、無(wú)廠半導(dǎo)體公司和終端用戶的完整的 FD-SOI 生態(tài)系統(tǒng)計(jì)劃。這個(gè)合作機(jī)會(huì)讓CEA熱情高漲，積極開發(fā)性能更高而功耗和成本更低的新一代 FD-SOI 技術(shù)，滿足汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G/6G 和制造 4.0
2022-04-21 17:18:48
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意法半導(dǎo)體宣布，其28納米FD-SOI技術(shù)平臺(tái)在測(cè)試中取得又一項(xiàng)重大階段性成功:其應(yīng)用處理器引擎芯片工作頻率達(dá)到3GHz，在指定的工作頻率下新產(chǎn)品能效高于其它現(xiàn)有技術(shù)。
2013-03-13 09:40:241837 
Altera推出業(yè)界唯一投產(chǎn)的低功耗28 nm Cyclone? V GT FPGA，幫助開發(fā)人員降低了PCIe Gen2應(yīng)用的系統(tǒng)總成本，并全面通過(guò)了PCI Express? （PCIe?） 2.0規(guī)范的兼容性測(cè)試。
2013-03-19 12:37:393775 意法半導(dǎo)體獨(dú)有的FD-SOI技術(shù)配備嵌入式存儲(chǔ)器，有望突破更高性能，以實(shí)現(xiàn)更低工作功耗和更低待機(jī)功耗。
2013-11-09 08:54:091663 在我們大多數(shù)人“非黑即白”、“非此即彼”的觀念里，半導(dǎo)體廠商應(yīng)該不是選擇FinFET就是FD-SOI工藝技術(shù)。
2015-07-07 09:52:224208 格羅方德半導(dǎo)體（GLOBALFOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導(dǎo)體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的超低功耗要求?！?2FDX?”平臺(tái)提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當(dāng)，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò)市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。
2015-07-14 11:18:182347 半導(dǎo)體晶圓代工公司格羅方德（Globalfoundries）日前開發(fā)出支援4種技術(shù)制程的22nm FD-SOI平臺(tái)，以滿足新一代物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置的超低功耗要求——這主要來(lái)自于該公司與意法半導(dǎo)體
2015-10-08 08:29:221284 耗盡型絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)正從原本的“遲到”（too-late）位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體（FinFET）的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。
2016-04-18 10:16:033433 
Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)Gary Patton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽（FD-SOI）制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。
2016-05-27 11:17:321545 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 獲得英 特爾（Intel）、三星、臺(tái)積電（TSMC）等大廠采用的FinFET制程，號(hào)稱能提供最高性能與最低功耗；但Jones指出，在約當(dāng)14納米節(jié) 點(diǎn)，FD-SOI每邏輯閘成本能比FinFET低16.8%，此外其設(shè)計(jì)成本也低25%左右，并降低了需要重新設(shè)計(jì)的風(fēng)險(xiǎn)。
2016-09-14 11:39:022462 
晶體管（FinFET）制程技術(shù)外，也投入全耗盡型絕緣層上覆硅（FD-SOI）市場(chǎng)，并推出22納米及12納米FDX制程平臺(tái)，搶攻物聯(lián)網(wǎng)商機(jī)。
2016-11-17 14:23:221271 5G時(shí)代將對(duì)半導(dǎo)體的移動(dòng)性與對(duì)物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的適應(yīng)性有著越來(lái)越高的要求。此時(shí)，FD-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢(shì)日漸凸顯，人們對(duì)SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。
2017-09-29 11:22:5713150 格芯Fab1廠總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Thomas Morgenstern表示，FD-SOI（全耗盡平面晶體管）工藝將是格芯當(dāng)前戰(zhàn)略中心與創(chuàng)新的源泉。
2018-09-20 09:30:1910317 從工藝選擇到設(shè)計(jì)直至投產(chǎn)，設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重點(diǎn)是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢(shì)？
2013-05-17 10:26:113904 高性能與低功耗兼具的ADC產(chǎn)品匯聚 Sisyphus 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器ADC連接著現(xiàn)實(shí)模擬世界與電子系統(tǒng)，一直是芯片產(chǎn)業(yè)皇冠上的明珠。隨著技術(shù)應(yīng)用的發(fā)展，ADC產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)出越來(lái)越清晰的發(fā)展趨勢(shì)，即在大幅
2021-12-20 07:01:003582 在工藝進(jìn)程方面，i.MX RT500使用了28nm FD-SOI耗盡型絕緣硅工藝，該工藝的優(yōu)勢(shì)在于能夠在提升處理器主頻性能的同時(shí)，盡可能控制功耗。
2021-12-23 11:10:332506 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，能利用襯底偏壓（body bias）提供廣泛的性能以及功耗選項(xiàng)，兼具低功耗、近二維平面、高性能、低成本的特點(diǎn)
2024-10-28 06:57:004142 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 2025 年 9 月 25 日在上海浦東香格里拉大酒店舉辦。本次論壇由芯原股份、新傲科技和新傲芯翼主辦， SEMI 中國(guó)和 SOI 國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。 論壇匯聚了全球
2025-09-25 14:11:367746 
第十屆上海 FD-SOI 論壇 ? 2025 年 9 月 15 日 下午的專題二環(huán)節(jié) ， 繼續(xù) 聚焦 FD-SOI 的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)， 來(lái)自多家全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)公司的 專家 、 國(guó)內(nèi)大學(xué) 學(xué)者和企業(yè)代表
2025-09-25 17:41:258705 
FD-SOI（全耗盡型絕緣層上硅）技術(shù)是一種新的工藝技術(shù)，有望成為其30納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中成本效益最高的制造工藝。如果采用28納米技術(shù)制作一顆晶片，在相同的選件和金屬層條件下，FD-SOI需要38
2016-04-15 19:59:26
目前許多終端市場(chǎng)對(duì)可編程邏輯器件設(shè)計(jì)的低功耗要求越來(lái)越苛刻。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)如路由器、交換機(jī)、基站及存儲(chǔ)服務(wù)器等通信產(chǎn)品時(shí),需要密度更大、性能更好的FPGA,但滿足功耗要求已成為非常緊迫的任務(wù)。而在
2019-07-15 08:16:56
隨著65nm工藝的應(yīng)用以及更多低功耗技術(shù)的采用，FPGA擁有了更低的成本、更高的性能以及突破性的低耗電量，具備進(jìn)入更廣泛市場(chǎng)的條件。FPGA從業(yè)者表示，今年FPGA快速增長(zhǎng)，而預(yù)計(jì)明年仍將是一個(gè)增長(zhǎng)年。
2019-10-31 06:49:34
Altera公司產(chǎn)品和企業(yè)市場(chǎng)副總裁DannyBiran低功耗是一種戰(zhàn)略優(yōu)勢(shì) 在器件的新應(yīng)用上，FPGA功耗和成本結(jié)構(gòu)的改進(jìn)起到了非常重要的作用。Altera針對(duì)低功耗，同時(shí)對(duì)體系結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)工藝進(jìn)行
2019-07-16 08:28:35
工藝節(jié)點(diǎn)中設(shè)計(jì)，但是 FD-SOI 技術(shù)提供最低的功率，同時(shí)可以承受輻射效應(yīng)。與體 CMOS 工藝相比，28 納米 FD-SOI 芯片的功耗將降低 70%。射頻數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器需要同時(shí)具有高帶寬和低功耗，以
2023-02-07 14:11:25
Altera公司近期宣布，開始交付業(yè)界第一款高性能28-nm FPGA量產(chǎn)芯片。Stratix V FPGA是唯一使用TSMC 28HP工藝制造的FPGA，比競(jìng)爭(zhēng)解決方案高出一個(gè)速率等級(jí)
2012-05-14 12:38:53
Cyclone V FPGA是目前市場(chǎng)上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過(guò)集成，前所未有的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無(wú)線、固網(wǎng)、軍事和汽車等市場(chǎng)
2012-09-21 13:49:05
半導(dǎo)體為代表的歐洲半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)和公司相繼迎來(lái)技術(shù)突破，快速發(fā)展，為MRAM的商業(yè)化應(yīng)用埋下了伏筆。 2014年，三星與意法半導(dǎo)體簽訂28nm FD-SOI技術(shù)多資源制造全方位合作協(xié)議，授權(quán)三星在芯片
2023-03-21 15:03:00
基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些技術(shù)優(yōu)勢(shì)？基于FD-SOI的FPGA芯片有哪些主要應(yīng)用？
2021-06-26 07:14:03
從工藝選擇到設(shè)計(jì)直至投產(chǎn)，設(shè)計(jì)人員關(guān)注的重點(diǎn)是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實(shí)現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢(shì)？
2019-09-17 08:18:19
充分發(fā)揮低功耗優(yōu)勢(shì)的公司之一，它是世界上最大的電信系統(tǒng)供應(yīng)商之一，可提供基于Altera Stratix IV FPGA的運(yùn)營(yíng)商級(jí)以太網(wǎng)芯片解決方案。Altera高性能、低功耗技術(shù)與TPACK高度集成
2019-07-31 07:13:26
CJC89888芯片特點(diǎn)是什么？低功耗芯片設(shè)計(jì)要點(diǎn)是什么？怎么實(shí)現(xiàn)低功耗單芯片高性能音頻CODEC的設(shè)計(jì)？
2021-06-03 06:27:25
尊敬的先生/女士，您能否提供步驟和可能的圖表，以便在ADS仿真中獲得N-MOS FD-SOI晶體管的C-V曲線？提前謝謝Gadora 以上來(lái)自于谷歌翻譯 以下為原文Dear Sir/Madam
2018-11-15 16:42:08
，使用TSMC的28nm高性能（28HP）工藝，對(duì)于低成本和低功耗應(yīng)用，則采用28LP工藝。Stratix V FPGA采用了28HP工藝，而Arria V和Cyclone V FPGA都采用了LP
2015-02-09 15:02:06
本資料是關(guān)于如何采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本
2012-07-31 21:25:06
TI新推6核DSP，兼具極低功耗和高性能
以前我們依靠時(shí)鐘衡量DSP性能高低，然而這樣的對(duì)應(yīng)關(guān)系并非線性，而市場(chǎng)的需求卻在線性增長(zhǎng)，那如何實(shí)現(xiàn)性能的提升？
2009-11-06 09:35:25911 上網(wǎng)本是要高性能還是要低功耗？
期待已久的英特爾凌動(dòng)二代產(chǎn)品N450終于上市，然而有評(píng)測(cè)機(jī)構(gòu)說(shuō)它的處理性能相比前一代產(chǎn)品并沒(méi)有明顯提升，感覺(jué)有些失望。其實(shí)
2010-01-27 09:04:341021 
統(tǒng)一工藝和架構(gòu)，賽靈思28納米FPGA成就高性能和低功耗的完美融合
賽靈思公司(Xilinx)近日宣布，為推進(jìn)可編程勢(shì)在必行之必然趨勢(shì)，正對(duì)系統(tǒng)工程師在全球發(fā)布賽靈思
2010-03-02 08:48:51962 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行Bulk MOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。由于這些技術(shù)都不需要向通
2010-06-23 08:01:42888 22nm以后的晶體管技術(shù)領(lǐng)域，靠現(xiàn)行BulkMOSFET的微細(xì)化會(huì)越來(lái)越困難的，為此，人們關(guān)注的是平面型FD-SOI（完全空乏型SOI）元件與基于立體通道的FinFET。
2011-01-18 17:53:421852 賽靈思選用 28nm 高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低 功耗技術(shù)，并將該技術(shù)與新型一體化 ASMBLTM 架構(gòu)相結(jié)合，從而推出能降低功耗、提高性能的新一代FPGA。這些器件實(shí)現(xiàn)了前所未有的高集成
2012-01-17 15:44:03
21 本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個(gè)方面，其中包括臺(tái)積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:4441 Cyclone V FPGA簡(jiǎn)介 Altera公司的28nm Cyclone V FPGA器件是目前市場(chǎng)上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過(guò)集成，前所未有的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無(wú)線
2012-09-04 13:44:543469 本文主要介紹Cyclone V FPGA的一個(gè)很明顯的特性，也可以說(shuō)是一個(gè)很大的優(yōu)勢(shì)，即：采用低功耗28nm FPGA減少總系統(tǒng)成本
2012-09-05 15:35:2726 Cyclone V FPGA功耗優(yōu)勢(shì)：采用低功耗28nm FPGA活的最低系統(tǒng)功耗（英文資料）
2012-09-05 16:04:1140 意法半導(dǎo)體（ST）、Soitec與CMP（Circuits Multi Projets）攜手宣佈，大專院校、研究實(shí)驗(yàn)室和設(shè)計(jì)公司將可透過(guò)CMP的硅中介服務(wù)採(cǎi)用意法半導(dǎo)體的CMOS 28奈米FD-SOI （Fully Depleted Silicon-on-Insulator，
2012-10-25 09:42:501589 日前，意法半導(dǎo)體（ST）宣布位于法國(guó)Crolles的12寸（300mm）晶圓廠即將擁有28奈米 FD-SOI技術(shù)，這證明了意法半導(dǎo)體以28奈米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面完全空乏型（planar fully-depleted）技術(shù)的能力。
2012-12-14 08:45:271206 Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結(jié)合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本，是工業(yè)、無(wú)線、有線、廣播和汽車應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-21 16:15:031449 28納米以后邏輯工藝開始分岔：立體工藝FinFET由于獲得英特爾與臺(tái)積電的主推成為主流，14/16納米都已量產(chǎn)，10納米工藝也有可能在2017年量產(chǎn)；體硅工藝停止在28納米，想增加集成度而又對(duì)FinFET開發(fā)成本望而卻步的半導(dǎo)體公司另辟蹊徑。
2016-11-04 19:12:111160 
據(jù)報(bào)道,意法半導(dǎo)體公司決定選擇格芯22FDX?用來(lái)提升其FD-SOI平臺(tái)和技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力，格芯FDX技術(shù)將賦能ST為新一代消費(fèi)者和工業(yè)應(yīng)用提供高性能、低功耗的產(chǎn)品。
2018-01-10 16:04:426591 GlobalFoundries的FD-SOI技術(shù)已經(jīng)略有成效，近日傳來(lái)消息，又迎來(lái)意法半導(dǎo)體（ST）的大單進(jìn)補(bǔ)，在第二代FD-SOI技術(shù)解決方案領(lǐng)域吧徹底取代三星。
2018-01-15 14:16:031813 集中在28nm，但是下一代的18nm將不會(huì)太遠(yuǎn)。FD SOI工藝將以28FDS和18FDS為基礎(chǔ)，提供基礎(chǔ)的工藝服務(wù)，未來(lái)將開發(fā)RF和eMRAM技術(shù)。
2018-04-10 17:30:002144 物聯(lián)網(wǎng)FD-SOI制程 若要說(shuō)2018以及未來(lái)五年最受矚目的半導(dǎo)體制程技術(shù)，除了即將量產(chǎn)的7奈米FinFET尖端制程，以及預(yù)計(jì)將全面導(dǎo)入極紫外光(EUV)微影技術(shù)的5奈米制程節(jié)點(diǎn)，各家晶圓代工
2018-03-15 10:54:002872 晶圓代工廠格芯日前宣布其22納米全耗盡型絕緣上覆硅(FD-SOI)制程技術(shù)取得了36項(xiàng)設(shè)計(jì)訂單，其中有超過(guò)十幾項(xiàng)設(shè)計(jì)將會(huì)在今年出樣(tape-out)。另一方面，其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星則預(yù)計(jì)今年將采用其28nm FD-SOI制程出樣20余款芯片。
2018-05-02 16:16:135272 格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。
2018-05-14 15:54:003070 
賽靈思7系列FPGA產(chǎn)品通過(guò)采用新的工藝和新的架構(gòu)方式，成功將產(chǎn)品的功耗顯著降低。7系列FPGA產(chǎn)品的實(shí)測(cè)功耗與上一代產(chǎn)品相比，降低了約一半。采用臺(tái)積電全新28HPL工藝，賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了高性能和低功耗。
2018-06-05 13:45:005086 加利福尼亞州圣克拉拉，2018年5月23日——格芯宣布，其22nm FD-SOI (22FDX?)技術(shù)平臺(tái)已通過(guò)AEC-Q100(2級(jí))認(rèn)證，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。作為業(yè)內(nèi)符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的先進(jìn)FD-SOI
2018-05-25 11:20:001951 生產(chǎn)FD-SOI工藝的公司有ST Micro（其正在將此工藝用作28納米IDM的生產(chǎn)），三星代工廠（28納米工藝投產(chǎn)中，18納米工藝計(jì)劃投產(chǎn)），以及格芯代工廠（22納米工藝投產(chǎn)中，12納米計(jì)劃投產(chǎn)）。
2018-08-02 11:35:245500 今天，Globalfoundries（簡(jiǎn)稱GF）宣布無(wú)限期停止7nm工藝的投資研發(fā)，轉(zhuǎn)而專注現(xiàn)有14/12nm FinFET工藝及22/12nm FD-SOI工藝。
2018-08-31 15:03:013623 雙方攜手采用Imagination的Ensigma連接方案半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)（connectivity IP），在GF的22nm FD-SOI（22FDX?）工藝平臺(tái)上，為業(yè)界提供用于低功耗藍(lán)牙
2018-09-26 11:14:505062 Soitec與三星晶圓代工廠擴(kuò)大合作 保障FD-SOI晶圓供應(yīng)，滿足當(dāng)下及未來(lái)消費(fèi)品、物聯(lián)網(wǎng)和汽車應(yīng)用等領(lǐng)域的需求，確保FD-SOI技術(shù)大量供應(yīng)。
2019-01-22 09:07:00871 隨著FD-SOI技術(shù)在系統(tǒng)芯片(SoC)設(shè)備的設(shè)計(jì)中越發(fā)受到關(guān)注，Soitec的業(yè)務(wù)也迎來(lái)了蒸蒸日上的發(fā)展，從其最新的財(cái)務(wù)報(bào)表即可見一斑。
2018-12-23 16:45:123407 當(dāng)MOS器件的特征尺寸不斷縮小至22nm及以下時(shí)，提高溝道的摻雜濃度和降低源漏結(jié)深已仍不能很好的改善短溝道效應(yīng)。在SOI絕緣層上的平面硅技術(shù)基礎(chǔ)上提出FD-SOI晶體管。研究發(fā)現(xiàn)要使FD-SOI有效
2019-04-10 08:00:0013 為求低功耗、高能效及高性價(jià)比之元件，市場(chǎng)逐漸開發(fā)出FD-SOI（完全空乏型硅絕緣層金氧半晶體管）結(jié)構(gòu)；而FD-SOI構(gòu)造主要以SOI晶圓為核心，透過(guò)傳統(tǒng)Si芯片制程方式，進(jìn)而以水平式晶體管架構(gòu)，取代線寬較大（16～12nm）之FinFET元件。
2019-05-22 17:22:205089 
持續(xù)創(chuàng)新 28HPL 高性能低功耗工藝，成就跨越全新中低端器件，和 Artix-7 FPGA、Kintex-7 FPGA 及 Zynq-7000 SoC 產(chǎn)品系列的全新低功耗工業(yè)速度等級(jí)的器件敬請(qǐng)
2019-08-01 09:07:324020 
事實(shí)勝于雄辯，與以往FD-SOI論壇上只以PPT展示FD-SOI優(yōu)勢(shì)相比，本次論壇多家公司以已經(jīng)采用FD-SOI工藝的產(chǎn)品說(shuō)明其優(yōu)勢(shì)，其震撼效果難以言傳！
2019-08-06 16:22:454242 長(zhǎng)期跟蹤研究半導(dǎo)體工藝和技術(shù)趨勢(shì)的IBS CEO Handel Jones發(fā)表演講，并對(duì)FD-SOI未來(lái)走勢(shì)做出預(yù)測(cè)。
2019-08-06 16:25:004363 在FD-SOI工藝遷移中也發(fā)現(xiàn)一些問(wèn)題，就是可用的IP短缺，例如流行的高速串口IP等缺失。
2019-08-06 16:13:445032 三星宣布已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)首款商用EMRAM產(chǎn)品，該產(chǎn)品基于28nm FD-SOI工藝技術(shù)，并計(jì)劃在今年擴(kuò)大高密度新興的非易失存儲(chǔ)器解決方案，包括1Gb EMRAM芯片。
2019-09-16 16:18:591577 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出基于公司22納米 FD－SOI （22FDX）平臺(tái)的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（eMRAM）技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費(fèi)領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。
2019-10-21 11:40:161136 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-12 22:57:171218 AI芯片設(shè)計(jì)大廠萊迪思半導(dǎo)體（Lattice Semiconductor），基于本身Nexus技術(shù)平臺(tái)，發(fā)布全球首顆以FD-SOI組件制作的FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可程序化邏輯門數(shù)組）產(chǎn)品。
2020-02-27 14:54:381080 近日低功耗可編程器件的領(lǐng)先供應(yīng)商萊迪思推出了Certus-NX 系列低功耗通用FPGA，采用28nm FD-SOI 工藝平臺(tái)打造。該芯片與市場(chǎng)上同類產(chǎn)品相比最大的特點(diǎn)是其擁有領(lǐng)先的I/O密度，據(jù)了解
2020-07-03 08:57:361254 萊迪思的研發(fā)工程師幾年前就開始著手FPGA開發(fā)工藝的創(chuàng)新，旨在為客戶提供具備上述特性的硬件平臺(tái)。最終萊迪思成為業(yè)界首個(gè)支持28 nm全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）工藝的低功耗FPGA供應(yīng)商。該
2020-07-03 14:05:432819 “FD-SOI使用的范圍非常廣，包括智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等。在過(guò)去的一年，我們看到FD-SOI的使用量開始騰飛。我們預(yù)計(jì)在2020年和2021年會(huì)出現(xiàn)FD-SOI使用量的騰飛拐點(diǎn)”，Soitec
2020-07-07 16:04:044286 去年12月，我們推出了全新低功耗FPGA開發(fā)平臺(tái)Lattice Nexus?，這是業(yè)界首款采用28 nm FD-SOI制造工藝的低功耗FPGA平臺(tái)。Nexus在各個(gè)設(shè)計(jì)層面（從軟件解決方案到架構(gòu)
2020-07-10 10:03:00943 Lattice Nexus是業(yè)界首個(gè)基于28 nm FD-SOI工藝的低功耗FPGA技術(shù)平臺(tái)，得益于功耗和MIPI 速度上的優(yōu)勢(shì)，基于該平臺(tái)的第一款產(chǎn)品CrossLink-NX得到了客戶廣泛認(rèn)可
2020-07-15 19:28:421246 的功耗高度依賴于用戶的設(shè)計(jì)，沒(méi)有哪種單一的方法能夠?qū)崿F(xiàn)這種功耗的降低。目前許多終端市場(chǎng)對(duì)可編程邏輯器件設(shè)計(jì)的低功耗要求越來(lái)越苛刻。在消費(fèi)電子領(lǐng)域，OEM希望采用FPGA的設(shè)計(jì)能夠?qū)崿F(xiàn)與ASIC相匹敵的低功耗。 盡管基于90nm工藝的FPGA的功耗已低
2020-10-28 15:02:133673 功耗是我們關(guān)注的設(shè)計(jì)焦點(diǎn)之一，優(yōu)秀的器件設(shè)計(jì)往往具備低功耗特點(diǎn)。在前兩篇文章中，小編對(duì)基于Freez技術(shù)的低功耗設(shè)計(jì)以及FPGA低功耗設(shè)計(jì)有所介紹。為增進(jìn)大家對(duì)低功耗的了解，以及方便大家更好的實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)，本文將對(duì)FPGA具備的功耗加以詳細(xì)闡述。如果你對(duì)低功耗具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2021-02-14 17:50:007165 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺(tái)推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問(wèn)世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會(huì)推出基于FD-SOI平臺(tái)的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 行業(yè)領(lǐng)先的功耗效率——通過(guò)利用萊迪思在FPGA架構(gòu)方面的創(chuàng)新和低功耗FD-SOI制造工藝，CertusPro-NX器件提供卓越的性能，同時(shí)功耗比同類競(jìng)品FPGA低四倍。
2021-09-10 14:57:312597 （電子發(fā)燒友網(wǎng)原創(chuàng)報(bào)道）2023年10月23日 第八屆上海FD-SOI論壇隆重舉行，論壇由芯原股份和新傲科技主辦，SEMI中國(guó)和SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟支持。該活動(dòng)自2013年開始每年舉行一次，上次第七屆論壇
2023-11-01 16:39:043350 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《設(shè)計(jì)低功耗和高性能的工業(yè)應(yīng)用.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-16 14:50:420 谷歌 Pixel 6 拆解，FD-SOI首次被用于5G毫米波
2023-12-07 16:15:46939 
本文簡(jiǎn)單介紹了兩種常用的SOI晶圓——FD-SOI與PD-SOI。
2024-03-17 10:10:365126 
據(jù)悉，FD-SOI 是一種先進(jìn)的平面半導(dǎo)體技術(shù)，能夠通過(guò)簡(jiǎn)化制作流程進(jìn)行精準(zhǔn)的漏電流控制，相較于現(xiàn)有的 40nm EPM 技術(shù)，新工藝大幅度提高了性能指標(biāo)：能效提升 50%，數(shù)字密度增加三倍有余，并能夠承載更大的片上存儲(chǔ)和更低的噪音系數(shù)。
2024-03-21 14:00:231482 ，以及芯原在FD-SOI提供的解決方案。 ? 全耗盡型絕緣體上硅（FD-SOI）是一種平面工藝技術(shù)，從結(jié)構(gòu)上看， FD-SOI晶體管的靜電特性優(yōu)于傳統(tǒng)體硅技術(shù)。埋氧層可以降低源極和漏極之間的寄生電容，還能有效地抑制電子從源極流向漏極，從而大幅降低導(dǎo)致性能下降的漏
2024-10-23 10:02:421288 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）2024年10月23日，第九屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店召開，FD-SOI產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)再次匯聚一堂，其中包括多位行業(yè)重量級(jí)嘉賓，比如IBS首席執(zhí)行官
2024-10-23 10:22:161108 
相變存儲(chǔ)器（ePCM）。 ? 在FD-SOI領(lǐng)域，三星已經(jīng)深耕多年，其和意法半導(dǎo)體之間的合作也已經(jīng)持續(xù)多年。早在2014年，意法半導(dǎo)體就曾對(duì)外宣布，選擇三星28nm FD-SOI工藝來(lái)量產(chǎn)自己的產(chǎn)品
2024-10-23 11:53:05990 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）對(duì)于FD-SOI的應(yīng)用，很多人第一個(gè)想到的應(yīng)用方向就是AIoT，這是一個(gè)非常大的方向，包括智能汽車、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備等都屬此列，這也證明了FD-SOI擁有廣闊的發(fā)展
2024-10-23 16:04:441107 
)和三星的合作，它已經(jīng)在微控制器領(lǐng)域找到了自己的出路。早在2018年，意法半導(dǎo)體就宣布，它正在為汽車市場(chǎng)提供采用28nm FD-SOI工藝制造的嵌入式PCM (ePCM)微控制器?，F(xiàn)在，意法半導(dǎo)體宣布了
2025-01-21 10:27:131124 
為期兩天的第十屆上海FD-SOI論壇上周圓滿落幕。作為半導(dǎo)體行業(yè)年度技術(shù)盛會(huì)，本次論壇匯聚了全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖專家、企業(yè)高管及學(xué)術(shù)代表，圍繞 FD-SOI工藝的技術(shù)優(yōu)勢(shì)、發(fā)展趨勢(shì)、設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)等核心
2025-10-10 14:46:25579 2025年9月25日，第十屆上海FD-SOI論壇在浦東香格里拉酒店圓滿舉辦。本次論壇由芯原股份 (簡(jiǎn)稱“芯原”)、新傲科技和新傲芯翼主辦，SEMI中國(guó)和SOI國(guó)際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟協(xié)辦。超過(guò)300位來(lái)自襯底
2025-10-13 16:45:401028
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