)公布了2024年13類主要半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口29367臺(tái)，同比增加4.6％，進(jìn)口金額196.12億美元，同比增長(zhǎng)8.5％。 2024年，化學(xué)氣相沉積設(shè)備
2025-02-13 15:19:491236 2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
了一個(gè)關(guān)鍵階段，同時(shí)也被視為中國(guó)EDA產(chǎn)業(yè)邁向新高度的重要信號(hào)。 來源：證監(jiān)會(huì)官網(wǎng)截圖 ? 芯和半導(dǎo)體成立于2019年，總部位于上海市浦東新區(qū)，是一家在EDA軟件、集成無源器件（IPD）和系統(tǒng)級(jí)封裝領(lǐng)域具有卓越領(lǐng)先地位的供貨商
2025-02-11 10:11:031733 
在科技強(qiáng)國(guó)戰(zhàn)略的引領(lǐng)和政策的大力扶持下，科技產(chǎn)業(yè)正蓬勃發(fā)展，半導(dǎo)體行業(yè)更是其中的焦點(diǎn)。 過去五年，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備上市公司的收入、歸母凈利潤(rùn)不斷增長(zhǎng)，但仍然和海外半導(dǎo)體設(shè)備公司相比規(guī)模尚小，有著巨大
2025-02-10 10:07:291021 根據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Gartner的最新數(shù)據(jù)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來持續(xù)增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)2025年，全球半導(dǎo)體收入將達(dá)到7050億美元，同比增長(zhǎng)12.6%。這一增長(zhǎng)趨勢(shì)將在2024年強(qiáng)勁增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上得以實(shí)現(xiàn)，2024年半導(dǎo)體收入預(yù)計(jì)為6260億美元，同比增長(zhǎng)18.1%。
2025-02-08 16:36:441309 先楫半導(dǎo)體HPM_SDK v1.7.0發(fā)布！這些更新你值得關(guān)注！
2025-02-08 13:42:421140 
半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 。特別是濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響，已成為學(xué)術(shù)界和工業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。本文將深入探討濕度對(duì)功率半導(dǎo)體器件芯片焊料熱阻的影響機(jī)理，以期為功率半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 半導(dǎo)體封裝是半導(dǎo)體器件制造過程中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，旨在保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響，同時(shí)實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路的連接。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，封裝技術(shù)也在不斷革新，以滿足電子設(shè)備小型化、高性能、低成本和環(huán)保的需求。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體封裝的類型和制造方法。
2025-02-02 14:53:002637 2024年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn)，包括汽車行業(yè)尤其是電動(dòng)汽車領(lǐng)域的需求低于預(yù)期、地緣政治不確定性加劇的工業(yè)應(yīng)用低迷，以及消費(fèi)市場(chǎng)疲軟。更重要的是，這些障礙出現(xiàn)在多個(gè)行業(yè)參與者大規(guī)模投資產(chǎn)能擴(kuò)張
2025-01-28 16:26:002165 世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）公布了對(duì)全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的最新預(yù)測(cè)，強(qiáng)調(diào)了2024年和2025年的強(qiáng)勁增長(zhǎng)預(yù)期。 2024年：強(qiáng)勁反彈之年 在最新的秋季預(yù)測(cè)中，WSTS上調(diào)了對(duì)2024年的預(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)
2025-01-21 18:13:091186 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-20 17:33:501975 2024年，全球半導(dǎo)體行業(yè)雖然未像預(yù)期那般出現(xiàn)全面復(fù)蘇，但生成式人工智能(AIGC)、汽車電子和通信技術(shù)的快速發(fā)展，卻奠定了底層技術(shù)在2025年的基礎(chǔ)，為半導(dǎo)體行業(yè)在新一年中回暖帶來了新的希望。在這一年
2025-01-17 15:36:315066 
來源：全球半導(dǎo)體觀察 近期，山東與江蘇兩地公布2025年重大項(xiàng)目名單。 山東公布2025年省重大項(xiàng)目名單，共包含項(xiàng)目600個(gè)，其中省重大實(shí)施類項(xiàng)目562個(gè)，省重大準(zhǔn)備類項(xiàng)目38個(gè)，涵蓋電子科技
2025-01-15 11:04:251720 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 20.7%的顯著增長(zhǎng)。 這一增長(zhǎng)數(shù)據(jù)不僅體現(xiàn)了全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的強(qiáng)勁復(fù)蘇，也反映出半導(dǎo)體行業(yè)在全球經(jīng)濟(jì)中的重要地位。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型的加速推進(jìn)和新興技術(shù)的不斷涌現(xiàn)，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心組件，其需求量持續(xù)攀升。 值得一提的是，與2024年10月的銷
2025-01-09 15:47:22759 又到了歲末年初之際，回顧過去的2024年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有增長(zhǎng)也有陣痛，復(fù)盤2024年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，有哪些長(zhǎng)足的進(jìn)展又有哪些短板？展望2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)又有哪些機(jī)會(huì)，該如何發(fā)展？為此，電子發(fā)燒友
2025-01-09 13:47:20906 
趨勢(shì)一：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）大放異彩 在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）宛如兩顆冉冉升起的新星，正以迅猛之勢(shì)改變著行業(yè)格局。 與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比，SiC
2025-01-08 16:32:155035 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132114 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在科技飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體作為現(xiàn)代科技的“心臟”，其重要性不言而喻。從智能手機(jī)到超級(jí)計(jì)算機(jī)，從電動(dòng)汽車到物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，半導(dǎo)體無處不在。步入2025年，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)又將呈現(xiàn)怎樣的態(tài)勢(shì)呢？變化中孕育
2025-01-06 16:26:092931 
在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580 正值歲末年初之際，我們回顧2024年，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了增長(zhǎng)與陣痛并存的局面，復(fù)盤2024年的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)狀況，有哪些長(zhǎng)足的進(jìn)展又有哪些短板？展望2025年，半導(dǎo)體市場(chǎng)又有哪些機(jī)會(huì)，該如何發(fā)展
2025-01-06 09:36:221284 
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